JPH04258110A - X線露光装置及びx線露光方法 - Google Patents
X線露光装置及びx線露光方法Info
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- JPH04258110A JPH04258110A JP3039031A JP3903191A JPH04258110A JP H04258110 A JPH04258110 A JP H04258110A JP 3039031 A JP3039031 A JP 3039031A JP 3903191 A JP3903191 A JP 3903191A JP H04258110 A JPH04258110 A JP H04258110A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、X線リソグラフィーに
利用するX線露光装置及びX線露光方法に関する。
利用するX線露光装置及びX線露光方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高密度化及び高
速化に伴い、集積回路のパターン線幅が約3年間で70
%に縮小される傾向にある。又、大容量メモリ素子(例
えば4MDRAM)の更なる集積化により、16Mbi
t容量のもの等では0.5μmルールのデバイス設計が
行われる様になってきた。これに伴い焼付け装置にも一
層の高性能化が要求され、転写可能な最小線幅が0.5
μm以下という高性能が要求され始めてきている。この
為、露光光源波長としてX線領域(2〜20Å)の光を
利用したステッパが開発されつつある。これらのX線露
光装置を用いるプロセスでは、金属、セラミックス、酸
化物等が付加されているX線被露光基板上にレジストパ
ターンを設けるものである。レジストのすぐ下の材料は
導電体であったり不導電体であったりし、その形状も段
差があるもの又はないもの等様々な形態が考えられる。 又、X線露光装置を用いる様なプロセスでは、高解像、
ハイアスペクトのレジストパターンが要求される為、使
用されるレジストには、ポリメチルメタクリレート(P
MMA)、化学増幅型レジスト(メインポリマーはノボ
ラック樹脂)等のポリマーが用いられている。
速化に伴い、集積回路のパターン線幅が約3年間で70
%に縮小される傾向にある。又、大容量メモリ素子(例
えば4MDRAM)の更なる集積化により、16Mbi
t容量のもの等では0.5μmルールのデバイス設計が
行われる様になってきた。これに伴い焼付け装置にも一
層の高性能化が要求され、転写可能な最小線幅が0.5
μm以下という高性能が要求され始めてきている。この
為、露光光源波長としてX線領域(2〜20Å)の光を
利用したステッパが開発されつつある。これらのX線露
光装置を用いるプロセスでは、金属、セラミックス、酸
化物等が付加されているX線被露光基板上にレジストパ
ターンを設けるものである。レジストのすぐ下の材料は
導電体であったり不導電体であったりし、その形状も段
差があるもの又はないもの等様々な形態が考えられる。 又、X線露光装置を用いる様なプロセスでは、高解像、
ハイアスペクトのレジストパターンが要求される為、使
用されるレジストには、ポリメチルメタクリレート(P
MMA)、化学増幅型レジスト(メインポリマーはノボ
ラック樹脂)等のポリマーが用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記の如きレジストは高解像力等を満たすレジストである
ものの電気的には絶縁性の高い材料であり、又、レジス
トが塗布される基板も電気的には絶縁性の高い材料(例
えば酸化シリコン)等である場合も考えられ、レジスト
と基板、即ち被露光基板が電気的に高い絶縁性を有する
場合がある。又、X線露光装置では、従来の光に比べて
高エネルギーを持つX線を光源として用いる為、被露光
基板から光電子及びオージェ電子が発生する。更に、X
線露光装置では、X線の強度が低下しない様にヘリウム
雰囲気となっている場合があるが、この様な乾燥雰囲気
内でX線の露光を行うと露光時に被露光基板と気体の摩
擦による静電気が発生する。一方、X線露光時には、X
線マスク面と被露光基板との間のギャップは10〜数1
0μmの範囲の一定値に保たれている必要がある。従っ
て、以上の様なX線露光装置においてはX線露光を行う
と、レジスト表面が帯電され、一方、マスク面と被露光
基板との間のギャップが少ない為、マスク面とレジスト
表面とが接触して放電し、マスク面やレジスト表面が傷
付けられたり破損するという問題が生じる。更に、放出
される光電子やオージェ電子等の影響でレジストが過剰
露光され、微細パターン形成時に寸法精度等に狂い等を
生じるという問題も発生する。従って本発明の目的は、
上記従来技術の問題点を解決し、帯電防止性や寸法精度
に優れたX線露光装置及びX線露光方法を提供すること
である。
記の如きレジストは高解像力等を満たすレジストである
ものの電気的には絶縁性の高い材料であり、又、レジス
トが塗布される基板も電気的には絶縁性の高い材料(例
えば酸化シリコン)等である場合も考えられ、レジスト
と基板、即ち被露光基板が電気的に高い絶縁性を有する
場合がある。又、X線露光装置では、従来の光に比べて
高エネルギーを持つX線を光源として用いる為、被露光
基板から光電子及びオージェ電子が発生する。更に、X
線露光装置では、X線の強度が低下しない様にヘリウム
雰囲気となっている場合があるが、この様な乾燥雰囲気
内でX線の露光を行うと露光時に被露光基板と気体の摩
擦による静電気が発生する。一方、X線露光時には、X
線マスク面と被露光基板との間のギャップは10〜数1
0μmの範囲の一定値に保たれている必要がある。従っ
て、以上の様なX線露光装置においてはX線露光を行う
と、レジスト表面が帯電され、一方、マスク面と被露光
基板との間のギャップが少ない為、マスク面とレジスト
表面とが接触して放電し、マスク面やレジスト表面が傷
付けられたり破損するという問題が生じる。更に、放出
される光電子やオージェ電子等の影響でレジストが過剰
露光され、微細パターン形成時に寸法精度等に狂い等を
生じるという問題も発生する。従って本発明の目的は、
上記従来技術の問題点を解決し、帯電防止性や寸法精度
に優れたX線露光装置及びX線露光方法を提供すること
である。
【0004】
【課題を解決する為の手段】上記目的は以下の本発明に
よって達成される。即ち、本発明は、X線光源部、X線
マスク部、X線被露光基板及び該基板を固定する手段と
からなるX線露光装置において、上記X線被露光基板が
その上に少なくとも一層の電気導電性の高い膜を有し、
且つ上記基板を所定位置に固定する手段の少なくとも1
部に導電部を有し、これらの導電部が夫々電気的に接触
する様に形成されていることを特徴とするX線露光装置
及びこれを用いたX線露光方法である。
よって達成される。即ち、本発明は、X線光源部、X線
マスク部、X線被露光基板及び該基板を固定する手段と
からなるX線露光装置において、上記X線被露光基板が
その上に少なくとも一層の電気導電性の高い膜を有し、
且つ上記基板を所定位置に固定する手段の少なくとも1
部に導電部を有し、これらの導電部が夫々電気的に接触
する様に形成されていることを特徴とするX線露光装置
及びこれを用いたX線露光方法である。
【0005】
【作用】本発明のX線露光装置は、露光時の静電気の発
生や高エネルギーのX線により被露光基板から発生する
光電子及びオージェ電子が、X線被露光基板上の導電性
膜に吸収された後、基板の固定手段に設けられた導電部
を通って外部へ流れる構成となっている為、X線マスク
面と被露光基板との間のプロキシミティギャップを一定
に保ちつつX線を露光することが出来、且つX線露光時
に発生するレジスト膜面の帯電が防止され、その結果X
線マスクと基板とが接触し放電することがなくなり、X
線マスクや基板の破損を防止出来る。又、放出される光
電子及びオージェ電子の影響でレジストが過剰露光され
ることも防止出来る為、寸法精度よくレジストパターン
を形成することが出来る。
生や高エネルギーのX線により被露光基板から発生する
光電子及びオージェ電子が、X線被露光基板上の導電性
膜に吸収された後、基板の固定手段に設けられた導電部
を通って外部へ流れる構成となっている為、X線マスク
面と被露光基板との間のプロキシミティギャップを一定
に保ちつつX線を露光することが出来、且つX線露光時
に発生するレジスト膜面の帯電が防止され、その結果X
線マスクと基板とが接触し放電することがなくなり、X
線マスクや基板の破損を防止出来る。又、放出される光
電子及びオージェ電子の影響でレジストが過剰露光され
ることも防止出来る為、寸法精度よくレジストパターン
を形成することが出来る。
【0006】
【実施例】以下、図面を使用して本発明の実施例を具体
的に説明する。
的に説明する。
【0007】実施例1
図1は本発明のX線露光装置の断面を図解的に説明する
図である。本露光装置は、図1に示した様に、被露光基
板2とそれを固定する手段である基板チャック3との間
に電気的接点4を有しており、更に、基板チャック3は
チャンバー1と導通している。又、X線マスク5の一側
面部と、マスクチャック6の一部を構成するX線マスク
の位置決めを行うブロック7との間に電気的接点を有し
、更に、ブロック部7とチャンバー1とは導通しており
、チャンバー1がアース電位となっている。尚、チャン
バー1内はヘリウム雰囲気であり、その圧力は100
Torr 程度となっている。
図である。本露光装置は、図1に示した様に、被露光基
板2とそれを固定する手段である基板チャック3との間
に電気的接点4を有しており、更に、基板チャック3は
チャンバー1と導通している。又、X線マスク5の一側
面部と、マスクチャック6の一部を構成するX線マスク
の位置決めを行うブロック7との間に電気的接点を有し
、更に、ブロック部7とチャンバー1とは導通しており
、チャンバー1がアース電位となっている。尚、チャン
バー1内はヘリウム雰囲気であり、その圧力は100
Torr 程度となっている。
【0008】図2(a)は、図1に示したX線マスク部
、被露光基板2とそれを固定する手段である基板チャッ
ク3の部分拡大図である。又、(b)は、(a)を上か
らみた平面図である。被露光基板21はその上に導電膜
22をもつSiウエハーである。被露光基板21の形成
材料としては本実施例で使用したSiウエハーがよく用
いられるが、これ以外にも、GaAs基板やガラス基板
、又はSiウエハー上に金属、セラミックス、酸化物等
が付着及び加工されたものも使用出来る。基板21上に
積層する導電膜22は、ここではカーボンで形成する。 尚、導電膜22の形成には、本実施例のカーボンの様な
無機物が主に使われているが、塗布型の、例えば、ポリ
塩化ビニルベンジルトリメチルアンモニウム塩等の導電
性ポリマー等の有機物で形成してもよい。又、23はX
線に感光するレジストであり、ここではSi含有レジス
トSNR(商品名:東洋曹達社製)を用いた。但し、最
外周部は図2(a)に示す様にエッジリンスを行いレジ
スト23を取り除き導電膜22を露出させておく。24
は基板チャックでありAlからなるが、この他、ステン
レス等の金属やアルミナ等のセラミックスも使用出来る
。この基板チャック24上にはアースバネ25a及び2
5bがあり、図2(a)に示す様に25aで導電膜22
に接して形成されている。アースバネ25の形成材質は
リン青銅であるが、ステンレス等でもよい。 又、その形状は、図2(a)に示す様にアースバネ25
aの導電膜22と接触する部分は導電膜22を傷付けな
い様に接触端が曲面になっている。しかし、これに限ら
ずアースバネ25の材質及び形状としては、導電性があ
り、且つ導電膜22、基板21及びレジスト23を傷付
けなければこれらの限りではない。又、25をアースバ
ネと呼んだがバネ性のないピン等であってもかまわない
。又、図2(a)中の26はX線マスク構造体、27は
マスクチャック、28はその一部でマスクの位置決めに
用いられるブロックである。本発明のX線露光方法にお
いては、図2(a)に示す様にX線マスク26の裏面か
らX線が照射され、マスク上のパターンがレジスト膜2
3に転写される。そのX線露光時に被露光基板から発生
する光電子及びオージェ電子は、導電膜22に吸収され
た後、アースバネ25a、基板チャック24を通って、
チャンバー1へと流れていく。又、X線マスク構造体2
6から発生する電子も同様に、マスク導電膜、ブロック
28、マスクチャック27を通って、チャンバー1へと
流れていく。しかし、X線露光ステパーではプロキシミ
ティー露光の為、X線マスク構造体26のマスク面と被
露光基板21上のレジスト膜23との間隔は、10〜5
0μm程度の定まった値に固定されなければならない。 この為アースバネ25の存在がこのプロキシミティギャ
ップを変動させてしまう様では、微細パターンの形成を
行うことが出来ない。その為、図2(b)に示した様に
アースバネ25は複数個設け、且つ図2に示した様にプ
ロキシミティギャップに悪影響を及ぼす様な25bは、
導電膜22に接しない様にステップの動きに合わせて作
動させ、プロキシミティギャップに影響を与えない25
aのみを導電膜22と接する様にして導通をとる。
、被露光基板2とそれを固定する手段である基板チャッ
ク3の部分拡大図である。又、(b)は、(a)を上か
らみた平面図である。被露光基板21はその上に導電膜
22をもつSiウエハーである。被露光基板21の形成
材料としては本実施例で使用したSiウエハーがよく用
いられるが、これ以外にも、GaAs基板やガラス基板
、又はSiウエハー上に金属、セラミックス、酸化物等
が付着及び加工されたものも使用出来る。基板21上に
積層する導電膜22は、ここではカーボンで形成する。 尚、導電膜22の形成には、本実施例のカーボンの様な
無機物が主に使われているが、塗布型の、例えば、ポリ
塩化ビニルベンジルトリメチルアンモニウム塩等の導電
性ポリマー等の有機物で形成してもよい。又、23はX
線に感光するレジストであり、ここではSi含有レジス
トSNR(商品名:東洋曹達社製)を用いた。但し、最
外周部は図2(a)に示す様にエッジリンスを行いレジ
スト23を取り除き導電膜22を露出させておく。24
は基板チャックでありAlからなるが、この他、ステン
レス等の金属やアルミナ等のセラミックスも使用出来る
。この基板チャック24上にはアースバネ25a及び2
5bがあり、図2(a)に示す様に25aで導電膜22
に接して形成されている。アースバネ25の形成材質は
リン青銅であるが、ステンレス等でもよい。 又、その形状は、図2(a)に示す様にアースバネ25
aの導電膜22と接触する部分は導電膜22を傷付けな
い様に接触端が曲面になっている。しかし、これに限ら
ずアースバネ25の材質及び形状としては、導電性があ
り、且つ導電膜22、基板21及びレジスト23を傷付
けなければこれらの限りではない。又、25をアースバ
ネと呼んだがバネ性のないピン等であってもかまわない
。又、図2(a)中の26はX線マスク構造体、27は
マスクチャック、28はその一部でマスクの位置決めに
用いられるブロックである。本発明のX線露光方法にお
いては、図2(a)に示す様にX線マスク26の裏面か
らX線が照射され、マスク上のパターンがレジスト膜2
3に転写される。そのX線露光時に被露光基板から発生
する光電子及びオージェ電子は、導電膜22に吸収され
た後、アースバネ25a、基板チャック24を通って、
チャンバー1へと流れていく。又、X線マスク構造体2
6から発生する電子も同様に、マスク導電膜、ブロック
28、マスクチャック27を通って、チャンバー1へと
流れていく。しかし、X線露光ステパーではプロキシミ
ティー露光の為、X線マスク構造体26のマスク面と被
露光基板21上のレジスト膜23との間隔は、10〜5
0μm程度の定まった値に固定されなければならない。 この為アースバネ25の存在がこのプロキシミティギャ
ップを変動させてしまう様では、微細パターンの形成を
行うことが出来ない。その為、図2(b)に示した様に
アースバネ25は複数個設け、且つ図2に示した様にプ
ロキシミティギャップに悪影響を及ぼす様な25bは、
導電膜22に接しない様にステップの動きに合わせて作
動させ、プロキシミティギャップに影響を与えない25
aのみを導電膜22と接する様にして導通をとる。
【0009】この様な本発明のX線露光装置は、前記し
た被露光基板21を用い、前記の様にステップの動きに
合わせてアースバネ25を作動させ、X線露光をするこ
とによりプロキシミティギャップを一定値に保ちつつX
線を露光することが出来、且つ、X線露光時に発生する
レジスト膜面の帯電が防止され、その結果X線マスクと
基板とが接触し放電することがなくなり、X線マスクや
基板の破損を防止出来る。更に、レジストの過剰露光も
防ぐことが出来る為、寸法精度よくレジストパターンを
形成することが出来た。尚、導電膜22はその材料に最
適な方法によりその後エッチングする。この実施例で用
いたカーボンの場合には、酸素プラズマを用いてエッチ
ングする。この場合、導電膜22はレジストパターンの
形状に沿ってエッチングされ、レジスト膜の一部として
次のプロセスに利用される。
た被露光基板21を用い、前記の様にステップの動きに
合わせてアースバネ25を作動させ、X線露光をするこ
とによりプロキシミティギャップを一定値に保ちつつX
線を露光することが出来、且つ、X線露光時に発生する
レジスト膜面の帯電が防止され、その結果X線マスクと
基板とが接触し放電することがなくなり、X線マスクや
基板の破損を防止出来る。更に、レジストの過剰露光も
防ぐことが出来る為、寸法精度よくレジストパターンを
形成することが出来た。尚、導電膜22はその材料に最
適な方法によりその後エッチングする。この実施例で用
いたカーボンの場合には、酸素プラズマを用いてエッチ
ングする。この場合、導電膜22はレジストパターンの
形状に沿ってエッチングされ、レジスト膜の一部として
次のプロセスに利用される。
【0010】実施例2
図3は、本発明の別の実施例であるX線露光装置内の被
露光基板2とそれを固定する手段である基板チャック3
の部分拡大図である。尚、被露光基板31、基板チャク
34及びアースバネ35は実施例1と同様のものが用い
られる。被露光基板31上には、ポリイミド、ノボラッ
ク樹脂等のポリマーからなる膜39があり、その上に導
電膜32をTiで形成する。更に導電膜32上に、PM
MA(ポリメチルメタアクリレート 商品名OEBR
−1000 東京応化(株)製)を塗布してX線レジ
スト膜33を積層する。但し、最外周部は図2(a)に
示す様にエッジリンスを行いレジスト33を取り除き導
電膜32を露出させておく。
露光基板2とそれを固定する手段である基板チャック3
の部分拡大図である。尚、被露光基板31、基板チャク
34及びアースバネ35は実施例1と同様のものが用い
られる。被露光基板31上には、ポリイミド、ノボラッ
ク樹脂等のポリマーからなる膜39があり、その上に導
電膜32をTiで形成する。更に導電膜32上に、PM
MA(ポリメチルメタアクリレート 商品名OEBR
−1000 東京応化(株)製)を塗布してX線レジ
スト膜33を積層する。但し、最外周部は図2(a)に
示す様にエッジリンスを行いレジスト33を取り除き導
電膜32を露出させておく。
【0011】上記の様にして形成したX線露光装置を用
い、実施例1と同様にステップの動きに合わせてアース
バネ35を作動させて、X線露光することにより精度よ
くレジストパターンを形成することが出来た。尚、導電
膜32はその材料に最適な方法によりその後エッチング
する。この実施例で用いたTiの場合には、CF4ガス
を用いたプラズマを用いてエッチングする。更に、酸素
プラズマによりポリマーの膜39もエッチングする。本
実施例の場合、ポリマーの膜39が次のプロセスでレジ
ストとしての作用を果たす為、ポリマーの膜39のパタ
ーン形成後は導電膜32はその後のプロセスにより除去
されたりされなかったりする。
い、実施例1と同様にステップの動きに合わせてアース
バネ35を作動させて、X線露光することにより精度よ
くレジストパターンを形成することが出来た。尚、導電
膜32はその材料に最適な方法によりその後エッチング
する。この実施例で用いたTiの場合には、CF4ガス
を用いたプラズマを用いてエッチングする。更に、酸素
プラズマによりポリマーの膜39もエッチングする。本
実施例の場合、ポリマーの膜39が次のプロセスでレジ
ストとしての作用を果たす為、ポリマーの膜39のパタ
ーン形成後は導電膜32はその後のプロセスにより除去
されたりされなかったりする。
【0012】実施例3
図4は、本発明の別の実施例であるX線露光装置内の被
露光基板2とそれを固定する手段である基板チャック3
の部分断面図である。被露光基板41は最表面がSiO
2であるSiウエハーである。44は基板41を固定す
る基板チャックであり、45はアースピンである。この
アースピン45は、実施例1と同様にステップの動きに
合わせて作動する。又、43はX線レジストであり、こ
こでは化学増幅型レジストRAY−PN(商品名:ヘキ
スト社製)を用いた。但し、最外周部はエッジリンスを
行いレジスト43を取り除いておく。更にレジスト43
上の導電膜42は、アルカリ可溶型導電性高分子を用い
形成する。ここでは、TCNQ(テトラシアノキノジメ
タン)錯体とメタクリレート樹脂からなるポリマーを用
い形成する。又、この導電膜42はX線露光された後、
X線レジスト43の現像時に同時に剥離される。
露光基板2とそれを固定する手段である基板チャック3
の部分断面図である。被露光基板41は最表面がSiO
2であるSiウエハーである。44は基板41を固定す
る基板チャックであり、45はアースピンである。この
アースピン45は、実施例1と同様にステップの動きに
合わせて作動する。又、43はX線レジストであり、こ
こでは化学増幅型レジストRAY−PN(商品名:ヘキ
スト社製)を用いた。但し、最外周部はエッジリンスを
行いレジスト43を取り除いておく。更にレジスト43
上の導電膜42は、アルカリ可溶型導電性高分子を用い
形成する。ここでは、TCNQ(テトラシアノキノジメ
タン)錯体とメタクリレート樹脂からなるポリマーを用
い形成する。又、この導電膜42はX線露光された後、
X線レジスト43の現像時に同時に剥離される。
【0013】実施例4
図5は、本発明の別の実施例であるX線露光装置内の被
露光基板の部分断面図である。X線レジスト53及び導
電膜52は、実施例3と同様のものを用いた。被露光基
板51は、導電性のSi上に金属等の導電体が蒸着及び
加工されたものである。又、基板チャック54にもAl
等の金属が用いられている。従って、この場合はアース
バネやピンは不要となる。上記の様にして形成した本発
明のX線露光装置は、X線露光の際に被露光基板2から
発生する光電子及びオージェ電子等は、導電膜52に吸
収された後、基板51、基板チャック54を通って、チ
ャンバー1へと流れていく。その為、X線露光時に発生
するレジスト膜面の帯電が防止され、その結果X線マス
クと基板とが接触し放電することがなくなり、X線マス
クや基板の破損を防止出来る。更に、レジストの過剰露
光も防ぐことが出来る為、寸法精度よくレジストパター
ンを形成することが出来た。
露光基板の部分断面図である。X線レジスト53及び導
電膜52は、実施例3と同様のものを用いた。被露光基
板51は、導電性のSi上に金属等の導電体が蒸着及び
加工されたものである。又、基板チャック54にもAl
等の金属が用いられている。従って、この場合はアース
バネやピンは不要となる。上記の様にして形成した本発
明のX線露光装置は、X線露光の際に被露光基板2から
発生する光電子及びオージェ電子等は、導電膜52に吸
収された後、基板51、基板チャック54を通って、チ
ャンバー1へと流れていく。その為、X線露光時に発生
するレジスト膜面の帯電が防止され、その結果X線マス
クと基板とが接触し放電することがなくなり、X線マス
クや基板の破損を防止出来る。更に、レジストの過剰露
光も防ぐことが出来る為、寸法精度よくレジストパター
ンを形成することが出来た。
【0014】実施例5
図6は、本発明の別の実施例であるX線露光装置内の被
露光基板の部分断面図である。被露光基板61は、最表
面がSiNであるSiウエハーである。63は導電性レ
ジストであり、ここでは4級アンモニウム塩をもったポ
リスチレンを用いた。65はアースピンであり、これは
実施例1と同様にX線露光時のステップに合わせて作動
する。上記の様にして形成した本発明のX線露光装置は
、X線露光の際に被露光基板2から発生する光電子及び
オージェ電子等は、導電性レジスト63に吸収された後
、アースピン65、基板チャック64を通ってチャンバ
ー1へと流れていく。その為、X線露光時に発生するレ
ジスト膜面の帯電が防止され、その結果X線マスクと基
板とが接触し放電することがなくなり、X線マスクや基
板の破損を防止出来る。更に、レジストの過剰露光も防
ぐことが出来る為、寸法精度よくレジストパターンを形
成することが出来た。
露光基板の部分断面図である。被露光基板61は、最表
面がSiNであるSiウエハーである。63は導電性レ
ジストであり、ここでは4級アンモニウム塩をもったポ
リスチレンを用いた。65はアースピンであり、これは
実施例1と同様にX線露光時のステップに合わせて作動
する。上記の様にして形成した本発明のX線露光装置は
、X線露光の際に被露光基板2から発生する光電子及び
オージェ電子等は、導電性レジスト63に吸収された後
、アースピン65、基板チャック64を通ってチャンバ
ー1へと流れていく。その為、X線露光時に発生するレ
ジスト膜面の帯電が防止され、その結果X線マスクと基
板とが接触し放電することがなくなり、X線マスクや基
板の破損を防止出来る。更に、レジストの過剰露光も防
ぐことが出来る為、寸法精度よくレジストパターンを形
成することが出来た。
【0015】
【効果】以上の様に本発明のX線露光装置は、露光時の
静電気や高エネルギーのX線により被露光基板から発生
する光電子及びオージェ電子が、X線被露光基板上の電
気導電性の高い膜に吸収された後、基板の固定手段に設
けられた導電部を通って外部へ流れる構成となっている
為、X線マスク面と被露光基板との間のプロキシミティ
ギャップを一定に保ちつつX線を露光することが出来、
且つX線露光時に発生するレジスト膜面の帯電が防止さ
れ、その結果X線マスクと基板とが接触し放電すること
がなくなり、X線マスクや基板の破損を防止出来る。 又、放出される光電子及びオージェ電子の影響でレジス
トが過剰露光されることも防止出来る為、寸法精度よく
レジストパターンを形成することが出来る。
静電気や高エネルギーのX線により被露光基板から発生
する光電子及びオージェ電子が、X線被露光基板上の電
気導電性の高い膜に吸収された後、基板の固定手段に設
けられた導電部を通って外部へ流れる構成となっている
為、X線マスク面と被露光基板との間のプロキシミティ
ギャップを一定に保ちつつX線を露光することが出来、
且つX線露光時に発生するレジスト膜面の帯電が防止さ
れ、その結果X線マスクと基板とが接触し放電すること
がなくなり、X線マスクや基板の破損を防止出来る。 又、放出される光電子及びオージェ電子の影響でレジス
トが過剰露光されることも防止出来る為、寸法精度よく
レジストパターンを形成することが出来る。
【0016】
【図1】本発明のX線露光装置の断面図である。
【図2】(a)は本発明の実施例のX線露光装置のX線
被露光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図であ
り、(b)は(a)の平面図である。
被露光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図であ
り、(b)は(a)の平面図である。
【図3】本発明の別の実施例のX線露光装置のX線被露
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
【図4】本発明の別の実施例のX線露光装置のX線被露
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
【図5】本発明の別の実施例のX線露光装置のX線被露
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
【図6】本発明の別の実施例のX線露光装置のX線被露
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
1:チャンバー
2、21、31、41、51、61:X線被露光基板3
、24、34、44、54、64:基板チャック4、2
5、35、45、65:アースバネ又はピン25a、3
5a、45a、65a:導電膜に接しているアースバネ
又はピン。 25b、35b、45b、65b:導電膜に接している
アースバネ又はピン。 22、32、42、52:導電膜 23、33、43、53、63:レジスト5、26:X
線マスク 6、27:マスクチャック 7、28:ブロック
、24、34、44、54、64:基板チャック4、2
5、35、45、65:アースバネ又はピン25a、3
5a、45a、65a:導電膜に接しているアースバネ
又はピン。 25b、35b、45b、65b:導電膜に接している
アースバネ又はピン。 22、32、42、52:導電膜 23、33、43、53、63:レジスト5、26:X
線マスク 6、27:マスクチャック 7、28:ブロック
Claims (2)
- 【請求項1】 X線光源部、X線マスク部、X線被露
光基板及び該基板を固定する手段とからなるX線露光装
置において、上記X線被露光基板がその上に少なくとも
一層の電気導電性の高い膜を有し、且つ上記基板を所定
位置に固定する手段の少なくとも1部に導電部を有し、
これらの導電部が夫々電気的に接触する様に形成されて
いることを特徴とするX線露光装置。 - 【請求項2】 X線被露光基板の表面にX線マスクを
重ね、該マスクを通してX線を露光するX線露光方法に
おいて、該基板がその上に少なくとも一層の電気導電性
の高い膜を有し、且つ上記基板を所定位置に固定する手
段の少なくとも1部に導電部を有し、これらの導電部を
必要に応じて電気的に接触させることを特徴とするX線
露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3039031A JPH04258110A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | X線露光装置及びx線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3039031A JPH04258110A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | X線露光装置及びx線露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04258110A true JPH04258110A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=12541742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3039031A Pending JPH04258110A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | X線露光装置及びx線露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04258110A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7463336B2 (en) | 2004-04-14 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and apparatus with applied electric field |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP3039031A patent/JPH04258110A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7463336B2 (en) | 2004-04-14 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and apparatus with applied electric field |
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