JPH04257463A - Driver of led head - Google Patents
Driver of led headInfo
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- JPH04257463A JPH04257463A JP3019064A JP1906491A JPH04257463A JP H04257463 A JPH04257463 A JP H04257463A JP 3019064 A JP3019064 A JP 3019064A JP 1906491 A JP1906491 A JP 1906491A JP H04257463 A JPH04257463 A JP H04257463A
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- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Accessory Devices And Overall Control Thereof (AREA)
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明はLEDプリンタに使用さ
れるLEDヘッドに係り、特にLEDヘッドの駆動装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an LED head used in an LED printer, and more particularly to an LED head driving device.
【0002】0002
【従来の技術】電子写真方式を使用したLEDプリンタ
は、感光体周面に帯電器、LEDヘッド、現像器、転写
器等を配設し、感光体に対してLEDヘッドにより印字
データに基づく光書き込みを行い、感光体に形成される
静電潜像を現像器によってトナー像化し、転写器でトナ
ー像を用紙に転写することにより印字を行う装置である
。このようなLEDプリンタに使用されるLEDヘッド
は、印字データに基づく光書き込みを行う為、LED素
子と共にその発光制御を行う駆動回路を有している。[Prior Art] An LED printer using an electrophotographic method has a charger, an LED head, a developer, a transfer device, etc. arranged around the photoreceptor, and the LED head illuminates the photoreceptor based on print data. This is a device that performs printing by writing, converting the electrostatic latent image formed on a photoreceptor into a toner image using a developing device, and transferring the toner image onto paper using a transfer device. In order to perform optical writing based on print data, the LED head used in such an LED printer has a drive circuit that controls the light emission of the LED element together with the LED element.
【0003】図5に示す回路はLEDヘッドの駆動回路
の一例である。この駆動回路は複数のLEDアレイチッ
プ1a〜1mで構成され、各LEDアレイチップ1a〜
1mの内部には各々n個のLED素子が配設されている
。尚、同図にm個として示すLEDアレイチップは、実
際のLEDヘッド内に通常30個程度配設されている。The circuit shown in FIG. 5 is an example of a driving circuit for an LED head. This drive circuit is composed of a plurality of LED array chips 1a to 1m, each of which has a plurality of LED array chips 1a to 1m.
n LED elements are arranged inside each 1 m. It should be noted that about 30 LED array chips, shown as m in the figure, are usually arranged in an actual LED head.
【0004】図6は上記LEDアレイチップ1a〜1m
の中の1つのLEDアレイチップの構成を詳しく示す図
である。同図において、n個のLED1〜LEDn は
上述の感光体に実際に光書き込みを行う、発光セグメン
トとしてのLED素子であり、各々対応するドライバー
回路A1 〜An から出力される駆動信号で発光制御
される。発光セグメントの駆動手段としての各ドライバ
ー回路A1 〜An はスイッチ回路S1 〜Sn と
MOSトランジスタQ1 〜Qn で構成され、不図示
のプリンタコントローラから出力される印字データD1
〜Dn に基づいてLED1 〜LEDn へ駆動信
号を出力する。図7はスイッチ回路S1 〜Sn の具
体的回路構成を示し、2個のMOSトランジスタQS1
、QS2とインバータ2で上記スイッチ回路S1 〜S
n が構成されていることを示す。MOSトランジスタ
QS1のゲート(G)には印字データD1 〜Dn が
直接入力し、MOSトランジスタQS2のゲート(G)
にはインバータ2を介して印字データD1 〜Dn が
入力する。そして、印字データがハイ信号の時MOSト
ランジスタQS1はカットオフ状態となり、MOSトラ
ンジスタQS2がオンとなる為後述する図6に○印を付
して示すG点の電位がMOSトランジスタQS2を介し
てMOSトランジスタQ1 〜Qn のゲート(G)へ
出力される。また、印字データがロー信号の時MOSト
ランジスタQS2がカットオフ状態となり、MOSトラ
ンジスタQS1がオンする為電源VDDからMOSトラ
ンジスタQS1を介して電源電流がMOSトランジスタ
Q1 〜Qn のゲート(G)へ出力される。したがっ
て、印字データがハイ信号の時MOSトランジスタQ1
〜Qn はオンしてドレイン電流を流し、印字データ
がロー信号の時MOSトランジスタQ1 〜Qn のゲ
ート(G)へ供給される電源電流とソース(S)に供給
される電流は同じである為カットオフ状態となる。以上
から、例えばドライバー回路A1 は印字データD1
がハイ信号の時MOSトランジスタQ1 をドライブし
てLED1 に駆動信号を出力して発光し、ロー信号の
時MOSトランジスタQ1 をオフしてLED1 を発
光しない。また、駆動回路A2 は印字データD2がハ
イ信号時MOSトランジスタQ2 をドライブしてLE
D2 を発光し、ロー信号の時MOSトランジスタQ2
をオフしてLED2 を発光しない。さらに、他の駆
動回路A3 〜An も同様に動作し、対応するLED
3 〜LEDn を発光制御する。FIG. 6 shows the LED array chips 1a to 1m.
It is a figure showing the structure of one LED array chip in detail. In the figure, n LEDs 1 to LEDn are LED elements as light-emitting segments that actually perform optical writing on the above-mentioned photoreceptor, and the light emission is controlled by drive signals output from respective corresponding driver circuits A1 to An. Ru. Each of the driver circuits A1 to An serving as driving means for the light emitting segments is composed of switch circuits S1 to Sn and MOS transistors Q1 to Qn, and print data D1 output from a printer controller (not shown).
A drive signal is outputted to LED1 to LEDn based on -Dn. FIG. 7 shows a specific circuit configuration of the switch circuits S1 to Sn, in which two MOS transistors QS1
, QS2 and inverter 2 form the above switch circuits S1 to S
Indicates that n is configured. Print data D1 to Dn are directly input to the gate (G) of the MOS transistor QS1, and the gate (G) of the MOS transistor QS2 is directly inputted to the gate (G) of the MOS transistor QS1.
Print data D1 to Dn are input to the inverter 2 through the inverter 2. When the print data is a high signal, the MOS transistor QS1 is cut off, and the MOS transistor QS2 is turned on, so that the potential at point G, which is indicated by a circle in FIG. It is output to the gates (G) of transistors Q1 to Qn. Furthermore, when the print data is a low signal, the MOS transistor QS2 is cut off, and the MOS transistor QS1 is turned on, so that the power supply current is output from the power supply VDD to the gates (G) of the MOS transistors Q1 to Qn through the MOS transistor QS1. Ru. Therefore, when the print data is a high signal, the MOS transistor Q1
~Qn is turned on and drain current flows, and when the print data is a low signal, the power supply current supplied to the gate (G) of MOS transistors Q1 ~Qn is the same as the current supplied to the source (S), so it is cut. Turns off. From the above, for example, driver circuit A1 has print data D1
When is a high signal, MOS transistor Q1 is driven and a drive signal is output to LED1 to emit light, and when is a low signal, MOS transistor Q1 is turned off and LED1 does not emit light. Furthermore, when the print data D2 is a high signal, the drive circuit A2 drives the MOS transistor Q2 and outputs the LE signal.
D2 emits light, and when the signal is low, MOS transistor Q2
Turn off LED2 so that it does not emit light. Furthermore, the other drive circuits A3 to An operate in the same manner, and the corresponding LEDs
3 to control the light emission of LEDn.
【0005】一方、図6に示すMOSトランジスタQc
、抵抗R1 、R2 、Rx は同図に示すG点の電
位を決定する回路構成である。このG点の電位は上述の
ように、印字データD1 〜Dn がハイ信号の時MO
SトランジスタQS2のソース(S)を介してMOSト
ランジスタQ1 〜Qn のゲート(G)に印加される
電圧であり、その結果MOSトランジスタQ1 〜Qn
のドレイン電流を決定する電圧となる。したがって、
LED1 〜LEDn の電流値は具体的にはこのG点
の電位により供給される電流値(ドレイン電流)で定ま
りLED1 〜LEDn の発光光量が決まる。さらに
、G点の電位は上記抵抗R1 、R2、Rx の抵抗値
に依存するものであり、従ってLED1 〜LEDn
の発光光量は抵抗R1 、R2 、Rx の有する抵抗
値に依存するものである。On the other hand, the MOS transistor Qc shown in FIG.
, resistors R1, R2, and Rx are circuit configurations that determine the potential at point G shown in the figure. As mentioned above, the potential of this point G is MO when the print data D1 to Dn are high signals.
This is the voltage applied to the gates (G) of MOS transistors Q1 to Qn through the source (S) of S transistor QS2, and as a result, MOS transistors Q1 to Qn
This is the voltage that determines the drain current of . therefore,
Specifically, the current value of LED1 to LEDn is determined by the current value (drain current) supplied by the potential at point G, and the amount of light emitted by LED1 to LEDn is determined. Furthermore, the potential at point G depends on the resistance values of the resistors R1, R2, and Rx, and therefore LED1 to LEDn
The amount of light emitted depends on the resistance values of the resistors R1, R2, and Rx.
【0006】この抵抗R1 、R2 はLEDアレイチ
ップ1a〜1n内に集積回路の一部として形成されてい
る。
また、抵抗Rx は所謂外付け抵抗としてLEDアレイ
チップ1a〜1mに接続される構成である。The resistors R1 and R2 are formed as part of an integrated circuit within the LED array chips 1a to 1n. Further, the resistor Rx is connected to the LED array chips 1a to 1m as a so-called external resistor.
【0007】次に従来のLEDヘッドの駆動回路におい
て、MOSトランジスタQ1 〜Qn のゲート(G)
に供給される電圧とLED1 〜LEDn の発光光量
の関係を説明する。先ず、一般にMOSトランジスタQ
c へ印加するゲート電圧VGS(ゲート(G)−ソー
ス(S)間電圧)とドレイン電流ID の関係はVDS
>VGS−Vthのもとにおいて以下の式で表される。Next, in the conventional LED head drive circuit, the gates (G) of the MOS transistors Q1 to Qn
The relationship between the voltage supplied to LED1 to LEDn and the amount of light emitted from LED1 to LEDn will be explained. First, generally the MOS transistor Q
The relationship between the gate voltage VGS (gate (G)-source (S) voltage) applied to c and the drain current ID is VDS
>VGS-Vth is expressed by the following formula.
【0008】
ID =IDSS (VGS/Vth−1)2
・・・(1)但し
、Vthはピンチオフ電圧を示し、VDSはドレイン−
ソース間電圧を示し、IDSS は飽和ドレイン電流を
示す。ID=IDSS (VGS/Vth-1)2
...(1) However, Vth indicates the pinch-off voltage, and VDS indicates the drain-
IDSS indicates the source-to-source voltage, and IDSS indicates the saturated drain current.
【0009】したがって、MOSトランジスタQc が
オンの時G点にはMOSトランジスタQc 及び抵抗R
1 を介して電源VDDから供給される電流が流れ込む
。そして、このMOSトランジスタQc とLED1
〜LEDn を発光するMOSトランジスタQ1 〜Q
n の相互コンダクタンスが等しければ、所謂カレント
ミラー効果により上記式(1)により得られるドレイン
電流ID はMOSトランジスタQ1 〜Qn のドレ
イン電流としてMOSトランジスタQ1 〜Qn に流
れる。尚、MOSトランジスタQc とMOSトランジ
スタQ1 〜Qnの相互コンダクタンスgmは以下の式
で表される。Therefore, when the MOS transistor Qc is on, at the point G, the MOS transistor Qc and the resistor R
1, a current supplied from the power supply VDD flows into it. And this MOS transistor Qc and LED1
MOS transistor Q1 that emits light from ~LEDn ~Q
If the mutual conductances of n are equal, the drain current ID obtained by the above equation (1) flows to the MOS transistors Q1 to Qn as the drain current of the MOS transistors Q1 to Qn due to the so-called current mirror effect. Incidentally, the mutual conductance gm of the MOS transistor Qc and the MOS transistors Q1 to Qn is expressed by the following equation.
【0010】0010
【数1】[Math 1]
【0011】尚、図5に示すLEDヘッドの駆動回路の
全体構成と、図6に示すLEDアレイチップの回路構成
とを比較すると、図6に示すの抵抗R2に対応する抵抗
が図5では抵抗R2a、R2b、R2cで構成され、ス
イッチ3で選択できる構成である。このように構成する
のは、各LEDアレイチップ間でLED素子の発光光量
に差がある為その差をスイッチ3の切り換えにより補正
する構成である。When comparing the overall configuration of the LED head drive circuit shown in FIG. 5 with the circuit configuration of the LED array chip shown in FIG. 6, it is found that the resistance corresponding to the resistor R2 shown in FIG. It is composed of R2a, R2b, and R2c, and can be selected by a switch 3. This configuration is such that since there is a difference in the amount of light emitted from the LED elements between the LED array chips, the difference is corrected by switching the switch 3.
【0012】0012
【従来技術の問題点】上述のようなLEDヘッドの駆動
装置において、品質の優れた印字画像を得る為には何よ
りも各LED1 〜LEDn の発光光量が安定してい
ることが必要である。しかし、装置内の温度の変化は上
述の抵抗R1 、R2 、Rx の抵抗値変化をもたら
し、従ってG点の電位も温度により影響を受けVGSが
変化することによりMOSトランジスタQc とQ1
〜Qn 間の相互コンダクタンスが変化し、MOSトラ
ンジスタQ1 〜Qnを流れるドレイン電流ID も変
化してしまう。以下このことを説明する。[Problems with the Prior Art] In the above-mentioned LED head driving device, in order to obtain a printed image of excellent quality, it is necessary above all that the amount of light emitted from each LED1 to LEDn be stable. However, a change in temperature within the device brings about a change in the resistance values of the resistors R1, R2, and Rx, and therefore the potential at point G is also affected by temperature and VGS changes, causing MOS transistors Qc and Q1 to change.
The mutual conductance between Q1 to Qn changes, and the drain current ID flowing through the MOS transistors Q1 to Qn also changes. This will be explained below.
【0013】先ず、前述のように各LED1 〜LED
n に流れ込む電流はトランジスタQc のドレイン電
流IDCが基準となり、従って式(1)に示したVGS
が安定していること、すなわちG点の電位が安定してい
ることが要求される。ここで、抵抗R1 の両端の電位
差VGSの温度特性はドレイン電流IDCを無視し、抵
抗R1 とR2 の温度係数をa、抵抗Rx の温度係
数をbとすると、図5及び図6において、First, as mentioned above, each LED1 to LED
The current flowing into n is based on the drain current IDC of transistor Qc, and therefore VGS shown in equation (1)
is required to be stable, that is, the potential at point G is required to be stable. Here, the temperature characteristics of the potential difference VGS across the resistor R1 are as follows in FIGS. 5 and 6, ignoring the drain current IDC, and assuming that the temperature coefficient of the resistors R1 and R2 is a, and the temperature coefficient of the resistor Rx is b.
【0014】[0014]
【数2】[Math 2]
【0015】で表すことができる。したがって、例えば
基準温度T=0とのVGSの変化率Uは、It can be expressed as: Therefore, for example, the rate of change U of VGS with respect to the reference temperature T=0 is:
【0016】[0016]
【数3】[Math 3]
【0017】となる。ここで、各LEDアレイチップ内
に配設されるLED1 〜LEDn が例えば64個で
あり(n=64)、1個のLEDに6mAの電流を流す
とし、1個のLEDアレイチップ内のすべてのLED1
〜LED64が発光すると、LEDアレイチップ1個
当たりの消費電力Pは、
P≒6×10−3×64×(5−1.5)×1/4
=0.336〔W〕
・・・(5)となる。
但し、電源電圧を5V、LED1 〜LED64のVf
を1. 5V、発光時間のデューティーを1/4とし
て計算している。[0017] Here, suppose that the number of LED1 to LEDn arranged in each LED array chip is, for example, 64 (n=64), and a current of 6 mA is passed through one LED, and all of the LEDs in one LED array chip are LED1
~When the LED 64 emits light, the power consumption P per LED array chip is: P≒6×10-3×64×(5-1.5)×1/4
=0.336 [W]
...(5). However, the power supply voltage is 5V, and the Vf of LED1 to LED64 is
1. Calculations are made assuming that the voltage is 5V and the duty of the light emission time is 1/4.
【0018】したがって、LED1 〜LEDn の発
光に伴いLEDアレイチップ内の温度も上昇し、同じ集
積回路内に形成された抵抗R1 、R2 (R2a〜R
2c)もLEDヘッドの使用時間の経過にともなって温
度上昇を続け、周囲条件とバランスした高い温度になる
。この為、実際に回路動作を行う時の抵抗R1 、R2
の温度は高い状態である。Therefore, as LED1 to LEDn emit light, the temperature inside the LED array chip also rises, and the resistances R1 and R2 (R2a to R2 formed in the same integrated circuit) rise.
2c) also continues to rise in temperature as the LED head is used, reaching a high temperature that is balanced with the ambient conditions. For this reason, the resistors R1 and R2 when actually performing circuit operation
temperature is high.
【0019】一方、抵抗Rx は外部の外付け抵抗であ
るので温度変化に対する抵抗値の変化率の少ない抵抗(
例えば温度係数±100PPM / °C以下の抵抗)
が容易に入手できる。尚、LEDヘッドの通常の動作環
境温度は60°C以下であるから、抵抗Rx の抵抗値
変化は±1%以内である。On the other hand, since the resistor Rx is an external resistor, it is a resistor (
For example, temperature coefficient ±100PPM/resistance below °C)
is easily available. Incidentally, since the normal operating environment temperature of the LED head is 60° C. or lower, the resistance value change of the resistor Rx is within ±1%.
【0020】以上から、式(4)において、a≫bで、
a≪1とすると、From the above, in equation (4), a≫b,
If a≪1, then
【0021】[0021]
【数4】[Math 4]
【0022】となる。したがって、上記式(6)でa>
0の時U>1となり、VGSは温度上昇と共に上昇し、
a<0の時U<1となり、VGSは温度上昇と共に減少
する。図8は上記結果に基づく図であり、a>0の時U
>1であり、温度Tの上昇(変化)と共にVGSは上昇
する特性を示す。この結果、前述のMOSトランジスタ
Q1 〜Qn を流れるドレイン電流IDC、すなわち
LED素子に流れ込む電流は上昇しLED1 〜LED
n の光出力PDOT が増加する。ここでLED素子
は温度上昇に伴い効率低下(0.3%/℃)により光出
力は減少するが、図8の光出力PDOT はVGS上昇
による光出力の増加と効率低下による光出力の減少を合
成して示している。[0022] Therefore, in the above formula (6), a>
When 0, U > 1, and VGS increases as the temperature rises,
When a<0, U<1, and VGS decreases as the temperature rises. FIG. 8 is a diagram based on the above results, and when a>0, U
>1, and VGS exhibits a characteristic of increasing as the temperature T increases (changes). As a result, the drain current IDC flowing through the aforementioned MOS transistors Q1 to Qn, that is, the current flowing to the LED elements increases, and the drain current IDC flowing through the MOS transistors Q1 to Qn increases.
The optical power PDOT of n increases. Here, the light output of the LED element decreases due to a decrease in efficiency (0.3%/℃) as the temperature rises, but the light output PDOT in Figure 8 shows the increase in light output due to an increase in VGS and the decrease in light output due to a decrease in efficiency. It is shown synthesized.
【0023】一方、同図に示す露光量EはLED1 〜
LEDn の発光波長λm ( 660〜740n m
)に対する有機感光体感度を示し温度上昇と共に感光体
の感度は上昇するので必要露光量は減少する。On the other hand, the exposure amount E shown in the same figure is
Emission wavelength λm of LEDn (660-740nm
), and as the temperature rises, the sensitivity of the photoreceptor increases, so the required exposure amount decreases.
【0024】したがって、従来のLEDヘッドの駆動装
置では温度上昇に伴って少ない光量で最適な露光を行う
必要があるにもかかわらず、温度上昇に伴う抵抗R1
、R2 の抵抗値変化によりLED1 〜LEDn の
発光光量は逆に30%程度増加し、印字画像が例えば高
温で地汚れ、低温で濃度低下等となり、温度変化による
印字品質の低下が問題となっていた。Therefore, in the conventional LED head driving device, although it is necessary to perform optimal exposure with a small amount of light as the temperature rises, the resistance R1 decreases as the temperature rises.
, R2, the amount of light emitted from LED1 to LEDn increases by about 30% due to a change in the resistance value of LED1 to LEDn, and the printed image becomes smudged at high temperatures and decreases in density at low temperatures, resulting in a problem of deterioration of print quality due to temperature changes. Ta.
【0025】[0025]
【発明の目的】本発明は上記従来の問題点に鑑み、温度
上昇に伴う感光体の感度上昇を補償するようにLEDヘ
ッドの光出力を低下させ、温度変化による印字品質の低
下を防止することを可能とするLEDヘッドの駆動装置
を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned conventional problems, the present invention aims to reduce the light output of an LED head to compensate for the increase in sensitivity of the photoconductor due to temperature rise, and to prevent the print quality from deteriorating due to temperature changes. An object of the present invention is to provide a driving device for an LED head that enables the following.
【0026】[0026]
【発明の要点】本発明は上記目的を達成する為に、多数
の発光セグメントをアレー状に配列し、感光体に対して
光書き込みを行うLEDヘッドの駆動装置において、前
記発光セグメントを駆動する駆動手段に接続され、温度
上昇に伴う前記感光体の感度上昇を補償するために温度
上昇に伴い前記発光セグメントの発光量を低下させる補
償手段を有することを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a drive device for an LED head that arranges a large number of light emitting segments in an array and performs optical writing on a photoreceptor. The present invention is characterized in that it has a compensating means connected to the means for reducing the amount of light emitted from the light emitting segment as the temperature rises in order to compensate for the increase in sensitivity of the photoreceptor as the temperature rises.
【0027】[0027]
【実 施 例】以下、本発明の一実施例を図面を参
照しながら説明する。図1は本実施例のLEDヘッドの
駆動装置の一部の回路構成を示す図である。尚、同図に
示す回路は温度上昇を補償する補償手段としての回路で
あり、前述の図5及び図6に示した抵抗RX に対応す
る回路である。[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing the circuit configuration of a part of the LED head driving device of this embodiment. The circuit shown in the figure is a circuit as a compensation means for compensating for temperature rise, and corresponds to the resistor RX shown in FIGS. 5 and 6 described above.
【0028】同図において、端子F′は図5及び図6の
端子Fに接続され、抵抗R3 の一端は電源VDDに接
続されている。抵抗R3 とR4 はトランジスタQの
バイアス電圧設定抵抗であり、抵抗R5 はエミッタ(
E)抵抗である。また、トランジスタQのコレクタ(C
)及び抵抗R4 の一端は接地されている。尚、上記構
成以外の回路は前述の図5及び図6の回路と同じ構成で
あるので、同一構成の回路については説明を省略する。In the figure, terminal F' is connected to terminal F in FIGS. 5 and 6, and one end of resistor R3 is connected to power supply VDD. Resistors R3 and R4 are bias voltage setting resistors for transistor Q, and resistor R5 is the emitter (
E) It is resistance. Also, the collector of transistor Q (C
) and one end of resistor R4 is grounded. Note that the circuits other than the above-mentioned configuration have the same configuration as the circuits shown in FIGS. 5 and 6 described above, and therefore, description of the circuits having the same configuration will be omitted.
【0029】上記構成において、B点の電位VB は抵
抗R3 とR4 の抵抗値により定まり、トランジスタ
Qの電流増幅率が充分大きければ、VB ={R3 /
(R3 +R4)}VDDである。そして、上記のF点
(F′点)の電位をVCOM とすると、抵抗R5 に
流れる電流IX は、In the above configuration, the potential VB at point B is determined by the resistance values of resistors R3 and R4, and if the current amplification factor of transistor Q is sufficiently large, VB = {R3 /
(R3 +R4)}VDD. If the potential of the above point F (point F') is VCOM, the current IX flowing through the resistor R5 is:
【0030】[0030]
【数5】[Math 5]
【0031】である。但し、VBEはトランジスタQの
ベース−エミッタ間電圧を示す。ここで、前述の如くL
EDヘッドが使用され、LED1 〜LEDn が発光
してLEDアレイチップ1a〜1nの温度が上昇し、こ
の温度上昇と共に同一集積回路内の抵抗R1 、R2
(R2a〜R2c)の抵抗値も大きくなり、E点の電位
が下がる。すると本実施例の駆動回路は上述の式(7)
に基づいてVCOMの電圧値が減少する為電流IX が
小さくなり、図1に示す回路全体の等価抵抗をRx ′
(VCOM /IX )を大きくして抵抗R1 の両端
に生じるVGSの上昇を抑制する。したがって、温度上
昇の際にF点の電位の上昇を抑え、その結果としてG点
の電位の上昇を抑えることによりMOSトランジスタQ
1 〜Qn に流れるドレイン電流ID を一定、又は
適温時よりも低く制御することができる。[0031] However, VBE indicates the base-emitter voltage of the transistor Q. Here, as mentioned above, L
When the ED head is used, LED1 to LEDn emit light and the temperature of the LED array chips 1a to 1n rises, and with this temperature rise, the resistors R1 and R2 in the same integrated circuit increase.
The resistance value of (R2a to R2c) also increases, and the potential at point E decreases. Then, the drive circuit of this embodiment is expressed by the above equation (7).
Since the voltage value of VCOM decreases based on
(VCOM/IX) is increased to suppress the rise in VGS occurring across the resistor R1. Therefore, when the temperature rises, by suppressing the rise in the potential at point F and, as a result, suppressing the rise in the potential at point G, the MOS transistor Q
The drain current ID flowing through Q1 to Qn can be controlled to be constant or lower than that at the appropriate temperature.
【0032】図2はこのように制御された時のLED1
〜LEDn の発光光量を示す特性図である。同図に
示す発光光量PDOT は温度上昇に伴い小さくなって
いるが、このような制御が図1に示す回路の抵抗R3
〜R5 の定数を適当に選択することにより可能となる
。したがって、図1に示す回路を図5及び図6に示す抵
抗Rx に代えて接続することにより、温度の上昇に対
応して感光体の感度が上昇してもG点の電位の上昇を抑
制してLED1 〜LEDn の発光光量を低下させ感
光体に一定電位の静電潜像を形成し、印字品質を一定に
保持できる。FIG. 2 shows LED 1 when controlled in this way.
~It is a characteristic diagram showing the amount of light emitted from LEDn. The amount of emitted light PDOT shown in the figure decreases as the temperature rises, but this kind of control is due to the resistance R3 of the circuit shown in Figure 1.
This becomes possible by appropriately selecting the constant of ~R5. Therefore, by connecting the circuit shown in Fig. 1 in place of the resistor Rx shown in Figs. 5 and 6, even if the sensitivity of the photoreceptor increases in response to a rise in temperature, the rise in the potential at point G can be suppressed. By reducing the amount of light emitted from LED1 to LEDn, an electrostatic latent image with a constant potential is formed on the photoreceptor, and printing quality can be maintained constant.
【0033】図3は図1の回路に抵抗R6 を接続した
構成であり、このように構成しても上述と同様に温度の
上昇に対してG点の電位の上昇を抑制してLED1 〜
LEDn の発光光量を低下させ印字品質を一定に保持
できると共に、抵抗R5 、トランジスタQの直列回路
に流れる電流IX ′が抵抗R5 及びR6 の抵抗値
に基づいて一定量少なくできるので、最小電流の補償と
トランジスタQの負荷の軽減を図ることができる。FIG. 3 shows a configuration in which a resistor R6 is connected to the circuit in FIG.
The amount of light emitted by LEDn can be reduced to maintain a constant printing quality, and the current IX' flowing through the series circuit of resistor R5 and transistor Q can be reduced by a certain amount based on the resistance values of resistors R5 and R6, so the minimum current can be compensated. Thus, the load on the transistor Q can be reduced.
【0034】図4はさらに抵抗R6 の接続に代えて抵
抗R7とバッファ用トランジスタQ′を接続した回路で
あり、2個のトランジスタQ、Q′を使用することによ
りトランジスタQ、Q′のVBEの効果をより有効に利
用する構成である。FIG. 4 shows a circuit in which a resistor R7 and a buffer transistor Q' are connected instead of the resistor R6, and by using two transistors Q and Q', the VBE of the transistors Q and Q' is This is a configuration that utilizes the effect more effectively.
【0035】尚、上述に示した図1、図3、図4の各回
路はLEDアレイチップ1a〜1m(ドライバー回路)
等が搭載されたLEDヘッドの駆動回路基板上に、例え
ば外付けのチップ部品として容易にのせることが可能で
あり、ワイヤハーネスの増加を必要としない。It should be noted that each of the circuits shown in FIGS. 1, 3, and 4 shown above corresponds to the LED array chips 1a to 1m (driver circuits).
For example, it can be easily mounted as an external chip component on the drive circuit board of an LED head on which the LED head is mounted, and there is no need to increase the number of wire harnesses.
【0036】[0036]
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、温度変化により感光体感度が変化しても、LED素
子の発光光量を補正し感光体への光出力を容易に調整で
き、光量バランスのとれた印字を行い印字品質の優れた
画像形成が行える。As described in detail above, according to the present invention, even if the sensitivity of the photoreceptor changes due to temperature changes, the amount of light emitted by the LED element can be corrected and the light output to the photoreceptor can be easily adjusted. It performs printing with a well-balanced amount of light and can form images with excellent print quality.
【図1】一実施例のLEDヘッドの駆動装置の要部回路
図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a main part of an LED head driving device according to an embodiment.
【図2】一実施例のLED1 〜LEDn の光出力P
DOT 、必要露光量E、VGSの特性図である。[Figure 2] Light output P of LED1 to LEDn in one embodiment
It is a characteristic diagram of DOT, required exposure amount E, and VGS.
【図3】一実施例のLEDヘッドの駆動装置の要部回路
図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a main part of an LED head driving device according to an embodiment.
【図4】一実施例のLEDヘッドの駆動装置の要部回路
図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a main part of an LED head driving device according to an embodiment.
【図5】LEDヘッド内のLEDアレイチップの回路図
である。FIG. 5 is a circuit diagram of an LED array chip in an LED head.
【図6】LEDヘッド内のドライバー回路の回路図であ
る。FIG. 6 is a circuit diagram of a driver circuit within the LED head.
【図7】スイッチ回路S1 〜Sn の回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram of switch circuits S1 to Sn.
【図8】従来のLED素子の光出力PDOT 、必要露
光量E、VGSの特性図である。FIG. 8 is a characteristic diagram of optical output PDOT, required exposure amount E, and VGS of a conventional LED element.
1a 〜1m LEDアレイチップ
2 インバータ
3 スイッチ
Q、Q′、Q1 〜Qn、Qc トランジスタA1
〜An ドライバー回路1a ~1m LED array chip 2 Inverter 3 Switch Q, Q', Q1 ~Qn, Qc Transistor A1
~An driver circuit
Claims (2)
列し、感光体に対して光書き込みを行うLEDヘッドの
駆動装置において、前記発光セグメントを駆動する駆動
手段に接続され、温度上昇に伴う前記感光体の感度上昇
を補償するために温度上昇に伴い前記発光セグメントの
発光量を低下させる補償手段を有することを特徴とする
LEDヘッドの駆動装置。1. A drive device for an LED head in which a large number of light-emitting segments are arranged in an array and optical writing is performed on a photoreceptor, which is connected to a drive means for driving the light-emitting segments, and is connected to a drive means for driving the light-emitting segments, and the light-emitting segment is An LED head driving device comprising a compensating means for reducing the amount of light emitted from the light emitting segment as the temperature rises in order to compensate for the increase in sensitivity of the body.
圧の低下に伴い抵抗値が減少する特性を有する請求項1
記載のLEDヘッドの駆動装置。2. The compensation means has a characteristic that the resistance value decreases as the output voltage of the drive means decreases.
A driving device for the LED head described above.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3019064A JPH04257463A (en) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | Driver of led head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3019064A JPH04257463A (en) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | Driver of led head |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04257463A true JPH04257463A (en) | 1992-09-11 |
Family
ID=11989005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3019064A Withdrawn JPH04257463A (en) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | Driver of led head |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04257463A (en) |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP3019064A patent/JPH04257463A/en not_active Withdrawn
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