JPH04257229A - 液晶ディスプレイの製造方法 - Google Patents
液晶ディスプレイの製造方法Info
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- JPH04257229A JPH04257229A JP3018850A JP1885091A JPH04257229A JP H04257229 A JPH04257229 A JP H04257229A JP 3018850 A JP3018850 A JP 3018850A JP 1885091 A JP1885091 A JP 1885091A JP H04257229 A JPH04257229 A JP H04257229A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリック
ス液晶ディスプレイの製造方法、特に、アモルファスシ
リコン薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法に特徴を
有する液晶ディスプレイの製造方法に関するものである
。
ス液晶ディスプレイの製造方法、特に、アモルファスシ
リコン薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法に特徴を
有する液晶ディスプレイの製造方法に関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の分野の技術としては、例
えば、図３及び図４に示されるものが知られている。図
３は従来のアモルファスシリコン薄膜トランジスタ（以
下、ａ−ＳｉＴＦＴという）アレイ基板の構造を示す平
面図、図４は同Ａ−Ａ’における断面図である。
えば、図３及び図４に示されるものが知られている。図
３は従来のアモルファスシリコン薄膜トランジスタ（以
下、ａ−ＳｉＴＦＴという）アレイ基板の構造を示す平
面図、図４は同Ａ−Ａ’における断面図である。
【０００３】以下、図３及び図４に基づいて、従来のア
クティブマトリックス液晶ディスプレイの製造方法を説
明する。まず、アクティブマトリックス液晶ディスプレ
イの下側基板となるａ−ＳｉＴＦＴ基板（下基板）は、
ガラス基板１１の上にタンタル（Ｔａ）よりなる金属層
をスパッタ又は蒸着により０．１〜０．３μｍ程度成膜
し、その後ホトリソエッチングにより所定の形状に加工
することでゲート電極１２を形成する。そして、所定の
パターンでＴａ膜表面を陽極化成することで第一層目の
ゲート絶縁膜となる酸化タンタル（ＴａＯｘ）膜１３を
０．１〜０．２μｍの程度の膜圧で形成する。
クティブマトリックス液晶ディスプレイの製造方法を説
明する。まず、アクティブマトリックス液晶ディスプレ
イの下側基板となるａ−ＳｉＴＦＴ基板（下基板）は、
ガラス基板１１の上にタンタル（Ｔａ）よりなる金属層
をスパッタ又は蒸着により０．１〜０．３μｍ程度成膜
し、その後ホトリソエッチングにより所定の形状に加工
することでゲート電極１２を形成する。そして、所定の
パターンでＴａ膜表面を陽極化成することで第一層目の
ゲート絶縁膜となる酸化タンタル（ＴａＯｘ）膜１３を
０．１〜０．２μｍの程度の膜圧で形成する。
【０００４】次に、ＮＨ３ とＳｉＨ４ ガスを主成分
とするプラズマＣＶＤ法（以下、ＰＣＶＤ法という）に
よりシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）を基板全面に膜圧０
．１〜０．４μｍ程度堆積させて第二ゲート絶縁膜１４
を形成し、次いで、ＳｉＨ４ ガスを主成分とするＰＣ
ＶＤ法によりａ−Ｓｉを基板全面に膜圧０．０５〜０．
２μｍ程度堆積させた後所定の形状に加工して半導体層
１５を形成する。第二ゲート絶縁膜１４はエッチングせ
ずに、基板全面に残す。
とするプラズマＣＶＤ法（以下、ＰＣＶＤ法という）に
よりシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）を基板全面に膜圧０
．１〜０．４μｍ程度堆積させて第二ゲート絶縁膜１４
を形成し、次いで、ＳｉＨ４ ガスを主成分とするＰＣ
ＶＤ法によりａ−Ｓｉを基板全面に膜圧０．０５〜０．
２μｍ程度堆積させた後所定の形状に加工して半導体層
１５を形成する。第二ゲート絶縁膜１４はエッチングせ
ずに、基板全面に残す。
【０００５】次に、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃ
ｒ）、ニクロム（ＮｉＣｒ）等よりなる金属層をスパッ
タ又は蒸着により０．３〜１．０μｍ程度成膜し、それ
を所定の形状に加工することで、ソース電極１６及びド
レイン電極１７を形成する。そして、ＰＣＶＤ法により
シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）等からなる表面保護膜１
８を形成する。
ｒ）、ニクロム（ＮｉＣｒ）等よりなる金属層をスパッ
タ又は蒸着により０．３〜１．０μｍ程度成膜し、それ
を所定の形状に加工することで、ソース電極１６及びド
レイン電極１７を形成する。そして、ＰＣＶＤ法により
シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）等からなる表面保護膜１
８を形成する。
【０００６】その後、ソース電極１６と次に形成する透
明表示電極２０との導通のためのコンタクトホール１９
を表面保護膜１８の所定部分に形成する。そして、ＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）をスパッ
タ又は蒸着により０．１μｍ程度基板全面に成膜した後
、所定の形状に加工することで、表示用電極となる透明
電極２０を形成する。
明表示電極２０との導通のためのコンタクトホール１９
を表面保護膜１８の所定部分に形成する。そして、ＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）をスパッ
タ又は蒸着により０．１μｍ程度基板全面に成膜した後
、所定の形状に加工することで、表示用電極となる透明
電極２０を形成する。
【０００７】以上の透明電極とａ−ＳｉＴＦＴとを２次
元的に配置することで、液晶用ａ−ＳｉＴＦＴアレイ基
板を完成する。このＴＦＴアレイ基板上に膜厚０．１μ
ｍのポリイミドよりなる有機膜を形成し、ラビング処理
することで、配向処理膜を形成する。その後、セル間隔
を均一に形成、保持するために直径３〜１０μｍのスペ
ーサを配向処理膜上に散布することで下基板が完成する
。
元的に配置することで、液晶用ａ−ＳｉＴＦＴアレイ基
板を完成する。このＴＦＴアレイ基板上に膜厚０．１μ
ｍのポリイミドよりなる有機膜を形成し、ラビング処理
することで、配向処理膜を形成する。その後、セル間隔
を均一に形成、保持するために直径３〜１０μｍのスペ
ーサを配向処理膜上に散布することで下基板が完成する
。
【０００８】一方、対向電極基板（上基板）は、以下に
示すように形成される。まず、ガラスの上に膜厚０．１
μｍ程度のＩＴＯ膜よりなる対向透明電極をスパッタ又
は蒸着と加工により所定の形状に形成する。次に、光の
漏れを防止しコントラストを向上させるためのブラック
マトリックス層を形成する。この対向電極上に膜厚０．
１μｍ程度のポリイミドよりなる有機膜を形成し、ラビ
ング処理することで配向処理膜を形成する。さらに、膜
厚のスクリーン印刷法により膜厚５〜２０μｍのシール
層を所定のパターンで形成することで上基板が完成する
。
示すように形成される。まず、ガラスの上に膜厚０．１
μｍ程度のＩＴＯ膜よりなる対向透明電極をスパッタ又
は蒸着と加工により所定の形状に形成する。次に、光の
漏れを防止しコントラストを向上させるためのブラック
マトリックス層を形成する。この対向電極上に膜厚０．
１μｍ程度のポリイミドよりなる有機膜を形成し、ラビ
ング処理することで配向処理膜を形成する。さらに、膜
厚のスクリーン印刷法により膜厚５〜２０μｍのシール
層を所定のパターンで形成することで上基板が完成する
。
【０００９】上下の基板が完成したら、シール層を挟ん
でシール層により上下基板を位置合わせし、貼り合わせ
、加圧固定し、シール層を加熱硬化させる。さらに、シ
ール層の内側を真空脱気した後、所定の注入口より液晶
を注入する。最後に注入口を封止し、偏光膜を所定の位
置に貼り付けることでａ−ＳｉＴＦＴを用いた液晶ディ
スプレイが完成する。
でシール層により上下基板を位置合わせし、貼り合わせ
、加圧固定し、シール層を加熱硬化させる。さらに、シ
ール層の内側を真空脱気した後、所定の注入口より液晶
を注入する。最後に注入口を封止し、偏光膜を所定の位
置に貼り付けることでａ−ＳｉＴＦＴを用いた液晶ディ
スプレイが完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の液晶ディスプレイの製造方法においては、表面保護
膜であるＳｉＮｘ膜を完全に除去できたかどうかなどの
、ＳｉＮｘの穴開け加工のエンドポイントの確認が困難
であるという問題点があった。これはＳｉＮｘ膜自体が
透明であるため、顕微鏡での確認が正確でないこと、ま
た、穴の寸法が約１０μｍ×１０μｍ、又はそれ以下と
微小であるため、針などで電気的に確認できないなどが
原因である。
成の液晶ディスプレイの製造方法においては、表面保護
膜であるＳｉＮｘ膜を完全に除去できたかどうかなどの
、ＳｉＮｘの穴開け加工のエンドポイントの確認が困難
であるという問題点があった。これはＳｉＮｘ膜自体が
透明であるため、顕微鏡での確認が正確でないこと、ま
た、穴の寸法が約１０μｍ×１０μｍ、又はそれ以下と
微小であるため、針などで電気的に確認できないなどが
原因である。
【００１１】このため、どうしてもオーバぎみにエッチ
ングするわけで、これによりコンタクトホールの穴が大
きめとなりやすい。この大きめの穴は、その後の透明電
極ＩＴＯの段切れの原因となりやすいなど表示欠陥が発
生しやすいという問題点があった。そして、これを解決
するためには、あらかじめパターンに余裕を持たせて設
計すると、光を透過できるＩＴＯ膜の領域が低下する。 つまり、パネルとしての開口率が低下し、透過型で用い
た場合には液晶パネルの輝度が低下するという問題があ
る。この傾向は、大面積表示、大容量表示、高精細表示
となるに従って顕著となる。これは、大面積になるに従
って、ＳｉＮｘ膜厚分布、エッチング等の加工分布など
が大（ばらつき大）となることの他、高精細化に伴いコ
ンタクトホールの寸法が小さくなることによる。
ングするわけで、これによりコンタクトホールの穴が大
きめとなりやすい。この大きめの穴は、その後の透明電
極ＩＴＯの段切れの原因となりやすいなど表示欠陥が発
生しやすいという問題点があった。そして、これを解決
するためには、あらかじめパターンに余裕を持たせて設
計すると、光を透過できるＩＴＯ膜の領域が低下する。 つまり、パネルとしての開口率が低下し、透過型で用い
た場合には液晶パネルの輝度が低下するという問題があ
る。この傾向は、大面積表示、大容量表示、高精細表示
となるに従って顕著となる。これは、大面積になるに従
って、ＳｉＮｘ膜厚分布、エッチング等の加工分布など
が大（ばらつき大）となることの他、高精細化に伴いコ
ンタクトホールの寸法が小さくなることによる。
【００１２】本発明は、上記問題点を解決して、表示品
質の低下のない優れたアクティブマトリックス液晶ディ
スプレイの製造方法を提供することを目的とする。
質の低下のない優れたアクティブマトリックス液晶ディ
スプレイの製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
めに、本発明は、透光性絶縁基板上にゲート電極、ゲー
ト絶縁膜、ａ−Ｓｉ半導体層、ソース−ドレイン電極、
表面保護膜、及び透明電極を積層したａ−ＳｉＴＦＴア
レイ基板を備えた液晶ディスプレイの製造方法において
、前記ソース−ドレイン電極形成時に、ソース電極の一
部に穴を開けて下地が前記ａ−Ｓｉ半導体層になるよう
にし、コンタクトホール形成のため前記表面保護膜のエ
ッチングを行うときに、前記穴の下地のａ−Ｓｉ半導体
層の露出により前記表面保護膜のエッチングの完了を検
出する、すなわち穴の下地であるａ−Ｓｉがエッチング
された時をエッチングエンドポイントモニターとして歩
留り良好に、液晶ディスプレイを製造するように構成し
たものである。
めに、本発明は、透光性絶縁基板上にゲート電極、ゲー
ト絶縁膜、ａ−Ｓｉ半導体層、ソース−ドレイン電極、
表面保護膜、及び透明電極を積層したａ−ＳｉＴＦＴア
レイ基板を備えた液晶ディスプレイの製造方法において
、前記ソース−ドレイン電極形成時に、ソース電極の一
部に穴を開けて下地が前記ａ−Ｓｉ半導体層になるよう
にし、コンタクトホール形成のため前記表面保護膜のエ
ッチングを行うときに、前記穴の下地のａ−Ｓｉ半導体
層の露出により前記表面保護膜のエッチングの完了を検
出する、すなわち穴の下地であるａ−Ｓｉがエッチング
された時をエッチングエンドポイントモニターとして歩
留り良好に、液晶ディスプレイを製造するように構成し
たものである。
【００１４】なお、本発明においては、ａ−ＳｉＴＦＴ
のソース−ドレイン電極のうち透明電極に接続する電極
をソース電極と称している。
のソース−ドレイン電極のうち透明電極に接続する電極
をソース電極と称している。
【００１５】
【作用】本発明によれば、以上のように液晶ディスプレ
イの製造方法を構成したので、表面保護膜のエッチング
が完了し、さらにエッチングすると穴の下地であるａ−
Ｓｉがエッチングされて、表面保護膜のエッチングが完
了したことが、金属顕微鏡で確認できる。これは、ａ−
Ｓｉが透明ではなく、茶色の色を有していることによる
。このａ−Ｓｉの色変化を、表面保護膜のエッチングの
エンドポイントとする。
イの製造方法を構成したので、表面保護膜のエッチング
が完了し、さらにエッチングすると穴の下地であるａ−
Ｓｉがエッチングされて、表面保護膜のエッチングが完
了したことが、金属顕微鏡で確認できる。これは、ａ−
Ｓｉが透明ではなく、茶色の色を有していることによる
。このａ−Ｓｉの色変化を、表面保護膜のエッチングの
エンドポイントとする。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は、本発明の実施例による
ａ−ＳｉＴＦＴ基板の構造を示す平面図、図２はその製
造工程のＢ−Ｂ’における断面図である。以下、図１及
び図２に基づいて本発明の実施例を説明する。
ながら詳細に説明する。図１は、本発明の実施例による
ａ−ＳｉＴＦＴ基板の構造を示す平面図、図２はその製
造工程のＢ−Ｂ’における断面図である。以下、図１及
び図２に基づいて本発明の実施例を説明する。
【００１７】図２（ａ）に示されているように、ガラス
基板１の上にゲート電極２、第一ゲート絶縁膜３、第二
ゲート絶縁膜４、及びａ−Ｓｉ半導体層５を順次形成す
るまでの工程は従来と同一である。次に、図２（ｂ）に
示されているように、アルミニウム（Ａｌ）等の膜より
なる金属層を、スパッタ又は蒸着により０．３〜１．０
μｍ程度基板全面に成膜する。その後ホトリソエッチン
グにより、ドレイン電極７及びソース電極６を同時に形
成する。このとき、後工程で保護膜に穴を開けて形成す
るコンタクトホールの下地となるアルミニウム等からな
るソース電極６の形成と同時に穴３２を開け、かつその
ソース電極穴３２の下地がａ−Ｓｉ３１となるようにす
る。
基板１の上にゲート電極２、第一ゲート絶縁膜３、第二
ゲート絶縁膜４、及びａ−Ｓｉ半導体層５を順次形成す
るまでの工程は従来と同一である。次に、図２（ｂ）に
示されているように、アルミニウム（Ａｌ）等の膜より
なる金属層を、スパッタ又は蒸着により０．３〜１．０
μｍ程度基板全面に成膜する。その後ホトリソエッチン
グにより、ドレイン電極７及びソース電極６を同時に形
成する。このとき、後工程で保護膜に穴を開けて形成す
るコンタクトホールの下地となるアルミニウム等からな
るソース電極６の形成と同時に穴３２を開け、かつその
ソース電極穴３２の下地がａ−Ｓｉ３１となるようにす
る。
【００１８】次に、図２（ｃ）に示されているように、
ＰＣＶＤ法によりシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）又はシリ
コン酸化膜などからなる表面保護膜８を成膜する。その
後、ソースと次に形成するＩＴＯ膜の導通のためのコン
タクトホール９を表面保護膜８の所定部分に、ＣＦ４
とＯ２ の混合ガスを用いたドライエッチング、フッ酸
系を用いたウエットエッチングの少なくとも１つの方法
により形成する。このとき、表面保護膜８のエッチング
が完了し、さらにエッチングすると穴３２の下地である
ａ−Ｓｉ３１がエッチングされて、表面保護膜８のエッ
チングが完了したことが、金属顕微鏡で確認できる。こ
れは、ａ−Ｓｉが透明ではなく、茶色の色を有している
ことによる。このａ−Ｓｉの色変化を、表面保護膜８の
エッチングのエンドポイントとする。
ＰＣＶＤ法によりシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）又はシリ
コン酸化膜などからなる表面保護膜８を成膜する。その
後、ソースと次に形成するＩＴＯ膜の導通のためのコン
タクトホール９を表面保護膜８の所定部分に、ＣＦ４
とＯ２ の混合ガスを用いたドライエッチング、フッ酸
系を用いたウエットエッチングの少なくとも１つの方法
により形成する。このとき、表面保護膜８のエッチング
が完了し、さらにエッチングすると穴３２の下地である
ａ−Ｓｉ３１がエッチングされて、表面保護膜８のエッ
チングが完了したことが、金属顕微鏡で確認できる。こ
れは、ａ−Ｓｉが透明ではなく、茶色の色を有している
ことによる。このａ−Ｓｉの色変化を、表面保護膜８の
エッチングのエンドポイントとする。
【００１９】次に、図２（ｄ）に示されているように、
ＩＴＯ膜をスパッタ又は蒸着により０．１μｍ程度基板
全面に成膜する。そして、ホトリソエッチングにより透
明電極１０を形成する。以上により、透明電極付ａ−Ｓ
ｉＴＦＴ基板が完成する。これ以後の工程、つまり対向
電極基板（上基板）及びセル化工程は従来技術と同一で
ある。
ＩＴＯ膜をスパッタ又は蒸着により０．１μｍ程度基板
全面に成膜する。そして、ホトリソエッチングにより透
明電極１０を形成する。以上により、透明電極付ａ−Ｓ
ｉＴＦＴ基板が完成する。これ以後の工程、つまり対向
電極基板（上基板）及びセル化工程は従来技術と同一で
ある。
【００２０】このようにして、液晶ディスプレイが完成
する。なお、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、
それらを本発明の範囲から排除するものではない。
する。なお、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、
それらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００２１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、表面保護膜をエッチングするときに、ソース電極
に開けた穴の下地のａ−Ｓｉ層の色を検知することによ
り保護膜であるシリコン窒化膜又はシリコン酸化膜のエ
ッチングのエンドポイントが確認できるため、次のよう
な効果を奏することができる。 （１）保護膜を極度にオーバエッチングすることがなく
なるため、ＩＴＯ膜の段切れなくＩＴＯ透明電極の加工
ができる。したがって、点欠陥の大幅な低減ができ、歩
留りの向上が実現できる。 （２）必要以上に穴の寸法を広げることなく液晶パネル
の作成ができるため、開口率の低下がなく、良好な輝度
が得られる。
れば、表面保護膜をエッチングするときに、ソース電極
に開けた穴の下地のａ−Ｓｉ層の色を検知することによ
り保護膜であるシリコン窒化膜又はシリコン酸化膜のエ
ッチングのエンドポイントが確認できるため、次のよう
な効果を奏することができる。 （１）保護膜を極度にオーバエッチングすることがなく
なるため、ＩＴＯ膜の段切れなくＩＴＯ透明電極の加工
ができる。したがって、点欠陥の大幅な低減ができ、歩
留りの向上が実現できる。 （２）必要以上に穴の寸法を広げることなく液晶パネル
の作成ができるため、開口率の低下がなく、良好な輝度
が得られる。
【図１】本発明の実施例によるａ−ＳｉＴＦＴ基板の構
造を示す平面図である。
造を示す平面図である。
【図２】本発明の実施例によるａ−ＳｉＴＦＴ基板の製
造工程のＢ−Ｂ’における断面図である。
造工程のＢ−Ｂ’における断面図である。
【図３】従来のａ−ＳｉＴＦＴ基板の構造を示す平面図
である。
である。
【図４】従来のａ−ＳｉＴＦＴ基板の構造を示すＡ−Ａ
’における断面図である。
’における断面図である。
１ ガラス基板
２ ゲート電極
３ 第一ゲート絶縁膜
４ 第二ゲート絶縁膜
５ ａ−Ｓｉ半導体層
６ ソース電極
７ ドレイン電極
８ 表面保護膜
９ コンタクトホール
１０ 透明電極
Claims (1)
- 【請求項１】 透光性絶縁基板上にゲート電極、ゲー
ト絶縁膜、アモルファスシリコン半導体層、ソース−ド
レイン電極、表面保護膜、及び透明電極を積層したアモ
ルファスシリコン薄膜トランジスタアレイ基板を備えた
液晶ディスプレイの製造方法において、（ａ）前記ソー
ス−ドレイン電極形成時に、ソース電極の一部に穴を開
けて下地が前記アモルファスシリコン半導体層になるよ
うにし、（ｂ）コンタクトホール形成のため前記表面保
護膜のエッチングを行うときに、前記穴の下地のアモル
ファスシリコン半導体層の露出により前記表面保護膜の
エッチングの完了を検出することを特徴とする液晶ディ
スプレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018850A JPH04257229A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 液晶ディスプレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018850A JPH04257229A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 液晶ディスプレイの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04257229A true JPH04257229A (ja) | 1992-09-11 |
Family
ID=11983029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3018850A Withdrawn JPH04257229A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 液晶ディスプレイの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04257229A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6862070B1 (en) | 1999-12-16 | 2005-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| JP2011029304A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 |
| JPWO2018043472A1 (ja) * | 2016-09-02 | 2019-06-27 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP3018850A patent/JPH04257229A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6862070B1 (en) | 1999-12-16 | 2005-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| JP2011029304A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 |
| JPWO2018043472A1 (ja) * | 2016-09-02 | 2019-06-27 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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