JPH04254359A - 樹脂封止型半導体装置および半導体装置の実装構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置お
よび半導体装置の実装構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】まず図１９に従来の樹脂封止型半導体装
置を示す。図１９において、半導体装置はリードフレー
ム２のベッド５に半導体チップ１をマウントし、半導体
チップ１とリードフレーム２のインナーリード２ａとを
ボンディングワイヤ６により接続し、半導体チップ１お
よびその周囲をモールド樹脂３によって樹脂封止して構
成されている。またリードフレーム２のアウタリード２
ｂはモールド樹脂３から外方に突出している。

【０００３】さらに、熱伝導率の悪いモールド樹脂３中
に金属製の放熱体４が配設され、この放熱体４により半
導体チップ１で発生した熱をモールド樹脂３を介して周
囲環境（外方）に放熱するようになっている。

【０００４】図２０により他の従来の樹脂封止型半導体
装置について説明する。

【０００５】図２０に示す半導体装置において、金属製
の放熱体４がリードフレーム２の半導体チップ１と反対
側のベッド５の面に直接取付けられている。半導体チッ
プ１で発生した熱は、熱伝導率の良好な金属製ベッド５
および放熱体４を通って放熱されるようになっている。

【０００６】図２１により更に他の従来例について説明
する。図２１における半導体装置は、半導体チップ１に
金属製の放熱体４が直接取付けられている。半導体チッ
プ１で発生した熱は、直接的に放熱体４から外方に放熱
される。

【０００７】図２２により更なる他の従来例について説
明する。図２２において、リードフレーム２のベッド５
に直接放熱体４が取付けられており、この放熱体４はそ
の一部がモールド樹脂３から外方に突出している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】図１９に示す半導体装
置において、半導体チップ１で発生した熱は、熱伝導率
の悪いモールド樹脂３を介して放熱体４に伝えられるた
め、放熱特性はあまり良好ではない。

【０００９】図２０および図２１に示す半導体装置にお
いて、半導体チップ１で発生した熱は、モールド樹脂３
を経ることなくベッド５および放熱体４に伝えられる。 しかしながら、放熱体４自体は、熱伝導率の悪いモール
ド樹脂３中に埋込まれているため、放熱体４からモール
ド樹脂３を介して外方に熱が伝えられることになり、や
はり放熱特性に限界がある。

【００１０】また図２２に示す半導体装置において、放
熱体４がモールド樹脂３の外側に露出しているために、
半導体チップ１で発生した熱の伝達経路としては半導体
チップ→リードフレーム２のベッド５→放熱体４→外方
（周囲環境）という経路が考えられる。このためモール
ド樹脂の熱伝導率には関係なくなり、モールド樹脂３の
周囲環境を変える（強制空冷や、水冷として温度を下げ
る）ことにより、放熱特性は良く改善される。この場合
、放熱特性の改善に最も関係しているのは、周囲環境の
他に、熱伝達の良い放熱体４のどれだけの面積が周囲環
境と接しているかということであり、図２２の場合、放
熱体４は、モールド樹脂３から露出後、凹凸（溝や出っ
張り）を付けたりして、表面積をできるだけ大きくして
いる。しかし、露出する放熱体４の表面積を大きくすれ
ばするほど、放熱特性は良くなるが、半導体装置全体が
大きくなっていってしまう。

【００１１】半導体装置全体の形状を変化させることな
く放熱特性を改善するため、図２３に示すセラミック封
止型の半導体装置が考えられている。

【００１２】すなわち、図２３に示す半導体装置は、半
導体チップ１とリードフレーム２のインナーリード２ａ
とをボンディングワイヤ６により接続し、半導体チップ
１およびボンディングワイヤ６をセラミック材７で封止
したものである。セラミック材７は熱伝導率が良好であ
るが、値段が高くなるという問題がある。

【００１３】本発明はこのような点を考慮してなされた
ものであり、安価で放熱特性の良好な樹脂封止型半導体
装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
と、この半導体チップを樹脂封止するモールド樹脂と、
このモールド樹脂の外方に突出するとともに、前記半導
体チップに接続されたリードフレームのアウタリードと
を備え、前記モールド樹脂内に前記半導体チップに連結
された放熱体を設け、この放熱体は内部空間を有する中
空状となっており、この内部空間は外方と連通自在とな
っていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置、およ
び上記の樹脂封止型半導体装置を基板に取付け、前記半
導体装置の放熱体の内部空間内に冷却用液体が流入する
液体管路を挿着したことを特徴とする半導体装置の実装
構造、および上記の樹脂封止型半導体装置を基板に取付
け、前記半導体装置を冷却用液体内に浸してなる半導体
装置の実装構造である。

【００１５】

【作用】半導体チップで発生した熱は、半導体チップに
連結された放熱体に伝達され、さらに放熱体の内部空間
から外方に放熱される。

【００１６】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。

【００１７】図１（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明による樹脂
封止型半導体装置の第１の実施例を示す図である。ここ
で図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ線
方向矢視図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＣ−Ｃ線断面図
、図１（Ｄ）は図１（Ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。

【００１８】図１（Ａ）乃至（Ｄ）において、半導体装
置３０はリードフレーム２のベッド５の下面に半導体チ
ップ１をマウントし、半導体チップ１とリードフレーム
２のインナーリード２ａとをボンディングワイヤ６によ
り接続し、半導体チップ１およびその周囲をモールド樹
脂３によって樹脂封止して構成されている。またリード
フレーム２のアウタリード２ｂはモールド樹脂３から外
方に突出し、下方に折曲げられている。

【００１９】さらに熱伝導率の悪いモールド樹脂３中に
、金属製の放熱体４が配設されている。この放熱体４は
ベッド５の半導体チップ１と反対側の面（上面）に、熱
伝導率の良好な接着剤により接着されている。放熱体４
は内部空間４ａを有するだ円形の筒状となっており、内
部空間４ａの両端はモールド樹脂３の上部側から周囲環
境（外方）に開口している。

【００２０】次に本実施例による樹脂封止型半導体装置
３０の製造方法について説明する。

【００２１】まず、リードフレーム２のベッド５の下面
に半導体チップ１をマウントし、半導体チップ１とリー
ドフレーム２のインナーリード２ａとをボンディングワ
イヤ６により接続する。

【００２２】次に、ベッド５のうち半導体チップ１と反
対側の面（上面）に、内部空間４ａを有する金属製の放
熱体４を熱伝導率の良好な接着剤により接着する。

【００２３】次に、リードフレーム２、半導体チップ１
、および放熱体４をモールド金型内に収納し、このモー
ルド金型内のモールド樹脂３を注入してトランスファモ
ールド成型を行なう。次にモールド樹脂３の樹脂バリを
除去し、リードフレーム２のアウタリード２ｂをフォー
ミングにより下方へ折曲げる。

【００２４】本実施例によれば、半導体チップ１に金属
製ベッド５を介して金属製の円筒状の放熱体４が連結さ
れ、放熱体４の内部空間４ａはその両端が外方に開口し
ているので、内部空間４ａ内に外気を通すことにより、
半導体チップ１で発生した熱をベッド５から放熱体４を
介して迅速に外方に放熱することができる。また、アウ
タリード２ｂは下方に折曲げられているのに対し、放熱
体４の内部空間４ａの両端はモールド樹脂３の上部側か
ら外方に開口しているので、アウタリード２ｂが内部空
間４ａ内の通気作用を妨げることはない。

【００２５】次に図２（Ａ）乃至（Ｄ）により、本発明
による樹脂封止型半導体装置３０の第２の実施例につい
て説明する。ここで図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）は
図２（Ａ）のＢ線方向矢視図、図２（Ｃ）は図２（Ａ）
のＣ−Ｃ線断面図、図２（Ｄ）は図２（Ａ）のＤ−Ｄ線
断面図である。

【００２６】第２の実施例は放熱体の形状が異なるのみ
であり、他は半導体装置の第１の実施例と同様となって
いる。すなわち放熱体４は四角筒状となっており、角部
１１はモールド樹脂３側からの応力が集中しないようＲ
が形成されている。放熱体４の材料として、リードフレ
ーム２と同様の銅合金が用いられており、このためリー
ドフレーム２のベッド５と放熱体４との間の接着が良好
となっている。

【００２７】次に図３（Ａ）乃至（Ｄ）により、本発明
による樹脂封止型半導体装置３０の第３の実施例につい
て説明する。ここで図３（Ａ）は平面図、図３（Ｂ）は
図３（Ａ）のＢ線方向矢視図、図３（Ｃ）は図３（Ａ）
のＣ−Ｃ線断面図、図３（Ｄ）は図３（Ａ）のＤ−Ｄ線
断面図である。

【００２８】第３の実施例は放熱体４の形状が異なるの
みであり、他は半導体装置の第２の実施例と同様である
。

【００２９】すなわち、放熱体４は内部空間４ａを有す
る四角筒状となっており、内部空間４ａの両端は外方に
開口している。また放熱体４の上面１２は外方に露出し
ている。

【００３０】半導体装置を製造するために用いる上型１
５ａと下型１５ｂとからなるモールド金型１５は、上型
１５ａの凹部１６内面が放熱体４の上面１２に当接する
ようになっている。

【００３１】本実施例によれば、放熱体４の内部空間４
ａ内に外気を通気させ、かつ放熱体４の上面を外方に露
出させたので、放熱特性をより向上させることができる
。

【００３２】次に図４および図５により本発明による樹
脂封止型半導体装置３０の第４の実施例について説明す
る。

【００３３】図４において、半導体装置３０は半導体チ
ップ１にバンプ１７を介してＴＡＢテープ１８のインナ
ーワイヤ１８ａを接続し、ＴＡＢテープ１８のミドルワ
イヤ１８ｂにリードフレーム２のインナーリード２ａを
接続し、半導体チップ１およびＴＡＢテープ１８をモー
ルド樹脂３により樹脂封止して構成されている。またリ
ードフレーム２のアウタリード２ｂは、モールド樹脂３
から外方に突出するとともに下方に折曲げられている。 さらに半導体チップ１には、内部空間４ａを有するだ円
形の筒状放熱体４が直接的に連結されており、内部空間
４ａの両端はモールド樹脂３から外方に開口している。

【００３４】次に本実施例による半導体装置３０の製造
方法について図５Ａ乃至図５Ｃにより説明する。ここで
図５（Ａ）はフロー図、図５（Ｂ）は半導体装置製造に
用いられるＴＡＢテープを示す図、図５（Ｃ）は半導体
装置製造に用いられるリードフレームを示す図である。

【００３５】図５（Ａ）に示すように、まずポリイミド
性の基材を準備し、この基材をパンチングした後、銅箔
をラミネートする。次に銅箔に対してフォトパタン作業
、エッチング作業およびめっき作業を順次施して、図５
（Ｂ）に示すようなＴＡＢテープ１８を製造する。

【００３６】他方、図５（Ａ）に示すように、通常ウェ
ハを準備し、このウェハに対してバンプ形成作業、プロ
ービング作業、およびダイシング作業を順次施してバン
プ１７を有する半導体チップ１を製造する。

【００３７】またこれらと平行して図５（Ａ）に示すよ
うに金属製素材を準備し、この素材に対してフォトパタ
ン作業、エッチング作業、およびめっき作業を順次施し
て、図５（Ｃ）に示すようなリードフレーム２を製造す
る。

【００３８】次に半導体チップ１とＴＡＢテープ１８の
インナーワイヤ１８ａとをバンプ１７を介して接続する
（ＩＬＢ）。その後、ＴＡＢテープ１８のミドルワイヤ
１８ｂの外方部分および不要のテープ部分を切断し、ミ
ドルワイヤ１８ｂを外方に露出させる。

【００３９】次にＴＡＢテープ１８のミドルワイヤ１８
ｂと、リードフレーム２のインナーリード２ａとを接続
させる（ＭＬＢ）。続いて、半導体チップ１のバンプ１
７と反対側の面に、接着剤により放熱体４を接着する。 この接着剤としては、高熱伝導率を有しかつ熱膨張率が
Ｓｉ製の半導体チップ１と放熱体４との中間程度のもの
を用いる。その後、半導体チップ１およびＴＡＢテープ
１８とその周囲をモールド樹脂３により樹脂封止する。

【００４０】その後、外装処理作業およびアウタリード
２ｂのフォーム作業が順次施され、このようにして図４
に示す半導体装置が製造される。この半導体装置に対し
て、その後検査作業が行なわれる。

【００４１】次に図６乃至図９により本発明による樹脂
封止型半導体装置３０の第５の実施例について説明する
。

【００４２】図６において、半導体装置３０はリードフ
レーム２のベッド５に半導体チップ１をマウントし、半
導体チップ１とリードフレーム２のインナーリード２ａ
とをボンディングワイヤ６によって接続し、半導体チッ
プ１およびその周囲をモールド樹脂３によって樹脂封止
して構成されている。また半導体チップ１のベッド５と
反対側の面に、接着剤を介して放熱体４が取付けられて
おり、放熱体４はモールド樹脂３内に配置されている。 この場合、接着剤としては熱伝導率が良好でかつ導電性
でないものが用いられる。またリードフレーム２のアウ
タリード２ｂはモールド樹脂３から外方に突出するとと
もに、下方に向って折曲げられている。

【００４３】図６に示す第５の実施例の半導体装置３０
の放熱体４について図７（Ａ）乃至図７（Ｄ）により詳
述する。ここで図７（Ａ）は側面図、図７（Ｂ）は図７
（Ａ）のＢ線方向矢視図、図７（Ｃ）は図７（Ａ）のＣ
線方向矢視図、図７（Ｄ）は図７（Ａ）のＤ線方向矢視
図である。放熱体４は内部空間４ａを有するだ円形の筒
状放熱部２０と、この放熱部２０の下方に連結された当
接部２１とからなり、内部空間４ａは両端に２つの開口
２２ａ，２２ｂを有している。また当接部２１は接着剤
によって半導体チップ１に取付けられている。放熱体４
は銅合金製となっているが、これに限らず熱伝導率が良
好なアルミ製、鉄製、セラミック製であってもよい。

【００４４】放熱体４は、図７に示すようなだ円形の筒
状放熱部を有するものに限らず、例えば、図８に示すよ
うな平面十字形の中空状放熱部２０を有するものでもよ
い。ここで図８（Ａ）は側面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ
）のＢ線方向矢視図、図８（Ｃ）は図８（Ａ）のＣ線方
向矢視図である。図８に示す放熱体４の放熱部２０は、
内部に十字形の内部空間４ａが形成されている。また内
部空間４ａは４つの開口２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２
ｄを有している。

【００４５】あるいはまた、図９に示すように放熱体４
として、平面十字形の中空状放熱部２０の上面（当接部
２１と反対側の面）に開口２２ｅを設けたものを用いて
もよい。ここで図９（Ａ）は側面図、図９（Ｂ）は図９
（Ａ）のＢ線方向矢視図、図９（Ｃ）は図９（Ａ）のＣ
線方向矢視図である。この場合、放熱部２０の内部に形
成された内部空間４ａは５つの開口２２ａ，２２ｂ，２
２ｃ，２２ｄ、および２２ｅを有する。

【００４６】次に図１０により、本発明による樹脂封止
型半導体装置３０の第６の実施例について説明する。こ
こで図１０（Ａ）は平面図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ
）のＢ線方向矢視図、図１０（Ｃ）は図１０（Ａ）のＣ
−Ｃ線断面図、図１０Ｄは図１０（Ａ）のＤ−Ｄ線断面
図である。

【００４７】第６の実施例は、放熱体４の構成が異なる
のみであり、他は半導体装置の第１の実施例と同様であ
る。

【００４８】図１０（Ａ）乃至（Ｄ）において、放熱体
４は四角筒状となっており、平面形状が蛇行する形状と
なっている。また放熱体４の上面１２は外方に露出して
いる。

【００４９】本実施例によれば、放熱体４の内部空間４
ａ内で外気を蛇行させながら通気することができ、放熱
特性の向上を図ることができる。

【００５０】次に図１１により本発明による樹脂封止型
半導体装置３０の第７の実施例について説明する。

【００５１】第７の実施例は、放熱体４の内部空間４ａ
内に熱伝導率の良好なアルミニウム製の放熱フィン２４
を挿着したものであり、他は半導体装置の第１の実施例
と同様となっている。

【００５２】図１１において、放熱フィン２４は内部空
間４ａ内に挿入される円柱状の挿入部２４ａと、挿入部
２４ａの一端に固着されたフィン部２４ｂとからなり、
挿入部２４ａは内部空間４ａ内面に接着剤により接着さ
れている。

【００５３】本実施例によれば、半導体チップ１で発生
した熱を、リードフレーム２のベッド５および放熱体４
を介して放熱フィン２４の挿入部２４ａに伝達するとと
もに、この放熱フィン２４のフィン部２４ｂから外方へ
適切に放熱することができる。　　次に図１２により本
発明による樹脂封止型半導体装置３０の第８の実施例に
ついて説明する。

【００５４】第８の実施例は、放熱体および放熱フィン
の構成が異なるのみであり、他は図１１に示す半導体装
置の第７の実施例と同様である。

【００５５】図１２に示すように、放熱体４は平面十字
状となっており、内部空間４ａは、その４つの端部およ
び上部に５つの開口２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，
２２ｅが形成されている（図９参照）。このうち上部の
開口２２ｅを介して内部空間４ａ内に、放熱フィン２６
が挿着されている。放熱フィン２６はアルミニウム製と
なっており、内部空間４ａ内に挿入される円柱状の挿入
部２６ａと、挿入部２６ａ上部に固着されたフィン部２
６ｂとからなっている。半導体チップ１で発生した熱は
、リードフレーム２のベッド５、放熱体４、および放熱
フィン２６の挿入部２６ａを経て、放熱フィン２６のフ
ィン部２６ｂから外方に放熱されるようになっている。

【００５６】次に図１３（Ａ）および（Ｂ）による半導
体装置の実装構造の第１の実施例について説明する。こ
こで図１３（Ａ）は平面図、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ
）のＢ−Ｂ線断面図である。

【００５７】図１３（Ａ）および（Ｂ）において、基板
３２上に図１（Ａ）乃至（Ｄ）により説明した樹脂封止
型半導体装置３０が複数、例えば６個載置されている。

【００５８】これらの半導体装置３０は３個ずつ、放熱
体４の内部空間４ａが一直線上に並ぶように配置され、
また各半導体装置３０の放熱体４の内部空間４ａ内を貫
通して液体管路３１が配設されている。液体管路３１は
平面Ｕ字形となっており、その両端は冷却用液体循環装
置３３に接続されている。液体管路３１と放熱体４の内
部空間４ａの内面との間には、熱伝導率が高い詰め物材
料が充填され、冷却用液体循環装置３３により液体管路
３１内で冷却用液体が循環するようになっている。そし
て各半導体装置３０の半導体チップ１から発生した熱は
、放熱体４から液体管路３１内の冷却用液体によって確
実に放熱されるようになっている。

【００５９】なお、半導体装置３０を交換する際は、冷
却用液体循環装置３３から液体管路３１を取外し、更に
交換すべき半導体装置３０を液体管路３１から抜き出し
て交換する。

【００６０】次に図１４（Ａ）および（Ｂ）により、本
発明による半導体装置の実装構造の第２の実施例につい
て説明する。ここで図１４（Ａ）は平面図、図１４（Ｂ
）は図１４（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。

【００６１】図１４（Ａ）および（Ｂ）において、基板
３２上に図１（Ａ）乃至（Ｄ）に示した半導体装置３０
が、複数、例えば６個載置されている。基板３２の周縁
には囲板３５が配設され、囲板３５内には６個の半導体
３０を覆う冷却用液体３６が収納されている。冷却用液
体３６としては、例えばフロリナートを用いることがで
きる。

【００６２】次に図１５により、本発明による半導体装
置の実装構造の第３の実施例について説明する。

【００６３】図１５において、図１（Ａ）乃至（Ｄ）に
より説明した半導体装置３０が、複数、例えば６個基板
３２の下面に取付けられている。また収納容器３７内に
冷却用液体３６が収納され、基板３２に取付けられた半
導体装置３０はこの冷却用液体３６内に浸されている。 半導体装置３０は冷却用液体３６が放熱体４の内部空間
４ａ全域を浸す程度の位置に適当な保持手段（図示せず
）により保持されている。

【００６４】なお、上記各実施例において、例えば図１
において、放熱体４の内部空間４ａの形状をだ円形の円
筒状とし、内部に何も設けていない例を示したが、図１
６に示すようにこのだ円形の円筒状内部空間４ａ内に、
一対の平行するガイド板４０を設けてもよい。この場合
は、内部空間４ａ内を通る外気をこの一対のガイド板４
０によって案内することができる。

【００６５】また、図１７に示すように、だ円形の円筒
状内部空間４ａ内にガイド板４１をらせん状に設けても
よい。この場合は、内部空間４ａ内を通る外気に、ガイ
ド板４１によって乱流を生じさせることができる。

【００６６】さらにまた、図１８に示すようにだ円形の
円筒状内部空間４ａの内面に、軸線方向に延びる複数の
突起部４２を設けても良い。

【００６７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体チップで発生した熱を、放熱体の内部空間から外
方に確実に放出することができる。このため、半導体装
置の動作の安定性を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による樹脂封止型半導体装置の第１の実
施例を示す図。

【図２】本発明による樹脂封止型半導体装置の第２の実
施例を示す図。

【図３】本発明による樹脂封止型半導体装置の第３の実
施例を示す図。

【図４】本発明による樹脂封止型半導体装置の第４の実
施例を示す側断面図。

【図５】樹脂封止型半導体装置の第４の実施例の製造方
法を示す図。

【図６】本発明による樹脂封止型半導体装置の第５の実
施例を示す側断面図。

【図７】樹脂封止型半導体装置の第５の実施例において
用いられる放熱体の図。

【図８】樹脂封止型半導体装置の第５の実施例において
用いられる他の放熱体の図。

【図９】樹脂封止型半導体装置の第５の実施例において
用いられる他の放熱体の図。

【図１０】本発明による樹脂封止型半導体装置の第６の
実施例を示す図。

【図１１】本発明による樹脂封止型半導体装置の第７の
実施例を示す側断面図。

【図１２】本発明による樹脂封止型半導体装置の第８の
実施例を示す側断面図。

【図１３】本発明による半導体装置の実装構造の第１の
実施例を示す図。

【図１４】本発明による半導体装置の実装構造の第２の
実施例を示す図。

【図１５】本発明による半導体装置の実装構造の第３の
実施例を示す側断面図。

【図１６】放熱体の内部空間の内部にガイド板を設けた
状態を示す斜視図。

【図１７】放熱体の内部空間にガイド板を設けた状態を
示す斜視図。

【図１８】放熱体の内部空間に突起部を設けた状態を示
す側面図。

【図１９】従来の樹脂封止型半導体装置を示す側断面図
。

【図２０】従来の樹脂封止型半導体装置を示す側断面図
。

【図２１】従来の樹脂封止型半導体装置を示す側断面図
。

【図２２】従来の樹脂封止型半導体装置を示す側断面図
。

【図２３】従来のセラミック封止型半導体装置を示す側
断面図。

【符号の説明】

１　　半導体チップ ２　　リードフレーム ２ａ　　インナーリード ２ｂ　　アウタリード ３　　モールド樹脂 ４　　放熱体 ４ａ　　内部空間 ５　　ベッド ６　　ボンディングワイヤ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体チップと、この半導体チップを樹脂
   封止するモールド樹脂と、このモールド樹脂の外方に突
   出するとともに、前記半導体チップに接続されたリード
   フレームのアウタリードとを備え、前記モールド樹脂内
   に前記半導体チップに連結された放熱体を設け、この放
   熱体は内部空間を有する中空状となっており、この内部
   空間は外方と連通自在となっていることを特徴とする樹
   脂封止型半導体装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の樹脂封止型半導体装置を基
   板に取付け、前記半導体装置の放熱体の内部空間内に冷
   却用媒体が流入する管路を挿着したことを特徴とする半
   導体装置の実装構造。
3. 【請求項３】請求項１記載の樹脂封止型半導体装置を基
   板に取付け、前記半導体装置を冷却用媒体内に浸してな
   る半導体装置の実装構造。