JPH04251806A - 光コネクタ - Google Patents
光コネクタInfo
- Publication number
- JPH04251806A JPH04251806A JP895491A JP895491A JPH04251806A JP H04251806 A JPH04251806 A JP H04251806A JP 895491 A JP895491 A JP 895491A JP 895491 A JP895491 A JP 895491A JP H04251806 A JPH04251806 A JP H04251806A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- grooves
- connector
- substrate
- fibers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、光導波路や光スイッ
チなどの光学素子に接続する光ファイバを精度良く位置
決めして接続部における光伝送損失を少なくした光コネ
クタに関する。
チなどの光学素子に接続する光ファイバを精度良く位置
決めして接続部における光伝送損失を少なくした光コネ
クタに関する。
【0002】
【従来の技術】周知の光コネクタの中に、図2及び図3
に示すようなものがある。このコネクタは、Si等で作
られた基板1上にダイヤモンドカッタでV字のガイド溝
4、5を切り、光ファイバの心線7をガイド溝5で位置
決めし、かつ、光学素子側のコネクタ2と光ファイバ側
のコネクタとして用いる基板1をガイド溝4に収めるガ
イドピン6で位置決めして光ファイバと光学素子を接続
するようになっている。図2の3は光ファイバの端末部
を位置決めするガイド溝であり、ここでは5心のテープ
状光ファイバを用いるケースを例に挙げている。
に示すようなものがある。このコネクタは、Si等で作
られた基板1上にダイヤモンドカッタでV字のガイド溝
4、5を切り、光ファイバの心線7をガイド溝5で位置
決めし、かつ、光学素子側のコネクタ2と光ファイバ側
のコネクタとして用いる基板1をガイド溝4に収めるガ
イドピン6で位置決めして光ファイバと光学素子を接続
するようになっている。図2の3は光ファイバの端末部
を位置決めするガイド溝であり、ここでは5心のテープ
状光ファイバを用いるケースを例に挙げている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
は、Si基板上に切削加工したV字溝で光ファイバの心
線を位置決めしている。ところが、この機械加工による
ガイド溝は、幅方向の位置精度は誤差が0.1μm程度
と極めて良いが、深さ方向には数μmもの誤差が出てし
まう。
は、Si基板上に切削加工したV字溝で光ファイバの心
線を位置決めしている。ところが、この機械加工による
ガイド溝は、幅方向の位置精度は誤差が0.1μm程度
と極めて良いが、深さ方向には数μmもの誤差が出てし
まう。
【0004】これに対し、シングルモードの光ファイバ
は、クラッド径125μm、コア径9μmであり、従っ
て、従来のV溝では心線が深さ方向に数μmもずれてし
まい、接続部における光の結合ロスが非常に大きくなる
と云う課題があった。
は、クラッド径125μm、コア径9μmであり、従っ
て、従来のV溝では心線が深さ方向に数μmもずれてし
まい、接続部における光の結合ロスが非常に大きくなる
と云う課題があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するため、コネクタ本体となる表面の平滑な基板
上にレーザアブレーションによるエッチングで矩形断面
の溝を形成し、この溝を心線のガイド溝として光学素子
に接続する光ファイバを位置決めするようにした。
を解決するため、コネクタ本体となる表面の平滑な基板
上にレーザアブレーションによるエッチングで矩形断面
の溝を形成し、この溝を心線のガイド溝として光学素子
に接続する光ファイバを位置決めするようにした。
【0006】
【作用】エキシマレーザによるアブレーションとは、レ
ーザがあたった所だけが分解され、飛散し、削られる現
象である。そして、他のレーザと違い、光のあたってい
ない部分には全く影響を与えない。(例えば、B.J.
Garrison and R.Srinivasan
(IBM) による論文、“Laser ablat
ion of organic polymors:M
icroscopic models for pho
tochemical and thermal pr
ocesses”J.Appl.Phys.57,pp
.2909−2914,(1985)を参照)又、1シ
ョットで削られる深さは、エネルギー密度によって決ま
っている。例えばポリエチレンテレフタレート(PET
)をXeclレーザでアブレーションする場合は、0.
5J/cm2 で0.5μm/shotである。(J.
E.Andrew他による論文、“Direct et
ching of polymeric materi
als using a Xecl Laser”Ap
pl.Phys.Lett.43,pp.717〜71
9(1983) を参照)最近ではレーザの安定度も極
めて高くなっており、エッチング深さは±0.1μm程
度で制御できるといわれている。(矢部明「エキシマレ
ーザーによる高分子材料の表面改質」第4回レーザセミ
ナーテキストより、1990/11)この発明の光コネ
クタは、そのアブレーションによるエッチングで心線の
ガイド溝を加工しているので、ガイド溝の深さ方向の精
度が極めて高く、心線の同方向への位置ずれが小さくな
る。
ーザがあたった所だけが分解され、飛散し、削られる現
象である。そして、他のレーザと違い、光のあたってい
ない部分には全く影響を与えない。(例えば、B.J.
Garrison and R.Srinivasan
(IBM) による論文、“Laser ablat
ion of organic polymors:M
icroscopic models for pho
tochemical and thermal pr
ocesses”J.Appl.Phys.57,pp
.2909−2914,(1985)を参照)又、1シ
ョットで削られる深さは、エネルギー密度によって決ま
っている。例えばポリエチレンテレフタレート(PET
)をXeclレーザでアブレーションする場合は、0.
5J/cm2 で0.5μm/shotである。(J.
E.Andrew他による論文、“Direct et
ching of polymeric materi
als using a Xecl Laser”Ap
pl.Phys.Lett.43,pp.717〜71
9(1983) を参照)最近ではレーザの安定度も極
めて高くなっており、エッチング深さは±0.1μm程
度で制御できるといわれている。(矢部明「エキシマレ
ーザーによる高分子材料の表面改質」第4回レーザセミ
ナーテキストより、1990/11)この発明の光コネ
クタは、そのアブレーションによるエッチングで心線の
ガイド溝を加工しているので、ガイド溝の深さ方向の精
度が極めて高く、心線の同方向への位置ずれが小さくな
る。
【0007】なお、図3ではガイド溝はV字となってい
たが、これは、ダイヤモンドカッタで切るためにこうい
う形状をしているのであって、本質的には意味はなく、
アブレーションによる矩形断面形状でも問題はない。
たが、これは、ダイヤモンドカッタで切るためにこうい
う形状をしているのであって、本質的には意味はなく、
アブレーションによる矩形断面形状でも問題はない。
【0008】又、材質としてSiを選んだのは、面の平
面度がよいためであり、その点を満たせば材質は何でも
よい。
面度がよいためであり、その点を満たせば材質は何でも
よい。
【0009】
【実施例】図1にこの発明の光コネクタの一例(光ファ
イバ側コネクタ)を示す。コネクタの本体となる基板1
は、低エネルギー密度でアブレーション反応を起こすポ
リエチレンテレフタート(PET)で形成されている。 この基板1には光ファイバの心線7を挿入して心出しす
るガイド溝5とガイドピン6を挿入するガイド溝4が設
けられている。これ等のガイド溝4、5は、共にエキシ
マレーザ(例えばXeclレーザ) を用いたアブレー
ションによるエッチング溝であり、矩形断面になってい
る。8は基板1上にネジ止めする押え蓋であり、この蓋
にも基板側の溝に対向してガイド溝4、5が加工されて
いる。この蓋側のガイド溝は、機械加工した溝であって
もよい。
イバ側コネクタ)を示す。コネクタの本体となる基板1
は、低エネルギー密度でアブレーション反応を起こすポ
リエチレンテレフタート(PET)で形成されている。 この基板1には光ファイバの心線7を挿入して心出しす
るガイド溝5とガイドピン6を挿入するガイド溝4が設
けられている。これ等のガイド溝4、5は、共にエキシ
マレーザ(例えばXeclレーザ) を用いたアブレー
ションによるエッチング溝であり、矩形断面になってい
る。8は基板1上にネジ止めする押え蓋であり、この蓋
にも基板側の溝に対向してガイド溝4、5が加工されて
いる。この蓋側のガイド溝は、機械加工した溝であって
もよい。
【0010】図4は、基板に設けるガイド溝4、5の加
工法の一例を示している。
工法の一例を示している。
【0011】レーザ光発生装置9から出たエキシマレー
ザ光15は、先ず所望のエネルギー密度と照射野を持つ
ように光学系10で広げられ、或いは集光される。次に
、そのレーザ光15がミラー11による反射で方向転換
され、マスク12を通過して基板13に照射される。 ここでは、連続照射を行うためにカッティングする前の
基板13をXYステージ14上にセッティングし、この
ステージによって所望方向に移動させるようにしている
。
ザ光15は、先ず所望のエネルギー密度と照射野を持つ
ように光学系10で広げられ、或いは集光される。次に
、そのレーザ光15がミラー11による反射で方向転換
され、マスク12を通過して基板13に照射される。 ここでは、連続照射を行うためにカッティングする前の
基板13をXYステージ14上にセッティングし、この
ステージによって所望方向に移動させるようにしている
。
【0012】エッチングの巾と深さを制御するため、照
射のショット数及びエネルギー密度を予め実験で求めて
おくのは当然である。
射のショット数及びエネルギー密度を予め実験で求めて
おくのは当然である。
【0013】マスク12は、例えば図5のように構成さ
れている。このマスク12は、銅板等に削りたい溝の形
に穴をあけるなどして作る。アブレーションは、しきい
値を持つ光化学的反応であり、例えばXeclレーザに
対しては、銅の場合、9J/cm2 以上のエネルギー
密度がないとアブレーションは全く起きない。そのため
マスク材料となり得る。
れている。このマスク12は、銅板等に削りたい溝の形
に穴をあけるなどして作る。アブレーションは、しきい
値を持つ光化学的反応であり、例えばXeclレーザに
対しては、銅の場合、9J/cm2 以上のエネルギー
密度がないとアブレーションは全く起きない。そのため
マスク材料となり得る。
【0014】穴は光リソグラフィなどによってあける。
16はガイド溝5用、17はガイド溝4用の穴であり、
図のマスクには、鎖線内の領域を1パターンとしてこれ
を複数パターン加工してある。
図のマスクには、鎖線内の領域を1パターンとしてこれ
を複数パターン加工してある。
【0015】マスク上の穴パターンは複雑ではないし、
また、マスク12と基板13との間に縮小光学系を組む
と焦点深度が浅くなってきれいに深い溝がきれなくなる
ので、等倍投射が望ましいが、対象次第では縮小光学系
を使用して加工することも考えられる。
また、マスク12と基板13との間に縮小光学系を組む
と焦点深度が浅くなってきれいに深い溝がきれなくなる
ので、等倍投射が望ましいが、対象次第では縮小光学系
を使用して加工することも考えられる。
【0016】
【発明の効果】以上述べたように、この発明の光コネク
タは、光ファイバの位置精度を決めるガイド溝を、制御
性の良いレーザアブレーションによって加工してあるの
で、シングルモード光ファイバであっても心線が光学素
子に高精度に接続され、光の結合損失が小さくなると云
う効果が得られる。
タは、光ファイバの位置精度を決めるガイド溝を、制御
性の良いレーザアブレーションによって加工してあるの
で、シングルモード光ファイバであっても心線が光学素
子に高精度に接続され、光の結合損失が小さくなると云
う効果が得られる。
【0017】また、レーザアブレーションは生産性も高
い方法であるので、製造コスト面でも有利になる。
い方法であるので、製造コスト面でも有利になる。
【図1】この発明の光コネクタの一例を示す端面図
【図
2】従来の光コネクタを蓋なしの状態にして示す平面図
2】従来の光コネクタを蓋なしの状態にして示す平面図
【図3】図2の光ファイバ側のコネクタの端面図
【図4
】レーザアブレーションによるガイド溝の加工法の一例
を示す図
】レーザアブレーションによるガイド溝の加工法の一例
を示す図
【図5】使用マスクの一例を示す部分平面図
1 基板
2 光学素子側のコネクタ
3 光ファイバ端末部のガイド溝
4、5 ガイド溝
6 ガイドピン
7 光ファイバの心線
8 蓋
9 レーザ光発生装置
10 光学系
11 ミラー
12 マスク
13 基板
14 XYステージ
15 レーザ光
16 ガイド溝5用の穴
17 ガイド溝4用の穴
Claims (1)
- 【請求項1】 コネクタ本体となる表面の平滑な基板
上にレーザアブレーションによるエッチングで矩形断面
の溝を形成し、この溝を心線のガイド溝として光学素子
に接続する光ファイバを位置決めするようにした光コネ
クタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP895491A JPH04251806A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 光コネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP895491A JPH04251806A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 光コネクタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04251806A true JPH04251806A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11707067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP895491A Pending JPH04251806A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 光コネクタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04251806A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5656120A (en) * | 1994-07-28 | 1997-08-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of fixing optical fiber array to substrate |
-
1991
- 1991-01-29 JP JP895491A patent/JPH04251806A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5656120A (en) * | 1994-07-28 | 1997-08-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of fixing optical fiber array to substrate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1522882B1 (en) | Optical waveguide having mirror surface formed by laser beam machining | |
US5073687A (en) | Method and apparatus for working print board by laser | |
JP4774146B2 (ja) | レーザを用いて波長より小さなピッチで穴を開けるための方法および装置 | |
KR100852155B1 (ko) | 경질의 비금속 기판 내의 오프닝 어블레이팅 방법 | |
US5933218A (en) | Laser beam machining apparatus | |
WO2002034452A1 (en) | Laser cutting method and apparatus for optical fibres or waveguides | |
EP0151637A4 (en) | BEAM DIVISION / COUPLING SYSTEM WITHIN AN OPTICAL WAVE GUIDE ARRANGEMENT. | |
US4698129A (en) | Focused ion beam micromachining of optical surfaces in materials | |
WO2009131231A1 (en) | Method for manufacturing optical waveguide having inclined end surface | |
CN108303767B (zh) | 一种在光波导上制备凹面镜的方法 | |
US11693183B2 (en) | Singulation of optical waveguide materials | |
JPH05226787A (ja) | オプトエレクトロニク半導体装置及びその製造方法 | |
JPH04251806A (ja) | 光コネクタ | |
US4810095A (en) | Laser-beam, pattern drawing/inspecting apparatus | |
JP4225054B2 (ja) | 光電気複合配線板の製造方法 | |
CA2031057C (en) | Fabrication of optical components utilizing a laser | |
JPH03142087A (ja) | プリント配線基板の穴明け加工方法 | |
JPH03226392A (ja) | レーザ加工方法 | |
ATE139037T1 (de) | Optischer baustein mit optischem koppler zum aufspalten oder zusammenführen von licht und verfahren zu dessen herstellung | |
JPH07284975A (ja) | テーパー形状の孔明け方法 | |
JPH03142090A (ja) | プリント配線基板の穴明け加工装置 | |
JPS62168688A (ja) | レ−ザ加工装置 | |
JPH039309A (ja) | レーザによる溝加工方法 | |
JPS56169235A (en) | Manufacture of original optical disk | |
JPS60124485A (ja) | セラミツク基板のレ−ザ−加工方法およびその基板 |