JPH04249026A - 電子放出素子 - Google Patents

電子放出素子

Info

Publication number
JPH04249026A
JPH04249026A JP3034995A JP3499591A JPH04249026A JP H04249026 A JPH04249026 A JP H04249026A JP 3034995 A JP3034995 A JP 3034995A JP 3499591 A JP3499591 A JP 3499591A JP H04249026 A JPH04249026 A JP H04249026A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitter
cathode electrode
electron
electron emission
diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3034995A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2626276B2 (ja
Inventor
Yoichi Kobori
洋一 小堀
Mitsuru Tanaka
満 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Futaba Corp
Original Assignee
Futaba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Futaba Corp filed Critical Futaba Corp
Priority to JP3499591A priority Critical patent/JP2626276B2/ja
Priority to US07/831,443 priority patent/US5162704A/en
Publication of JPH04249026A publication Critical patent/JPH04249026A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2626276B2 publication Critical patent/JP2626276B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123—Flat display tubes
    • H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/319—Circuit elements associated with the emitters by direct integration

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は電子放出素子（Ｆｉｅｌ
ｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｃａｔｈｏｄｅｓ，以下ＦＥＣ
とも呼ぶ。）に関するものである。本考案の電子放出素
子は、各種表示装置、マイクロ波真空管、光源、増幅素
子、高速スッチング素子、センサー等における電子源と
して有用である。
【０００２】
【従来の技術】電子放出素子の一構造例であるいわゆる
縦型の構造を図５に示す。図中１００はガラス等から成
る絶縁性の基板である。基板１００の上面にはカソード
電極１０１が設けられている。カソード電極１０１の上
面にはシリコン薄膜等からなる抵抗層１０２が設けられ
ている。抵抗層１０２の上面にはＳｉＯ２　等の絶縁層
１０３が設けられている。該絶縁層１０３にはキャビテ
ィ１０４が形成され、絶縁層１０３の上面にはゲート１
０５が設けられている。そして、前記キャビティ１０４
内の抵抗層１０２の上には円錐形のエミッタ１０６が設
けられている。即ちエミッタ１０６は、基板１００の上
面において抵抗層１０２を介してカソード電極１０１に
接続されている。
【０００３】この電子放出素子によれば、エミッタ１０
６に対してゲート１０５に適当なバイアス電圧を印加す
ることにより、エミッタ１０６の先端とゲート１０５の
間に電界を生じさせ、エミッタ１０６の先端から電子放
出を得ることができる。また、一般的な縦型の電子放出
素子において、駆動を開始するためにスイッチを閉じた
瞬間、絶縁劣化により大きなパルス電流が流れてエミッ
タを破壊してしまう事故が発生することがあった。しか
しながら、前記電子放出素子によれば、エミッタ１０６
とカソード電極１０１の間に電流制限用の抵抗層１０２
が設けられていたので短絡状態にはならず、隣接する他
のエミッタ１０６からの電子放出を損ねるほどの電圧降
下が起こることはない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】電流制限用の抵抗層を
有する従来の電子放出素子には次のような問題点があっ
た。 （１）抵抗層での電圧降下が１０％程度もあり、その分
駆動電圧が高くなる。換言すれば、抵抗層での電圧降下
分がむだになるので、駆動電圧を低くすることができな
い。 （２）各エミッタには放出効率のバラツキが生じる。こ
れは抵抗層によってある程度はおさえられるが不充分で
あり、輝度のユニフォーミティに放出効率のバラツキに
よる悪影響が残ってしまう。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の電子放出素子は
、絶縁性の基板上において、カソード電極とエミッタの
間に定電流素子を設けたことを特徴としている。
【０００６】
【作用】エミッタとカソード電極の間に設けられた定電
流素子では従来の抵抗層に比べて電圧降下が小さいので
駆動電圧を低くできる。また、各エミッタの電子放出が
均一化する。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例を図１及び図２により説明
する。図１に示すように、ガラス等から成る絶縁性の基
板１の上面には、アルミニウム等で形成された帯状のカ
ソード電極２が形成されている。カソード電極２上には
、定電流素子としてのダイオード３が形成されている。 ダイオード３は、金で形成された金属層４とアモルファ
スシリコンで形成された半導体層５とにより形成されて
いる。
【０００８】本実施例では、アモルファスシリコンと密
着性が良く、また抵抗値の低い金属である金を用いてダ
イオード３を形成しているが、半導体層５とカソ−ド電
極２とを直接接合させることによりダイオードを構成す
ることも可能である。
【０００９】一方、カソード電極２には、ＳｉＯ２　か
ら成る絶縁層７が形成されている。ダイオード３上でか
つ絶縁層７の孔近傍には円錐形のエミッタ６が形成され
ている。又、絶縁層７上でかつエミッタ６の周辺には帯
状のゲート電極８が形成されている。カソード電極２と
ゲート電極８は直交し、マトリクス構成されている。
【００１０】以上のように構成された電子放出素子の動
作を説明する。カソード電極２とゲート電極８とに選択
的に電圧を印加すると、エミッタ６の先端から、正電圧
が印加されたアノード電極（図示せず）に向かって電子
が放出される。該アノード電極に蛍光体が被着されてい
る場合には、該蛍光体が発光し、種々の表示を行わせる
ことが可能となる。一般に、ダイオードに流れる電流は
、図２のように表される。ところで、本願の特徴は、図
２に示すダイオードの逆方向電流Ｊ０　の特性を利用し
、そのもれ電流を利用するものである
【００１１】又、
エミッタ６の活性度が異なる場合、各エミッタ６から放
出される電子の量が異なるという問題が生じるが、各エ
ミッタに対応して設けられた定電流素子たるダイオード
３を流れる電流はほぼ一定となるため、各エミッタ６か
ら放出される電子量も各々略同一となる。従って、本願
の電子放出素子を広い面積にわたって多数構成した場合
でも、各点での電子放出量を均一化でき、特に、表示装
置に応用した場合には発光輝度のバラツキを減少させる
ことができる。
【００１２】図３は、他の実施例を示す回路図である。 図２では、定電流素子としてダイオードを使用したが、
図３に示すように、ＦＥＴ３０１及び抵抗３０２を図１
のカソード電極２とエミッタ６との間に形成する様にし
てもよい。即ち、端子Ｓをカソード電極２に接合させ、
端子Ｄをエミッタ６に接合させる。抵抗３０２を流れる
電流が増加するとゲート電圧が低下し、抵抗３０２を流
れる電流が減少する。逆に、抵抗３０２を流れる電流が
減少すると、ゲート電圧が増加し、抵抗器３０２を流れ
る電流が増加する。以上の動作により、定電流特性が得
られるものである。
【００１３】図４は本発明の他の実施例であるＦＥＣ２
０の要部を示すものである。この実施例では、各エミッ
タ２１とカソード電極２２の間に設ける定電流素子とし
て、トランジスタ２３を用いて構成した定電流回路２４
を用いている。本実施例によっても前記実施例と略同様
の作用効果を得ることができる
【００１４】上述した実施例では、各定電流素子に１個
のエミッタが形成されているが、複数個のエミッタを形
成することにより他のエミッタの電子放出能力が劣化し
た場合でも、残りのエミッタで補うことが可能である。
【００１５】
【発明の効果】本発明の電子放出素子によれば、絶縁性
の基板上においてカソード電極とエミッタの間に定電流
素子を設けたので、電子放出開始電圧を低減化でき、各
エミッタの電子放出を均一化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である電子放出素子の断面図
である。
【図２】同実施例の説明図である。
【図３】他の実施例の要部を示す回路図である。
【図４】他の実施例の要部を示す回路図である。
【図５】従来の電子放出素子の一構造例を示す一部切り
欠き斜視図である。
【符号の説明】
１…基板２，２２…カソード電極、３…定電流素子とし
ての定電流ダイオード、９，２１…エミッタ、１２…電
子放出素子、２０…ＦＥＣ、２４…定電流素子としての
定電流回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　絶縁性の基板と、前記基板上に設けら
    れたカソード電極と、前記基板上に設けられた定電流素
    子と、前記基板上に設けられ、前記定電流素子を介して
    前記カソード電極に接続されるエミッタとを具備する電
    子放出素子。
JP3499591A 1991-02-06 1991-02-06 電子放出素子 Expired - Fee Related JP2626276B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3499591A JP2626276B2 (ja) 1991-02-06 1991-02-06 電子放出素子
US07/831,443 US5162704A (en) 1991-02-06 1992-02-05 Field emission cathode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3499591A JP2626276B2 (ja) 1991-02-06 1991-02-06 電子放出素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04249026A true JPH04249026A (ja) 1992-09-04
JP2626276B2 JP2626276B2 (ja) 1997-07-02

Family

ID=12429726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3499591A Expired - Fee Related JP2626276B2 (ja) 1991-02-06 1991-02-06 電子放出素子

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5162704A (ja)
JP (1) JP2626276B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0589523A1 (en) * 1992-09-25 1994-03-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device
JPH07130281A (ja) * 1993-10-28 1995-05-19 Nec Corp 電界放出型陰極装置
JPH08162005A (ja) * 1994-12-05 1996-06-21 Nec Corp 電界放出冷陰極
US5537007A (en) * 1992-09-25 1996-07-16 U.S. Philips Corporation Field emitter display device with two-pole circuits
US5557160A (en) * 1993-12-28 1996-09-17 Nec Corporation Field emission cathode including cylindrically shaped resistive connector and method of manufacturing
US6060823A (en) * 1997-03-27 2000-05-09 Nec Corporation Field emission cold cathode element
US6084341A (en) * 1996-08-23 2000-07-04 Nec Corporation Electric field emission cold cathode
CN105679628A (zh) * 2016-01-20 2016-06-15 中山大学 一种带反偏置纳米结的场致电子发射器件结构

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5536193A (en) 1991-11-07 1996-07-16 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making wide band gap field emitter
US5449970A (en) 1992-03-16 1995-09-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Diode structure flat panel display
US5763997A (en) 1992-03-16 1998-06-09 Si Diamond Technology, Inc. Field emission display device
US5675216A (en) 1992-03-16 1997-10-07 Microelectronics And Computer Technololgy Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5679043A (en) 1992-03-16 1997-10-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making a field emitter
US6127773A (en) 1992-03-16 2000-10-03 Si Diamond Technology, Inc. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5543684A (en) 1992-03-16 1996-08-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Flat panel display based on diamond thin films
US5659224A (en) 1992-03-16 1997-08-19 Microelectronics And Computer Technology Corporation Cold cathode display device
US5956004A (en) * 1993-05-11 1999-09-21 Micron Technology, Inc. Controlling pixel brightness in a field emission display using circuits for sampling and discharging
US5638086A (en) * 1993-02-01 1997-06-10 Micron Display Technology, Inc. Matrix display with peripheral drive signal sources
US5616991A (en) * 1992-04-07 1997-04-01 Micron Technology, Inc. Flat panel display in which low-voltage row and column address signals control a much higher pixel activation voltage
US5581159A (en) * 1992-04-07 1996-12-03 Micron Technology, Inc. Back-to-back diode current regulator for field emission display
US5357172A (en) * 1992-04-07 1994-10-18 Micron Technology, Inc. Current-regulated field emission cathodes for use in a flat panel display in which low-voltage row and column address signals control a much higher pixel activation voltage
US5410218A (en) * 1993-06-15 1995-04-25 Micron Display Technology, Inc. Active matrix field emission display having peripheral regulation of tip current
US5642017A (en) * 1993-05-11 1997-06-24 Micron Display Technology, Inc. Matrix-addressable flat panel field emission display having only one transistor for pixel control at each row and column intersection
US5387844A (en) * 1993-06-15 1995-02-07 Micron Display Technology, Inc. Flat panel display drive circuit with switched drive current
US5396150A (en) * 1993-07-01 1995-03-07 Industrial Technology Research Institute Single tip redundancy method and resulting flat panel display
US5462467A (en) * 1993-09-08 1995-10-31 Silicon Video Corporation Fabrication of filamentary field-emission device, including self-aligned gate
US5999149A (en) * 1993-10-15 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Matrix display with peripheral drive signal sources
CN1134754A (zh) 1993-11-04 1996-10-30 微电子及计算机技术公司 制作平板显示***和元件的方法
US5550426A (en) * 1994-06-30 1996-08-27 Motorola Field emission device
FR2722913B1 (fr) * 1994-07-21 1996-10-11 Pixel Int Sa Cathode a micropointes pour ecran plat
US5920154A (en) 1994-08-02 1999-07-06 Micron Technology, Inc. Field emission display with video signal on column lines
US6204834B1 (en) 1994-08-17 2001-03-20 Si Diamond Technology, Inc. System and method for achieving uniform screen brightness within a matrix display
US5531880A (en) * 1994-09-13 1996-07-02 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method for producing thin, uniform powder phosphor for display screens
US6417605B1 (en) * 1994-09-16 2002-07-09 Micron Technology, Inc. Method of preventing junction leakage in field emission devices
TW289864B (ja) * 1994-09-16 1996-11-01 Micron Display Tech Inc
US5975975A (en) * 1994-09-16 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for stabilization of threshold voltage in field emission displays
WO1996014650A1 (en) 1994-11-04 1996-05-17 Micron Display Technology, Inc. Method for sharpening emitter sites using low temperature oxidation processes
US6296740B1 (en) * 1995-04-24 2001-10-02 Si Diamond Technology, Inc. Pretreatment process for a surface texturing process
US5628659A (en) * 1995-04-24 1997-05-13 Microelectronics And Computer Corporation Method of making a field emission electron source with random micro-tip structures
JP2900837B2 (ja) * 1995-05-31 1999-06-02 日本電気株式会社 電界放射型冷陰極装置及びその製造方法
US5585301A (en) * 1995-07-14 1996-12-17 Micron Display Technology, Inc. Method for forming high resistance resistors for limiting cathode current in field emission displays
EP0757341B1 (en) * 1995-08-01 2003-06-04 STMicroelectronics S.r.l. Limiting and selfuniforming cathode currents through the microtips of a field emission flat panel display
US5656892A (en) * 1995-11-17 1997-08-12 Micron Display Technology, Inc. Field emission display having emitter control with current sensing feedback
US5847408A (en) * 1996-03-25 1998-12-08 Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry Field emission device
US5894293A (en) * 1996-04-24 1999-04-13 Micron Display Technology Inc. Field emission display having pulsed capacitance current control
US5757138A (en) * 1996-05-01 1998-05-26 Industrial Technology Research Institute Linear response field emission device
TW350059B (en) * 1996-07-23 1999-01-11 Futaba Denshi Kogyo Kk Field emission type image display panel and method of driving the same
US5844370A (en) * 1996-09-04 1998-12-01 Micron Technology, Inc. Matrix addressable display with electrostatic discharge protection
US6010917A (en) * 1996-10-15 2000-01-04 Micron Technology, Inc. Electrically isolated interconnects and conductive layers in semiconductor device manufacturing
US5847515A (en) * 1996-11-01 1998-12-08 Micron Technology, Inc. Field emission display having multiple brightness display modes
US5770919A (en) * 1996-12-31 1998-06-23 Micron Technology, Inc. Field emission device micropoint with current-limiting resistive structure and method for making same
US6015323A (en) * 1997-01-03 2000-01-18 Micron Technology, Inc. Field emission display cathode assembly government rights
US5986625A (en) * 1997-01-07 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Application specific field emission display including extended emitters
US6038171A (en) * 1997-03-25 2000-03-14 Altera Corporation Field emission erasable programmable read-only memory
US6013986A (en) * 1997-06-30 2000-01-11 Candescent Technologies Corporation Electron-emitting device having multi-layer resistor
US6144144A (en) * 1997-10-31 2000-11-07 Candescent Technologies Corporation Patterned resistor suitable for electron-emitting device
US6176752B1 (en) 1998-09-10 2001-01-23 Micron Technology, Inc. Baseplate and a method for manufacturing a baseplate for a field emission display
JP2000260299A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 冷電子放出素子及びその製造方法
US7052350B1 (en) * 1999-08-26 2006-05-30 Micron Technology, Inc. Field emission device having insulated column lines and method manufacture
US6469436B1 (en) * 2000-01-14 2002-10-22 Micron Technology, Inc. Radiation shielding for field emitters
WO2003063120A1 (en) 2002-01-15 2003-07-31 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Method and apparatus for regulating electron emission in field emitter devices
GB2389959B (en) * 2002-06-19 2006-06-14 Univ Dundee Improved field emission device
CN103021759B (zh) * 2013-01-06 2016-05-04 电子科技大学 一种恒流发射的场致发射电子源
CN106128907A (zh) * 2016-08-31 2016-11-16 电子科技大学 带有限流pn结的场发射阴极结构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62272422A (ja) * 1986-05-20 1987-11-26 Canon Inc 電子放出装置
JPS63136437A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Canon Inc 電子放出装置
JPH01154426A (ja) * 1987-11-06 1989-06-16 Commiss Energ Atom 電子源

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3755704A (en) * 1970-02-06 1973-08-28 Stanford Research Inst Field emission cathode structures and devices utilizing such structures
JPS5325632B2 (ja) * 1973-03-22 1978-07-27
JPS5436828B2 (ja) * 1974-08-16 1979-11-12
US4163918A (en) * 1977-12-27 1979-08-07 Joe Shelton Electron beam forming device
US4721885A (en) * 1987-02-11 1988-01-26 Sri International Very high speed integrated microelectronic tubes
US4901028A (en) * 1988-03-22 1990-02-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Field emitter array integrated distributed amplifiers
US5075595A (en) * 1991-01-24 1991-12-24 Motorola, Inc. Field emission device with vertically integrated active control

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62272422A (ja) * 1986-05-20 1987-11-26 Canon Inc 電子放出装置
JPS63136437A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Canon Inc 電子放出装置
JPH01154426A (ja) * 1987-11-06 1989-06-16 Commiss Energ Atom 電子源

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0589523A1 (en) * 1992-09-25 1994-03-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device
US5537007A (en) * 1992-09-25 1996-07-16 U.S. Philips Corporation Field emitter display device with two-pole circuits
JPH07130281A (ja) * 1993-10-28 1995-05-19 Nec Corp 電界放出型陰極装置
US5550435A (en) * 1993-10-28 1996-08-27 Nec Corporation Field emission cathode apparatus
US5557160A (en) * 1993-12-28 1996-09-17 Nec Corporation Field emission cathode including cylindrically shaped resistive connector and method of manufacturing
JPH08162005A (ja) * 1994-12-05 1996-06-21 Nec Corp 電界放出冷陰極
US6084341A (en) * 1996-08-23 2000-07-04 Nec Corporation Electric field emission cold cathode
US6060823A (en) * 1997-03-27 2000-05-09 Nec Corporation Field emission cold cathode element
CN105679628A (zh) * 2016-01-20 2016-06-15 中山大学 一种带反偏置纳米结的场致电子发射器件结构

Also Published As

Publication number Publication date
JP2626276B2 (ja) 1997-07-02
US5162704A (en) 1992-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2626276B2 (ja) 電子放出素子
JP2003100199A (ja) 電子放出素子、電子源及び画像形成装置
US5345141A (en) Single substrate, vacuum fluorescent display
JP2763248B2 (ja) シリコン電子放出素子の製造方法
JP3066573B2 (ja) 電界放出型表示素子
JP2000268704A (ja) 電界放出形表示素子及びその製造方法
JPWO2003085692A1 (ja) 冷陰極表示装置及び冷陰極表示装置の製造方法
KR100334017B1 (ko) 평판 디스플레이
KR100312510B1 (ko) 카본 나노튜브를 이용한 전계방출소자
US5955832A (en) Vacuum envelope having niobium oxide gate electrode structure
JP3026484B2 (ja) 電界放出型冷陰極
US6015324A (en) Fabrication process for surface electron display device with electron sink
US6583477B1 (en) Field emission device
JP2003016907A (ja) 電子放出素子、電子源、画像形成装置及び電子放出素子の製造方法
JP3861484B2 (ja) 電子放出素子及びその駆動方法
JPH11339699A (ja) 蛍光表示管のフィラメント電圧制御装置
KR100415607B1 (ko) 전계 방출 표시소자
KR100254677B1 (ko) 저항층을 갖는 전계방출표시소자
JP2001202059A (ja) 冷陰極発光素子の駆動方法、冷陰極発光素子の駆動回路およびディスプレイ装置
KR100254674B1 (ko) 전계방출표시소자용 저항층
JP4947336B2 (ja) 電界放出素子
JP2002313214A (ja) 電子放出装置及び陰極線管
JP2002198000A (ja) 画像表示装置
JP2001350444A (ja) 電界放出型表示装置
KR100235303B1 (ko) MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees