JPH04238895A - ダイヤモンド膜及びその製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド膜及びその製造方法Info
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- JPH04238895A JPH04238895A JP1238091A JP1238091A JPH04238895A JP H04238895 A JPH04238895 A JP H04238895A JP 1238091 A JP1238091 A JP 1238091A JP 1238091 A JP1238091 A JP 1238091A JP H04238895 A JPH04238895 A JP H04238895A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はダイヤモンド半導体膜な
らびにその製造法に関する。
らびにその製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、様々な種類のダイヤモンド気相合
成法が開発されダイヤモンド膜の工業分野への応用は急
速な勢いで進んでいる。ダイヤモンドの半導体としての
利用は主要な応用分野の一つであり、ダイヤモンド高温
、高速素子への期待が高まってきている。珪素やヒ化ガ
リウム等の半導体工業の基盤は高品質の結晶成長技術で
あって、ダイヤモンドについてもこれはあてはまるもの
である。
成法が開発されダイヤモンド膜の工業分野への応用は急
速な勢いで進んでいる。ダイヤモンドの半導体としての
利用は主要な応用分野の一つであり、ダイヤモンド高温
、高速素子への期待が高まってきている。珪素やヒ化ガ
リウム等の半導体工業の基盤は高品質の結晶成長技術で
あって、ダイヤモンドについてもこれはあてはまるもの
である。
【0003】従って、高品質で欠陥の少ないp型及びn
型ダイヤモンド結晶膜のエピタキシャル成長及び成長し
た結晶の原紙レベルでの平坦且つ清浄な表面を作製する
ことは非常に重要な技術と考えられる。ダイヤモンド半
導体開発において、初期より中心的な役割を果たしてい
るのはホウ素をドープしたp型のものである。これに対
してn型のダイヤモンド半導体はドナー準位が深くほと
んどドープしないダイヤモンド膜と同様の絶縁体に近い
ものであり、浅いドナー準位を持つn型のダイヤモンド
半導体はできていない。実用的なn型のダイヤモンド半
導体が製作可能となれば、既に製作可能であるp型のも
のとあわせて様々な応用が期待される。
型ダイヤモンド結晶膜のエピタキシャル成長及び成長し
た結晶の原紙レベルでの平坦且つ清浄な表面を作製する
ことは非常に重要な技術と考えられる。ダイヤモンド半
導体開発において、初期より中心的な役割を果たしてい
るのはホウ素をドープしたp型のものである。これに対
してn型のダイヤモンド半導体はドナー準位が深くほと
んどドープしないダイヤモンド膜と同様の絶縁体に近い
ものであり、浅いドナー準位を持つn型のダイヤモンド
半導体はできていない。実用的なn型のダイヤモンド半
導体が製作可能となれば、既に製作可能であるp型のも
のとあわせて様々な応用が期待される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記事情に
基づいてなされたものであり、結晶性に優れ、浅い準位
を持つ実用的なn型ダイヤモンド膜及びその合成方法を
提供することを主な目的とする。
基づいてなされたものであり、結晶性に優れ、浅い準位
を持つ実用的なn型ダイヤモンド膜及びその合成方法を
提供することを主な目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、ダイヤモ
ンドもしくはその他の基板上に成長した、ダイヤモンド
膜であって、1ppmから1000ppmの窒素及び窒
素含有量の0.1%から50%の燐または硫黄をドープ
させたことを特徴とする単結晶もしくは多結晶のダイヤ
モンド膜によって達成することができるものであり、該
ダイヤモンド膜は炭素、ドープ量に相当する窒素と燐も
しくは硫黄及び水素を供給し得る単一もしくは混合ガス
を原料として用いてダイヤモンド膜を気相合成すること
によって製造することができ、必要に応じてハロゲン元
素を供給し得る単一または混合ガスを上記原料ガスに加
える。すなわち、炭化水素と水素の系を用いる公知の熱
フィラメントCVD法、マイクロ波プラズマCVD法、
ECRプラズマCVD法、直流プラズマジェット法等の
CVD法により、ドープする不純物である窒素原紙及び
燐または硫黄原子を供給するガス(例えば、N2 、N
H3 、HCN、H2 S、PH3 等)を用いて形成
することができる。
ンドもしくはその他の基板上に成長した、ダイヤモンド
膜であって、1ppmから1000ppmの窒素及び窒
素含有量の0.1%から50%の燐または硫黄をドープ
させたことを特徴とする単結晶もしくは多結晶のダイヤ
モンド膜によって達成することができるものであり、該
ダイヤモンド膜は炭素、ドープ量に相当する窒素と燐も
しくは硫黄及び水素を供給し得る単一もしくは混合ガス
を原料として用いてダイヤモンド膜を気相合成すること
によって製造することができ、必要に応じてハロゲン元
素を供給し得る単一または混合ガスを上記原料ガスに加
える。すなわち、炭化水素と水素の系を用いる公知の熱
フィラメントCVD法、マイクロ波プラズマCVD法、
ECRプラズマCVD法、直流プラズマジェット法等の
CVD法により、ドープする不純物である窒素原紙及び
燐または硫黄原子を供給するガス(例えば、N2 、N
H3 、HCN、H2 S、PH3 等)を用いて形成
することができる。
【0006】こゝで基板としてはダイヤモンドの単結晶
基体が最も好ましいが、その他の基板、例えば珪素、ヒ
化ガリウムあるいは窒化珪素を用いてもかまわない。ダ
イヤモンド基板を用いた場合にはエピタキシャル成長し
た単結晶のn型ダイヤモンドが、又、その他の基板を用
いた場合には、多結晶のn型ダイヤモンドが形成される
。水素、炭化水素及びドープする元素を供給するガスの
系でCVD法により成長させる場合には、基板の温度は
700℃以上であることが望ましいが、これにハロゲン
元素を加えてn型ダイヤモンドをCVD成長させる場合
には成長温度を400℃程度まで低くすることができる
。
基体が最も好ましいが、その他の基板、例えば珪素、ヒ
化ガリウムあるいは窒化珪素を用いてもかまわない。ダ
イヤモンド基板を用いた場合にはエピタキシャル成長し
た単結晶のn型ダイヤモンドが、又、その他の基板を用
いた場合には、多結晶のn型ダイヤモンドが形成される
。水素、炭化水素及びドープする元素を供給するガスの
系でCVD法により成長させる場合には、基板の温度は
700℃以上であることが望ましいが、これにハロゲン
元素を加えてn型ダイヤモンドをCVD成長させる場合
には成長温度を400℃程度まで低くすることができる
。
【0007】こうして得られた本発明のダイヤモンド膜
は、ダイヤモンドもしくはその他の基板の上に窒素及び
燐または硫黄をドープさせて形成したダイヤモンド膜で
あるが、窒素と燐または硫黄のドープ比は100:5〜
10のとき最もよい結果が得られる。
は、ダイヤモンドもしくはその他の基板の上に窒素及び
燐または硫黄をドープさせて形成したダイヤモンド膜で
あるが、窒素と燐または硫黄のドープ比は100:5〜
10のとき最もよい結果が得られる。
【0008】
【作用】表1に示すように、ダイヤモンドを構成する炭
素原子の共有結合半径は0.77Åであるが、窒素原子
のそれは0.75Åである。従って、両者の間には0.
02Åの相違があり、ダイヤモンドにドープされた窒素
原子は炭素原子と同じ位置に置換型で入った場合には結
晶内に歪を引き起こしてしまうことになる。逆に、燐ま
たは硫黄がダイヤモンドにドープされたときには、燐、
硫黄の共有結合半径が1.06Å、1.02Åであって
炭素のそれよりも大幅に大きいことが問題となる。本発
明者らは、このことが窒素、燐、硫黄のドープにより浅
い準位が形成されない理由ではないかと考え、炭素より
も共有結合が小さい窒素と炭素よりも共有結合が大きい
燐または硫黄を同時にドープすれば、ダイヤモンド格子
内に歪を生じることなく置換型にドープでき、その結果
良好なn型ダイヤモンド半導体が得られるのではないか
と推定し本発明に至った。
素原子の共有結合半径は0.77Åであるが、窒素原子
のそれは0.75Åである。従って、両者の間には0.
02Åの相違があり、ダイヤモンドにドープされた窒素
原子は炭素原子と同じ位置に置換型で入った場合には結
晶内に歪を引き起こしてしまうことになる。逆に、燐ま
たは硫黄がダイヤモンドにドープされたときには、燐、
硫黄の共有結合半径が1.06Å、1.02Åであって
炭素のそれよりも大幅に大きいことが問題となる。本発
明者らは、このことが窒素、燐、硫黄のドープにより浅
い準位が形成されない理由ではないかと考え、炭素より
も共有結合が小さい窒素と炭素よりも共有結合が大きい
燐または硫黄を同時にドープすれば、ダイヤモンド格子
内に歪を生じることなく置換型にドープでき、その結果
良好なn型ダイヤモンド半導体が得られるのではないか
と推定し本発明に至った。
【0009】上記の効果は、ダイヤモンドに窒素、燐、
硫黄の3元素をドープしたときにも有効であり、窒素ド
ープ量と燐と硫黄のドープ量の合成との比率が特許請求
の範囲に該当する場合には、ドナー準位の上昇が見られ
た。また、窒素とアンチモンもしくはセレンをドープし
た場合には実質的な効果は見られなかった。これは、ア
ンチモン、セレンの共有結合半径が炭素に比べて大きす
ぎるからではないかと考えられる。
硫黄の3元素をドープしたときにも有効であり、窒素ド
ープ量と燐と硫黄のドープ量の合成との比率が特許請求
の範囲に該当する場合には、ドナー準位の上昇が見られ
た。また、窒素とアンチモンもしくはセレンをドープし
た場合には実質的な効果は見られなかった。これは、ア
ンチモン、セレンの共有結合半径が炭素に比べて大きす
ぎるからではないかと考えられる。
【0010】
表 1 ──────────────
─────────── 元素名
原子番号 共有結合半径
元素記号 (Å)
────────────────
───────── 炭 素
6、C 0.77
─────────────
──────────── 窒
素 7、N 0
.75 ──────────
───────────────
燐 15、P
1.06 ───────
──────────────────
硫 黄 16、S
1.02 ─────
────────────────────
アンチモン 33、As
1.19 ───────
──────────────────
セレン 34、Se
1.16 ───────
──────────────────
表 1 ──────────────
─────────── 元素名
原子番号 共有結合半径
元素記号 (Å)
────────────────
───────── 炭 素
6、C 0.77
─────────────
──────────── 窒
素 7、N 0
.75 ──────────
───────────────
燐 15、P
1.06 ───────
──────────────────
硫 黄 16、S
1.02 ─────
────────────────────
アンチモン 33、As
1.19 ───────
──────────────────
セレン 34、Se
1.16 ───────
──────────────────
【0011】
【実施例】実施例1
3mm×3mmのダイヤモンド(001)基板上に、基
板温度900℃、圧力40Torrの条件下で、窒素及
び燐をドープしたダイヤモンドをメタン−水素系のマイ
クロ波プラズマCVD法により5000Åエピタキシャ
ル成長させた。水素、メタンの流量はそれぞれ100s
ccm、6sccmである。また、ドーピングガスはN
H3 及びPH3 を用い、これらの流量はNH3 /
CH4 、PH3 /CH4 がそれぞれ100ppm
、6ppmとなるようにした。
板温度900℃、圧力40Torrの条件下で、窒素及
び燐をドープしたダイヤモンドをメタン−水素系のマイ
クロ波プラズマCVD法により5000Åエピタキシャ
ル成長させた。水素、メタンの流量はそれぞれ100s
ccm、6sccmである。また、ドーピングガスはN
H3 及びPH3 を用い、これらの流量はNH3 /
CH4 、PH3 /CH4 がそれぞれ100ppm
、6ppmとなるようにした。
【0012】得られた膜をSIMSで測定したところ、
確かにほぼ100ppmの窒素と6ppmの燐または硫
黄がドープされていることが確認された。またホール効
果の測定では確かにn型の電気伝導性を示し、抵抗率の
温度依存性の測定からドナー準位の深さは伝導帯の下1
eV以下でありこれまでの報告よりも大幅に浅くなって
いることが分かった。
確かにほぼ100ppmの窒素と6ppmの燐または硫
黄がドープされていることが確認された。またホール効
果の測定では確かにn型の電気伝導性を示し、抵抗率の
温度依存性の測定からドナー準位の深さは伝導帯の下1
eV以下でありこれまでの報告よりも大幅に浅くなって
いることが分かった。
【0013】実施例2
2mm×1.5mmのダイヤモンド(110)基板上に
、基板温度1000℃で、熱フィラメント法によりダイ
ヤモンドを3μm エピタキシャル成長させた。このと
き、水素、メタンの流量はそれぞれ100sccm、1
sccmであり、圧力は70Torrとした。また、ド
ーピングガスはNH3 及びH2 Sを用い、これらの
流量はNH3 /CH4 、H2 S/CH4 がそれ
ぞれ100ppm、10ppmとなるようにした。また
、比較のために、窒素のみを100ppmドープした膜
を、他の条件は同じにして作製した。その結果、窒素と
硫黄をドープして得られた膜と窒素のみをドープして得
られた膜の表面のひび割れの密度はほぼ1対7であり、
前者の方がよい結晶であることが示唆された。この膜は
、四探針法による測定で室温において抵抗率が1100
Ω・cmと求められた。また、ゼーベック効果により、
確かにn型の伝導タイプであることがわかった。
、基板温度1000℃で、熱フィラメント法によりダイ
ヤモンドを3μm エピタキシャル成長させた。このと
き、水素、メタンの流量はそれぞれ100sccm、1
sccmであり、圧力は70Torrとした。また、ド
ーピングガスはNH3 及びH2 Sを用い、これらの
流量はNH3 /CH4 、H2 S/CH4 がそれ
ぞれ100ppm、10ppmとなるようにした。また
、比較のために、窒素のみを100ppmドープした膜
を、他の条件は同じにして作製した。その結果、窒素と
硫黄をドープして得られた膜と窒素のみをドープして得
られた膜の表面のひび割れの密度はほぼ1対7であり、
前者の方がよい結晶であることが示唆された。この膜は
、四探針法による測定で室温において抵抗率が1100
Ω・cmと求められた。また、ゼーベック効果により、
確かにn型の伝導タイプであることがわかった。
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、窒素及び燐または硫黄
がドープされたダイヤモンドn型半導体の結晶性、実用
性を向上することができる。
がドープされたダイヤモンドn型半導体の結晶性、実用
性を向上することができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 ダイヤモンドもしくはその他の基板上
に成長した、ダイヤモンド膜であって、1ppmから1
000ppmの窒素及び窒素含有量の0.1%から50
%の燐または硫黄をドープさせたことを特徴とする単結
晶もしくは多結晶のダイヤモンド膜。 - 【請求項2】 炭素、ドープ量に相当する窒素と燐ま
たは硫黄、及び水素を供給し得る単一または混合ガスを
原料としてダイヤモンド膜を気相合成することを特徴と
する請求項1のダイヤモンド膜の製造方法。 - 【請求項3】 炭素、ドープ量に相当する窒素と燐ま
たは硫黄、及び水素及びハロゲン元素を供給し得る単一
または混合ガスを原料としてダイヤモンド膜を気相合成
することを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03012380A JP3077206B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03012380A JP3077206B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04238895A true JPH04238895A (ja) | 1992-08-26 |
JP3077206B2 JP3077206B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=11803670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03012380A Expired - Lifetime JP3077206B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3077206B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0594994A2 (en) * | 1992-09-14 | 1994-05-04 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Semiconductor diamond and process for producing the same |
GB2317399A (en) * | 1996-09-03 | 1998-03-25 | Nat Inst Res Inorganic Mat | Phosphorus-doped diamond |
WO2005053029A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ダイヤモンドn型半導体、その製造方法、半導体素子、及び電子放出素子 |
JP2005354109A (ja) * | 1999-03-26 | 2005-12-22 | Japan Science & Technology Agency | n型ダイヤモンドを用いた半導体デバイス |
JP2007045667A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ドーパント原子の大きさを補償したダイヤモンド |
JP2007531680A (ja) * | 2003-07-14 | 2007-11-08 | カーネギー インスチチューション オブ ワシントン | 極度に硬いダイヤモンド及びその製法 |
JP2010189208A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ダイヤモンド半導体及び作製方法 |
JP2011140440A (ja) * | 2011-03-22 | 2011-07-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ダイヤモンド半導体及び作製方法 |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP03012380A patent/JP3077206B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0594994A2 (en) * | 1992-09-14 | 1994-05-04 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Semiconductor diamond and process for producing the same |
EP0594994A3 (en) * | 1992-09-14 | 1994-10-05 | Sumitomo Electric Industries | Diamond semiconductor and manufacturing method. |
GB2317399A (en) * | 1996-09-03 | 1998-03-25 | Nat Inst Res Inorganic Mat | Phosphorus-doped diamond |
US5961717A (en) * | 1996-09-03 | 1999-10-05 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Synthesis of phosphorus-doped diamond |
GB2317399B (en) * | 1996-09-03 | 2000-05-10 | Nat Inst Res Inorganic Mat | Synthesis of phosphorus-doped diamond |
JP2005354109A (ja) * | 1999-03-26 | 2005-12-22 | Japan Science & Technology Agency | n型ダイヤモンドを用いた半導体デバイス |
JP2007531680A (ja) * | 2003-07-14 | 2007-11-08 | カーネギー インスチチューション オブ ワシントン | 極度に硬いダイヤモンド及びその製法 |
JP2007531679A (ja) * | 2003-07-14 | 2007-11-08 | カーネギー インスチチューション オブ ワシントン | 強靭なダイヤモンド及びその製法 |
WO2005053029A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ダイヤモンドn型半導体、その製造方法、半導体素子、及び電子放出素子 |
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JP2007045667A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ドーパント原子の大きさを補償したダイヤモンド |
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