JPH0423316A - 現像装置 - Google Patents

現像装置

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Publication number
JPH0423316A
JPH0423316A JP12327690A JP12327690A JPH0423316A JP H0423316 A JPH0423316 A JP H0423316A JP 12327690 A JP12327690 A JP 12327690A JP 12327690 A JP12327690 A JP 12327690A JP H0423316 A JPH0423316 A JP H0423316A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
developer
liquid
distribution
regulators
Prior art date
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Pending
Application number
JP12327690A
Other languages
English (en)
Inventor
Masafumi Kobayashi
雅史 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP12327690A priority Critical patent/JPH0423316A/ja
Publication of JPH0423316A publication Critical patent/JPH0423316A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体製造プロセスや光メモリーのマスタリン
グに用いられる現像装置に関する。
[従来の技術] 従来から、半導体の製造プロセスや光メモリーのマスタ
リングにおいては、ウェハやガラス原盤上に塗布したレ
ジストをレーザー光等の光で感光させたのち、第8図に
示すようにターンテーブル上にウェハまたはガラス原盤
を載せ、ターンテーブルを回転させながら、一定温度の
現像液をガラス原盤上に吐出する現像装置が用いられて
きた。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、従来の現像装置は光メモリーのマスタリ
ングにおけるレーザーカッティング工程で、レーザーパ
ワーに面内変動が生じた場合、その面内パワー変動がそ
のまま現像上がりの特性に面内変動として反映され、結
果として面内の均一性を保つことができないという問題
点を有していた。また、現像条件が面内で均一であると
いう前提のもとでは、光メモリーのマスタリングにおけ
るレーザーカッティングで多用される角速度一定(回転
数一定)のレーザーカッティングにおいては、ガラス原
盤の内周側より外周側のほうが線速度が大きいため、カ
ッティング条件を面内で一定に保つには、レーザーパワ
ーが線速度に比例した値になるように制御しなければな
らないという問題点を有していた。
そこで本発明はこのような課題を解決しようとするもの
で、その目的とするところは、ウェハやガラス原盤の感
光面の現像上がりの面性状が均一となるように現像する
ことのできる現像装置を安価に提供するところにある。
[課題を解決するための手段] 本発明の現像装置は半導体製造プロセスや光メモリーの
マスタリングに用いられる現像装置において、複数の現
像液液温調節機構を有し、現像液吐出口が1つまたは複
数であって、該吐出口の各々から吐出される現像液が温
度勾配を有することを特徴とする。
[作用コ 本発明の現像装置によれば、現像液吐出口の現像液の液
温分布を制御することによって現像能力の面内分布を制
御することができるから、レーザーカッティング時のレ
ーザーパワーの面内変動を打ち消すように現像を行い、
面内で均一な性状の現像上がり品を得ることができる。
[実施例] 以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図において、ガラス原盤1はターンテーブル2上に
固定されており、ターンテーブル2の回転に伴って回転
する。現像液吐804から現像液9がガラス原盤1上に
滴下され、レジスト層3が現像される。現像液はチャン
バー5から分配バイブロa〜6eを通って液温調節器7
a〜7eに分配される。チャンバー5は厳密な室温制御
がなされた室温環境中に設置されるか、チャンバー自体
が温度調節機構を有し、現像液の温度を一定に保ってい
る。分配バイブロa〜6eに分配される現像液は全て同
一温度、同一濃度である。分配バイブロa〜6eを通っ
た現像液は、温度調節器7a〜7eに入って液温の制御
を受ける。液温制御方法は、ヒーターとクーラーの組合
せによるものが一般的であるが、ヒーターのみまたは、
クーラーのみであってもある程度の制御は可能である。
温度調節器7a、7b、7c、7d及び7eはそれぞれ
独立した温度調節器であって、温度の設定は、独立に行
うことができる。液温の調節を受けた現像液は連絡バイ
ブ8a〜8eを通って吐出口4に達し、ガラス原盤1上
に吐出現像液9として滴下される。現像液9は吐出口4
で混合し合っているため、現像時のa−eの現像液の温
度分布は連続した緩やかなものとなる。
第2図に、レーザーカッティング時にレーザーパワーが
カッティング対象物の面内で変動した例を示す。この場
合、半径位置が変化するにつれてレーザーパワーが変動
している。内周Aからカッティングを開始し、外周に行
くに従ってレーザーパワーが小さくなり、Bを過ぎて、
Cで極小を示し、Cを過ぎると増大し始め、外周に行く
にしたがって大きくなる。点A−Eがそれぞれ第1図の
レジスト層3における点a−eに対応するとすれば、第
1図のレジスト層3の中では、点Cが受けたレーザーパ
ワーが最も小さいことになる。従来の現像装置で、第2
図のようにカッティングされたレジスト付きガラス原盤
を現像した場合、全面が同一現像条件で現像されるため
、現像後の面性状は、不均一になってしまう。第2図点
C付近の溝やビットは点Aや点E付近の溝やビットに較
べて、細くなってしまう現象が起こるのである。特にカ
ッティング時のレーザーパワーを通常より小さくして、
レジスト層の厚さよりも浅い溝やビットを形成する場合
、レーザーパワーのわずかな変動が溝やビットの形状に
大きな影響を及ぼすため、所望の溝やビットの形状を形
成するためには、レーザーカッティング時のレーザーパ
ワーの管理が大きな課題となっていた。こういったレー
ザーパワーの変動が生じた場合、第3図のように現像液
の現像能力を半径位置に応じて変動させることによって
、均一な面性状のスタンバを得ることができる。一般的
に現像液は、現像最適温度で使用する事が原則であり、
液温か最適温度から外れると現像能力が落ちる。従って
、第3図の様な現像能力の分布を得るためには、第4図
に示したように、点Cが現像最適温度アとなり、レーザ
ーパワーが大きい場所はど現像最適温度から外れるよう
に現像液の液温を管理すれば良いのである。このように
現像液の温度分布をカッティング時のレーザーパワーの
分布に応じて制御することによって、厳密にビット及び
グループの幅、形状、深さを制御することが可能となる
また、カッティング時の回転数制御方法には、線速度一
定に保つ方法と角速度一定(回転数−定)に保つ方法が
ある。線速度一定でカッティングする方法は、セクター
マーク等の信号をカッティングするには同期をとる技術
が複雑になる反面、カッティングレーザーパワーが一定
でよいという面を有する。音楽用のコンパクトディスク
はこの方式でカッティングしている。これに対して、角
速度一定でカッティングする方法は、セクターマーク等
の信号をカッティングする場合の同期は容易にとること
ができるが、内周側より外周側の方が線速度が大きいた
め、第5図に示すようにカッティングレーザーパワーを
線速度に比例した値に制御する必要がある。このように
カッティングレーザーパワーを漸増させる制御をするに
は、複雑な制御系が必要になる。そこで、角速度一定で
カッティングする場合、レーザーパワーを一定に保ちな
がら面内で均一な面性状を得るために、第6図に示すよ
うな現像方法をとると良い。すなわち、現像液の現像能
力を外周に向かうほど高くするのである。レーザーパワ
ーを一定に保ちながら角速度一定でレーザーカッティン
グされたレジスト付きガラス原盤は、外周へ向かうほど
照射された実質レーザーパワーが小さくなっているから
、第6図に示したような現像方法をとることによって、
面内均一性を有する現像上がりのガラス原盤を得ること
ができる。
第7図に本発明の現像装置の他の実施例を示す。
現像液はチャンバー5からバイブ10を通って液温調節
器11a〜lleに分配される。液温調節器11a〜1
1eは吐出口4の直前に設置し、吐出する現像液の経路
を短くする。こうすることによって、液温調節器によっ
て液温調節された現像液の温度が変動しにくくなる。こ
の方式は特に、現像する環境温度が変化し易い場合に適
している。
[発明の効果コ 以上述べた本発明の現像装置によれば、レーザーカッテ
ィング時のレーザーパワー変動に起因する面内不均一を
なくすことができる上、角速度−定でレーザーカッティ
ングする場合に、線速に応じたレーザーパワー制御を行
う必要がなくなるため、レーザーカッティング装置のレ
ーザーパワー制御装置を簡単なものにすることができる
。光メモリーのマスタリングにおけるレーザーカッティ
ング装置のコストは非常に大きく、レーザーパワーの制
御装置を簡単なものにすることができると、レーザーカ
ッティング装置のコストを低く抑えることができるから
、マスタリングにかかるコストを大幅に削減することが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の現像装置の構成図。 第2図は、カッティング中のカッティングレーザーパワ
ーの変動を表す模式図。 第3図は、現像液の現像能力の半径位置に対する分布を
表す模式図。 第4図は、現像液の温度の半径位置に対する分布を表す
模式図。 第5図は、角速度一定時のカッティングレーザーパワー
と半径位置の関係を表す模式図。 第6図は、角速度一定時の現像液の現像能力と半径位置
の関係を表す模式図。 第7図は、本発明の現像装置の液温調節器を吐出口近く
に置いた場合の模式図。 第8図は、従来の現像装置を表す模式図。 ガラス原盤 4 a〜4  e  −−−−−−−−−6a〜6  
e  −−−−−−−−−7a〜7 e  −−−−−
−一−− 8a〜8 e  −−−−−−−−− 9a〜9  e  −−−−−−−−−11a〜 1 
1  e  −−− ターンテーブル レジスト層 現像液吐出口 チャンバー 分配バイブ 液温調節器 連絡バイブ 吐出現像液 バイブ 液温調節器 現像液吐出口 呂願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木 喜三部(他1名)v411!1 径 位 置 第2図 要@警C要縫雪F ト 要 肇 制 鴨 郵 B 半 径 位 置 第5図 半 径 位 置 第7図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体製造プロセスや光メモリーのマスタリングに用
    いられる現像装置において、複数の現像液液温調節機構
    を有し、現像液吐出口が1つまたは複数であって、該吐
    出口の各々から吐出される現像液が温度勾配を有するこ
    とを特徴とする現像装置。
JP12327690A 1990-05-14 1990-05-14 現像装置 Pending JPH0423316A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12327690A JPH0423316A (ja) 1990-05-14 1990-05-14 現像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12327690A JPH0423316A (ja) 1990-05-14 1990-05-14 現像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0423316A true JPH0423316A (ja) 1992-01-27

Family

ID=14856563

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12327690A Pending JPH0423316A (ja) 1990-05-14 1990-05-14 現像装置

Country Status (1)

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JP (1) JPH0423316A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000228349A (ja) * 1999-02-08 2000-08-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2002118057A (ja) * 2000-10-12 2002-04-19 Oki Electric Ind Co Ltd フォトレジスト現像ノズル、フォトレジスト現像装置、およびフォトレジスト現像方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000228349A (ja) * 1999-02-08 2000-08-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2002118057A (ja) * 2000-10-12 2002-04-19 Oki Electric Ind Co Ltd フォトレジスト現像ノズル、フォトレジスト現像装置、およびフォトレジスト現像方法

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