JPH04229988A - Manufacture of electroluminescent panel - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To provide a manufacturing method for an electroluminescent panel with which insufficient or excessive etching can be prevented in manufacturing a multiple color electroluminescent panel having more than two light emission layers patterned in an insulation layer by etching. CONSTITUTION:Protective layers 21, 22 of Y2O3 or Ta2O5 are provided between an upper surface of an insulation layer 3 and an underside surface of a first light emission layer 41, and between the first light emission layer 41 and a second light emission layer 42 to be etched, and etching to the light emission layers 41, 42 is performed by sputter etching by argon.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【０００１】0001

【産業上の利用分野】本発明は、２種以上の発光層を、
エッチングにより、絶縁層上にパタニングした多色ＥＬ
パネルの製造方法に関し、詳しくは、過剰エッチングさ
れないようにしたＥＬパネルの製造方法に関する。[Industrial Application Field] The present invention provides two or more types of light-emitting layers,
Multicolor EL patterned on an insulating layer by etching
The present invention relates to a method of manufacturing a panel, and more particularly, to a method of manufacturing an EL panel that prevents excessive etching.

【０００２】0002

【従来の技術】ＥＬパネルの構造を、図１１に示して、
説明する。同図において、（１）は、底面側のガラス基
板で、上方を囲繞する逆皿状のカバーガラス（図示せず
）と共に、外囲器を形成する。（２）は、Ｉ．Ｔ．Ｏ等
の透明　電極で、ガラス基板（１）上にストライプ状に
パタニングする。（３）は、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉ３Ｎ４
から組成される透明な第１絶縁層で、透明電極（２）間
に露出しているガラス基板（１）及び透明電極（２）上
に約３０００オンク゛ストローム積層する。（４）は、
ＺｎＳ：Ｍｎ又はＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆ等の発光中心を蛍光
体に混入した発光層で、第１絶縁層（３）上に約６００
０オンク゛ストローム蒸着する。発光中心がＭｎである
と黄橙色に発光し、発光中心がＴｂ，Ｆであると緑色に
発光する。 （５）は、透明な第２絶縁層で、発光層（４）上に積層
する。（６）は、Ａｌ等のストライプ状背面電極で、第
２絶縁層（５）上であって、透明電極（２）と直交する
方向にパタニングする。背面電極（６）とカバーガラス
との間には、わずかな空間（図示せず）が形成される。 この空間内に、外囲器内の耐湿性を向上させる絶縁保護
流体（図示せず）を充填する。[Prior Art] The structure of an EL panel is shown in FIG.
explain. In the figure, (1) is a glass substrate on the bottom side, which forms an envelope together with an inverted dish-shaped cover glass (not shown) surrounding the top. (2) is I. T. A transparent electrode such as O or the like is patterned into stripes on the glass substrate (1). (3) is Al2O3 or Si3N4
A transparent first insulating layer composed of the following is laminated to a thickness of about 3000 angstroms on the glass substrate (1) and the transparent electrode (2) exposed between the transparent electrodes (2). (4) is
A light-emitting layer in which a luminescent center such as ZnS:Mn or ZnS:Tb, F is mixed into a phosphor, and about 6000 nm is formed on the first insulating layer (3).
Deposit 0 angstroms. When the luminescent center is Mn, it emits yellow-orange light, and when the luminescent center is Tb or F, it emits green light. (5) is a transparent second insulating layer, which is laminated on the light emitting layer (4). (6) is a striped back electrode made of Al or the like, which is patterned on the second insulating layer (5) in a direction perpendicular to the transparent electrode (2). A small space (not shown) is formed between the back electrode (6) and the cover glass. This space is filled with a dielectric protection fluid (not shown) that improves the moisture resistance within the envelope.

【０００３】上記透明電極（２）と背面電極（６）とは
、マトリックス状に交叉して、その交叉部に画素が形成
される。そして、透明電極（２）と背面電極（６）の各
一端部間に電圧を印加すると、画素部分が発光する。 即ち、電圧が印加された発光層（４）の発光中心である
Ｍｎ又はＴｂが、励起され、再び基底状態に戻るときに
発光する。電圧を印加する透明電極（２）及び背面電極
（６）を任意に選択すると、所望の情報のドットマトリ
ックス表示が行われる。[0003] The transparent electrode (2) and the back electrode (6) intersect in a matrix shape, and pixels are formed at the intersections. When a voltage is applied between each end of the transparent electrode (2) and the back electrode (6), the pixel portion emits light. That is, Mn or Tb, which is the luminescent center of the luminescent layer (4) to which a voltage is applied, is excited and emits light when returning to the ground state again. By arbitrarily selecting the transparent electrode (2) and the back electrode (6) to which voltage is applied, dot matrix display of desired information is performed.

【０００４】多色ＥＬパネルにおいては、例えば、Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎの発光層（以下、第１発光層という）（４１）
と、ＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆの発光層（以下、第２発光層とい
う）（４１）とを、透明電極（２）のピッチに対応して
、交互にストライプ状にパタニングする。そして、第１
発光層（４１）に対応した透明電極（２）と背面電極（
６）との間に電圧をを印加することにより、黄橙色のみ
発光する。また、第２発光層（４２）に対応した透明電
極（２）と背面電極（６）との間に電圧を印加すると緑
色のみ発光する。さらに、両色を発光させることにより
、黄色に発光しているように見える。[0004] In multicolor EL panels, for example, Zn
S:Mn light emitting layer (hereinafter referred to as the first light emitting layer) (41)
and a ZnS:Tb,F light-emitting layer (hereinafter referred to as a second light-emitting layer) (41) are patterned alternately into stripes corresponding to the pitch of the transparent electrodes (2). And the first
A transparent electrode (2) and a back electrode (
6) By applying a voltage between the two, only yellow-orange light is emitted. Further, when a voltage is applied between the transparent electrode (2) corresponding to the second light emitting layer (42) and the back electrode (6), only green light is emitted. Furthermore, by emitting light in both colors, it appears to emit yellow light.

【０００５】このような多色ＥＬパネルは、図１２乃至
図１９に示すような、工程によって製造される。先ず、
図１２に示すように、ガラス基板（１）の上面に、スト
ライプ状の透明電極（２）をパタニングし、その上に積
層した第１絶縁層（３）の上全面に、第１発光層（４１
）を蒸着する。[0005] Such a multicolor EL panel is manufactured by the steps shown in FIGS. 12 to 19. First of all,
As shown in FIG. 12, a striped transparent electrode (2) is patterned on the top surface of a glass substrate (1), and a first light emitting layer ( 41
) is deposited.

【０００６】次に、図１３に示すように、第１発光層（
４１）の上面に、レジスト（１０）を被覆する。このレ
ジスト（１０）は、透明電極（２）のピッチに対応して
、ストライプ状の窓部（１０ａ）を形成したものである
。Next, as shown in FIG. 13, the first light emitting layer (
41) is coated with a resist (10). This resist (10) has striped windows (10a) formed in correspondence with the pitch of the transparent electrodes (2).

【０００７】次に、図１４に示すように、第１発光層（
４１）に、異方性のドライエッチング（以下、エッチン
グという）をする。異方性のエッチングをすることによ
り、第１発光層（４１）は、レジスト（１０）の窓部（
１０ａ）から露出している部分のみスト　ライプ状にエ
ッチングされ、露出していない部分が、アンダーカット
されることがない。Next, as shown in FIG. 14, the first light emitting layer (
41), anisotropic dry etching (hereinafter referred to as etching) is performed. By performing anisotropic etching, the first light emitting layer (41) is formed in the window portion (10) of the resist (10).
Only the portions exposed from 10a) are etched in stripes, and the portions not exposed are not undercut.

【０００８】レジスト（１０）の窓部（１０ａ）から露
出している第１発光層（４１）が、第１絶　縁層（３）
までエッチングされると、エッチングを停止し、図１５
に示すように、レジスト（１０）を除去する。すると、
第１発光層（４１）が、透明電極（２）の一本おきに対
応して、第１絶縁層（３）上に積層された状態となる。The first light emitting layer (41) exposed through the window (10a) of the resist (10) is the first insulating layer (3).
When the etching is completed, the etching is stopped and shown in FIG.
The resist (10) is removed as shown in FIG. Then,
A first light emitting layer (41) is laminated on the first insulating layer (3) corresponding to every other transparent electrode (2).

【０００９】次に、図１６に示すように、エッチングさ
れた第１発光層（４１）及び第１発光層（４１）の間か
ら露出している第１絶縁層（３）上に、第２発光層（４
２）を全面蒸着する。第２発光層（４２）は、縦断面が
、第１発光層（４１）上と第１絶縁層（３）上に凹凸状
に積層されたようになる。Next, as shown in FIG. 16, a second insulating layer (3) is placed on the etched first light emitting layer (41) and the first insulating layer (3) exposed between the first light emitting layer (41). Light emitting layer (4
2) is deposited on the entire surface. The second light-emitting layer (42) has a vertical cross section that is stacked on the first light-emitting layer (41) and the first insulating layer (3) in an uneven manner.

【００１０】このような第２発光層（４２）上に、図１
７に示すように、レジスト（１１ａ）を被　覆する。こ
のレジスト（１１）は、第１発光層（４１）上に積層さ
れて突出している第２発光層（４２）が露出するような
窓部（１１ａ）をストライプ状に形成したもの　である
。そして、エッチングすると、レジスト（１１）の窓部
（１１ａ）から露出し　ている第２発光層（４２）が、
ストライプ状に削られる。 第２発光層（４２）が、第１発光層（４１）の上面まで
エッチングされると、エッチングを停止する。[0010] On such a second light emitting layer (42), as shown in FIG.
As shown in 7, a resist (11a) is coated. This resist (11) has striped windows (11a) that expose the second light emitting layer (42) stacked on the first light emitting layer (41) and protruding. When etched, the second light emitting layer (42) exposed through the window (11a) of the resist (11) becomes
Cut into stripes. When the second light emitting layer (42) is etched to the upper surface of the first light emitting layer (41), the etching is stopped.

【００１１】そして、レジスト（１１）を除去すると、
図１８に示すように、第１発光層（４１）と第２発光層
（４２）とが、透明電極（２）のピッチと対応して第１
絶縁層（３）上に交互にストライプ状に積層される。[0011] Then, when the resist (11) is removed,
As shown in FIG. 18, the first light emitting layer (41) and the second light emitting layer (42) correspond to the pitch of the transparent electrodes (2).
They are alternately stacked in stripes on the insulating layer (3).

【００１２】次に、図１９に示すように、第１発光層（
４１）と第２発光層（４２）の上面に、第２絶縁層（５
）を積層し、ストライプ状の背面電極（６）をパタニン
グする。最後に、第２絶縁層（５）及び背面電極（６）
の上方をカバーガラス（図示せず）で囲繞して、空間内
に、絶縁保護流体を充填すると、多色ＥＬパネルが完成
する。Next, as shown in FIG. 19, the first light emitting layer (
41) and the second light emitting layer (42), the second insulating layer (5
) are stacked, and a striped back electrode (6) is patterned. Finally, the second insulating layer (5) and the back electrode (6)
A multicolor EL panel is completed by surrounding the upper part with a cover glass (not shown) and filling the space with an insulating protective fluid.

【００１３】[0013]

【発明が解決しようとする課題】第１発光層（４１）を
ストライプ状にエッチングする際に、第１発光層（４１
）の下面の第１絶縁層（３）がエッチングされると、絶
縁破壊を生じやすくなる。また、第２発光層（４２）を
ストライプ状にエッチングする際に、第１発光層（４２
）がエッチングされると、色調が変化する。従って、第
１発光層（４１）及び第２発光層（４２）のエッチング
に際して、それぞれ、第１絶縁層（３）及び第１発光層
（４１）がエッチングされないように、エッチングを停
止する必要がある。[Problem to be Solved by the Invention] When etching the first light emitting layer (41) in a stripe shape, the first light emitting layer (41)
) is likely to cause dielectric breakdown. Further, when etching the second light emitting layer (42) in a stripe shape, the first light emitting layer (42)
) is etched, the color tone changes. Therefore, when etching the first light emitting layer (41) and the second light emitting layer (42), it is necessary to stop the etching so that the first insulating layer (3) and the first light emitting layer (41) are not etched, respectively. be.

【００１４】このエッチングの終点検出は、質量分析計
、又は、プラズマ波長検出計を用いて行われている。 ところが、広い面積をエッチングする場合、エッチング
に分布が生じ、エッチング過剰の部位あるいはエッチン
グ不足の部位を生じてしまうことが多い。このように、
エッチングに過不足があると、所定の設定電圧で駆動す
ると、発光輝度に分布を生じてしまい、好ましくない。 更には、第１発光層（４１）にエッチング過剰の部位が
あると、第１絶縁層（３）がエッチングされてしまい、
絶縁破壊を生じやすくなる。また、第２発光層（４２）
をエッチングする際に、エッチング不足の部位があると
、第２発光層（４２）を削り残したことになり、第１発
光層（４１）の色調が変化してしまう。The end point of this etching is detected using a mass spectrometer or a plasma wavelength detector. However, when etching a wide area, the etching tends to be uneven, resulting in over-etched areas or under-etched areas. in this way,
If the etching is excessive or insufficient, the emission brightness will be distributed when driven at a predetermined set voltage, which is not preferable. Furthermore, if there is an excessively etched portion in the first light emitting layer (41), the first insulating layer (3) will be etched.
Dielectric breakdown is more likely to occur. Moreover, the second light emitting layer (42)
When etching, if there is a portion that is insufficiently etched, the second light emitting layer (42) will remain unscraped, and the color tone of the first light emitting layer (41) will change.

【００１５】第１絶縁層（３）及び第１発光層（４１）
の上面に、エッチングレートの非常に遅い保護層を設置
することにより、これらのエッチングの過不足を収束し
、表示品位を向上させることができる。この保護層とし
てＢａＴａ２Ｏ６を積層す　ることが、一部において行
われている。[0015] First insulating layer (3) and first light emitting layer (41)
By providing a protective layer with a very slow etching rate on the upper surface of the display panel, it is possible to correct excessive or insufficient etching and improve display quality. In some cases, BaTa2O6 is deposited as this protective layer.

【００１６】しかし、ＢａＴａ２Ｏ６ではエッチングレ
ートが速く、十分に保護層として作用しな　かった。ま
た、ＢａＴａ２Ｏ６を積層すると、輝度等の面分布に不
具合があった。However, BaTa2O6 had a high etching rate and did not function sufficiently as a protective layer. Furthermore, when BaTa2O6 was laminated, there were problems with the surface distribution of brightness and the like.

【００１７】そこで本発明は、発光に支障がなく、過剰
エッチングされないようにしたＥＬパネルの製造方法を
提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an EL panel that does not interfere with light emission and prevents excessive etching.

【００１８】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、ガラス基板の上面に、透明電極をストライ
プ状にパタニングする工程と；透明電極間で露出してい
るガラス基板及び透明電極の上面に、第１絶縁層を積層
する工程と；第１絶縁層上にＹ２Ｏ３又はＴａ２Ｏ５の
　第１保護層を積層する工程と；前記第１保護層の上面
に第１発光層を積層する工程と；前記第１発光層をアル
ゴンによるスパッタエッチングによりパタニングする工
程と；パタニングされた第１発光層の上面にＹ２Ｏ３又
はＴａ２Ｏ５の第２保護層を　積層する工程と；前記第
２保護層の上面に第２発光層を積層する工程と；第１発
光層の上面に突出して積層される第２発光層を、アルゴ
ンによるスパッタエッチングする工程と；第１発光層と
第２発光層との上面に、第２絶縁層を積層する工程と；
第２絶縁層の上面に、透明電極と直交方向のストライプ
状の背面電極を形成する工程とを含むものである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention comprises the following steps: patterning transparent electrodes in stripes on the upper surface of a glass substrate; A step of laminating a first insulating layer on the upper surface; a step of laminating a first protective layer of Y2O3 or Ta2O5 on the first insulating layer; a step of laminating a first light emitting layer on the upper surface of the first protective layer. a step of patterning the first light emitting layer by sputter etching using argon; a step of laminating a second protective layer of Y2O3 or Ta2O5 on the top surface of the patterned first light emitting layer; a step of laminating a second light emitting layer; a step of sputter etching the second light emitting layer stacked so as to protrude on the upper surface of the first light emitting layer; a step of sputter etching with argon; laminating a second insulating layer;
The method includes a step of forming a striped back electrode in a direction orthogonal to the transparent electrode on the upper surface of the second insulating layer.

【００１９】さらに、本発明は、上記第１絶縁層を、Ｙ
２Ｏ３又はＴａ２Ｏ５として第１保護層とか　ねること
もできる。Further, in the present invention, the first insulating layer is made of Y
2O3 or Ta2O5 can also serve as the first protective layer.

【００２０】[0020]

【作用】上記手段によれば、エッチングに過不足を生じ
ず、発光輝度が均一になり、更に、第１発光層をエッチ
ングする際に、第１保護層によって第１絶縁層が削られ
て、絶縁破壊を生じることがない。また、第２発光層を
エッチングする際に、第２保護層によって第１発光層が
削られて、色調が変化することがない。[Function] According to the above means, there is no excess or deficiency in etching, the luminance becomes uniform, and furthermore, when etching the first light emitting layer, the first insulating layer is scraped by the first protective layer. No dielectric breakdown occurs. Further, when etching the second light emitting layer, the first light emitting layer is not scraped by the second protective layer and the color tone does not change.

【００２１】[0021]

【実施例】本発明に係るＥＬパネルの製造方法を、図１
乃至図９を参照しながら説明する。但し、従来と同一部
分は同一符号を附して、その説明を省略する。[Example] Fig. 1 shows the method for manufacturing an EL panel according to the present invention.
This will be explained with reference to FIGS. However, the same parts as the conventional ones are given the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted.

【００２２】先ず、図１に示すように、ガラス基板（１
）上に、ストライプ状の透明電極（２）をパタニングし
、Ｓｉ３Ｎ４の第１絶縁層（３）を１５００オンク゛ス
トローム積層した上全面に、第１保護層（２１）を８０
０オンク゛ストローム蒸着する。第１保護層（２１）は
、エッチン　グ速度が遅いＹ２Ｏ３（酸化イットリウム
）又は、Ｔａ２Ｏ５（五酸化タンタル）で組成　する。First, as shown in FIG. 1, a glass substrate (1
), a striped transparent electrode (2) is patterned, and a first insulating layer (3) of Si3N4 is laminated to a thickness of 1500 angstroms.
Deposit 0 angstroms. The first protective layer (21) is composed of Y2O3 (yttrium oxide) or Ta2O5 (tantalum pentoxide), which has a slow etching rate.

【００２３】次に、図２に示すように、第１保護層（２
１）の上全面に第１発光層（４１）を、６０００オンク
゛ストローム蒸着する。第１保護層（２１）の蒸着と第
１発光層（４１）の蒸着を同一蒸着機（図示せず）で行
うことにより、第１保護層（２１）の蒸着と第１発光層
（４１）の蒸着を一連の工程で行うことができる。Next, as shown in FIG. 2, the first protective layer (2
1) A first light emitting layer (41) is deposited to a thickness of 6000 angstroms over the entire surface. By performing the vapor deposition of the first protective layer (21) and the vapor deposition of the first light emitting layer (41) in the same vapor deposition machine (not shown), the vapor deposition of the first protective layer (21) and the vapor deposition of the first light emitting layer (41) are performed. can be performed in a series of steps.

【００２４】次に、図３に示すように、第１発光層（４
１）の上面に、ストライプ状の窓部（１０ａ）を形成し
たレジスト（１０）を被覆して、露出している部分の第
１発光層（４１）のエッチングを行う。エッチングはア
ルゴンによるスパッタエッチで行う。　例えば、質量分
析器によって、所定の粒子を検出し、エッチングを停止
する。エッチングを停止するまでに、エッチングレート
が速い部分は、第１保護層（２１）をエッチングする。 しかし、第１保護層（２１）はエッチングレートが遅い
ため、エッチングレートが遅い部分が、第１発光層（４
１）をエッチングしている間に、第１絶縁層（３）がエ
ッチングされず、全体としては、エッチング分布が収束
される。Next, as shown in FIG. 3, the first light emitting layer (4
1) A resist (10) having a striped window (10a) formed therein is coated on the upper surface of the photoresist (1), and the exposed portion of the first light emitting layer (41) is etched. Etching is performed by sputter etching using argon. For example, predetermined particles are detected using a mass spectrometer and etching is stopped. Before etching is stopped, the first protective layer (21) is etched in the portion where the etching rate is high. However, since the first protective layer (21) has a slow etching rate, the portion where the etching rate is slow is the first light emitting layer (4).
While etching 1), the first insulating layer (3) is not etched, and the etching distribution is converged as a whole.

【００２５】エッチングが完了し、レジスト（１０）を
除去すると、図４に示すように、第１発光層（４１）が
、透明電極（２）の一本おきに対応して、ストライプ状
にパタニングされた状態となる。When the etching is completed and the resist (10) is removed, the first light emitting layer (41) is patterned into stripes corresponding to every other transparent electrode (2), as shown in FIG. The state will be as follows.

【００２６】第１発光層（４１）のエッチングの終了後
、図５に示すように、第１発光層（４１）と露出した第
１保護層（２１）の上全面に、Ｙ２Ｏ３又は、Ｔａ２Ｏ
５の第２保護層（２２　）を８００オンク゛ストローム
蒸着する。この第２保護層（２２）の蒸着も、上記第１
保護層（２１）及び第１発光層（４２）の蒸着と同一の
蒸着器内で連続して行う。After the etching of the first light emitting layer (41) is completed, as shown in FIG.
A second protective layer (22) of No. 5 is deposited to a thickness of 800 angstroms. This second protective layer (22) is also deposited on the first protective layer (22).
The deposition is performed continuously in the same vapor deposition apparatus as the protective layer (21) and the first light emitting layer (42).

【００２７】次に、図６に示すように、第２保護層（２
２）の上全面に、第２発光層（４２）を、６０００オン
ク゛ストローム蒸着する。第２発光層（４２）は、第１
発光層（４１）の上面に積層されたものと、第１発光層
（４１）間に埋入されたものとの縦断面凹凸形状となる
。Next, as shown in FIG. 6, a second protective layer (2
2) A second light emitting layer (42) is deposited to a thickness of 6000 angstroms over the entire surface. The second light emitting layer (42)
The vertical cross-section has an uneven shape of the layer laminated on the upper surface of the light emitting layer (41) and the layer embedded between the first light emitting layers (41).

【００２８】第２発光層（４２）の上面には、図７に示
すように、ストライプ状の窓部（１１ａ　）を形成した
レジスト（１１）を被覆する。窓部（１１ａ）から、第
１保護層（２１）　上に突出している第２発光層（４２
）が露出する。この露出している第２発光層（４２）を
、第２保護層（２２）まで完全にエッチングする。エッ
チングは第１発光層と同様に行う。このとき、エッチン
グレートが速い部分は、第２保護層（２２）をエッチン
グしていくが、第２保護層（２２）のエッチングレート
は遅いため、第１発光層（４１）がエッチングされるこ
とはなく、エッチング分布が収束される。As shown in FIG. 7, the upper surface of the second light emitting layer (42) is coated with a resist (11) in which striped windows (11a) are formed. A second light emitting layer (42) protrudes from the window (11a) onto the first protective layer (21).
) is exposed. This exposed second light emitting layer (42) is completely etched down to the second protective layer (22). Etching is performed in the same manner as for the first light emitting layer. At this time, the second protective layer (22) is etched in the portion where the etching rate is fast, but since the etching rate of the second protective layer (22) is slow, the first light emitting layer (41) is etched. Instead, the etching distribution is converged.

【００２９】エッチングが終了して、レジスト（１１）
を除去すると、図８に示すように、第１発光層（４１）
と第２発光層（４２）とが、同一面で交互にストライプ
状にパタニングされる。After the etching is completed, the resist (11)
When removed, the first light emitting layer (41) is removed, as shown in FIG.
and the second light emitting layer (42) are patterned alternately in stripes on the same surface.

【００３０】その後、図９に示すように、第１発光層（
２１）と第２発光層（２２）の上面に、第２絶縁層（５
）を積層し、その上面にストライプ状の背面電極（６）
をパタニングする。Thereafter, as shown in FIG. 9, the first light emitting layer (
21) and the second light emitting layer (22), the second insulating layer (5
) and a striped back electrode (6) on the top surface.
pattern.

【００３１】最後に、第２絶縁層（５）と背面電極（６
）の上方を、外囲器を形成するカバガラス（図示せず）
で囲繞して、カバーガラス内に絶縁保護流体（図示せず
）を充填すると、ＥＬパネルが完成する。Finally, the second insulating layer (5) and the back electrode (6
) above the coverslip (not shown) forming the envelope.
The EL panel is completed by filling the cover glass with a dielectric protection fluid (not shown).

【００３２】上記実施例の変形例のＥＬパネルを、図１
０に示す。このＥＬパネルは、第１絶縁層（３０）を、
保護層の材料であるＹ２Ｏ３又はＴａ２Ｏ５　で製造し
、別途、第１保護層（２１）を積層しないようにしたも
のものである。第１絶縁層（３０）の厚さは、３０００
オンク゛ストロームとする。第１絶縁層（３０）の材料
をＹ２Ｏ３又はＴａ２Ｏ５とすることにより、第１発光
層（４１）をエッチングする際に、エッチングレートが
速い部分が、第１絶縁層（３０）をエッチングすること
となっても、第１絶縁層（３０）はエッチングレートが
遅いため、絶縁破壊を生じることはない。FIG. 1 shows an EL panel as a modification of the above embodiment.
0. This EL panel includes a first insulating layer (30),
It is manufactured from Y2O3 or Ta2O5, which is the material for the protective layer, and the first protective layer (21) is not separately laminated. The thickness of the first insulating layer (30) is 3000
Onkstrom. By using Y2O3 or Ta2O5 as the material of the first insulating layer (30), when etching the first light emitting layer (41), the portion with a high etching rate will not etch the first insulating layer (30). Even if this happens, dielectric breakdown will not occur because the etching rate of the first insulating layer (30) is slow.

【００３３】ここで、第１発光層（４１）の材料である
ＺｎＳ：Ｍｎのエッチングレート、及び、第１、第２保
護層（２１）（２２）の材料であるＹ２Ｏ３とＴａ２Ｏ
５のエッチングレート（オンク゛ストローム／ｍｉｎ）
、さらに、ＺｎＳ：Ｍｎのエッチングレートを基準とし
た選択比を、下記の表１に示す。この表１は、自己バイ
アス電圧が５０５Ｖで、アルゴンガスによるスパッタエ
ッチングを行った実験結果である。Here, the etching rate of ZnS:Mn, which is the material of the first light emitting layer (41), and the etching rate of Y2O3 and Ta2O, which are the materials of the first and second protective layers (21) and (22), are
Etching rate of 5 (onkstrom/min)
Furthermore, the selection ratio based on the etching rate of ZnS:Mn is shown in Table 1 below. Table 1 shows the results of an experiment in which sputter etching was performed using argon gas at a self-bias voltage of 505V.

【００３４】[0034]

【表１】[Table 1]

【００３５】第１、第２保護層（２１）（２２）を組成
するＹ２Ｏ３又はＴａ２Ｏ５は、第１発光層（４１　）
を組成するＺｎＳ：Ｍｎよりもエッチングレートが遅い
ため、第１発光層（４１）を完全にエッチングしても、
第１、第２保護層（２１）（２２）によって第１絶縁層
（３）がエッチングされないことが判明できる。[0035] Y2O3 or Ta2O5 forming the first and second protective layers (21) and (22) is the first light-emitting layer (41).
Since the etching rate is slower than that of ZnS:Mn, even if the first light emitting layer (41) is completely etched,
It can be seen that the first insulating layer (3) is not etched by the first and second protective layers (21) and (22).

【００３６】[0036]

【発明の効果】本発明によれば、エッチングに過不足が
生じず、更に、第１絶縁層がエッチングされず、また、
所定の第２発光層が完全にエッチングされるため、高品
質のＥＬパネルを提供することができる。According to the present invention, there is no excess or deficiency in etching, the first insulating layer is not etched, and
Since the predetermined second light emitting layer is completely etched, a high quality EL panel can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図１】本発明に係るＥＬパネルの製造方法の第１の工
程の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a first step of the method for manufacturing an EL panel according to the present invention.

【図２】本発明に係るＥＬパネルの製造方法の第２の工
程の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the second step of the method for manufacturing an EL panel according to the present invention.

【図３】本発明に係るＥＬパネルの製造方法の第３の工
程の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the third step of the method for manufacturing an EL panel according to the present invention.

【図４】本発明に係るＥＬパネルの製造方法の第４の工
程の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the fourth step of the EL panel manufacturing method according to the present invention.

【図５】本発明に係るＥＬパネルの製造方法の第５の工
程の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the fifth step of the EL panel manufacturing method according to the present invention.

【図６】本発明に係るＥＬパネルの製造方法の第６の工
程の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the sixth step of the EL panel manufacturing method according to the present invention.

【図７】本発明に係るＥＬパネルの製造方法の第７の工
程の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the seventh step of the EL panel manufacturing method according to the present invention.

【図８】本発明に係るＥＬパネルの製造方法の第８の工
程の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of the eighth step of the EL panel manufacturing method according to the present invention.

【図９】本発明に係るＥＬパネルの製造方法の第９の工
程の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of the ninth step of the EL panel manufacturing method according to the present invention.

【図１０】本発明に係るＥＬパネルの製造方法の変形例
を示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing a modification of the method for manufacturing an EL panel according to the present invention.

【図１１】ＥＬパネルの斜視図である。FIG. 11 is a perspective view of an EL panel.

【図１２】従来のＥＬパネルの製造方法の第１の工程の
断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view of the first step of a conventional EL panel manufacturing method.

【図１３】従来のＥＬパネルの製造方法の第２の工程の
断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of the second step of the conventional EL panel manufacturing method.

【図１４】従来のＥＬパネルの製造方法の第３の工程の
断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view of the third step of the conventional EL panel manufacturing method.

【図１５】従来のＥＬパネルの製造方法の第４の工程の
断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view of the fourth step of the conventional EL panel manufacturing method.

【図１６】従来のＥＬパネルの製造方法の第５の工程の
断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view of the fifth step of the conventional EL panel manufacturing method.

【図１７】従来のＥＬパネルの製造方法の第６の工程の
断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view of the sixth step of the conventional EL panel manufacturing method.

【図１８】従来のＥＬパネルの製造方法の第７の工程の
断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view of the seventh step of the conventional EL panel manufacturing method.

【図１９】従来のＥＬパネルの製造方法の第８の工程の
断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view of the eighth step of the conventional EL panel manufacturing method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１　　　　ガラス基板 ２　　　　透明電極 ３　　　　絶縁層 ５　　　　第２絶縁層 ６　　　　背面電極 ２１　　　　第１保護層 ２２　　　　第２保護層 ４１　　　　第１発光層 ４２　　　　第２発光層 1 Glass substrate 2 Transparent electrode 3 Insulating layer 5 Second insulating layer 6　　　　Back electrode 21 First protective layer 22 Second protective layer 41 First light emitting layer 42 Second light emitting layer

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】　　ガラス基板の上面に、透明電極をスト
ライプ状にパタニングする工程と；透明電極間で露出し
ているガラス基板及び透明電極の上面に、第１絶縁層を
積層する工程と；第１絶縁層上にＹ２Ｏ３又はＴａ２Ｏ
５の第１保護層を積層す　る工程と；前記第１保護層の
上面に第１発光層を積層する工程と；前記第１発光層を
アルゴンによるスパッタエッチングによりパタニングす
る工程と；パタニングされた第１発光層の上面にＹ２Ｏ
３又はＴａ２Ｏ５の第２保護層を積層する工程と；前　
記第２保護層の上面に第２発光層を積層する工程と；第
１発光層の上面に突出して積層される第２発光層を、ア
ルゴンによるスパッタエッチングする工程と；第１発光
層と第２発光層との上面に、第２絶縁層を積層する工程
と；第２絶縁層の上面に、透明電極と直交方向のストラ
イプ状の背面電極を形成する工程とを含むことを特徴と
するＥＬパネルの製造方法。1. A step of patterning a transparent electrode in a stripe shape on the upper surface of a glass substrate; a step of laminating a first insulating layer on the upper surface of the glass substrate and the transparent electrode exposed between the transparent electrodes; Y2O3 or Ta2O on one insulating layer
a step of laminating a first protective layer of No. 5; a step of laminating a first light emitting layer on the upper surface of the first protective layer; a step of patterning the first light emitting layer by sputter etching with argon; Y2O on the top surface of the first light emitting layer
3 or laminating a second protective layer of Ta2O5;
a step of laminating a second light-emitting layer on the upper surface of the second protective layer; a step of sputter-etching the second light-emitting layer stacked so as to protrude on the upper surface of the first light-emitting layer using argon; An EL device comprising the steps of: laminating a second insulating layer on the top surface of the second light emitting layer; and forming a striped back electrode in a direction perpendicular to the transparent electrode on the top surface of the second insulating layer. How to manufacture panels. 【請求項２】　　請求項１記載の第１絶縁層を、Ｙ２Ｏ
３又はＴａ２Ｏ５として第１保　護層とかねることを特
徴とするＥＬパネルの製造方法。2. The first insulating layer according to claim 1 is made of Y2O
A method for manufacturing an EL panel, characterized in that the first protective layer is made of Ta2O5 or Ta2O5.