JPH042225A - Ｆｍ受信機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本願は、特に車載用に有効なＦＭ受信機に関する。

従来の技術 従来第３図で示すようにアンテナ入力端子ＡＮＴに、結
合コンデンサＣ＋を介して信号路とアース間に同調コイ
ルＬ１と、可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２の直列回路と
を並列接続して成るアンテナ同調回路（１）が接続され
、これに結合コンデンサＣ２を介して高周波増幅回路（
２）を構成する高周波増幅素子ＦＥＴＩ　（デュアルゲ
ート電界効果トランジスタ）の第１ゲートｇ＋が接続さ
れ、この高周波増幅素子ＦＥＴＩのドレーンｄを結合コ
ンデンサＣ１を介して同調コイルＬ２に可変容量ダイオ
ードＤ３．Ｄ４の直列回路を並列接続して成る高周波同
調回路（３）の一端に接続し、その他端を結合コンデン
サＣ４を介して周波数変換回路（６）、中間周波増幅回
路（８）及び利得制御回路（７）のモノシリツクＩＣか
ら成るＦＭフロントエンド（５）（例えば三洋電機製Ｌ
Ａ１）７５）の周波数変換回路（６）の信号入力端子で
ある第５端子に接続し、さらにＦＭフロントエンド（５
）における周波数変換回路（６）の出力端子である第８
及び第９端子に中間周波トランスＩＦＴの１次側コイル
を接続し、その２次側コイルを抵抗Ｒ８とフィルタＦの
直列回路を介して中間周波増幅回路（８）の入力端子で
ある第１２端子に接続し、該回路（８）を介してその出
力端子である第１５端子を接続し、また中間周波トラン
スＩＦＴの２次コイルを抵抗Ｒ２とコンデンサＣ６の直
列回路を介して利得制御回路（７）の入力端子である第
１０端子に接続し、また該回路（７）よりアンテナ入力
信号が成るレベルを越えたときに発生する第１利得制御
信号と、前記レベルより高いレベルを越えたときに発生
する第２利得制御信号とを夫々取り出す第１利得制御信
号出力端子である第６端子と、第２利得制御信号出力端
子である第１３＠子とを接続し、さらにまたアンテナ同
調回路（１）と前記ＦＭフロントエンド（５）の第６端
子との間にピンダイオードから成る減衰回路Ｄ５を接続
すると共に、前記高周波増幅素子ＦＥＴの第２ゲートｇ
２にＦＭフロントエンド（５）の第１３端子、！＝Ｌ、
／ＤＸ端子とを接続して成るＦＭ受信機が存在する。

発明が解決しようとする課題 ところで、一般に周波数変換回路、中間増幅回路及び利
得制御回路から成るモノシリツクＩＣは、製造が容易で
あると共に、小型でかつ安価に得られるため、ＦＭ受信
機におけるＦＭフロントエンドとして広く使用されてい
るが、該モノシリツクＩＣは、高周波信号入力端子のイ
ンピーダンスが高周波同調回路の出力インピーダンスに
比し、かなり低く設定されており、そのため、結合コン
デンサを介して同調回路を接続するときは、同調回路の
Ｑが低下して感度特性を損なうと共に、イメージ妨害比
、２ｎｄイメージ妨害比などの妨害特性が悪化するとい
う欠陥を有する。

そのため、従来は、結合コンデンサの容量を小さく設定
してＱの低下を防止していたが、モノシリツクＩＣは、
その高周波信号入力端子のインとダンスが低いことに加
え、性能にバラ付きを有するので、結合コンデンサによ
る結合度の調整により、出力損失を最小限に求めること
は、極めて至難であり、本願は斯る点に鑑みなされたも
のである。

課題を解決するための手段 本願は上記した目的を達成するために、アンテナ入力信
号に応じて同調周波数を可変する可変容量ダイオードを
備えたアンテナ同調回路と、前記アンテナ同調回路の出
力を増幅するデュアルゲート電界効果トランジスタから
成る高周波増幅回路と、その出力信号に同調する可変容
量ダイオードを備えた高周波同調回路と、該同調回路と
モノシリツクＩＣから成るＦＭフロントエンドの次段増
幅回路との間に接続され、前記高周波同調回路側から見
たインピーダンスが高く、前記次段増幅回路側から見た
インピーダンスが低いインピーダンス変換回路とから構
成したことを特徴とするものであり、好ましくはインピ
ーダンス変換回路を、シングルゲート電界効果トランジ
スタと、そのソースをアースするコイルと、前記ソース
をＦＭフロントエンドの次段増幅回路に接続するコンデ
ンサとから構成し、また高周波同調回路が、磁気結合か
ら成る複同調回路から成るものである。

作　　　　　　　　用 しかしてアンテナ入力端子に入力した信号は、アンテナ
同調回路で希望信号が選択され、この時周波数の低い妨
害（例えば１／２　Ｉ　Ｆ妨害）信号はアンテナコイル
によりアースされる。次いで高周波増幅回路に入力して
増幅され、再び高周波同調回路にて信号選択された後、
インピーダンス変換回路を介してＦＭフロントエンドの
次段増幅回路に入力し、ＦＭフロントエンドから中間周
波増幅信号が出力してこれがＦＭ検波回路に入力する。

実　　　　施　　　　例 以下図面にもとづいて本願の実施例を詳述する。

なお従来と同一部分は同一符号で表示している。

アンテナ入力端子ＡＮＴには、結合コンデンサＣ１を介
して信号路とアース間に同調コイルＬＩと可変容量ダイ
オードＤ＋、Ｄｚの直列回路とを並列接続して成るアン
テナ同調回路（１）が接続され、これに結合コンデンサ
Ｃ２を介して高周波増幅回路（２）を構成する高周波増
幅素子ＦＥＴＩ（デュアルゲート電界効果トランジスタ
）ＦＥ７１の第１ゲー）ｇ＋が接続される。高周波増幅
素子ＦＥＴ１のドレーンｄは、結合コンデンサＣ３を介
して同調コイルＬ２に可変容量ダイオードＤ３、Ｄ４の
直列回路を並列接続して成る高周波同調回路（３）の一
端に接続され、その他端がインビダンス変換素子（シン
グルゲート電界効果トランジスタ）ＦＥ７２と、そのソ
ースをアースするコイルし３と該ソースを後述のＦＭフ
ロントエンド（５）に接続する結合コンデンサＣ４とか
ら成るインピーダンス変換回路（４）における前記イン
ビダンス変換素子ＦＥ７２のゲートに接続される。

前記インピーダンス変換素子ＦＥＴ２のソースは結合コ
ンデンサＣ４を介して周波数変換回路（６）、中間周波
増幅回路（８）及び利得制御回路（７）のモノシリツク
ＩＣから成るＦＭフロントエンド（５）（例えば三洋電
機製ＬＡ１）７５）の周波数変換回路（６）の信号入力
端子である第５端子に接続されている。

さらにＦＭフロントエンド（５）における周波数変換回
路（６）の出力端子である第８及び第９端子に中間周波
トランスＩＦＴの１次側コイルが接続され、その２次側
コイルを、抵抗Ｒ＋　とフィルタＦの直列回路を介して
中間周波増幅回路（８）の入力端子である第１２端子に
接続し、該回路（８）を介してその出力端子である第１
５端子を接続し、また中間周波トランスＩＦＴの２次側
コイルを、抵抗Ｒ，とコンデンサＣ５の直列回路を介し
て利得制御回路（７）の入力端子である第１０端子に接
続している。また該回路（７）よりアンテナ入力信号が
成るレベルを越えたときに発生ずる第１利得制御信号と
、前記レベルより高いレベルを越えたときに発生する第
２利得制御信号とを夫々取り出す第１利得制御信号出力
端子である第６端子と、第２利得制御信号出力端子であ
る第１３端子とを接続し、さらにまたアンテナ同調回路
（１）と前記ＦＭフロントエンド（５）の第６端子との
間にはピンダイオードから成る減衰回路Ｄ５を接続する
と共に、前記高周波増幅素子ＦＥＴＩの第２ゲートｇ２
にＦＭフロントエンド（５）の第１３端子とり。／ＤＸ
端子とが接続されている。

しかしてアンテナ入力端子に入力した信号はアンテナ同
調回路（１）で希望信号が選択されるが、この時周波数
の低い妨害（例えば１／２ＩＦ妨害）信号は、アンテナ
同調コイルし、によりアースされる０次いで結合コンデ
ンサＣ２を介して高周波増幅素子ＦＥＴＩの第１ゲート
ｇ＋に入力して増幅され、そのドレインｄより結合コン
デンサＣ３を介して高周波同調回路（３）にて再度選択
された後、インピーダンス変換素子ＦＥ７２のゲートに
入力する。前記高周波同調回路（３）は信号路に接続さ
れた同調コイルＬ２に、可変容量ダイオードＤ２．ＤＪ
の直列回路を並列接続して成るので、希望信号周波数よ
り高い側での妨害信号に対して影響を特に受けにくい特
徴を有すると共に、インピーダンス変換素子ＦＥＴ２は
ドレイン接地形回路であり、かつ、ソースに直流を通す
ためのコイルを接続して、ゲートバイアスを掛けていな
い構成としているため、その入力インピーダンスは非常
に高く得られ、またソース側の出力インピーダンスは非
常に低い状態で取り出すことができる。

次いで、インピーダンス変換素子ＦＥＴ２に入力した信
号は、ソースより直流阻止用の結合コンデンサＣ４を介
して減衰することなく、ＦＭフロントエンド（５）の第
５端子に入力され、ＦＭフロントエンド（５）内の各回
路を経て第１５端子より中間周波増幅信号が出力されこ
れがＦＭ検波器に入力する。

なお上記において、アンテナ同調回路（１）とＦＭフロ
ントエンド（５）の第６端子間に接続された減衰回路Ｄ
５は、ＦＭフロントエンドＩＣ（５）内の利得制御回路
（７）で発生した第１利得制御信号により動作して、ア
ンテナ入力端子に強い信号が入力したときに、同調回路
（１）のダンピングにより可変容量ダイオードＤ＋、Ｄ
ｚを保護して歪発生を抑制すると共に、高周波増幅素子
ＦＥＴＩへの入力信号を減衰するためのものであり、ま
た本願において高周波増幅素子としてデュアルゲートＦ
ＥＴを用いたのは、入力インピーダンスが高く混変調特
性にすぐれているためであり、また本例ではＦＭフロン
トエンド（５）内の利得制御回路（７）で発生した第２
利得制御信号を第１３端子より高周波増幅素子ＦＥＴＩ
の第２ゲー）ｇｚに入力しているので、該素子ＦＥＴＩ
の利得制御が行われ、さらにまた高周波増幅素子ＦＥＴ
Ｉの第２ゲートｇ２にはり、／ＤＸ端子が接続してあり
、例えば外部操作により選局時に受信感度を低下させる
ためのものである。

第２図は、他の実施例を示しており、第１図と異なる点
は、高周波同調回路（３）が磁気結合による複同調回路
となっている点にあり、この構成によれば、同調回路が
１段増加したことにより、選択度が向上して妨害特性が
さらに改善される。

なお実験結果を示すと下記表の通りである。

即ち下記表は、第３図に示す従来回路Ｃと、第１図及び
第２図に示す本願回路Ａ及びＢとの実験結果を、一般に
行われているＦＭ受信周波数帯の３点即ち最低の周波数
８８ＭＨ２と、中間の周波数の９８ＭＨ２と、最高の周
波数１０８ＭＨ２の３点において、電力利得と、イメー
ジ妨害比と、２ｎｄイメージ妨害比と、１／２１Ｆ妨害
比とを夫々測定してその結果を対比したものである。

表 上記の結果からも明らかなように、本願実施例によれば
、イメージ妨害、２ｎｄイメージ妨害及び１／２１Ｆ妨
害が著しく改善される。

発明の効果 以上のように本願によれば、高周波同調回路と、モノシ
リツクＩＣから成る次段増幅回路との間に、高周波同調
回路側からみたインピーダンスが高く、次段増幅回路側
からみたインピーダンスが低いインピーダンス変換回路
を接続して成るので、モノシリツクＩＣを使用したにも
不拘、妨害特性が著しく改善され、かつ、出力損失が少
ないＦＭ受信機が提供し得るという利点を有する。

また請求項２記載の構成によれば、入出力の直線性が得
られ、高性能の受信機が提供でき、また請求項３記載の
構成によれば、妨害特性がさらに改善されるという利点
を存する。

【図面の簡単な説明】

第１．２図は、本願の実施例を示す回路図、第３図は従
来構成の回路図である。 図中、（１）はアンテナ同調回路、ＦＥＴＩはデアルゲ
ート電界効果トランジスタ、（２）は高周波増幅回路、
（３）は高周波同調回路、（４）はインピーダンス回路
、ＦＥＴ２はシンクルゲート電界効果トランジスタ、（
５）はモノシリツクＩＣ回路、Ｌ＋　、Ｌ２Ｌ２−、Ｌ
ｚｂは同調コイル、Ｄ＋、Ｄｚ、Ｄｚ　、Ｄａは可変容
量ダイオード、Ｃ１，Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４は結合コンデン
サである。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）アンテナ入力信号に応じて同調周波数を可変する
   可変容量ダイオードを備えたアンテナ同調回路と、前記
   アンテナ同調回路の出力を増幅するデュアルゲート電界
   効果トランジスタから成る高周波増幅回路と、その出力
   信号に同調する可変容量ダイオードを備えた高周波同調
   回路と、該同調回路とモノシリックＩＣから成るＦＭフ
   ロントエンドの次段増幅回路との間に接続され、前記高
   周波同調回路側から見たインピーダンスが高く、前記次
   段増幅回路側から見たインピーダンスが低いインピーダ
   ンス変換回路とから構成したことを特徴とするＦＭ受信
   機。
2. （２）インピーダンス変換回路を、シングルゲート電界
   効果トランジスタと、そのソースをアースするコイルと
   、前記ソースをＦＭフロントエンドの次段増幅回路に接
   続するコンデンサとから構成したことを特徴とする請求
   項１記載のＦＭ受信機。
3. （３）高周波同調回路が、磁気結合による複同調回路か
   ら成る請求項１または２記載のＦＭ受信機。