JPH04219318A - 酸化物超伝導膜の製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導膜の製造方法Info
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- JPH04219318A JPH04219318A JP2403681A JP40368190A JPH04219318A JP H04219318 A JPH04219318 A JP H04219318A JP 2403681 A JP2403681 A JP 2403681A JP 40368190 A JP40368190 A JP 40368190A JP H04219318 A JPH04219318 A JP H04219318A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超伝導膜の製造
方法に関する。詳しくは意図する組成からのずれの小さ
い酸化物超伝導膜を安定して製造する方法に関する。
方法に関する。詳しくは意図する組成からのずれの小さ
い酸化物超伝導膜を安定して製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液体窒素の沸点（７７Ｋ） 以上の超伝
導転移温度を有するＹ系酸化物超伝導体の発見以来、Ｂ
ｉ系およびＴｌ系などのペロブスカイト構造または擬ペ
ロブスカイト型構造をもつ酸化物超伝導薄膜の実用化が
図られている。
導転移温度を有するＹ系酸化物超伝導体の発見以来、Ｂ
ｉ系およびＴｌ系などのペロブスカイト構造または擬ペ
ロブスカイト型構造をもつ酸化物超伝導薄膜の実用化が
図られている。
【０００３】ところが、これらの酸化物の超伝導特性は
構成原子の組成比に強く依存し、超伝導特性の優れたも
の程、厳密な組成制御を要求される。例えば、Ｂｉ系酸
化物超伝導体の場合、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｃａ、ＣｕおよびＯ
（酸素） からなる物質であるが、これはＣａおよび
Ｃｕ組成比の増加とともに超伝導特性は向上する。しか
し、転移温度の最も高いＢｉ２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ
の作製には仕込み組成比の厳密な調整を必要とする。 従って、優れた超伝導膜を作製する場合にも、膜組成比
の制御が不可欠であり、そのためには各元素の独立制御
が必要となってくる。
構成原子の組成比に強く依存し、超伝導特性の優れたも
の程、厳密な組成制御を要求される。例えば、Ｂｉ系酸
化物超伝導体の場合、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｃａ、ＣｕおよびＯ
（酸素） からなる物質であるが、これはＣａおよび
Ｃｕ組成比の増加とともに超伝導特性は向上する。しか
し、転移温度の最も高いＢｉ２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ
の作製には仕込み組成比の厳密な調整を必要とする。 従って、優れた超伝導膜を作製する場合にも、膜組成比
の制御が不可欠であり、そのためには各元素の独立制御
が必要となってくる。
【０００４】現在、独立制御が可能である蒸着方法とし
て、複数の電子銃を使用した多元真空蒸着法があるが、
所定の組成をもつ酸化膜を安定して製造するのは容易で
はない。これは下記のような理由からである。
て、複数の電子銃を使用した多元真空蒸着法があるが、
所定の組成をもつ酸化膜を安定して製造するのは容易で
はない。これは下記のような理由からである。
【０００５】■ 酸化物超伝導体の構成元素であるＩ
Ｉａ族元素は沸点と融点の温度差が ９００℃以下と他
元素と比較して小さいため、電子銃による局所加熱では
突沸 （スプラッシュ） が発生しやすく、蒸着流量が
安定しない。
Ｉａ族元素は沸点と融点の温度差が ９００℃以下と他
元素と比較して小さいため、電子銃による局所加熱では
突沸 （スプラッシュ） が発生しやすく、蒸着流量が
安定しない。
【０００６】■ 成膜中に導入する酸化ガス （Ｏ２
，Ｏ３ など） により蒸着面が酸化し、この蒸着面の
酸化による経時変化のため平均の蒸着量が電子ビームの
照射後、時間とともに減少する。
，Ｏ３ など） により蒸着面が酸化し、この蒸着面の
酸化による経時変化のため平均の蒸着量が電子ビームの
照射後、時間とともに減少する。
【０００７】このようなことから、多元真空蒸着法にお
いて、膜組成を制御するには蒸着源数と同数の膜厚セン
サーを用意し、成膜中には各蒸着源毎に照射エネルギー
量を常時調整する必要があると報告されている（Ｊａｐ
ａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．２７（１９８８）， ｐ
ｐ．Ｌ１２６２〜Ｌ１２６４）。
いて、膜組成を制御するには蒸着源数と同数の膜厚セン
サーを用意し、成膜中には各蒸着源毎に照射エネルギー
量を常時調整する必要があると報告されている（Ｊａｐ
ａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．２７（１９８８）， ｐ
ｐ．Ｌ１２６２〜Ｌ１２６４）。
【０００８】しかし、このような方法では制御が難しく
なる上に、装置が複雑化して高価となる。また、それぞ
れの蒸着源に膜厚センサーを設置しても、各センサーが
他の蒸着源からの蒸着流、特にＩＩａ族元素からの蒸着
流の影響を受けるため、成膜内の組成比を目的組成比と
一致させることは困難である。
なる上に、装置が複雑化して高価となる。また、それぞ
れの蒸着源に膜厚センサーを設置しても、各センサーが
他の蒸着源からの蒸着流、特にＩＩａ族元素からの蒸着
流の影響を受けるため、成膜内の組成比を目的組成比と
一致させることは困難である。
【０００９】一方、最近では酸化物超伝導体の焼結材を
ターゲットに用い、これにレーザー光を照射し、超伝導
膜を作製する試みがなされている （Ｊ．Ｍａｔｅｒ．
Ｒｅｓ． Ｖｏｌ．２７（１９８８），Ｐ２５８〜２６
４）。
ターゲットに用い、これにレーザー光を照射し、超伝導
膜を作製する試みがなされている （Ｊ．Ｍａｔｅｒ．
Ｒｅｓ． Ｖｏｌ．２７（１９８８），Ｐ２５８〜２６
４）。
【００１０】しかし、一般にレーザー蒸着法ではターゲ
ット組成と成膜組成は一致せず、特にＣｕ元素比のずれ
が大きいという問題がある。このため、レーザー蒸着法
で任意の組成膜を得るにはターゲットの厳密な組成制御
を必要とする。
ット組成と成膜組成は一致せず、特にＣｕ元素比のずれ
が大きいという問題がある。このため、レーザー蒸着法
で任意の組成膜を得るにはターゲットの厳密な組成制御
を必要とする。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、成膜
内の構成元素を任意の組成比で再現性よく、即ち、意図
する組成からずれの小さい酸化物超伝導膜を安定して製
造することができる方法を提供することにある。
内の構成元素を任意の組成比で再現性よく、即ち、意図
する組成からずれの小さい酸化物超伝導膜を安定して製
造することができる方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、酸化物超
伝導膜を目標組成から外れることなく作製することがで
きる方法を鋭意検討した結果、下記の知見を得た。
伝導膜を目標組成から外れることなく作製することがで
きる方法を鋭意検討した結果、下記の知見を得た。
【００１３】■ 電子ビーム蒸着法においては、電子
ビームの一定加熱出力に対する蒸着物質の蒸着量は、沸
点と融点の温度差の小さなＩＩａ族元素を含む蒸着物質
では、突沸により不安定であり、被照射面の著しい経時
変化により減少するが、比較的沸点と融点の温度差の大
きな蒸着物質では、蒸着面は一様な溶融状態となり、突
沸による蒸着量の急激な変化を起こらず、時間に対して
安定した蒸発速度を得ることができる。
ビームの一定加熱出力に対する蒸着物質の蒸着量は、沸
点と融点の温度差の小さなＩＩａ族元素を含む蒸着物質
では、突沸により不安定であり、被照射面の著しい経時
変化により減少するが、比較的沸点と融点の温度差の大
きな蒸着物質では、蒸着面は一様な溶融状態となり、突
沸による蒸着量の急激な変化を起こらず、時間に対して
安定した蒸発速度を得ることができる。
【００１４】■ レーザー蒸着法においては、単一タ
ーゲットを用いた場合の成膜内の組成のずれは沸点と融
点の温度差の大きな蒸着物質において著しいが、沸点と
融点の温度差の小さなＩＩａ族元素においてはほぼター
ゲット組成比と等しくなる。
ーゲットを用いた場合の成膜内の組成のずれは沸点と融
点の温度差の大きな蒸着物質において著しいが、沸点と
融点の温度差の小さなＩＩａ族元素においてはほぼター
ゲット組成比と等しくなる。
【００１５】■ 沸点と融点の温度差の大きな蒸着物
質を電子ビーム蒸着法により、沸点と融点の温度差の小
さな蒸着物質をレーザー蒸着法により蒸着すれば、目標
組成比に対して組成のずれの小さい、任意の酸化膜を作
製することができる。
質を電子ビーム蒸着法により、沸点と融点の温度差の小
さな蒸着物質をレーザー蒸着法により蒸着すれば、目標
組成比に対して組成のずれの小さい、任意の酸化膜を作
製することができる。
【００１６】ここに本発明の要旨は「蒸着物質として、
ＣｕとＢｉのうちの１種以上の元素を含む金属またはそ
の酸化物、およびＩＩａ族元素のうちの１種以上の元素
を含む酸化物を用い、これらの蒸着物質を真空度１０−
３Ｔｏｒｒ〜１０−５Ｔｏｒｒの真空雰囲気内で蒸着さ
せて、基板上にペロブスカイト構造または擬ペロブスカ
イト型構造をもつ酸化物超伝導体の膜を製造する方法で
あって、前記ＣｕとＢｉのうちの１種以上の元素を含む
金属またはその酸化物の蒸着物質は電子ビーム蒸着法に
より、ＩＩａ族元素のうちの１種以上の元素を含む酸化
物の蒸着物質はレーザー蒸着法により蒸着させることを
特徴とする酸化物超伝導膜の製造方法」にある。
ＣｕとＢｉのうちの１種以上の元素を含む金属またはそ
の酸化物、およびＩＩａ族元素のうちの１種以上の元素
を含む酸化物を用い、これらの蒸着物質を真空度１０−
３Ｔｏｒｒ〜１０−５Ｔｏｒｒの真空雰囲気内で蒸着さ
せて、基板上にペロブスカイト構造または擬ペロブスカ
イト型構造をもつ酸化物超伝導体の膜を製造する方法で
あって、前記ＣｕとＢｉのうちの１種以上の元素を含む
金属またはその酸化物の蒸着物質は電子ビーム蒸着法に
より、ＩＩａ族元素のうちの１種以上の元素を含む酸化
物の蒸着物質はレーザー蒸着法により蒸着させることを
特徴とする酸化物超伝導膜の製造方法」にある。
【００１７】上記電子ビームによる蒸着とレーザーによ
る蒸着とは同時に行ってもよい。
る蒸着とは同時に行ってもよい。
【００１８】
【作用】以下、添付図面を参照して本発明を詳細に説明
する。
する。
【００１９】図１は、本発明の方法を実施する装置の一
例を示した概略断面図である。
例を示した概略断面図である。
【００２０】図１において、１は基板、２は膜厚モニタ
ー、３は反応ガスノズル、４は蒸着物質、５は電子銃、
６はレーザー蒸着用ターゲット、７はレーザー入射口、
８はレーザー光、９は反応チェンバーである。
ー、３は反応ガスノズル、４は蒸着物質、５は電子銃、
６はレーザー蒸着用ターゲット、７はレーザー入射口、
８はレーザー光、９は反応チェンバーである。
【００２１】前記蒸着物質４とは、ＣｕとＢｉのうちの
１種以上の元素を含む金属またはその酸化物であり、レ
ーザー蒸着用ターゲットはＩＩａ族元素のうちの１種以
上の元素を含む酸化物から作られている。蒸着物質４と
して、ＣｕとＢｉのうちの１種以上の元素を含む金属ま
たはその酸化物としたのは、金属の場合は高純度の元素
を供給することができるからであり、また酸化物の場合
は膜内への酸素導入が容易となるからである。
１種以上の元素を含む金属またはその酸化物であり、レ
ーザー蒸着用ターゲットはＩＩａ族元素のうちの１種以
上の元素を含む酸化物から作られている。蒸着物質４と
して、ＣｕとＢｉのうちの１種以上の元素を含む金属ま
たはその酸化物としたのは、金属の場合は高純度の元素
を供給することができるからであり、また酸化物の場合
は膜内への酸素導入が容易となるからである。
【００２２】この蒸着物質４は、電子銃５から照射され
る電子ビームによって溶融し、基板１上に蒸着される。 一方、レーザー蒸着用ターゲット６は、レーザー入射口
７を介して照射されるレーザー光８によって溶融し、基
板１上に蒸着される。蒸着は反応チェンバー９内を１０
−３Ｔｏｒｒ〜１０−５Ｔｏｒｒの真空度に保って行う
。これは、１０−３Ｔｏｒｒよりも低真空度では、各蒸
着粒子 （原子， 分子） の平均自由行程の距離が１
０ｃｍ以下と非常に短くなり、反応チェンバーの大きさ
が制限され、電子銃、レーザー蒸着用ターゲットおよび
その他の機材を反応チェンバー内へ入れるのが困難とな
るからであり、１０−５Ｔｏｒｒを超える高真空度では
、成膜内への酸素導入が不十分となり、酸化膜の作製が
困難となるからである。
る電子ビームによって溶融し、基板１上に蒸着される。 一方、レーザー蒸着用ターゲット６は、レーザー入射口
７を介して照射されるレーザー光８によって溶融し、基
板１上に蒸着される。蒸着は反応チェンバー９内を１０
−３Ｔｏｒｒ〜１０−５Ｔｏｒｒの真空度に保って行う
。これは、１０−３Ｔｏｒｒよりも低真空度では、各蒸
着粒子 （原子， 分子） の平均自由行程の距離が１
０ｃｍ以下と非常に短くなり、反応チェンバーの大きさ
が制限され、電子銃、レーザー蒸着用ターゲットおよび
その他の機材を反応チェンバー内へ入れるのが困難とな
るからであり、１０−５Ｔｏｒｒを超える高真空度では
、成膜内への酸素導入が不十分となり、酸化膜の作製が
困難となるからである。
【００２３】図２は、Ｃｕ金属およびＢｉ酸化物を蒸着
物質として用い、これらを電子ビームにより加熱蒸着し
たときの蒸発原子数と電子ビーム加熱出力との関係を調
べたものである。図３は、同じくＣｕ金属およびＢｉ酸
化物を蒸着物質として用い、これらを電子ビームにより
加熱蒸着したときの蒸発原子数と電子ビーム加熱時間と
の関係を調べたものである。図４は、ＩＩａ族元素から
Ｃａ元素とＳｒ元素を選び、これらを組成比で、Ｃａ：
Ｓｒ＝２：１、１：１および１：２で含む酸化物をター
ゲットとして使用したときのＣａ／Ｓｒ組成比とレーザ
ーエネルギー密度との関係を調べたものである。
物質として用い、これらを電子ビームにより加熱蒸着し
たときの蒸発原子数と電子ビーム加熱出力との関係を調
べたものである。図３は、同じくＣｕ金属およびＢｉ酸
化物を蒸着物質として用い、これらを電子ビームにより
加熱蒸着したときの蒸発原子数と電子ビーム加熱時間と
の関係を調べたものである。図４は、ＩＩａ族元素から
Ｃａ元素とＳｒ元素を選び、これらを組成比で、Ｃａ：
Ｓｒ＝２：１、１：１および１：２で含む酸化物をター
ゲットとして使用したときのＣａ／Ｓｒ組成比とレーザ
ーエネルギー密度との関係を調べたものである。
【００２４】図２および図３から、蒸発原子数は電子ビ
ーム加熱出力に対してほぼ比例関係にあり、時間に対し
てもビーム照射開始直後から一定であることがわかる。 一方、図４から、いずれのターゲットも任意のレーザー
出力に対して、その蒸着比は一定であり、ターゲット組
成比と同じであることがわかる。
ーム加熱出力に対してほぼ比例関係にあり、時間に対し
てもビーム照射開始直後から一定であることがわかる。 一方、図４から、いずれのターゲットも任意のレーザー
出力に対して、その蒸着比は一定であり、ターゲット組
成比と同じであることがわかる。
【００２５】従って、ＣｕとＢｉのうちの１種以上の元
素を含む金属又はその酸化物の蒸着物質を電子ビームに
より、ＩＩａ族元素のうちの１種以上の元素を含む酸化
物の蒸着物質をレーザーにより蒸着させることにより、
目標組成比に対して組成ずれのない酸化物超伝導膜を製
造することができる。また、電子ビームの出力およびタ
ーゲット組成比を任意に選び、同時に蒸着することによ
り、目標組成比に対して組成のずれのない種々の組成比
をもった酸化物超伝導膜を製造することができる。
素を含む金属又はその酸化物の蒸着物質を電子ビームに
より、ＩＩａ族元素のうちの１種以上の元素を含む酸化
物の蒸着物質をレーザーにより蒸着させることにより、
目標組成比に対して組成ずれのない酸化物超伝導膜を製
造することができる。また、電子ビームの出力およびタ
ーゲット組成比を任意に選び、同時に蒸着することによ
り、目標組成比に対して組成のずれのない種々の組成比
をもった酸化物超伝導膜を製造することができる。
【００２６】
【実施例】図１に示す装置で、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕ
の原子数比が表１に示すとおりである酸化膜を作製し、
原子数比の目標値に対する組成のずれを調べた。
の原子数比が表１に示すとおりである酸化膜を作製し、
原子数比の目標値に対する組成のずれを調べた。
【００２７】本発明例は、Ｂｉ２Ｏ３ およびＣｕ純金
属を電子ビーム加熱により、ＳｒおよびＣａ元素は、Ｓ
ｒＣＯ３ およびＣａＣＯ３ の混合粉を所定の組成比
で混合し、１５００℃の温度で加熱して得た固溶体バル
クをターゲットに用い、レーザーにより蒸着した。
属を電子ビーム加熱により、ＳｒおよびＣａ元素は、Ｓ
ｒＣＯ３ およびＣａＣＯ３ の混合粉を所定の組成比
で混合し、１５００℃の温度で加熱して得た固溶体バル
クをターゲットに用い、レーザーにより蒸着した。
【００２８】従来例は、複数の電子銃を備えた多元電子
ビーム蒸着法によるものと、単一ターゲットを使用した
レーザー蒸着法によるものであり、多元電子ビーム蒸着
法においては、Ｂｉ、Ｓｒ、ＣａおよびＣｕの純金属を
蒸着物質として、レーザー蒸着法においては、Ｂｉ２Ｏ
３ 、ＳｒＣＯ３ 、ＣａＣＯ３ およびＣｕＯ のそ
れぞれの酸化物を所定の比となるように混合した後、８
５０ ℃の温度で１５時間仮焼し、粉砕と混合を繰り返
し、再び ８５０℃の温度で１５時間焼結させて得た固
溶体バルクをターゲットに用いた。
ビーム蒸着法によるものと、単一ターゲットを使用した
レーザー蒸着法によるものであり、多元電子ビーム蒸着
法においては、Ｂｉ、Ｓｒ、ＣａおよびＣｕの純金属を
蒸着物質として、レーザー蒸着法においては、Ｂｉ２Ｏ
３ 、ＳｒＣＯ３ 、ＣａＣＯ３ およびＣｕＯ のそ
れぞれの酸化物を所定の比となるように混合した後、８
５０ ℃の温度で１５時間仮焼し、粉砕と混合を繰り返
し、再び ８５０℃の温度で１５時間焼結させて得た固
溶体バルクをターゲットに用いた。
【００２９】なお、成膜時の真空度は全て５×１０−４
Ｔｏｒｒであり、作製した酸化膜の組成比はＩＰＣ分光
分析により求めた。
Ｔｏｒｒであり、作製した酸化膜の組成比はＩＰＣ分光
分析により求めた。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１から明らかなとおり、本発明方法で作
製した酸化膜は、目標組成比に対して組成のずれが小さ
い。これに対して多元電子ビーム蒸着法およびレーザー
蒸着法で作製した酸化膜膜は、組成のずれが大きい。
製した酸化膜は、目標組成比に対して組成のずれが小さ
い。これに対して多元電子ビーム蒸着法およびレーザー
蒸着法で作製した酸化膜膜は、組成のずれが大きい。
【００３２】
【発明の効果】実施例に示す如く、本発明方法によれば
目標組成通りの組成をもつ酸化物超伝導膜を安定して作
製することができる。
目標組成通りの組成をもつ酸化物超伝導膜を安定して作
製することができる。
図１は、本発明の方法を実施する装置の一例を示した概
略断面図、 図２は、Ｃｕ金属およびＢｉ酸化物を蒸着物質として用
い、これらを電子ビーム蒸着したときの蒸発原子数と電
子ビーム加熱出力との関係を示すグラフ、 図３は、Ｃｕ金属およびＢｉ酸化物を蒸着物質として用
い、これらを電子ビーム蒸着したときの蒸発原子数と電
子ビーム加熱時間との関係を示すグラフ、 図４は、組成比で、Ｃａ：Ｓｒ＝２：１、１：１および
１：２で含む酸化物をターゲットとして使用し、レーザ
ー蒸着したときのＣａ／Ｓｒ組成比とレーザーエネルギ
ー密度との関係を示すグラフ、である。
略断面図、 図２は、Ｃｕ金属およびＢｉ酸化物を蒸着物質として用
い、これらを電子ビーム蒸着したときの蒸発原子数と電
子ビーム加熱出力との関係を示すグラフ、 図３は、Ｃｕ金属およびＢｉ酸化物を蒸着物質として用
い、これらを電子ビーム蒸着したときの蒸発原子数と電
子ビーム加熱時間との関係を示すグラフ、 図４は、組成比で、Ｃａ：Ｓｒ＝２：１、１：１および
１：２で含む酸化物をターゲットとして使用し、レーザ
ー蒸着したときのＣａ／Ｓｒ組成比とレーザーエネルギ
ー密度との関係を示すグラフ、である。
１は基板、２は膜厚モニター、３は反応ガスノズル、４
は蒸着物質、５は電子銃、６はレーザー蒸着用ターゲッ
ト、７はレーザー入射口、８はレーザー光、９は反応チ
ェンバー、である。
は蒸着物質、５は電子銃、６はレーザー蒸着用ターゲッ
ト、７はレーザー入射口、８はレーザー光、９は反応チ
ェンバー、である。
Claims (2)
- 【請求項１】 蒸着物質として、ＣｕとＢｉのうちの
１種以上の元素を含む金属またはその酸化物、およびＩ
Ｉａ族元素のうちの１種以上の元素を含む酸化物を用い
、これらの蒸着物質を真空度１０−３Ｔｏｒｒ〜１０−
５Ｔｏｒｒの真空雰囲気内で蒸着させて、基板上にペロ
ブスカイト構造または擬ペロブスカイト型構造をもつ酸
化物超伝導体の膜を製造する方法であって、前記Ｃｕと
Ｂｉのうちの１種以上の元素を含む金属またはその酸化
物の蒸着物質は電子ビーム蒸着法により、ＩＩａ族元素
のうちの１種以上の元素を含む酸化物の蒸着物質はレー
ザー蒸着法により蒸着させることを特徴とする酸化物超
伝導膜の製造方法。 - 【請求項２】 電子ビーム蒸着法による蒸着とレーザ
ー蒸着法による蒸着を同時に行うことを特徴とする請求
項１記載の酸化物超伝導膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403681A JP2601034B2 (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 酸化物超伝導膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403681A JP2601034B2 (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 酸化物超伝導膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219318A true JPH04219318A (ja) | 1992-08-10 |
| JP2601034B2 JP2601034B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=18513406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2403681A Expired - Lifetime JP2601034B2 (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 酸化物超伝導膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2601034B2 (ja) |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP2403681A patent/JP2601034B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2601034B2 (ja) | 1997-04-16 |
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