JPH04218020A - Information recordiong medium - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、例えば電荷像に対応し
た情報が記録される情報記録媒体に関し、特に、記憶容
量を増大させるよう構成した情報記録媒体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information recording medium on which information corresponding to, for example, a charge image is recorded, and more particularly to an information recording medium configured to increase storage capacity.
【０００２】0002
【従来の技術】現在はカード時代といわれるように、キ
ャッシュカードやクレジットカード等の様々なカードが
流通しているが、その殆んどは、磁気記録カードである
。しかしながら、このような磁気記録カードでは、記憶
容量が十分に確保できないために、その利用は限られた
範囲のものでしかない。一方、光学的に情報を記録する
いわゆる光カードは、従来の磁気記録カードに比較して
記録情報量が遥かに大きいことは良く知られているが、
情報記録材料に問題があり、経済的で汎用性の高い光カ
ードは実用に到っていない。また、画像を記録する手段
としては、従来より電子写真による方法が用いられてい
る。BACKGROUND OF THE INVENTION Currently, we are in the age of cards, and various cards such as cash cards and credit cards are in circulation, but most of them are magnetic recording cards. However, since such a magnetic recording card cannot secure a sufficient storage capacity, its use is limited to a limited range. On the other hand, it is well known that so-called optical cards, which record information optically, can record a much larger amount of information than conventional magnetic recording cards.
Due to problems with information recording materials, economical and highly versatile optical cards have not been put into practical use. Furthermore, as a means for recording images, electrophotography has conventionally been used.
【０００３】0003
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光カー
ドにおいては、その情報単位が反射性金属を基板上に積
層することにより形成されているため、その製造技術と
しては高度なものが要求され、データの再生に際しても
問題があり、また、電子写真による方法をとった場合、
高密度の画像が多階調に鮮明に記録されるものではある
が、所望の大きさの記録画像を得るためには装置が大掛
かりとなる欠点がある。[Problems to be Solved by the Invention] However, in optical cards, the information units are formed by laminating reflective metal on a substrate, so advanced manufacturing technology is required, and data There are also problems when playing back images, and when using electronic photography,
Although a high-density image can be clearly recorded in multiple gradations, it has the disadvantage that the apparatus is large-scale in order to obtain a recorded image of a desired size.
【０００４】0004
【課題を解決するための手段】本発明は、かかる点に鑑
みなされたものであり、少なくとも２つの情報記録部材
間に電極を配置してなる情報記録媒体を提供するもので
ある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and provides an information recording medium in which an electrode is arranged between at least two information recording members.
【０００５】[0005]
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明になる情報
記録媒体の具体的内容について説明する。図１〜図３は
、本発明になる情報記録媒体のそれぞれ異なる実施例の
側面図、図４及び図５は、前記した図１、図２の情報記
録媒体に対する情報の記録動作を説明するためのブロッ
ク図、図６は、本発明になる情報記録媒体の変形例の斜
視図、図７は、記録済み情報記録媒体からの情報の再生
動作を説明するためのブロック図である。図１において
、ＢＰは支持部材である基板（以下、単に基板と記載す
ることもある）、Ｅ１ ，Ｅ２ は、この基板ＢＰの左
右に配置された例えばアルミニウム膜のような光反射膜
と兼用の電極（以下、単に電極と記載することもある）
、ＨＬＭ１ ，ＨＬＭ２ は、この電極Ｅ１ ，Ｅ２
に近接配置された光変調材層部材、ＰＣＬ１ 及びＰＣ
Ｌ２ は、この光変調材層部材ＨＬＭ１ 及びＨＬＭ２
に近接配置された光導電体層部材、Ｅｔ１ 及びＥｔ
２ は、この光導電体層部材ＰＣＬ１ ，ＰＣＬ２ に
近接配置された透明電極（例えばＩＴＯ膜のような透明
電極）であり、この全体構成をもって情報記録媒体ＲＭ
１が形成される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific contents of the information recording medium according to the present invention will be explained with reference to the accompanying drawings. 1 to 3 are side views of different embodiments of the information recording medium according to the present invention, and FIGS. 4 and 5 are for explaining the information recording operation on the information recording medium of FIGS. 1 and 2 described above. FIG. 6 is a perspective view of a modification of the information recording medium according to the present invention, and FIG. 7 is a block diagram for explaining the operation of reproducing information from the recorded information recording medium. In FIG. 1, BP is a substrate that is a supporting member (hereinafter sometimes simply referred to as a substrate), and E1 and E2 are used as light reflecting films such as aluminum films placed on the left and right sides of this substrate BP. Electrode (hereinafter sometimes simply referred to as electrode)
, HLM1, HLM2 are the electrodes E1, E2
light modulating material layer members, PCL1 and PC disposed close to
L2 is the light modulating material layer member HLM1 and HLM2
photoconductor layer members disposed in close proximity to Et1 and Et
2 is a transparent electrode (for example, a transparent electrode such as an ITO film) disposed close to the photoconductor layer members PCL1 and PCL2, and this overall configuration is used as an information recording medium RM.
1 is formed.
【０００６】なお、図２においては、前記した図１と同
様構成の基板ＢＰ、電極Ｅ１ ，Ｅ２ と、光変調材層
部材ＨＬＭ１ ，ＨＬＭ２ とで情報記録媒体ＲＭ２が
形成される。この図２になる情報記録媒体ＲＭ２の構成
によれば、構造がすこぶる簡単となる。両図において、
基板ＢＰとしては、適当な高分子材料が用いられる。前
記した電極Ｅ１ ，Ｅ２ は、適当な導電性材料を用い
て真空蒸着法、あるいはスパッタリング法などによって
、基板ＢＰ上に成膜して形成される。この両図より明ら
かな如く、本発明になる情報記録媒体ＲＭ１及びＲＭ２
は、それぞれ支持部材である基板ＢＰを中央部分として
、左右同一構成となっている。なお、この記録媒体ＲＭ
１，ＲＭ２は、それの形状が円盤状、テープ状、あるい
はシート状など任意の形状とすることができ、また、こ
れは予め定められた移送の態様で移送できるようにして
もよいものである。In FIG. 2, an information recording medium RM2 is formed by a substrate BP having the same structure as in FIG. 1, electrodes E1 and E2, and light modulating material layer members HLM1 and HLM2. According to the configuration of the information recording medium RM2 shown in FIG. 2, the structure is extremely simple. In both figures,
A suitable polymer material is used as the substrate BP. The electrodes E1 and E2 described above are formed by forming a film on the substrate BP using a suitable conductive material by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. As is clear from these figures, information recording media RM1 and RM2 according to the present invention
The left and right sides have the same configuration with the substrate BP serving as a support member as the center portion. Note that this recording medium RM
1. The RM2 can have any shape such as a disk, tape, or sheet, and may be transported in a predetermined transport mode. .
【０００７】また、光変調材層部材ＨＬＭ１ ，ＨＬＭ
２ としては、例えば、メタクリル樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニール樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、
ポリスチレン樹脂、シリコン樹脂のような体積抵抗率が
１０１４Ωｃｍ以上の高分子材料中に、室温において液
晶層を示し、かつ、高い体積抵抗率を有するスメクチッ
ク液晶を分散させた構成態様の高分子・液晶メモリ膜や
、ＰＬＺＴセラミックスが使用される。図３は、図１の
変形例であり、この図３は、基本的には図１と同様なの
で、その説明においては、それと異なる部分のみ行うこ
ととする。Ｅは、例えばアルミニウム膜のような光反射
膜と兼用の電極、ＢＰ１ ，ＢＰ２ は基板であり、こ
れは透明若しくは一定波長域の電磁波を透過するような
材質であるガラス若しくはそれと同等の高分子材料で形
成されている。[0007] Furthermore, light modulating material layer members HLM1, HLM
Examples of 2 include methacrylic resin, polyester resin, polycarbonate resin, vinyl chloride resin, polyamide resin, polyethylene resin, polypropylene resin,
A polymer/liquid crystal memory having a configuration in which a smectic liquid crystal exhibiting a liquid crystal layer at room temperature and having a high volume resistivity is dispersed in a polymer material having a volume resistivity of 1014 Ωcm or more, such as polystyrene resin or silicone resin. Membranes and PLZT ceramics are used. FIG. 3 is a modification of FIG. 1. Since FIG. 3 is basically the same as FIG. 1, only the different parts will be described in the explanation. E is an electrode that also serves as a light-reflecting film such as an aluminum film, and BP1 and BP2 are substrates, which are made of glass or an equivalent polymeric material that is transparent or transmits electromagnetic waves in a certain wavelength range. It is formed of.
【０００８】図４において、Ｏは被写体、Ｌは撮像レン
ズ、ＳＷはスイッチ、Ｖｃは電源であり、この図４に示
されている記録系において、前記した透明電極Ｅｔ１
には、スイッチＳＷを介して電源Ｖｃの正極が接続され
ており、また、電極Ｅ１ には電源Ｖｃの負極が接続さ
れている。In FIG. 4, O is an object, L is an imaging lens, SW is a switch, and Vc is a power source. In the recording system shown in FIG. 4, the above-mentioned transparent electrode Et1
The positive electrode of the power source Vc is connected to the electrode E1 via the switch SW, and the negative electrode of the power source Vc is connected to the electrode E1.
【０００９】なお、透明電極Ｅｔ１ ，Ｅｔ２ として
は、撮像の対象にされるべき光情報の波長帯の光が透過
し得るような分光透過特性を有するものが使用されてお
り、また光導電体層部材ＰＣＬ１ ，ＰＣＬ２ として
は、それの一方の端面に高精細度の光学像が与えられた
場合に、光学像に対応した導電率変化を生じ、ある波長
域の光を透過させるるような特性を有する光導電体層材
料である、例えば有機光導電体やＢＳＯを使用する。[0009] As the transparent electrodes Et1 and Et2, those having spectral transmission characteristics that allow light in the wavelength band of optical information to be imaged to be transmitted are used, and the photoconductor layer The members PCL1 and PCL2 have characteristics such that when a high-definition optical image is applied to one end face of the members, the conductivity changes corresponding to the optical image and allows light in a certain wavelength range to pass through. For example, an organic photoconductor or BSO is used as a photoconductor layer material.
【００１０】すなわち、この図４においては撮像レンズ
Ｌによって被写体Ｏの光学像を、透明基板Ｅｔ１ と電
極Ｅ１ とを介して光導電体層部材ＰＣＬ１ に結像さ
せるようにしているが、透明電極Ｅｔ１ と電極Ｅ１
との間にスイッチＳＷを介して電源から所定の電圧（光
変調材層部材の記録特性の持つ閾値よりも高い電圧）が
印加された場合だけに、光導電体層部材ＰＣＬ１ に結
像された被写体の光学像と対応する像が、光変調材層部
材ＨＬＭ１ に形成されるような動作を行なう。前記し
た透明電極Ｅｔ１ と電極Ｅ１ とに光変調材層部材の
記録特性の持つ閾値より高い電圧が印加されることによ
り、被写体Ｏの光学像が撮像レンズＬにより光導電体層
部材ＰＣＬ１ に結像されると、光導電体層部材ＰＣＬ
１ の電気抵抗値は、それに結像された被写体Ｏの光学
像に従って変化する。既述したように、電極Ｅｔ１ と
情報記録媒体ＲＭ１における電極Ｅ１ との間には電源
Ｖｃが接続されているから、前記のように光導電体層部
材ＰＣＬ１ の電気抵抗値が、それに結像された被写体
Ｏの光学像に従って変化することにより、光導電体層部
材ＰＣＬ１ と情報記録媒体ＲＭ１における電極Ｅ１
との間の電解強度分布は被写体Ｏの光学像と対応してい
るものとなる。That is, in FIG. 4, an optical image of the object O is formed by the imaging lens L on the photoconductor layer member PCL1 via the transparent substrate Et1 and the electrode E1, but the transparent electrode Et1 and electrode E1
An image is formed on the photoconductor layer member PCL1 only when a predetermined voltage (voltage higher than the threshold value of the recording characteristics of the light modulating material layer member) is applied from the power supply via the switch SW between An operation is performed such that an image corresponding to the optical image of the subject is formed on the light modulating material layer member HLM1. By applying a voltage higher than the threshold value of the recording characteristics of the light modulating material layer member to the transparent electrode Et1 and the electrode E1 described above, an optical image of the object O is formed on the photoconductor layer member PCL1 by the imaging lens L. Then, the photoconductor layer member PCL
The electrical resistance value of 1 changes according to the optical image of the object O imaged thereon. As mentioned above, since the power supply Vc is connected between the electrode Et1 and the electrode E1 of the information recording medium RM1, the electric resistance value of the photoconductor layer member PCL1 is imaged thereon as described above. By changing according to the optical image of the subject O, the photoconductor layer member PCL1 and the electrode E1 in the information recording medium RM1
The field intensity distribution between the two corresponds to the optical image of the object O.
【００１１】すなわち、電界強度分布が光変調材層に分
子の配向又は相状態の転移を引き起こし、光変調材層に
像が記録されることになる。例えば、光変調材層部材Ｈ
ＬＭ１ として高分子−液晶メモリ膜を使用した場合は
、情報記録媒体ＲＭ１の高分子−液晶メモリ膜ＨＬＭ１
における多孔質の高分子材料膜中にランダムに分布し
て形成されている無数の微小な細孔のそれぞれの中に封
入された状態の室温でスメクチック相を示す液晶は、そ
れに印加される電界強度がある閾値を越えている状態に
おいて、それに印加される電界強度が大きくなるのに従
って高分子−液晶メモリ膜ＨＬＭ１ の透明度が増加し
ている状態になるように電界強度の大きさに従って配向
の状態が変化する。前記のように室温でスメクチック相
を示す液晶を分散させた高分子−液晶メモリ膜ＨＬＭ１
に印加された電界によって変化した細孔中の室温でス
メクチック相を示す液晶の配向の状態は、前記した電界
が除去されてもそのままの状態に保持される。That is, the electric field intensity distribution causes molecular orientation or phase state transition in the light modulating material layer, and an image is recorded in the light modulating material layer. For example, the light modulating material layer member H
When a polymer-liquid crystal memory film is used as LM1, the polymer-liquid crystal memory film HLM1 of the information recording medium RM1
A liquid crystal that exhibits a smectic phase at room temperature is sealed in each of the countless minute pores that are randomly distributed in a porous polymeric material film. The orientation state is changed according to the electric field strength so that the transparency of the polymer-liquid crystal memory film HLM1 increases as the electric field strength applied increases in a state exceeding a certain threshold value. Change. Polymer-liquid crystal memory film HLM1 in which a liquid crystal exhibiting a smectic phase at room temperature is dispersed as described above.
The state of alignment of the liquid crystal exhibiting a smectic phase at room temperature in the pores, which is changed by the electric field applied to the liquid crystal, remains in that state even after the electric field is removed.
【００１２】すなわち、本発明の情報記録媒体ＲＭ１に
おいて、室温でスメクチック相を示す液晶を分散させた
、例えば、高分子−液晶メモリ膜ＨＬＭ１ における多
孔質の高分子材料膜中にランダムに分布して形成されて
いる無数の微小な細孔のそれぞれの中に封入されている
室温でスメクチック相を示す液晶は、それにおける閾値
以上の電界が印加される以前には、細孔壁表面の力を大
きく受けている液晶分子も含めて全体としてスメクチッ
ク相の状態で微小な細孔中に封入された状態になされて
いる（細孔中に封入されている室温でスメクチック相を
示す液晶の液晶分子は細孔壁の表面の力を受けるが、細
孔壁に近いスメクチック相の液晶分子になる程、前記の
力は大きく加わる。したがって径の小さな細孔になる程
、細孔中に封入されているスメクチック相の液晶分子に
加わる細孔壁の表面の力の影響が大になる）。前記のよ
うに細孔壁の表面の力を受けている状態で細孔中に封入
されているスメクチック相の液晶に対して、ある閾値以
上の電界強度の電界が印加された場合には、細孔壁の表
面からの力を受けている状態で細孔中にスメクチック相
の状態で封入されているスメクチック相の液晶分子は、
前記した細孔壁の表面から加えられている力に抗して電
界の方向に配向するように変位する。そして電界の印加
に対応してスメクチック相の液晶の分子に生じる変位の
態様は、印加される電界の強度に応じて変化し、スメク
チック相の液晶に印加される電界が弱いスメクチック相
の液晶分子、すなわち、主として細孔の中心部付近に位
置するスメクチック相の液晶分子だけが印加された電界
の方向に向くような傾向で変位し、スメクチック相の液
晶に印加される電界の強度が次第に強くなるにつれて、
細孔壁の表面から加えられている力が強いスメクチック
相の液晶分子、すなわち、細孔壁近くに位置するスメク
チック相の液晶分子も印加された電界の方向にスメクチ
ック相の液晶の分子軸の方向が向くような傾向で変位す
るという変位の態様でスメクチック相の液晶分子が配向
する。That is, in the information recording medium RM1 of the present invention, liquid crystals exhibiting a smectic phase at room temperature are dispersed, for example, randomly distributed in a porous polymer material film in the polymer-liquid crystal memory film HLM1. The liquid crystal, which exhibits a smectic phase at room temperature and is enclosed in each of the countless minute pores that are formed, greatly increases the force on the pore wall surface before an electric field above the threshold is applied to it. The liquid crystal molecules, including the receiving liquid crystal molecules, are encapsulated in minute pores in a smectic phase. The surface force of the pore wall is applied, and the closer the smectic phase liquid crystal molecules are to the pore wall, the greater the force applied.Therefore, the smaller the diameter of the pore, the stronger the smectic phase enclosed within the pore. (The influence of the surface forces of the pore walls on the liquid crystal molecules in the phase increases). As mentioned above, when an electric field with an electric field strength of more than a certain threshold is applied to the smectic phase liquid crystal sealed in the pore while being subjected to the surface force of the pore wall, the smectic phase liquid crystal is The liquid crystal molecules in the smectic phase, which are enclosed in the pore in a smectic phase while receiving the force from the surface of the pore wall, are
The pore walls are displaced so as to be oriented in the direction of the electric field against the force applied from the surface of the pore wall. The mode of displacement that occurs in the liquid crystal molecules in the smectic phase in response to the application of an electric field changes depending on the strength of the applied electric field. In other words, only the liquid crystal molecules in the smectic phase located mainly near the center of the pores are displaced in such a way that they are oriented in the direction of the applied electric field, and as the intensity of the electric field applied to the liquid crystal in the smectic phase gradually becomes stronger, ,
Smectic phase liquid crystal molecules with strong force applied from the surface of the pore wall, that is, smectic phase liquid crystal molecules located near the pore wall, also move in the direction of the applied electric field, along with the direction of the molecular axis of the smectic phase liquid crystal. The liquid crystal molecules in the smectic phase are oriented in a manner of displacement in which the smectic phase is displaced with a tendency that the
【００１３】このように本発明の情報記録媒体ＲＭ１で
は、それの高分子−液晶メモリ膜ＨＬＭ１ における室
温でスメクチック相を示す液晶、すなわち、情報記録媒
体ＲＭ１の高分子−液晶メモリ膜ＨＬＭ１ における多
孔質の高分子材料膜中にランダムに分布して形成されて
いる無数の微小な細孔中に封入されている室温でスメク
チック相を示す液晶分子は、電界の印加時に前記した細
孔壁の表面から加えられている力に抗してスメクチック
相の液晶の分子軸の方向が電界の方向に向くような傾向
で変位するような変位の態様で配向されるが、前記のよ
うに印加された電界によって配向されたスメクチック相
の液晶の分子は既述した細孔壁の表面の力によって、そ
のままの姿態に保持されるから、前記のように電界の印
加によって変化されたスメクチック相の液晶の配向の状
態は印加された電界が除去された後においても、そのま
まの状態に保持されるものであり、本発明の情報記録媒
体ＲＭ１では記録の対象にされている情報が電界強度の
変化の形で与えられることにより、その記録の対象にさ
れている情報を高分子−液晶メモリ膜ＨＬＭ１ におけ
る多孔質の高分子材料膜中にランダムに分布して形成さ
れている無数の微小な細孔中に封入されているスメクチ
ック相の液晶分子の配向の状態として記憶できるのであ
る。そして、前記したスメクチック相の液晶は粘度が高
いために、前記のように電界の印加によって変化された
スメクチック相の液晶の配向の状態は印加された電界が
除去された後においても、長時間にわたってそのままの
状態に保持されるのである。前記のようにして記録の対
象にされている、例えば、光情報が記録された記録済み
情報記録媒体ＲＭ１からの記録情報の再生（読出し）は
、記録済み情報記録媒体ＲＭ１に再生光を照射させるこ
とにより行うことができる。As described above, in the information recording medium RM1 of the present invention, the liquid crystal exhibiting a smectic phase at room temperature in the polymer-liquid crystal memory film HLM1 of the information recording medium RM1, that is, the porous liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film HLM1 of the information recording medium RM1. The liquid crystal molecules, which exhibit a smectic phase at room temperature and are enclosed in countless minute pores that are randomly distributed and formed in the polymeric material film, are separated from the surface of the pore walls when an electric field is applied. The liquid crystal in the smectic phase is oriented in such a manner that the molecular axes of the liquid crystal in the smectic phase are displaced in the direction of the electric field against the applied force. Since the molecules of the oriented liquid crystal in the smectic phase are held in the same state by the surface force of the pore walls as described above, the state of orientation of the liquid crystal in the smectic phase changed by the application of an electric field as described above. is maintained in the same state even after the applied electric field is removed, and in the information recording medium RM1 of the present invention, the information to be recorded is given in the form of a change in electric field strength. As a result, the information to be recorded is encapsulated in countless minute pores randomly distributed and formed in the porous polymer material film of the polymer-liquid crystal memory film HLM1. It can be stored as the state of orientation of liquid crystal molecules in the smectic phase. Since the smectic phase liquid crystal described above has a high viscosity, the orientation state of the smectic phase liquid crystal changed by the application of an electric field as described above remains for a long time even after the applied electric field is removed. It will remain as it is. To reproduce (read) recorded information from the recorded information recording medium RM1 on which optical information has been recorded, for example, which is targeted for recording as described above, the recorded information recording medium RM1 is irradiated with reproduction light. This can be done by
【００１４】なお図４においては、光導電体層部材ＰＣ
Ｌ１ と光変調材層部材ＨＬＭ１ との間には、空隙が
設けられていなく一体的な構成として説明しているが、
この間に空隙を設けるようにして記録動作が行われるよ
うにしても勿論よいものである。前記のようにして、光
変調材層部材ＨＬＭ１ に完全な１枚づつの像を順次に
形成することができる。Note that in FIG. 4, the photoconductor layer member PC
Although it is described that there is no gap between L1 and the light modulating material layer member HLM1 and that the structure is integral,
Of course, it is also possible to perform the recording operation by providing a gap between them. In the manner described above, complete images can be sequentially formed one by one on the light modulating material layer member HLM1.
【００１５】なお、図４の記録動作の説明においては、
本発明になる情報記録媒体ＲＭ１の一例を用いて行った
が、前記した如く、この情報記録媒体ＲＭ１は、支持部
材を中央部分として左右同一に構成されているので、例
えば、周知の手段によりこれを入れ換えて、未記録のこ
れの他側、すなわち、撮像レンズＬ側に透明電極Ｅｔ２
が配置されるような態様として、これに前記したと同
様の記録動作を行わせることにより、この情報記録媒体
ＲＭ１には、従来の２倍の情報の記憶が可能となるもの
である。[0015] In the explanation of the recording operation in Fig. 4,
This was carried out using an example of the information recording medium RM1 according to the present invention, but as described above, this information recording medium RM1 has the same configuration on the left and right sides with the support member in the center, so for example, it can be , and a transparent electrode Et2 is placed on the other side of the unrecorded one, that is, on the side of the imaging lens L.
By performing the same recording operation as described above, the information recording medium RM1 can store twice as much information as the conventional one.
【００１６】次に図５について説明するに、この図５は
、前記した如く本発明になる図２図示の情報記録媒体Ｒ
Ｍ２に対する記録動作を説明するためのブロック図であ
り、図中Ｏは被写体、Ｌは撮像レンズ、ＳＷはスイッチ
、Ｖｃは電源であり、また、ＷＨは透明基板（ＧＰ）と
透明電極Ｅｔｗと光導電体層部材ＰＣＬとの積層構成か
らなる書き込みヘッドある。Next, FIG. 5 will be explained. As described above, this FIG. 5 shows the information recording medium R shown in FIG.
This is a block diagram for explaining the recording operation for M2, in which O is the object, L is the imaging lens, SW is the switch, Vc is the power supply, and WH is the transparent substrate (GP), the transparent electrode Etw, and the light. There is a write head having a laminated structure with a conductor layer member PCL.
【００１７】図５に示されている記録系において、前記
した書き込みヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗ には
電源Ｖｃの正極が接続されており、また、情報記録媒体
ＲＭ２の電極Ｅ１ には電源Ｖｃの負極が接続されてい
る。
なお透明基板Ｇｐと透明電極Ｅｔｗ としては、撮像の
対象にされるべき光情報の波長帯の光が透過し得るよう
な分光透過特性を有するものが使用されており、また、
光導電体層部材ＰＣＬとしては、それの一方の端面に高
精細度の光学像が与えられた場合に、適当な強度の電界
の印加の下において、他方の端面に対して高精細度の電
荷像を発生させることができるような特性を有する光導
電体層材料である、例えば、アモルファス・シリコンを
使用する。In the recording system shown in FIG. 5, the positive electrode of the power source Vc is connected to the transparent electrode Etw in the write head WH, and the negative electrode of the power source Vc is connected to the electrode E1 of the information recording medium RM2. is connected. Note that as the transparent substrate Gp and the transparent electrode Etw, those having spectral transmission characteristics that allow light in the wavelength band of optical information to be imaged to be transmitted are used;
When a high-definition optical image is applied to one end surface of the photoconductor layer member PCL, a high-definition charge is generated on the other end surface under the application of an electric field of appropriate strength. A photoconductor layer material, for example amorphous silicon, is used which has properties such that an image can be generated.
【００１８】すなわち、この図５においては撮像レンズ
Ｌによって被写体Ｏの光学像を、透明電極Ｅｔｗ と電
極Ｅ１ とを介して光導電体層部材ＰＣＬに結像させる
ようにしているが、透明電極Ｅｔｗ と電極Ｅ１ との
間にスイッチＳＷを介して電源Ｖｃから所定の電界強度
（光変調材層部材ＨＬＭ１ ，ＨＬＭ２ の記録特性の
持つ閾値よりも高い電界強度）が印加された場合だけに
、光導電体層部材ＰＣＬに結像された被写体の光学像と
対応する光情報が光変調材層部材ＨＬＭ１ に形成され
るような動作を行う。前記した透明電極Ｅｔｗ と電極
Ｅ１ との間にスイッチＳＷを介して電源Ｖｃから所定
の電界が印加され、被写体Ｏの光学像が撮像レンズＬに
より書き込みヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬに結像さ
れると、光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値は、それに結
像された被写体Ｏの光学像に従って変化する。既述のよ
うに、前記した書き込みヘッドＷＨにおける電極Ｅｔｗ
と情報記録媒体ＲＭ２における電極Ｅ１ との間には
電源Ｖｃが接続されているから、光導電層部材ＰＣＬの
電気抵抗値が、それに結像された被写体Ｏの光学像に従
って変化することにより、書き込みヘッドＷＨの光導電
層部材ＰＣＬと情報記録媒体ＲＭ２における電極Ｅ１
との間の電界強度分布は被写体Ｏの光学像と対応してい
るものとなる。そこで、前記のように書き込みヘッドＷ
Ｈの光導電層部材ＰＣＬと情報記録媒体ＲＭ２における
電極Ｅ１ との間の電界中におかれている情報記録媒体
ＲＭ２の光変調材層部材ＨＬＭ１ には、被写体Ｏの光
学像と対応している強度分布を示す電界が印加されるこ
とになる。That is, in FIG. 5, an optical image of the object O is formed by the imaging lens L on the photoconductor layer member PCL via the transparent electrode Etw and the electrode E1, but the transparent electrode Etw Only when a predetermined electric field intensity (an electric field intensity higher than the threshold value of the recording characteristics of the light modulating material layer members HLM1 and HLM2) is applied from the power source Vc via the switch SW between the electrode E1 and the electrode E1, the photoconductive An operation is performed such that optical information corresponding to the optical image of the subject formed on the body layer member PCL is formed on the light modulating material layer member HLM1. A predetermined electric field is applied from the power source Vc via the switch SW between the transparent electrode Etw and the electrode E1, and an optical image of the object O is focused on the photoconductive layer member PCL of the writing head WH by the imaging lens L. Then, the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL changes according to the optical image of the subject O formed thereon. As mentioned above, the electrode Etw in the write head WH described above
Since the power source Vc is connected between the electrode E1 of the information recording medium RM2 and the photoconductive layer member PCL, the electric resistance value of the photoconductive layer member PCL changes in accordance with the optical image of the subject O formed thereon, so that writing can be performed. Photoconductive layer member PCL of head WH and electrode E1 in information recording medium RM2
The electric field intensity distribution between the two corresponds to the optical image of the object O. Therefore, as mentioned above, the write head W
The light modulating material layer member HLM1 of the information recording medium RM2 placed in the electric field between the photoconductive layer member PCL of H and the electrode E1 of the information recording medium RM2 corresponds to the optical image of the subject O. An electric field exhibiting an intensity distribution will be applied.
【００１９】なお、図５においては書き込みヘッドＷＨ
の光導電層部材ＰＣＬと情報記録媒体ＲＭ２における電
極Ｅ１ との間には空隙が設けられているように図示さ
れているが、書き込みヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬ
と情報記録媒体ＲＭ２における電極Ｅ１ とを密着状態
にして記録動作が行われるようになされてもよい。Note that in FIG. 5, the write head WH
Although the photoconductive layer member PCL of the write head WH is shown as having a gap between the photoconductive layer member PCL and the electrode E1 of the information recording medium RM2, the photoconductive layer member PCL of the write head WH is
The recording operation may be performed by bringing the information recording medium RM2 and the electrode E1 of the information recording medium RM2 into close contact with each other.
【００２０】図６は、本発明になる情報記録媒体の変形
例の斜視図であり、この実施例においては、支持部材で
ある基板ＢＰの一部を、そこに積層される他の部材の幅
より大になる如く幅方向に突出させ、そこに透明電極Ｅ
ｔを長手方向に分割（Ｅｔ１ 〜Ｅｔｎ ）すると共に
、この一部を例えば幅方向に前記基板Ｂｐの突出部と合
致するよう突出させ、また、電極兼反射膜Ｅ１ ，Ｅ２
の構成部分の一部も電極取出しが容易となるように、
上記透明電極Ｅｔ１ と対応する如く突出させたもので
ある。FIG. 6 is a perspective view of a modified example of the information recording medium according to the present invention. In this embodiment, a part of the substrate BP, which is a supporting member, is The transparent electrode E is made to protrude in the width direction so that it becomes larger.
t is divided in the longitudinal direction (Et1 to Etn), and a part thereof is made to protrude, for example, in the width direction so as to match the protrusion of the substrate Bp, and the electrode/reflection films E1, E2
Some of the component parts are also designed to make it easier to remove the electrodes.
It is made to protrude so as to correspond to the above-mentioned transparent electrode Et1.
【００２１】なお、この電極兼反射膜Ｅ１ ，Ｅ２ の
部分も透明電極と同様分割してその基板Ｂｐに例えば上
記と同様な手段により成膜されているものである。この
図６にあっては、前記した図１及び図２と同様、支持部
材ＢＰを中央部分として光導電体層部材ＰＣＬ１ ，Ｐ
ＣＬ２ 及び光変調材層部材ＨＬＭ１ ，ＨＬＭ２ 等
は、左右同一構成とされている。すなわち、このように
透明電極部分を長手方向に分割し、この透明電極の一部
と電極兼反射膜のみに電源を介して所定の電圧を印加す
ることにより、そこに所望の例えば部分記録された光情
報が蓄積できるものである。また、この図６の構成にあ
っても前記したと同様、情報記録媒体の両面に情報の記
録が行えるものである。[0021] The electrode/reflection films E1 and E2 are also divided like the transparent electrodes and formed on the substrate Bp by, for example, the same method as described above. In this FIG. 6, similarly to FIGS. 1 and 2 described above, the supporting member BP is the central part, and the photoconductor layer members PCL1, P
CL2, light modulating material layer members HLM1, HLM2, etc. have the same configuration on the left and right sides. That is, by dividing the transparent electrode part in the longitudinal direction in this way and applying a predetermined voltage via a power supply only to a part of the transparent electrode and the electrode/reflection film, a desired partial recording can be made there. It is something that can store optical information. Also, in the configuration shown in FIG. 6, information can be recorded on both sides of the information recording medium, as described above.
【００２２】なお、本発明になる図１，図３，図４，図
６に開示された情報記録媒体に使用される電極兼反射膜
としては、アルミニュウム膜を使用した例で説明したが
、この材質に特定されるものではなく、要は反射率が高
く導電性の高い材質であればよいものである。[0022]Although an example in which an aluminum film is used as the electrode/reflection film used in the information recording medium disclosed in FIGS. 1, 3, 4, and 6 according to the present invention has been described, this The material is not specific, but any material that has high reflectance and high conductivity is sufficient.
【００２３】図７は、記録済み情報記録媒体ＲＭ２に再
生光ＲＬを照射して、記録済み情報記録媒体ＲＭ２から
の反射光を光電変換装置ＰＥＣによって電気信号に変換
するうにした場合の再生系の構成例を示すブロック図で
ある。なお、情報の再生に際しては再生光ＲＬを大面積
のものとし、光電変換装置ＰＥＣとして２次元イメージ
センサを用いたり、または、再生光ＲＬを微小面積のも
のとして情報記録媒体ＲＭ２を所定の走査態様で走査し
て光電変換装置ＰＥＣに与えたりして、情報を電気信号
の形態で得て利用したり、再生光ＲＬを記録済み情報記
録媒体ＲＭに照射させて得た記録済み情報記録媒体から
の反射光などを光情報出力として利用したりすることが
できる。FIG. 7 shows the reproduction system when the recorded information recording medium RM2 is irradiated with the reproduction light RL and the reflected light from the recorded information recording medium RM2 is converted into an electric signal by the photoelectric conversion device PEC. FIG. 2 is a block diagram showing a configuration example. When reproducing information, the reproduction light RL may be of a large area and a two-dimensional image sensor may be used as the photoelectric conversion device PEC, or the reproduction light RL may be of a minute area and the information recording medium RM2 may be scanned in a predetermined scanning manner. information from a recorded information recording medium obtained by irradiating the recorded information recording medium RM with the reproduction light RL. Reflected light and the like can be used as optical information output.
【００２４】なお、本発明の一実施例においては、情報
記録媒体として光変調材層部材を用いた例で説明したが
、必ずしもこれに限定されるものではなく、例えば、こ
の部材の代りに電荷保持層部材を用いることもできる。
その場合には、図１において光変調材層部材ＨＬＭ１
を電荷保持層部材ＣＭＬ１ とし、これの表面に順次に
形成された完全な１枚づつの電荷像（静電潜像）は、光
導電体層部材ＰＣＬ１ に与えられた記録の対象にされ
る光情報における各部の光量に対応した電荷量を有する
電荷像（静電潜像）であるから、その電荷像（静電潜像
）は十分に高い解像度を有する光導電体層部材ＰＣＬ１
と対応する高い精細度を有するものになっており、従
って、それを高い分解能を有する読出し手段によって読
み出すことにより極めて高い精細度の再生像を再現でき
るような、例えば、映像信号を発生させることができる
ものである。前記した被写体の光学像と対応している電
荷像（静電潜像）が形成された電荷保持層部材ＣＭＬ１
からの電荷像（静電潜像）の読出しは、例えば静電的
な電荷の検出手段、あるいは光学的な電荷の検出手段、
その他の電荷検出手段によって検出することにより、高
画質・高解像度の再生画像を再生させることの可能な、
例えば、映像信号を容易に発生させることができるので
あり、前記した電荷の検出手段としては例えば特願昭６
３−１５２６３ 号、特願昭６３−３５５２５ 号明細
書に示されているような構成のものが使用できる。In one embodiment of the present invention, an example in which a light modulating material layer member is used as an information recording medium has been described, but the invention is not necessarily limited to this. A retaining layer member may also be used. In that case, in FIG. 1, the light modulating material layer member HLM1
is the charge retention layer member CML1, and each complete charge image (electrostatic latent image) sequentially formed on the surface of the charge retention layer member CML1 is the recording target light applied to the photoconductor layer member PCL1. Since the charge image (electrostatic latent image) has an amount of charge corresponding to the amount of light in each part of the information, the charge image (electrostatic latent image) is a photoconductor layer member PCL1 having a sufficiently high resolution.
Therefore, it is possible to generate, for example, a video signal that can reproduce an extremely high-definition reproduced image by reading it out with a readout means having high resolution. It is possible. A charge retention layer member CML1 on which a charge image (electrostatic latent image) corresponding to the optical image of the subject described above is formed.
The charge image (electrostatic latent image) can be read out using, for example, electrostatic charge detection means, optical charge detection means,
By detecting the electric charge with other charge detection means, it is possible to reproduce high-quality and high-resolution reproduced images.
For example, a video signal can be easily generated, and as the above-mentioned charge detection means, for example,
3-15263 and Japanese Patent Application No. 63-35525 can be used.
【００２５】なお電極としては、必ずしもミラー電極で
なくてもよく、また、本実施例の如く２つの電極を用い
ること無く、単一の電極で両側の記録媒体の支持部材を
兼ねるようにしてもよいものである。Note that the electrodes do not necessarily have to be mirror electrodes, and instead of using two electrodes as in this embodiment, a single electrode may serve as a supporting member for the recording medium on both sides. It's good.
【００２６】[0026]
【発明の効果】本発明は以上詳述した如く、少なくとも
２つの情報記録部材間に電極を配置してなる情報記録媒
体を提供するもので、もって、この種情報記録媒体とし
ての記憶容量が２倍になり、かつ、目的に応じた画像を
任意に高品質、高解像度で反復再生できるなどの特長が
ある。As described in detail above, the present invention provides an information recording medium in which an electrode is arranged between at least two information recording members, and thus the storage capacity of this type of information recording medium is 2. It has the advantage of being able to double the size of the image and repeatedly playing back images at any desired high quality and resolution depending on the purpose.
【図１】本発明になる情報記録媒体の１実施例の側面図
である。FIG. 1 is a side view of one embodiment of an information recording medium according to the present invention.
【図２】本発明になる情報記録媒体の１実施例の側面図
である。FIG. 2 is a side view of one embodiment of the information recording medium according to the present invention.
【図３】本発明になる情報記録媒体の１実施例の側面図
である。FIG. 3 is a side view of one embodiment of the information recording medium according to the present invention.
【図４】図１の情報記録媒体に対する情報の記録動作を
説明するためのブロック図である。FIG. 4 is a block diagram for explaining the operation of recording information on the information recording medium of FIG. 1;
【図５】図２の情報記録媒体に対する情報の記録動作を
説明するためのブロック図である。FIG. 5 is a block diagram for explaining the operation of recording information on the information recording medium of FIG. 2;
【図６】本発明になる情報記録媒体の変形例の斜視図で
ある。FIG. 6 is a perspective view of a modification of the information recording medium according to the present invention.
【図７】記録済み情報記録媒体からの情報の再生動作を
説明するためのブロック図である。FIG. 7 is a block diagram for explaining the operation of reproducing information from a recorded information recording medium.
ＢＰ 基板 Ｅ１ ，Ｅ２ 電極 BP board E1, E2 electrode
Claims (1)
配置してなる情報記録媒体。1. An information recording medium comprising an electrode arranged between at least two information recording members.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8998291A JPH04218020A (en) | 1990-05-25 | 1991-03-28 | Information recordiong medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-135770 | 1990-05-25 | ||
| JP13577090 | 1990-05-25 | ||
| JP8998291A JPH04218020A (en) | 1990-05-25 | 1991-03-28 | Information recordiong medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04218020A true JPH04218020A (en) | 1992-08-07 |
Family
ID=26431364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8998291A Pending JPH04218020A (en) | 1990-05-25 | 1991-03-28 | Information recordiong medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04218020A (en) |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP8998291A patent/JPH04218020A/en active Pending
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