JPH04217322A - 薄膜トランジスタ回路のゲ−ト配線 - Google Patents
薄膜トランジスタ回路のゲ−ト配線Info
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- JPH04217322A JPH04217322A JP40353890A JP40353890A JPH04217322A JP H04217322 A JPH04217322 A JP H04217322A JP 40353890 A JP40353890 A JP 40353890A JP 40353890 A JP40353890 A JP 40353890A JP H04217322 A JPH04217322 A JP H04217322A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜トランジスタ回路の
ゲ−ト配線に関する。
ゲ−ト配線に関する。
【0002】
【従来の技術】薄膜トランジスタをアレイ状に形成した
もの(以下、薄膜トランジスタアレイという。)では、
ゲ−ト電極およびゲ−ト配線の抵抗値を低減するために
ゲ−ト電極およびゲ−ト配線に銅(Cu )を用いたも
のがある。通常は、銅層を保護するために、銅層の上下
にタンタル(Ta )層を形成し、Ta /Cu /T
a の3層構造としている。
もの(以下、薄膜トランジスタアレイという。)では、
ゲ−ト電極およびゲ−ト配線の抵抗値を低減するために
ゲ−ト電極およびゲ−ト配線に銅(Cu )を用いたも
のがある。通常は、銅層を保護するために、銅層の上下
にタンタル(Ta )層を形成し、Ta /Cu /T
a の3層構造としている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のゲ−ト配線構造では、タンタルを用いて上層が形成
されているため、その表面が容易に酸化されて酸化タン
タルが形成される。そのため、タンタル層上に接続され
る接続層との間で良好なオ−ミックコンタクトを得るこ
とが難しい、という問題点があった。
来のゲ−ト配線構造では、タンタルを用いて上層が形成
されているため、その表面が容易に酸化されて酸化タン
タルが形成される。そのため、タンタル層上に接続され
る接続層との間で良好なオ−ミックコンタクトを得るこ
とが難しい、という問題点があった。
【0004】本発明の目的は、ゲ−ト配線を3層構造に
しても良好なオ−ミックコンタクトが得られる薄膜トラ
ンジスタ回路のゲ−ト配線を提供することである。
しても良好なオ−ミックコンタクトが得られる薄膜トラ
ンジスタ回路のゲ−ト配線を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明における薄膜トラ
ンジスタ回路のゲ−ト配線は、3層構造のゲ−ト配線の
上層を、その上に接続される接続層に対して良好なオ−
ミックコンタクトが得られる金属層(例えば、モリブデ
ン(Mo )やクロム(Cr )等の金属を主成分とす
る金属層)で形成したものである。
ンジスタ回路のゲ−ト配線は、3層構造のゲ−ト配線の
上層を、その上に接続される接続層に対して良好なオ−
ミックコンタクトが得られる金属層(例えば、モリブデ
ン(Mo )やクロム(Cr )等の金属を主成分とす
る金属層)で形成したものである。
【0006】
【実施例】図1〜図3は、薄膜トランジスタアレイのゲ
−ト電極およびゲ−ト配線の製造工程を示した断面図で
ある。
−ト電極およびゲ−ト配線の製造工程を示した断面図で
ある。
【0007】絶縁基板11にはガラスが用いられる。第
1金属層12にはチタン(Ti )層が用いられ、その
層厚は50〜100nmである。第2金属層13には銅
(Cu)層が用いられ、その層厚は200nmである。 第3金属層14にはモリブデン(Mo )層またはクロ
ム(Cr )層が用いられ、その層厚は50nmである
。
1金属層12にはチタン(Ti )層が用いられ、その
層厚は50〜100nmである。第2金属層13には銅
(Cu)層が用いられ、その層厚は200nmである。 第3金属層14にはモリブデン(Mo )層またはクロ
ム(Cr )層が用いられ、その層厚は50nmである
。
【0008】つぎに、図1〜図3を用いて製造工程の説
明をする。
明をする。
【0009】
(A)絶縁基板11上に、第1金属層12となるチタン
層をスパッタリング法で形成する。チタン層はガラス基
板11に対する付着力が強く、膜剥がれが生じ難い。引
き続き第1金属層12上に、第2金属層13となる銅層
をスパッタリング法で形成する。引き続き第2金属13
上に、第3金属層14となるモリブデン層またはクロム
層をスパッタリング法で形成する。第3金属層14上に
、ゲ−ト電極およびゲ−ト配線の平面形状を有するマス
ク層15を、フォトレジストを用いて形成する(図1参
照)。
層をスパッタリング法で形成する。チタン層はガラス基
板11に対する付着力が強く、膜剥がれが生じ難い。引
き続き第1金属層12上に、第2金属層13となる銅層
をスパッタリング法で形成する。引き続き第2金属13
上に、第3金属層14となるモリブデン層またはクロム
層をスパッタリング法で形成する。第3金属層14上に
、ゲ−ト電極およびゲ−ト配線の平面形状を有するマス
ク層15を、フォトレジストを用いて形成する(図1参
照)。
【0010】
(B)マスク層15をマスクとして、第1金属層12、
第2金属層13および第3金属層14をエッチングする
。第3金属層14および第2金属層13は同一のウエッ
トエッチング液を用いてウエットエッチングする。エッ
チング液には、硝酸+酢酸+硝酸第2セリウムアンモニ
ウム(Ce (NH4 )2 (NO3 )6 )の混
合水溶液を用いる。なお、第3金属層14としてモリブ
デン層を用いる場合には、必ずしも硝酸を混合する必要
はない。 第3金属層14および第2金属層13の側壁をテ−パ−
状に形成するには、エッチング液に含まれる酸化剤(酢
酸、硝酸)の混合割合を適宜選定し、第3金属層14の
エッチングレ−トを第2金属層13のエッチングレ−ト
よりも大にすればよい。第3金属層14および第2金属
層13をエッチング後、希フッ酸ボイルまたはリン酸水
溶液ボイルにより第1金属層12をエッチングする。な
お、CF4 ガス等を用いたドライエッチング法で第1
金属層12をエッチングしてもよい(図2参照)。
第2金属層13および第3金属層14をエッチングする
。第3金属層14および第2金属層13は同一のウエッ
トエッチング液を用いてウエットエッチングする。エッ
チング液には、硝酸+酢酸+硝酸第2セリウムアンモニ
ウム(Ce (NH4 )2 (NO3 )6 )の混
合水溶液を用いる。なお、第3金属層14としてモリブ
デン層を用いる場合には、必ずしも硝酸を混合する必要
はない。 第3金属層14および第2金属層13の側壁をテ−パ−
状に形成するには、エッチング液に含まれる酸化剤(酢
酸、硝酸)の混合割合を適宜選定し、第3金属層14の
エッチングレ−トを第2金属層13のエッチングレ−ト
よりも大にすればよい。第3金属層14および第2金属
層13をエッチング後、希フッ酸ボイルまたはリン酸水
溶液ボイルにより第1金属層12をエッチングする。な
お、CF4 ガス等を用いたドライエッチング法で第1
金属層12をエッチングしてもよい(図2参照)。
【0011】
(C)マスク層15を除去し、テ−パ−形状を有するゲ
−ト電極およびゲ−ト配線が形成される(図3参照)。
−ト電極およびゲ−ト配線が形成される(図3参照)。
【0012】図4は、薄膜トランジスタアレイにおける
薄膜トランジスタの断面図である。
薄膜トランジスタの断面図である。
【0013】この薄膜トランジスタは、図1〜図3の工
程でゲ−ト電極およびゲ−ト配線を形成した後、ゲ−ト
絶縁層となる窒化シリコン層15(層厚100〜150
nm)および酸化シリコン層16(層厚400〜500
nm)、アモルファスシリコン層17、n+ アモルフ
ァスシリコン層18、ソ−ス電極およびドレイン電極と
なるITO(インジウム ティン オキサイド)層
19を形成することにより作成される。
程でゲ−ト電極およびゲ−ト配線を形成した後、ゲ−ト
絶縁層となる窒化シリコン層15(層厚100〜150
nm)および酸化シリコン層16(層厚400〜500
nm)、アモルファスシリコン層17、n+ アモルフ
ァスシリコン層18、ソ−ス電極およびドレイン電極と
なるITO(インジウム ティン オキサイド)層
19を形成することにより作成される。
【0014】図5は、薄膜トランジスタアレイにおける
ゲ−ト配線の終端部付近を示した断面図であり、図4に
示した薄膜トランジスタの形成と同時に作成されるもの
である。したがって、窒化シリコン層15、酸化シリコ
ン層16およびITO層19は、図4に同一番号を付し
たものと同時に形成されるものである。なお、図5に示
したITO層19(接続層)は、ゲ−ト配線を外部回路
と接続するための接続端子となるものである。
ゲ−ト配線の終端部付近を示した断面図であり、図4に
示した薄膜トランジスタの形成と同時に作成されるもの
である。したがって、窒化シリコン層15、酸化シリコ
ン層16およびITO層19は、図4に同一番号を付し
たものと同時に形成されるものである。なお、図5に示
したITO層19(接続層)は、ゲ−ト配線を外部回路
と接続するための接続端子となるものである。
【0015】以上述べた実施例では、第3金属層14を
形成する金属をモリブデンまたはクロムとしたが、他の
金属を主成分としたものでもよい。ゲ−ト電極に関して
いえば、ウエットエッチングが容易な金属を主成分とす
るものであればよい。特に、第3金属層(銅層)14と
第2金属層13とを同一のウエットエッチング液を用い
てエッチングできるものが好ましい。また、ゲ−ト配線
に関していえば、ITO層19等を用いた導電性の接続
層に対して、良好なオ−ミックコンタクトが得られる金
属を主成分とするものであればよい。
形成する金属をモリブデンまたはクロムとしたが、他の
金属を主成分としたものでもよい。ゲ−ト電極に関して
いえば、ウエットエッチングが容易な金属を主成分とす
るものであればよい。特に、第3金属層(銅層)14と
第2金属層13とを同一のウエットエッチング液を用い
てエッチングできるものが好ましい。また、ゲ−ト配線
に関していえば、ITO層19等を用いた導電性の接続
層に対して、良好なオ−ミックコンタクトが得られる金
属を主成分とするものであればよい。
【0016】
【発明の効果】本発明では、3層構造のゲ−ト配線の上
層とその上に接続される接続層との間で、良好なオ−ミ
ックコンタクトが得られる。
層とその上に接続される接続層との間で、良好なオ−ミ
ックコンタクトが得られる。
【図1】本発明に係わる実施例であり、薄膜トランジス
タアレイのゲ−ト電極およびゲ−ト配線の製造工程を示
した断面図である。
タアレイのゲ−ト電極およびゲ−ト配線の製造工程を示
した断面図である。
【図2】本発明に係わる実施例であり、薄膜トランジス
タアレイのゲ−ト電極およびゲ−ト配線の製造工程を示
した断面図である。
タアレイのゲ−ト電極およびゲ−ト配線の製造工程を示
した断面図である。
【図3】本発明に係わる実施例であり、薄膜トランジス
タアレイのゲ−ト電極およびゲ−ト配線の製造工程を示
した断面図である。
タアレイのゲ−ト電極およびゲ−ト配線の製造工程を示
した断面図である。
【図4】本発明に係わる実施例であり、薄膜トランジス
タアレイにおける薄膜トランジスタの断面図である。
タアレイにおける薄膜トランジスタの断面図である。
【図5】本発明に係わる実施例であり、薄膜トランジス
タアレイにおけるゲ−ト配線の終端部付近を示した断面
図である。
タアレイにおけるゲ−ト配線の終端部付近を示した断面
図である。
11……絶縁基板
12……第1金属層
13……第2金属層
14……第3金属層
Claims (2)
- 【請求項1】 絶縁基板の主表面側に形成された第1
金属層と、上記第1金属層上に上記第1金属層と略同一
形状で形成され、銅(Cu )を主成分とする第2金属
層と、上記第2金属層上に上記第2金属層と略同一形状
で形成され、その上に接続される接続層に対して良好な
オ−ミックコンタクトが得られる第3金属層とからなる
薄膜トランジスタ回路のゲ−ト配線。 - 【請求項2】 上記第3金属層はモリブデン(Mo
)またはクロム(Cr )を主成分とした材料で構成さ
れている請求項1に記載の薄膜トランジスタ回路のゲ−
ト配線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40353890A JPH04217322A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 薄膜トランジスタ回路のゲ−ト配線 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40353890A JPH04217322A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 薄膜トランジスタ回路のゲ−ト配線 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04217322A true JPH04217322A (ja) | 1992-08-07 |
Family
ID=18513270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP40353890A Pending JPH04217322A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 薄膜トランジスタ回路のゲ−ト配線 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04217322A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006261705A (ja) * | 2006-06-23 | 2006-09-28 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
KR100866976B1 (ko) * | 2002-09-03 | 2008-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
JP2009198632A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP40353890A patent/JPH04217322A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100866976B1 (ko) * | 2002-09-03 | 2008-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
US7652740B2 (en) | 2002-09-03 | 2010-01-26 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate for LCD device having dual metal-layer gate and data lines and manufacturing method thereof |
JP2006261705A (ja) * | 2006-06-23 | 2006-09-28 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009198632A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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