JPH04215287A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
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- JPH04215287A JPH04215287A JP41039790A JP41039790A JPH04215287A JP H04215287 A JPH04215287 A JP H04215287A JP 41039790 A JP41039790 A JP 41039790A JP 41039790 A JP41039790 A JP 41039790A JP H04215287 A JPH04215287 A JP H04215287A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 10
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/66—Circuits
- H05B6/68—Circuits for monitoring or control
- H05B6/681—Circuits comprising an inverter, a boost transformer and a magnetron
- H05B6/682—Circuits comprising an inverter, a boost transformer and a magnetron wherein the switching control is based on measurements of electrical values of the circuit
- H05B6/685—Circuits comprising an inverter, a boost transformer and a magnetron wherein the switching control is based on measurements of electrical values of the circuit the measurements being made at the low voltage side of the circuit
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- Electromagnetism (AREA)
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は交流電圧を高周波電圧に
変換し、変換した高周波電圧によりマグネトロンを駆動
する高周波加熱装置に関するものである。
変換し、変換した高周波電圧によりマグネトロンを駆動
する高周波加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】加熱源にマグネトロンを使用している高
周波加熱装置は、その小型化を図るべく、インバータ回
路により交流電圧を高周波電圧に変換し、その変換した
高周波電圧を昇圧トランスで昇圧した電圧によりマグネ
トロンを駆動する構造となっている。そしてインバータ
回路の動作周波数を変化させることにより、マグネトロ
ンの加熱出力を連続的に制御できるようになっている。 このような高周波加熱装置は例えば特開平１−１４４５
９３号公報に示されており、この高周波加熱装置は、交
流電圧が変動しても加熱出力が変化しないように、交流
電圧を整流する整流回路の入力電流を所定値に制御する
入力電流制御方式を採用している。
周波加熱装置は、その小型化を図るべく、インバータ回
路により交流電圧を高周波電圧に変換し、その変換した
高周波電圧を昇圧トランスで昇圧した電圧によりマグネ
トロンを駆動する構造となっている。そしてインバータ
回路の動作周波数を変化させることにより、マグネトロ
ンの加熱出力を連続的に制御できるようになっている。 このような高周波加熱装置は例えば特開平１−１４４５
９３号公報に示されており、この高周波加熱装置は、交
流電圧が変動しても加熱出力が変化しないように、交流
電圧を整流する整流回路の入力電流を所定値に制御する
入力電流制御方式を採用している。
【０００３】ところで、マグネトロンを駆動する場合、
マグネトロンが起動するまで、そのアノード、ヒータ間
にアノード電流が流れないから、マグネトロンが起動す
るまでは整流回路への入力電流は殆ど流れない。そのた
め入力電流を所定値に制御すべくインバータ回路の動作
周波数を低下させるように制御すると、昇圧トランスの
２次側に高電圧を誘起し、起動していないマグネトロン
のアノード、ヒータ間には過大な電圧が印加されて損傷
させる虞れがある。そのようなことから、マグネトロン
が起動するまではインバータ回路の動作周波数を高くす
るようにして、マグネトロンのアノード、ヒータ間に加
わる電圧を抑制する、所謂ソフトスタートを行わせる。 しかる後、マグネトロンのヒータによりマグネトロンが
十分に加熱されて、マグネトロンが起動すると、インバ
ータ回路の動作周波数に応じた入力電流が整流回路へ流
れる。この入力電流が所定値以上であれば、マグネトロ
ンが起動したと判断して、所定の加熱出力を得るように
インバータ回路の動作周波数を低下させる制御が可能に
なりソフトスタートが解除される。
マグネトロンが起動するまで、そのアノード、ヒータ間
にアノード電流が流れないから、マグネトロンが起動す
るまでは整流回路への入力電流は殆ど流れない。そのた
め入力電流を所定値に制御すべくインバータ回路の動作
周波数を低下させるように制御すると、昇圧トランスの
２次側に高電圧を誘起し、起動していないマグネトロン
のアノード、ヒータ間には過大な電圧が印加されて損傷
させる虞れがある。そのようなことから、マグネトロン
が起動するまではインバータ回路の動作周波数を高くす
るようにして、マグネトロンのアノード、ヒータ間に加
わる電圧を抑制する、所謂ソフトスタートを行わせる。 しかる後、マグネトロンのヒータによりマグネトロンが
十分に加熱されて、マグネトロンが起動すると、インバ
ータ回路の動作周波数に応じた入力電流が整流回路へ流
れる。この入力電流が所定値以上であれば、マグネトロ
ンが起動したと判断して、所定の加熱出力を得るように
インバータ回路の動作周波数を低下させる制御が可能に
なりソフトスタートが解除される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、ソフトス
タートさせるときに、インバータ回路の動作周波数を高
めた状態で一定にしておくと、マグネトロンが起動する
までの期間に交流電圧が上昇すると、それに応じてマグ
ネトロンのアノード、ヒータ間に印加される電圧が上昇
し、マグネトロンのアノード、ヒータ間に過大な電圧が
印加されて損傷する虞れがあるという問題がある。本発
明は斯かる問題に鑑み、マグネトロンが起動する前に、
交流電圧が変動してもマグネトロンに過大な電圧が印加
されることがない高周波加熱装置を提供することを目的
とする。
タートさせるときに、インバータ回路の動作周波数を高
めた状態で一定にしておくと、マグネトロンが起動する
までの期間に交流電圧が上昇すると、それに応じてマグ
ネトロンのアノード、ヒータ間に印加される電圧が上昇
し、マグネトロンのアノード、ヒータ間に過大な電圧が
印加されて損傷する虞れがあるという問題がある。本発
明は斯かる問題に鑑み、マグネトロンが起動する前に、
交流電圧が変動してもマグネトロンに過大な電圧が印加
されることがない高周波加熱装置を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高周波加熱
装置は、交流電圧を整流した直流電圧を、動作周波数が
可変のインバータ回路により高周波電圧に変換し、変換
した高周波電圧によりマグネトロンを駆動する高周波加
熱装置において、前記交流電圧が所定値を超えたことを
検出する電圧検出部を備え、交流電圧が所定値を超えた
ことを検出した場合に前記インバータ回路の動作周波数
を高める構成としてあることを特徴とする。
装置は、交流電圧を整流した直流電圧を、動作周波数が
可変のインバータ回路により高周波電圧に変換し、変換
した高周波電圧によりマグネトロンを駆動する高周波加
熱装置において、前記交流電圧が所定値を超えたことを
検出する電圧検出部を備え、交流電圧が所定値を超えた
ことを検出した場合に前記インバータ回路の動作周波数
を高める構成としてあることを特徴とする。
【０００６】
【作用】インバータ回路で発生させた高周波電圧により
マグネトロンを駆動する。動作周波数が可変のインバー
タ回路に供給する交流電圧が所定値以上になったことを
検出すると、インバータ回路の動作周波数が高くなる。 インバータ回路の動作周波数が高くなると、マグネトロ
ンのアノード、ヒータ間に加わる電圧が抑制される。よ
って、マグネトロンが起動するまでの期間に、交流電圧
が変動してもマグネトロンに過大な電圧が加わらない。
マグネトロンを駆動する。動作周波数が可変のインバー
タ回路に供給する交流電圧が所定値以上になったことを
検出すると、インバータ回路の動作周波数が高くなる。 インバータ回路の動作周波数が高くなると、マグネトロ
ンのアノード、ヒータ間に加わる電圧が抑制される。よ
って、マグネトロンが起動するまでの期間に、交流電圧
が変動してもマグネトロンに過大な電圧が加わらない。
【０００７】
【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面により詳
述する。図１は本発明に係る高周波加熱装置の要部ブロ
ック図である。商用電源１の交流電圧を整流ブリッジ２
で全波整流し、整流した電圧をチョークコイル３と平滑
コンデンサ４とからなる平滑回路により平滑している。 平滑コンデンサ４の充電電圧たる直流電圧を、スナバダ
イオードＳＤを並列接続していてスイッチング動作する
パワートランジスタ５を介して、共振コンデンサ６を並
列接続している昇圧トランス７の１次巻線７ａに与えて
、その２次巻線７ｂに昇圧した高周波電圧を得るように
なっている。
述する。図１は本発明に係る高周波加熱装置の要部ブロ
ック図である。商用電源１の交流電圧を整流ブリッジ２
で全波整流し、整流した電圧をチョークコイル３と平滑
コンデンサ４とからなる平滑回路により平滑している。 平滑コンデンサ４の充電電圧たる直流電圧を、スナバダ
イオードＳＤを並列接続していてスイッチング動作する
パワートランジスタ５を介して、共振コンデンサ６を並
列接続している昇圧トランス７の１次巻線７ａに与えて
、その２次巻線７ｂに昇圧した高周波電圧を得るように
なっている。
【０００８】昇圧した高周波電圧を高圧コンデンサ８と
、高圧ダイオード９，１０とからなる倍電圧整流回路で
整流し、整流した高電圧をマグネトロン１１のアノード
Ａ、ヒータＨ間に与えている。また昇圧トランス７のヒ
ータ巻線７ｃの電圧をマグネトロン１１のヒータＨに与
えている。マグネトロン１１のアノードＡは接地されて
いる。 そして前記平滑コンデンサ４と共振コンデンサ６と１次
巻線７ａとパワートランジスタ５とによりインバータ回
路ＩＮＶ を構成している。
、高圧ダイオード９，１０とからなる倍電圧整流回路で
整流し、整流した高電圧をマグネトロン１１のアノード
Ａ、ヒータＨ間に与えている。また昇圧トランス７のヒ
ータ巻線７ｃの電圧をマグネトロン１１のヒータＨに与
えている。マグネトロン１１のアノードＡは接地されて
いる。 そして前記平滑コンデンサ４と共振コンデンサ６と１次
巻線７ａとパワートランジスタ５とによりインバータ回
路ＩＮＶ を構成している。
【０００９】商用電源１と整流ブリッジ２とを接続する
回路には、整流ブリッジ２の入力電流を検出する変流器
ＣＴを設けており、その出力端子間には抵抗Ｒ１０を接
続している。抵抗Ｒ１０には、それにアノードを接続し
ているダイオードＤ０ と抵抗Ｒ１１との直列回路が並
列接続されている。抵抗Ｒ１０とＲ１１との接続部は接
地されており、ダイオードＤ０ と抵抗Ｒ１１との接続
部は比較器ＣＰの正入力端子＋と接続されている。
回路には、整流ブリッジ２の入力電流を検出する変流器
ＣＴを設けており、その出力端子間には抵抗Ｒ１０を接
続している。抵抗Ｒ１０には、それにアノードを接続し
ているダイオードＤ０ と抵抗Ｒ１１との直列回路が並
列接続されている。抵抗Ｒ１０とＲ１１との接続部は接
地されており、ダイオードＤ０ と抵抗Ｒ１１との接続
部は比較器ＣＰの正入力端子＋と接続されている。
【００１０】前記商用電源１は制御用トランス２０の１
次巻線２０ａと接続されており、その２次巻線２０ｂ
は整流ブリッジ２１の交流入力側と接続されている。整
流ブリッジ２１の正側の直流出力端子２１ａの電圧は制
御電源ＶＣＣとなっている。整流ブリッジ２１の負側の
直流出力端子２１ｂ は接地されている。制御用トラン
ス２０の２次巻線２０ｂ の一端は、ダイオードＤ１
のアノードと、他端はダイオードＤ２ のアノードと接
続されており、ダイオードＤ１ ，Ｄ２ のカソードは
共通に接続されて抵抗Ｒ１ の一端と接続されている。 抵抗Ｒ１ の他端はそれにカソードを接続しているツェ
ナーダイオードＺＤを介して、エミッタ接地しているト
ランジスタＱ１ のベースと接続されており、ツェナー
ダイオードＺＤのカソードは抵抗Ｒ２ を介して接地さ
れている。トランジスタＱ１ のコレクタは抵抗Ｒ３
を介してパルス幅変調（ＰＷＭ） 回路２２の入力側と
接続されており、この入力側は抵抗Ｒ８ を介して制御
電源ＶＣＣと接続され、また抵抗Ｒ７ とコンデンサＣ
１ との並列回路を介して接地されている。
次巻線２０ａと接続されており、その２次巻線２０ｂ
は整流ブリッジ２１の交流入力側と接続されている。整
流ブリッジ２１の正側の直流出力端子２１ａの電圧は制
御電源ＶＣＣとなっている。整流ブリッジ２１の負側の
直流出力端子２１ｂ は接地されている。制御用トラン
ス２０の２次巻線２０ｂ の一端は、ダイオードＤ１
のアノードと、他端はダイオードＤ２ のアノードと接
続されており、ダイオードＤ１ ，Ｄ２ のカソードは
共通に接続されて抵抗Ｒ１ の一端と接続されている。 抵抗Ｒ１ の他端はそれにカソードを接続しているツェ
ナーダイオードＺＤを介して、エミッタ接地しているト
ランジスタＱ１ のベースと接続されており、ツェナー
ダイオードＺＤのカソードは抵抗Ｒ２ を介して接地さ
れている。トランジスタＱ１ のコレクタは抵抗Ｒ３
を介してパルス幅変調（ＰＷＭ） 回路２２の入力側と
接続されており、この入力側は抵抗Ｒ８ を介して制御
電源ＶＣＣと接続され、また抵抗Ｒ７ とコンデンサＣ
１ との並列回路を介して接地されている。
【００１１】前記比較器ＣＰの負入力端子−は抵抗Ｒ５
を介して制御電源ＶＣＣと接続され、抵抗Ｒ６ を介
して接地されている。比較器ＣＰの出力端子は抵抗Ｒ４
を介してパルス幅変調回路２２の入力側と接続されて
いる。パルス幅変調回路２２の出力側は前記パワートラ
ンジスタ５を駆動するドライブ回路２３の入力側と接続
され、その出力側はパワートランジスタ５のベースと接
続されている。パルス幅変調回路２２は、その入力電圧
のレベルに応じてレベルが低い （高い） 場合は周波
数が高い （低い） パルスを発生して出力するように
なっている。ドライブ回路２３はパルス幅変調回路２２
から入力されたパルスを、パワートランジスタ５を駆動
し得る制御信号レベルに増幅するようになっている。
を介して制御電源ＶＣＣと接続され、抵抗Ｒ６ を介
して接地されている。比較器ＣＰの出力端子は抵抗Ｒ４
を介してパルス幅変調回路２２の入力側と接続されて
いる。パルス幅変調回路２２の出力側は前記パワートラ
ンジスタ５を駆動するドライブ回路２３の入力側と接続
され、その出力側はパワートランジスタ５のベースと接
続されている。パルス幅変調回路２２は、その入力電圧
のレベルに応じてレベルが低い （高い） 場合は周波
数が高い （低い） パルスを発生して出力するように
なっている。ドライブ回路２３はパルス幅変調回路２２
から入力されたパルスを、パワートランジスタ５を駆動
し得る制御信号レベルに増幅するようになっている。
【００１２】次にこのように構成した高周波加熱装置の
動作を詳述する。商用電源１の交流電圧が整流ブリッジ
２で整流され、整流された電圧はチョークコイル３を介
してインバータ回路ＩＮＶ に与えられる。ドライブ回
路２３からの制御信号によりパワートランジスタ５をス
イッチング動作させると、インバータ回路ＩＮＶ は所
定の動作周波数の高周波電圧を発生する。この高周波電
圧は昇圧トランス７の１次巻線７ａに入力される。それ
により昇圧トランス７の２次巻線７ｂ及びヒータ巻線７
ｃに電圧が誘起される。ヒータ巻線７ｃの電圧によりマ
グネトロン１１のヒータＨに電流が流れてマグネトロン
１１を加熱し始める。一方、２次巻線７ｂに誘起した電
圧は高圧ダイオード９，１０により倍電圧整流され、整
流された電圧がマグネトロン１１のアノードＡ、ヒータ
Ｈ間に印加される。ここでマグネトロン１１の加熱温度
が所定温度に達していない場合は、マグネトロン１１に
はアノード電流が流れず、したがって変流器ＣＴの出力
は極めて小さい。
動作を詳述する。商用電源１の交流電圧が整流ブリッジ
２で整流され、整流された電圧はチョークコイル３を介
してインバータ回路ＩＮＶ に与えられる。ドライブ回
路２３からの制御信号によりパワートランジスタ５をス
イッチング動作させると、インバータ回路ＩＮＶ は所
定の動作周波数の高周波電圧を発生する。この高周波電
圧は昇圧トランス７の１次巻線７ａに入力される。それ
により昇圧トランス７の２次巻線７ｂ及びヒータ巻線７
ｃに電圧が誘起される。ヒータ巻線７ｃの電圧によりマ
グネトロン１１のヒータＨに電流が流れてマグネトロン
１１を加熱し始める。一方、２次巻線７ｂに誘起した電
圧は高圧ダイオード９，１０により倍電圧整流され、整
流された電圧がマグネトロン１１のアノードＡ、ヒータ
Ｈ間に印加される。ここでマグネトロン１１の加熱温度
が所定温度に達していない場合は、マグネトロン１１に
はアノード電流が流れず、したがって変流器ＣＴの出力
は極めて小さい。
【００１３】その後、マグネトロン１１の加熱温度が所
定値に達するとマグネトロン１１が起動する。そうする
と、マグネトロン１１のアノードＡ、ヒータ間にはイン
バータ回路の動作周波数に応じたアノード電流が流れる
。そして変流器ＣＴの出力が大きくなる。このようにし
てマグネトロン１１が起動した後は、昇圧トランス７の
２次巻線７ｂの電圧を高くしてもマグネトロン１１には
過大な電圧が印加されず、それによりパワートランジス
タ５のスイッチング周期を変更してインバータ回路の動
作周波数を変えることにより、マグネトロン１１の加熱
出力を所定の加熱出力に制御し得て、マグネトロン１１
による加熱動作をすることになる。
定値に達するとマグネトロン１１が起動する。そうする
と、マグネトロン１１のアノードＡ、ヒータ間にはイン
バータ回路の動作周波数に応じたアノード電流が流れる
。そして変流器ＣＴの出力が大きくなる。このようにし
てマグネトロン１１が起動した後は、昇圧トランス７の
２次巻線７ｂの電圧を高くしてもマグネトロン１１には
過大な電圧が印加されず、それによりパワートランジス
タ５のスイッチング周期を変更してインバータ回路の動
作周波数を変えることにより、マグネトロン１１の加熱
出力を所定の加熱出力に制御し得て、マグネトロン１１
による加熱動作をすることになる。
【００１４】さて、前述したようにマグネトロン１１の
起動前， 後の整流ブリッジ２の入力電流を変流器ＣＴ
により検出しており、その検出出力に応じた電圧が抵抗
Ｒ１１の両端に生じ、比較器ＣＰの正入力端子＋に入力
される。比較器ＣＰの負入力端子−には制御電源ＶＣＣ
の電圧を抵抗Ｒ５ とＲ６ とで分圧した基準電圧が入
力されており、比較器ＣＰは両入力電圧を比較する。い
ま、マグネトロン１１が起動前で変流器ＣＴの出力が小
さい場合は、比較器ＣＰの出力電圧が低く、それにより
コンデンサＣ１ の充電電圧レベルが低くなる。その充
電電圧がパルス幅変調回路２２へ入力されて、パルス幅
変調回路２２はデューティが小さいパルス、即ち周波数
が高いパルスを発生し、それをドライブ回路２３へ入力
する。ドライブ回路２３はパワートランジスタ５を駆動
し得る信号レベルに増幅してパルストランジスタ５に与
えて、パワートランジスタ５をスイッチング制御する。 それによりインバータ回路ＩＮＶ の動作周波数が高く
なり、マグネトロン１１が起動していない場合には、マ
グネトロン１１に印加される過大な電圧を抑制してマグ
ネトロン１１を過電圧から保護する。
起動前， 後の整流ブリッジ２の入力電流を変流器ＣＴ
により検出しており、その検出出力に応じた電圧が抵抗
Ｒ１１の両端に生じ、比較器ＣＰの正入力端子＋に入力
される。比較器ＣＰの負入力端子−には制御電源ＶＣＣ
の電圧を抵抗Ｒ５ とＲ６ とで分圧した基準電圧が入
力されており、比較器ＣＰは両入力電圧を比較する。い
ま、マグネトロン１１が起動前で変流器ＣＴの出力が小
さい場合は、比較器ＣＰの出力電圧が低く、それにより
コンデンサＣ１ の充電電圧レベルが低くなる。その充
電電圧がパルス幅変調回路２２へ入力されて、パルス幅
変調回路２２はデューティが小さいパルス、即ち周波数
が高いパルスを発生し、それをドライブ回路２３へ入力
する。ドライブ回路２３はパワートランジスタ５を駆動
し得る信号レベルに増幅してパルストランジスタ５に与
えて、パワートランジスタ５をスイッチング制御する。 それによりインバータ回路ＩＮＶ の動作周波数が高く
なり、マグネトロン１１が起動していない場合には、マ
グネトロン１１に印加される過大な電圧を抑制してマグ
ネトロン１１を過電圧から保護する。
【００１５】その後、マグネトロン１１が起動すると前
述したようにインバータ回路ＩＮＶ の動作周波数に応
じて整流ブリッジ２の入力電流が増加し、変流器ＣＴの
出力が大きくなる。そうすると比較器ＣＰの出力電圧が
高くなり、コンデンサＣ１ の充電電圧レベルが高くな
って、パルス幅変調回路２２はデューティの大きい、即
ち周波数が低いパルスを発生し、そのパルスによりドラ
イブ回路２３を介してパワートランジスタ５がスイッチ
ング制御されて、インバータ回路の動作周波数が低くな
り、昇圧トランス７の２次巻線７ｂの電圧を高め得る状
態になり、マグネトロン１１のソフトスタートを解除す
ることになる。
述したようにインバータ回路ＩＮＶ の動作周波数に応
じて整流ブリッジ２の入力電流が増加し、変流器ＣＴの
出力が大きくなる。そうすると比較器ＣＰの出力電圧が
高くなり、コンデンサＣ１ の充電電圧レベルが高くな
って、パルス幅変調回路２２はデューティの大きい、即
ち周波数が低いパルスを発生し、そのパルスによりドラ
イブ回路２３を介してパワートランジスタ５がスイッチ
ング制御されて、インバータ回路の動作周波数が低くな
り、昇圧トランス７の２次巻線７ｂの電圧を高め得る状
態になり、マグネトロン１１のソフトスタートを解除す
ることになる。
【００１６】一方、商用電源１の交流電圧が制御用トラ
ンス２０に入力されて、その２次側電圧がダイオードＤ
１ ，Ｄ２ により全波整流される。この全波整流され
た電圧がツェナーダイオードＺＤのツェナー電圧以上に
なった場合、即ち交流電圧が変動して、ツェナー電圧で
定めた所定値以上になると、トランジスタＱ１ がオン
する。 そうするとコンデンサＣ１ の充電電圧がトランジスタ
Ｑ１ を介して放電されて、コンデンサＣ１ の充電電
圧レベルが低下し、比較器ＣＰの出力電圧が低下した場
合と同様にパルス幅変調回路２２は周波数が高いパルス
を発生し、それによってパワートランジスタ５がスイッ
チング制御されてインバータ回路の動作周波数が高くな
る。したがって、マグネトロン１１が起動するまでの期
間で、交流電圧が上昇した場合は、それに応じてマグネ
トロン１１に印加される電圧の上昇を抑制する。
ンス２０に入力されて、その２次側電圧がダイオードＤ
１ ，Ｄ２ により全波整流される。この全波整流され
た電圧がツェナーダイオードＺＤのツェナー電圧以上に
なった場合、即ち交流電圧が変動して、ツェナー電圧で
定めた所定値以上になると、トランジスタＱ１ がオン
する。 そうするとコンデンサＣ１ の充電電圧がトランジスタ
Ｑ１ を介して放電されて、コンデンサＣ１ の充電電
圧レベルが低下し、比較器ＣＰの出力電圧が低下した場
合と同様にパルス幅変調回路２２は周波数が高いパルス
を発生し、それによってパワートランジスタ５がスイッ
チング制御されてインバータ回路の動作周波数が高くな
る。したがって、マグネトロン１１が起動するまでの期
間で、交流電圧が上昇した場合は、それに応じてマグネ
トロン１１に印加される電圧の上昇を抑制する。
【００１７ 】またマグネトロン１１の起動後では、交
流電圧の上昇にともないマグネトロン１１の加熱出力の
増加を抑制することになる。そして、反対に交流電圧が
低下して、制御用トランス２０の２次側巻線の電圧がツ
ェナー電圧以下になった場合は、トランジスタＱ１ は
オフして、コンデンサＣ１ の充電電圧レベルを高い状
態に保つ。それにより、パルス幅変調回路２２は周波数
が高いパルスを発生せず、変流器ＣＴの出力に応じた周
波数のパルスを発生してインバータ回路ＩＮＶ の動作
周波数を制御することになる。
流電圧の上昇にともないマグネトロン１１の加熱出力の
増加を抑制することになる。そして、反対に交流電圧が
低下して、制御用トランス２０の２次側巻線の電圧がツ
ェナー電圧以下になった場合は、トランジスタＱ１ は
オフして、コンデンサＣ１ の充電電圧レベルを高い状
態に保つ。それにより、パルス幅変調回路２２は周波数
が高いパルスを発生せず、変流器ＣＴの出力に応じた周
波数のパルスを発生してインバータ回路ＩＮＶ の動作
周波数を制御することになる。
【００１８ 】したがって、マグネトロン１１が起動す
るまでの期間に、交流電圧が上昇しても、マグネトロン
１１のアノードＡ、ヒータＨ間に過大な電圧を印加され
ることがない。またマグネトロン１１の起動後に交流電
圧が上昇してもマグネトロン１１の加熱出力が増加する
ことがない。本実施例は、電子レンジに限定されるもの
ではなく、マグネトロンを用いた他の加熱装置にも広く
適用できることは勿論である。
るまでの期間に、交流電圧が上昇しても、マグネトロン
１１のアノードＡ、ヒータＨ間に過大な電圧を印加され
ることがない。またマグネトロン１１の起動後に交流電
圧が上昇してもマグネトロン１１の加熱出力が増加する
ことがない。本実施例は、電子レンジに限定されるもの
ではなく、マグネトロンを用いた他の加熱装置にも広く
適用できることは勿論である。
【００１９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、マ
グネトロンが起動するまでの期間に交流電圧が上昇して
もそれに応じてマグネトロンに過大な電圧が印加される
ことがない。またマグネトロンの起動後に交流電圧が上
昇しても、マグネトロンの加熱出力が増加することがな
い。したがって本発明は、高周波加熱装置の信頼性を大
幅に向上させることができる優れた効果を奏する。
グネトロンが起動するまでの期間に交流電圧が上昇して
もそれに応じてマグネトロンに過大な電圧が印加される
ことがない。またマグネトロンの起動後に交流電圧が上
昇しても、マグネトロンの加熱出力が増加することがな
い。したがって本発明は、高周波加熱装置の信頼性を大
幅に向上させることができる優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係る高周波加熱装置の要部ブロック図
である。
である。
１ 商用電源
３ チョークコイル５
パワートランジスタ６ 共
振コンデンサ７ 昇圧トランス １１ マグネトロン２０
制御用トランス２２ パ
ルス幅変調回路ＣＴ 変流器 Ｄ１ ，Ｄ２ ダイオード ＺＤ ツェナーダイオードＱ１
トランジスタ ＣＰ 比較器
パワートランジスタ６ 共
振コンデンサ７ 昇圧トランス １１ マグネトロン２０
制御用トランス２２ パ
ルス幅変調回路ＣＴ 変流器 Ｄ１ ，Ｄ２ ダイオード ＺＤ ツェナーダイオードＱ１
トランジスタ ＣＰ 比較器
Claims (1)
- 【請求項１】 交流電圧を整流した直流電圧を、動作
周波数が可変のインバータ回路により高周波電圧に変換
し、変換した高周波電圧によりマグネトロンを駆動する
高周波加熱装置において、前記交流電圧が所定値を超え
たことを検出する電圧検出部を備え、交流電圧が所定値
を超えたことを検出した場合に前記インバータ回路の動
作周波数を高める構成としてあることを特徴とする高周
波加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41039790A JPH04215287A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41039790A JPH04215287A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 高周波加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04215287A true JPH04215287A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=18519566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41039790A Pending JPH04215287A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04215287A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2365229B (en) * | 2000-07-27 | 2003-05-28 | Samsung Electronics Co Ltd | Microwave oven having a switching power supply |
| WO2006043512A1 (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 高周波加熱電源装置 |
| US8217323B2 (en) | 2004-04-07 | 2012-07-10 | Panasonic Corporation | High-frequency heating device |
-
1990
- 1990-12-12 JP JP41039790A patent/JPH04215287A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2365229B (en) * | 2000-07-27 | 2003-05-28 | Samsung Electronics Co Ltd | Microwave oven having a switching power supply |
| US8217323B2 (en) | 2004-04-07 | 2012-07-10 | Panasonic Corporation | High-frequency heating device |
| WO2006043512A1 (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 高周波加熱電源装置 |
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