JPH0420870A - Overcurrent detecting apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明は、過電流を検出する過電流検出装置に関する。[Detailed description of the invention] [Object of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to an overcurrent detection device that detects overcurrent.
（従来の技術）
近時、電動機等の電力機器の電源装置とじてインバータ
装置か多用され、また、Ｘ線診断装置のＸ線発生装置用
電源装置にもインバータ装置の採用か見られる。ここで
、インバータ装置は、サイリスタ素子、トランジスタ素
子、ＦＥＴ素子等からなる大電力スイッチング素子を構
成要素として、直流電源から交流電力を得るものである
。(Prior Art) Recently, inverters are often used as power supplies for power equipment such as electric motors, and inverters are also being used as power supplies for X-ray generators in X-ray diagnostic equipment. Here, the inverter device obtains alternating current power from a direct current power source using high power switching elements such as thyristor elements, transistor elements, FET elements, etc. as components.
そして、この種の電源装置には、その電力変換部に含ま
れる大電力スイッチング素子への過電流通電に伴う破壊
を防止するために過電流検出装置と同保護装置を設けて
いる。第７図は従来の過電流検出装置、同保護装置と電
源装置とを示す回路図である。第７図において、交流電
源である電源１、大電力スイッチング素子からなる電力
変換部２ Ｘ線管用高電圧発生装置等の負荷３とは相互
に主回路導体４により接続され、主回路５を構成してい
る。この主回路５には、ンヤント抵抗６か直列介挿され
、このシャント抵抗６の両端の電位差は、遮断信号発生
部７に入力され、ここで過電流通電であるか否かが判定
処理されて、過電流であると判定されると、主回路接点
駆動部８に信号が送られ、主回路接点駆動部８は、主回
路５に直列介挿された機械的接点である主回路接点９を
開路する。This type of power supply device is provided with an overcurrent detection device and a protection device in order to prevent damage caused by overcurrent to the high power switching element included in the power conversion section. FIG. 7 is a circuit diagram showing a conventional overcurrent detection device, its protection device, and a power supply device. In FIG. 7, a power supply 1 which is an AC power supply, a power conversion section 2 consisting of a high-power switching element, and a load 3 such as a high voltage generator for an X-ray tube are connected to each other by a main circuit conductor 4, forming a main circuit 5. are doing. A shunt resistor 6 is inserted in series in the main circuit 5, and the potential difference across the shunt resistor 6 is input to a cutoff signal generator 7, where it is determined whether or not an overcurrent is being applied. If it is determined that there is an overcurrent, a signal is sent to the main circuit contact drive unit 8, and the main circuit contact drive unit 8 drives the main circuit contact 9, which is a mechanical contact inserted in series with the main circuit 5. Open circuit.
ここで、シャント抵抗６及び遮断信号発生部７により過
電流検出装置を構成し、主回路接点駆動部８及び主回路
接点９により保護装置を構成し、他は電源装置等を構成
している。Here, the shunt resistor 6 and the cutoff signal generating section 7 constitute an overcurrent detection device, the main circuit contact drive section 8 and the main circuit contact 9 constitute a protection device, and the others constitute a power supply device and the like.
また、過電流検出装置としては、第７図のシャント抵抗
方式の他に、第８図に示すように、シャント抵抗６に代
えて、主回路導体４を１次導体とする変流器１０．この
変流器１０の出力を受けるセンサアンプユニット１１を
設け、他は第７図の構成と同じとしたセンサアンプ方式
のものもある。In addition to the shunt resistance method shown in FIG. 7, the overcurrent detection device may be a current transformer 10 using the main circuit conductor 4 as the primary conductor instead of the shunt resistance 6, as shown in FIG. There is also a sensor amplifier system in which a sensor amplifier unit 11 is provided to receive the output of the current transformer 10, and the other configuration is the same as that shown in FIG.
（発明が解決しようとする課題）
上述したシャント抵抗方式やセンサアンプ方式の従来の
過電流検出装置によると、次のような問題点がある。す
なわち、シャント抵抗方式の過電流検出装置では、抵抗
器自身の外形が大きく、また発熱による損失が大きい。(Problems to be Solved by the Invention) The conventional overcurrent detection devices using the shunt resistance method or the sensor amplifier method described above have the following problems. That is, in the shunt resistance type overcurrent detection device, the resistor itself has a large external shape, and the loss due to heat generation is large.
一方、変流器を用いたセンサアンプ方式の従来の過電流
検出装置では一般に応答時間が遅いものであり、該方式
のままで応答時間か早いものとするにはアンプ回路及び
変流器を高速動作型に変更するなどの工夫が必要であり
、コスト高のものとなってしまい、実用的でない等の問
題かあった。On the other hand, conventional overcurrent detection devices using a sensor amplifier method using a current transformer generally have a slow response time, and in order to achieve a fast response time with this method, the amplifier circuit and current transformer must be set at a high speed. It is necessary to take measures such as changing to a motion type, resulting in high cost and impractical problems.
そこで本発明の目的は、小型、低損失、高速応答、低コ
ストの過電流検出装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide an overcurrent detection device that is small in size, has low loss, has high speed response, and is low in cost.
［発明の構成］
（課題を解決する手段）
本発明は上記課題を解決し且つ目的を達成するために次
のような手段を講じた構成としている。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention has a structure in which the following means are taken to solve the above problems and achieve the objects.
すなわち、本発明は、過電流検出すべき回路の一端にそ
のドレイン側端子が接続され且つそのソース側端子が前
記過電流検出すべき回路の他端に接続されてなるＦＥＴ
素子を含む検出手段と、この検出手段の前記ドレイン側
端子と前記ソース側端子との間の電位差が所定レベルを
超えたことをもって前記過電流検出すべき回路に流れて
いる電流が過電流であることを判定する判定手段とから
なることを特徴とする。That is, the present invention provides an FET whose drain side terminal is connected to one end of the circuit whose overcurrent is to be detected, and whose source side terminal is connected to the other end of the circuit whose overcurrent is to be detected.
The current flowing through the circuit to be detected as an overcurrent is determined to be an overcurrent when a potential difference between a detecting means including an element and the drain side terminal and the source side terminal of this detecting means exceeds a predetermined level. and a determination means for determining that.
（作用）
このような構成によれば、ＦＥＴ素子を含む検出手段は
、過電流通電によりドレイン側端子とソース側端子との
間の電位差が急激に上昇するので、この上昇現象をもっ
て過電流通電の検出が可能であり、小型デバイスであり
、ＦＥＴ素子自身が低損失であり、高速応答でもあり、
汎用部品であることから低コストである。(Function) According to such a configuration, since the potential difference between the drain side terminal and the source side terminal increases rapidly due to overcurrent energization, the detection means including the FET element uses this rising phenomenon to detect the overcurrent energization. It is possible to detect, is a small device, the FET element itself has low loss, and has high-speed response.
Since it is a general-purpose part, it is low cost.
（実施例）
以下本発明にかかる過電流検出装置の一実施例を第７図
、第８図と同一部分には同一符号を付した第１図、第２
図及び第３図を参照して説明する。(Embodiment) An embodiment of the overcurrent detection device according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2, in which the same parts as in FIGS.
This will be explained with reference to the figures and FIG.
すなわち、本実施例は、主回路導体４に、第２図に示す
ＦＥＴ素子又はＩ ＧＢＴ素子からなる検出素子２０の
ドレイン端子り、ソース端子Ｓを直列接続し、ゲート端
子Ｇを直流電源である可変電圧バイアス電源２１に接続
し、また、ドレイン端子りとソース端子Ｓとの間の電位
差（検出素子２０のドレイン／ソース間電圧）Ｖｏｓを
検出信号として遮断信号発生部７に与える構成としてい
る。That is, in this embodiment, the main circuit conductor 4 is connected in series with the drain terminal and source terminal S of a detection element 20 consisting of an FET element or an IGBT element shown in FIG. 2, and the gate terminal G is a DC power source. It is connected to a variable voltage bias power supply 21, and is configured to apply the potential difference Vos between the drain terminal and the source terminal S (drain/source voltage of the detection element 20) to the cutoff signal generation section 7 as a detection signal.
ここで、ケート端子Ｇに印加される電位を可変電圧バイ
アス電源２１により調整することにより、過電流検出レ
ベルは調整され得るものとなっている。Here, by adjusting the potential applied to the gate terminal G using the variable voltage bias power supply 21, the overcurrent detection level can be adjusted.
上記において、電源１は交流電源を整流した直流電源、
又はバッテリ等の直流電源である。また、電力変換部２
は交流の電力を得るインバータ装置等であって、サイリ
スタ素子やトランジスタ素子、又はＦＥＴ素子、又はＭ
Ｏ５ＦＥＴ素子の高入力インピーダンス特性・高速性と
バイポーラダーリントントランジスタ素子の高電流密度
特性とを兼ね備えたＩ Ｇ Ｂ Ｔ （Ｉｎ５ｕｌａｔ
ｅｄ Ｇａｔｅ ＢｉｐｏｌａＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）
素子等からなる大電力スイッチング素子を構成要素とし
たものであり、本実施例の主たる保護対象である。さら
に、負荷３はＸ線管用高電圧発生装置及び電動機等であ
る。遮断信号発生部７は、パルス的な過電流検出信号或
いは一過性信号を入力した場合であっても出信号は連続
的信号となるような信号保持機能を有したものである。In the above, the power source 1 is a DC power source obtained by rectifying an AC power source,
Or a DC power source such as a battery. In addition, the power conversion unit 2
is an inverter device etc. that obtains AC power, and includes a thyristor element, a transistor element, a FET element, or an M
IGBT (In5ulat
ed Gate Bipola Transistor)
The main protection object of this embodiment is a high-power switching element consisting of an element, etc., as a component. Furthermore, the load 3 is a high voltage generator for an X-ray tube, an electric motor, and the like. The cutoff signal generating section 7 has a signal holding function so that the output signal becomes a continuous signal even when a pulsed overcurrent detection signal or a transient signal is input.
次に上記の如く構成された本実施例の作用を説明する。Next, the operation of this embodiment configured as described above will be explained.
すなわち、第３図（ａ）（ｂ）は、ＶＧＳ（検出素子２
０のゲート／ソース間電圧）と、Ｖｏｓ（検出素子２０
のドレイン／ソース間電圧）と、ＲＯＮ（検出素子２０
の順方向抵抗）と、ＩＤ（主回路電流、つまり検出素子
２０の直流通電電流）との関係を示す特性図である。That is, FIGS. 3(a) and 3(b) show that VGS (detection element 2
0 gate/source voltage) and Vos (detection element 20
(drain/source voltage) and RON (sensing element 20
FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the forward resistance of the sensor (forward direction resistance) and the ID (main circuit current, that is, the DC current of the detection element 20).
すなわち、第３図（ａ）に示すように、Ｖ（，５を一定
としておくと、ＶＤＳのある値以上の領域“イ゛ではＩ
Ｄは飽和してしまい、一定値となる。このことは、Ｒｏ
Ｎ及びＶＯＳに着目すると、ＲＯＮｆｉＶ ＤＳ／ Ｉ
ｒ、となる。つまり、第３図（ｂ）に示すように、Ｖ
ＤＳのある値の領域“イ”では、ＶＤＳによらずＩＤが
一定の領域でＲＯＮはＶＤＳに比例することになる。That is, as shown in FIG. 3(a), if V(,5 is kept constant), in the region "I" where VDS is above a certain value, I
D becomes saturated and becomes a constant value. This means that Ro
Focusing on N and VOS, RONfiV DS/I
r. In other words, as shown in FIG. 3(b), V
In the region "A" where the DS has a certain value, the ID is constant regardless of the VDS, and the RON is proportional to the VDS.
以上の基本特性において、例えば負荷短絡等の原因でＩ
Ｄが増加し始めると、ＶＤｓが小さい領域口″ではＶＤ
Ｓはそれ程上昇しないが、領域“イ”に入った途端に急
激に上昇する。ＩＤが一定ならば、ＩＤに対するＶＤＳ
の変化率ΔＶ ｏｓ／ΔＩＤは無限大となる（ΔＶ Ｄ
Ｓ／ΔＩｎ−”）。つまり、ＩＤの飽和領域では、ＶＤ
Ｓは瞬時（時間零）で最大値に達する。過電流信号とし
てこのＶＤＳを利用することにより、高速過電流検出が
可能であることを示している。In the above basic characteristics, for example, due to load short circuit, I
When D starts to increase, in the region where VDs is small, VD
Although S does not rise that much, it rises rapidly as soon as it enters the region "A". If ID is constant, VDS for ID
The rate of change ΔV os/ΔID becomes infinite (ΔV D
S/ΔIn-”).In other words, in the ID saturation region, VD
S reaches its maximum value instantaneously (time zero). This shows that high-speed overcurrent detection is possible by using this VDS as an overcurrent signal.
すなわち、ＶＤｓである過電流検出信号は遮断信号発生
部７に入力される。遮断信号発生部７は、過電流検出信
号が予め設定した閾値電圧を超えたときに遮断信号を発
生し、主回路接点駆動部８に与える。主回路接点駆動部
８は主回路接点９を開路し、主回路５の過電流を遮断し
て、主回路導体４につらなる電力変換部２や負荷３を過
電流から保護することになる。That is, the overcurrent detection signal, which is VDs, is input to the cutoff signal generation section 7. The cutoff signal generating section 7 generates a cutoff signal when the overcurrent detection signal exceeds a preset threshold voltage, and supplies the generated cutoff signal to the main circuit contact drive section 8 . The main circuit contact drive section 8 opens the main circuit contact 9 to cut off the overcurrent in the main circuit 5, thereby protecting the power conversion section 2 and the load 3 connected to the main circuit conductor 4 from the overcurrent.
なお、上記の例では、電力変換部２と主回路接点部９と
検出素子２０とは全て別個であるとしているが、電力変
換部２と主回路接点部９とを兼用して構成してもよい。Note that in the above example, the power conversion section 2, main circuit contact section 9, and detection element 20 are all separate; however, the power conversion section 2 and the main circuit contact section 9 may also be configured. good.
この場合、電力変換部２はＦＥＴ素子又はＩ ＧＢＴ素
子とし、また、電力変換部２の素子のターンオンが主回
路接点部９の閉路に相当し、ターンオフが主回路接点部
９の開路に相当している。In this case, the power converter 2 is an FET element or an IGBT element, and turn-on of the element of the power converter 2 corresponds to closing of the main circuit contact part 9, and turn-off corresponds to opening of the main circuit contact part 9. ing.
また、電力変換部２と主回路接点部９と検出素子２０と
を全て兼用するようにしても良い。この場合、兼用素子
のＶＤＳを遮断信号発生部７に入力し、主回路接点駆動
部８は点弧回路にて構成し、当該兼用素子をターンオン
又はターンオフするものとし、しかも、通常時は当該兼
用素子をスイッチング動作させてインバータ運転するも
のとする。Further, the power conversion section 2, the main circuit contact section 9, and the detection element 20 may all be used in common. In this case, the VDS of the dual-purpose element is input to the cut-off signal generation section 7, and the main circuit contact drive section 8 is constituted by an ignition circuit to turn on or turn off the dual-purpose element. It is assumed that the inverter is operated by switching the elements.
以上により、本実施例のＦＥＴ方式過電流検出装置によ
れば、ＦＥＴにおけるＩ。、ＶＤｓ特性に基づいて高速
にて過電流検出が行えるものとなる。As described above, according to the FET type overcurrent detection device of this embodiment, I in the FET. , overcurrent detection can be performed at high speed based on the VDs characteristics.
次に、本実施例のＦＥＴ方式過電流検出装置が、シャン
ト抵抗方式のものよりも低損失である理由を説明する。Next, the reason why the FET type overcurrent detection device of this embodiment has lower loss than the shunt resistance type one will be explained.
すなわち、電気回路の損失Ｗは、Ｗ−Ｉ２ＸＲ（Ｉは電
流、Ｒは抵抗）である。ここで、シャント抵抗方式では
Ｒが一定で１が増大するのに対して本実施例のＦＥＴ方
式は、Ｒが増大し、■はある一定値で止まる。従って、
２乗項であるＩが増大し続けるシャント抵抗方式に比べ
、１乗項であるＲが増大し続ける本実施例のＦＥＴ方式
の方か、本質的に損失は少ないのである。That is, the loss W of the electric circuit is W-I2XR (I is current, R is resistance). Here, in the shunt resistance method, R is constant and 1 increases, whereas in the FET method of this embodiment, R increases and ■ remains at a certain constant value. Therefore,
Compared to the shunt resistance method in which the square term I continues to increase, the FET method of this embodiment in which the first power term R continues to increase has essentially less loss.
これを第４図を参照して説明する。第４図は、第３図（
ｂ）に、シャント方式の場合のＩＤとＲ−ＩＤとを書き
加えて、書直したものである。This will be explained with reference to FIG. Figure 4 is similar to Figure 3 (
This is a rewrite of b) by adding the ID and R-ID for the shunt method.
第４図より明らかなように、過電流信号としての出力電
圧Ｅに対応するＦＥＴ電流はＩ、で、シャント電流はＩ
、となり、Ｉ、＜１５であり、Ｅ−１，＜Ｅ−Ｉｓであ
る。なお、シャント抵抗Ｒは、ＦＥＴ能動領域の順方向
抵抗ｒｐ （ｒｐ−Ｅｐ／Ｉｐ）と仮定する。As is clear from Fig. 4, the FET current corresponding to the output voltage E as an overcurrent signal is I, and the shunt current is I.
, and I<15, and E-1,<E-Is. Note that the shunt resistance R is assumed to be the forward resistance rp (rp-Ep/Ip) of the FET active region.
次に、定電流クランプ特性による回路過電流制限と保護
能力及びＦＥＴベア素子の有用性について説明する。す
なわち、従来例であるシャント抵抗方式及びセンサアン
プ方式にあっては、本質的に、電流クランプ特性は有し
ていない。これに対して、第３図（ａ）に示す特性は明
らかに電流クランプ特性を示しているものである。この
場合、検出素子２０を構成するＦＥＴ素子等は、素子毎
に決められている安全動作領域内での電流値と電圧値と
時間であれば、当該素子は過電流を検出しつつ、且つ自
身で回路の保護動作をすることができる。Next, the circuit overcurrent limiting and protection ability based on constant current clamp characteristics and the usefulness of FET bare elements will be explained. That is, the conventional shunt resistance method and sensor amplifier method essentially do not have current clamping characteristics. In contrast, the characteristics shown in FIG. 3(a) clearly indicate current clamp characteristics. In this case, the FET elements, etc. constituting the detection element 20 can detect overcurrent while detecting overcurrent if the current value, voltage value, and time are within the safe operation area determined for each element. The circuit can be protected.
殊に、電力用ＦＥＴ素子モジュールは、その内部に独立
して２個のＦＥＴ素子を内蔵する構造を持つものが多く
（ブリッジ又はハーフブリッジ回路を容易に構成でき
る。）、そして、このようなモジュールにあっては内部
の１素子を保護素子又は負荷保護素子として用い、他の
素子を検出素子として用いることができ、これにより、
次のような利点が得られるものとなる。In particular, many power FET element modules have a structure in which two FET elements are built in independently (a bridge or half-bridge circuit can be easily constructed), and such modules In this case, one internal element can be used as a protection element or a load protection element, and another element can be used as a detection element.
The following advantages will be obtained.
■ センサ内蔵であるため、組立て及び配置が容易であ
り、設置スペースも小さくて良く、実装上有利である。- Since the sensor is built-in, it is easy to assemble and arrange, and the installation space is small, which is advantageous in terms of implementation.
■ 保護協調が完全であるため、信頼性の高い回路を提
供できる。■ Since protection coordination is perfect, highly reliable circuits can be provided.
■ モジュールとして内部素子の有効利用が図られるこ
とになる。■ Effective use of internal elements will be achieved as a module.
■ 電流クランプ制御動作が高速であり、有利である。■ Current clamp control operation is fast and advantageous.
これらの利点のうちで■と■とは、モジール構造による
一体化素子でなくとも、同一定格素子を２ケ使用すれば
実現可能である。Among these advantages, (1) and (2) can be realized by using two elements with the same rating, without using an integrated element with a modular structure.
第５図は保護素子又は負荷制御素子に、ＦＥＴ素子を使
用した場合における過電流時におけるゲート電圧の関係
を示している。ここで、ＩＤｗ−１７時にＶ ＧＳ２
＝ Ｖ ＧＳＩ となって、Ｉ、はＩ、でクランプされ
る。FIG. 5 shows the relationship between the gate voltage at the time of overcurrent when an FET element is used as a protection element or a load control element. Here, V GS2 at IDw-17
= V GSI, and I is clamped at I.
次に、交流回路への適用例を第６図を参照して説明する
。すなわち、電力型ＦＥＴ素子にあっては、通常、ドレ
イン、ソース間のダイオードが逆並列接続されている（
第２図参照）。このダイオードＤの順方向電流（アノー
ド−カソード）は、ＦＥＴ素子のＩＤと同一値に設定さ
れている。従って、交流回路の過電流検出にはＦＥＴ素
子を２ヶ直列且つ逆向きに接続しく２ＯＡ、２０Ｂ）、
正電流と負電流それぞれについて過電流検出を行つＯ
なお、単に、過電流を検出するたけならば、正又は負の
どちらか一方の検出でも良いが、半導体を保護する、つ
まり電力変換部２を保護する目的の高速動作においては
、一方の検出では不十分である場合も有り得るので、両
方検出であるほうが望ましい。なお、一方のみの過電流
検出ならば、逆並列ダイオード付きのＦＥＴ素子１ケで
充分である。Next, an example of application to an AC circuit will be explained with reference to FIG. In other words, in a power type FET element, the diodes between the drain and source are usually connected in antiparallel (
(See Figure 2). The forward current (anode-cathode) of this diode D is set to the same value as the ID of the FET element. Therefore, to detect overcurrent in an AC circuit, two FET elements should be connected in series and in opposite directions (2OA, 20B).
Overcurrent detection is performed for both positive current and negative current. Note that if you simply want to detect overcurrent, you can detect either positive or negative current, but if you want to protect the semiconductor, that is, the power converter 2 In high-speed operation for the purpose of protection, detection of either one may be insufficient, so it is desirable to detect both. Note that if only one side of the overcurrent is to be detected, one FET element with an anti-parallel diode is sufficient.
また、ＦＥＴ素子を並列接続することにより、Ｉｐを所
望、殊に大電流に適用することかできる。Furthermore, by connecting FET elements in parallel, Ip can be applied to a desired, especially large current.
この他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施できるものである。In addition, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
［発明の効果コ
以上のように本発明においては、過電流検出すべき回路
の一端にそのドレイン側端子か接続され且つそのソース
側端子か前記過電流検出すべき回路の他端に接続されて
なるＦＥＴ素子を含む検出手段と、この検出手段の前記
ドレイン側端子と前記ソース側端子との間の電位差が所
定レベルを超えたことをもって前記過電流検出すべき回
路に流れている電流が過電流であることを判定する判定
手段とからなることを特徴とし、ＦＥＴ素子を含む検出
手段は、過電流通電によりドレイン側端子とソース側端
子との間の電位差か急激に上昇するので、この上昇現象
をもって過電流通電の検出か可能であり、小型デバイス
であり、ＦＥＴ素子自身か低損失であり、高速応答でも
あり、汎用部品であることから低コストである。[Effects of the Invention] As described above, in the present invention, the drain side terminal is connected to one end of the circuit to be detected for overcurrent, and the source side terminal is connected to the other end of the circuit to be detected for overcurrent. When the potential difference between the detection means including a FET element and the drain side terminal and the source side terminal of this detection means exceeds a predetermined level, the current flowing through the circuit to be detected is overcurrent. The detection means including the FET element detects this rising phenomenon because the potential difference between the drain side terminal and the source side terminal increases rapidly due to overcurrent application. It is possible to detect overcurrent energization with the FET element, it is a small device, the FET element itself has low loss, it has high-speed response, and it is a general-purpose component, so it is low cost.
よって本発明によれば、小型、低損失、高速応答 低コ
ストの過電流検出装置を提供できるものである。Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a small-sized, low-loss, high-speed response, and low-cost overcurrent detection device.
第１図は本発明にかかる過電流検出装置の一実施例を保
護対象か含まれる主回路との関係で示す回路図、第２図
は第１図における検出素子たるＦＥＴ素子の詳細図、第
３図はＦＥＴ素子における特性図、第４図は本実施例の
ＦＥＴ方式と従来例であるシャント抵抗方式とを比較す
る特性図、第５図は本発明の他の実施例として検出素子
と主回路接点と電力変換部との一部を相互兼用した場合
の主回路図、第６図は本発明を交流回路に適用した実施
例を示す回路図、第７図及び第８図は従来例を示す回路
図である。
１・・・電源、２−・・電力変換部、３・・・負荷、４
・・・主回路導体、５・・・主回路、７・・・遮断信号
発生部、８・・・主回路接点駆動部、９・・主回路接点
、２０・・・ＦＥＴ素子又はＩＧＢＴ素子からなる検出
素子。Fig. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the overcurrent detection device according to the present invention in relation to the main circuit to be protected and the included main circuit; Fig. 3 is a characteristic diagram of the FET element, Fig. 4 is a characteristic diagram comparing the FET method of this embodiment and the conventional shunt resistance method, and Fig. 5 is a characteristic diagram of the detection element and main body as another embodiment of the present invention. The main circuit diagram when a part of the circuit contact and the power conversion section are mutually used, FIG. 6 is a circuit diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to an AC circuit, and FIGS. 7 and 8 are a circuit diagram showing a conventional example. FIG. 1...Power supply, 2-...Power conversion unit, 3...Load, 4
... Main circuit conductor, 5... Main circuit, 7... Cutoff signal generation section, 8... Main circuit contact drive section, 9... Main circuit contact, 20... From FET element or IGBT element detection element.
Claims (1)
接続され且つそのソース側端子が前記過電流検出すべき
回路の他端に接続されてなるＦＥＴ素子を含む検出手段
と、この検出手段の前記ドレイン側端子と前記ソース側
端子との間の電位差が所定レベルを超えたことをもって
前記過電流検出すべき回路に流れている電流が過電流で
あることを判定する判定手段とからなることを特徴とす
る過電流検出装置。detection means including an FET element whose drain side terminal is connected to one end of the circuit to be detected for overcurrent and whose source side terminal is connected to the other end of the circuit to be detected for overcurrent; It is characterized by comprising determining means for determining that the current flowing through the circuit to be detected for overcurrent is an overcurrent when the potential difference between the drain side terminal and the source side terminal exceeds a predetermined level. Overcurrent detection device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12420090A JPH0420870A (en) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | Overcurrent detecting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12420090A JPH0420870A (en) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | Overcurrent detecting apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0420870A true JPH0420870A (en) | 1992-01-24 |
Family
ID=14879466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12420090A Pending JPH0420870A (en) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | Overcurrent detecting apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0420870A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007187667A (en) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Infineon Technologies Ag | Current/temperature measuring method and device in electronic power circuit |
| JP2008298467A (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Imv Corp | Board inspecting device |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12420090A patent/JPH0420870A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007187667A (en) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Infineon Technologies Ag | Current/temperature measuring method and device in electronic power circuit |
| JP2008298467A (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Imv Corp | Board inspecting device |
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