JPH04204226A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH04204226A JPH04204226A JP33780990A JP33780990A JPH04204226A JP H04204226 A JPH04204226 A JP H04204226A JP 33780990 A JP33780990 A JP 33780990A JP 33780990 A JP33780990 A JP 33780990A JP H04204226 A JPH04204226 A JP H04204226A
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- pressure sensor
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- diaphragm
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、半導体圧力センサに関し、とくに非常に微
小な圧力を検出するのに好適な半導体圧カセ〉すに関す
る。
小な圧力を検出するのに好適な半導体圧カセ〉すに関す
る。
半導体圧力センサはシリコンのピエゾ抵抗効果を利用し
たもので、自動車、家電等の分野でさまざまな圧力を検
出するのに使用されている。この半導体圧力センサを用
いて非常に微小な圧力を測定しようとする場合、ダイア
フラム部を薄く形成して小さな圧力によってもこのダイ
アフラム部が変形するよう構成している9また、単に薄
くするたけてはダイアフラム部の変形を抵抗ケージの部
分に集中させることができないため、ダイアフラム部の
中央を厚肉部(ボス部)としてそのボス部では変形しな
いようにし、抵抗ゲージの部分で大きな歪が生じるよう
にする。
たもので、自動車、家電等の分野でさまざまな圧力を検
出するのに使用されている。この半導体圧力センサを用
いて非常に微小な圧力を測定しようとする場合、ダイア
フラム部を薄く形成して小さな圧力によってもこのダイ
アフラム部が変形するよう構成している9また、単に薄
くするたけてはダイアフラム部の変形を抵抗ケージの部
分に集中させることができないため、ダイアフラム部の
中央を厚肉部(ボス部)としてそのボス部では変形しな
いようにし、抵抗ゲージの部分で大きな歪が生じるよう
にする。
しかしながら、このように薄いダイアフラム部にボス部
を設けた半導体圧力センサでは、振動などのわずかな加
速度が加わっても誤出力を生じるという問題がある。す
なわち、わずがな加速度でも、質量のあるボス部が移動
することになり、その結果、ダイアフラム部の変形をも
たらし、圧力によってダイアフラム部が変形したときと
同じ出力か生じてしまうからである。 この発明は上記に鑑み、加速度が加わっても誤出力を生
じることがないように改善した、半導体圧力センサを提
供することを目的とする。
を設けた半導体圧力センサでは、振動などのわずかな加
速度が加わっても誤出力を生じるという問題がある。す
なわち、わずがな加速度でも、質量のあるボス部が移動
することになり、その結果、ダイアフラム部の変形をも
たらし、圧力によってダイアフラム部が変形したときと
同じ出力か生じてしまうからである。 この発明は上記に鑑み、加速度が加わっても誤出力を生
じることがないように改善した、半導体圧力センサを提
供することを目的とする。
上記J1的を達成するため、この発明による半導体圧力
センサにおいては、一つのシリコン基板に設けられた、
それらの間の圧力差を測定する2つの圧力がその両面に
加えられている第1のダイアフラム部と、該第1のダイ
アフラム部の中央部に設けられた第1の厚肉部と、該第
1のダイアフラム部の周辺部に設けられた第1の拡散抵
抗ゲージと、上記のシリコン基板に設けられた、その両
面に同一の圧力か加えられる、上記第1のダイアプラム
部に対応する第2のダイアフラム部と、該第2のダイア
フラム部の中央部に設けられた、上記第1の厚肉部に対
応する第2の厚肉部と、該第2のダイアフラム部の周辺
部に設けられた第2の拡散抵抗ゲージとが備えられてい
る。
センサにおいては、一つのシリコン基板に設けられた、
それらの間の圧力差を測定する2つの圧力がその両面に
加えられている第1のダイアフラム部と、該第1のダイ
アフラム部の中央部に設けられた第1の厚肉部と、該第
1のダイアフラム部の周辺部に設けられた第1の拡散抵
抗ゲージと、上記のシリコン基板に設けられた、その両
面に同一の圧力か加えられる、上記第1のダイアプラム
部に対応する第2のダイアフラム部と、該第2のダイア
フラム部の中央部に設けられた、上記第1の厚肉部に対
応する第2の厚肉部と、該第2のダイアフラム部の周辺
部に設けられた第2の拡散抵抗ゲージとが備えられてい
る。
第1のダイアフラム部、厚肉部、拡散抵抗ゲージにより
第1の圧力センサ素子構造が形成される。 また、第2のダイアフラム部、厚肉部、拡散抵抗ゲージ
によって、第2の圧力センサ素子構造が形成される。 ところが、第1のダイアフラム部の両面には、圧力差を
測定りようとする2つの圧力がそれぞれ加えられていて
、この圧力センサ素子は圧力センサ素子として機能する
ようにされているが、第2のダイアフラム部の両面には
同じ圧力が加えられているから、この第2の圧力センサ
素子構造では圧力によってダイアフラム部が変形すると
いうことはなく、圧力センサ素子としては働かないこと
になる。 この第2のダイアフラム部は、第2の厚肉部が動いたと
き、つまり加速度がこ、の厚肉部の質量に作用してこの
第2の厚肉部が動いたときのみ、変形する。したがって
、この第2の圧力センサ素子構造は加速度センサ素子と
して働くことになる。 一方、第1の圧力センサ素子構造も厚肉部を有し、第1
、第2の圧力センサ素子構造は同一のシリコン基板に設
けられているため、加速度が加われは第2の厚肉部のみ
ならず第1の厚肉部も同じに動いて第1のダイアフラム
部の変形を引き起こし、この第1の圧力センサ素子構造
から圧力差が生じたときと同じ出力を生じることになる
。 第1、第2のダイアフラム部は対応しており、また、第
1、第2の厚肉部も対応している。そのため、加速度は
両厚肉部に同じに加わって、加速度が加わったときの出
力は両正カセンサ素子構造で同じに生じる。したかって
、これら両川力を減算するようにすれば、第1、第2の
圧力センサ素子構造から同じに生しる加速度による出力
を相殺することができる。これに対して、圧力差は第1
のダイアフラム部にしか与えられないので、第1の圧力
センサ素子構造から生じる圧力差に応じた出力は、両川
力の減算によってはなんら影響を受けない。
第1の圧力センサ素子構造が形成される。 また、第2のダイアフラム部、厚肉部、拡散抵抗ゲージ
によって、第2の圧力センサ素子構造が形成される。 ところが、第1のダイアフラム部の両面には、圧力差を
測定りようとする2つの圧力がそれぞれ加えられていて
、この圧力センサ素子は圧力センサ素子として機能する
ようにされているが、第2のダイアフラム部の両面には
同じ圧力が加えられているから、この第2の圧力センサ
素子構造では圧力によってダイアフラム部が変形すると
いうことはなく、圧力センサ素子としては働かないこと
になる。 この第2のダイアフラム部は、第2の厚肉部が動いたと
き、つまり加速度がこ、の厚肉部の質量に作用してこの
第2の厚肉部が動いたときのみ、変形する。したがって
、この第2の圧力センサ素子構造は加速度センサ素子と
して働くことになる。 一方、第1の圧力センサ素子構造も厚肉部を有し、第1
、第2の圧力センサ素子構造は同一のシリコン基板に設
けられているため、加速度が加われは第2の厚肉部のみ
ならず第1の厚肉部も同じに動いて第1のダイアフラム
部の変形を引き起こし、この第1の圧力センサ素子構造
から圧力差が生じたときと同じ出力を生じることになる
。 第1、第2のダイアフラム部は対応しており、また、第
1、第2の厚肉部も対応している。そのため、加速度は
両厚肉部に同じに加わって、加速度が加わったときの出
力は両正カセンサ素子構造で同じに生じる。したかって
、これら両川力を減算するようにすれば、第1、第2の
圧力センサ素子構造から同じに生しる加速度による出力
を相殺することができる。これに対して、圧力差は第1
のダイアフラム部にしか与えられないので、第1の圧力
センサ素子構造から生じる圧力差に応じた出力は、両川
力の減算によってはなんら影響を受けない。
以下、この発明の一実施例について図7面を参照しなか
ら詳細に説明する。この発明の一実施例にかかる半導体
圧力センサは第1図にその断面を示す通りであって、シ
リコン基板1と台座3との組立体を、上下に開口41.
42を有するハウジング4中に納めてなる。シリコン基
板1には2つの対応する圧カセンサ素子横遣5.6が形
成されており、それらのダイアフラム部21.22の中
央部か厚内のボス部23.24となっている。ボス部2
3.24はダイアフラム部21.22の変形を、後述の
ように抵抗ゲージとなる拡散層13が形成されている薄
い部分に集中させるためであり、またダイアフラム部2
1.22が過大に変形して破壊に至るのを防止する保護
機能も持つ。 台座3には凹部31.32と圧力導入孔33.34とか
形成されている。凹部31.32は数μ―の深さに形成
されており、ボス部23.24が上下に動くことを許容
するとともに、過大に動いたときに二のボス部23.2
4が凹部31.32の部分で台座3に突き当るようにな
っている。こうして、台座3はなんらかの理由(たとえ
ば過大圧力や大きな加速度)でダイアフラム部21.2
2か大きく動いて破壊されることを防止するストッパと
しても機能する。 ハウジング4の上下の開口41.42に加わる圧力はそ
れぞれ、一方の圧力センサ素子構造5のダイアフラム部
21の画面に加えられ、それらの圧力差に応じて3つの
ダイアフラム部21が変形するよう構成される。すなわ
ち、ダイアフラム部21の上に設けられた拡散層13(
後述)の抵抗値か変化することによってその圧力差が検
出される。これに対して、他方の圧カセンサ素子m遣6
のダイアファム部22には開口41側の圧力がダイアフ
ラム部22の両面に加わるようにされている。そのため
、一方の圧力センサ素子構造5は文字どうり圧力センサ
素子として機能するが、他方の圧力センサ素子構造6で
は加速度でボス部24が移動した場合にだけダイアフラ
ム部22が変形オることになり、加速度を検出する加速
度センサとして機能する。すなわち、圧力センサ素子構
造6ではダイアフラム部22の上に設けられた拡散層1
3(後述)の抵抗値が変化することによってそれに加わ
った加速度が検出される。 そして、2つの圧力センサ素子構造5.6のサイズ等は
まったく同じものに形成されているため、このシリコン
基板1(あるいはハウジング4)の全体に加速度が加わ
ったとき、その加速度はボス部23.24に同じに作用
し、ダイアフラム部21.22を同じだけ変形させ、そ
の結果、加速度によっては同じ圧力を生じる。そのため
、これらの出力を減算するよう構成しておけば、加速度
による出力は相殺されてしまい、圧カセンサ素子横遣5
から生しる圧力差に応じた出力のみを取り出すことがで
きる。そのため、微小な圧力差でもダイアフラム部21
か変形するようにダイアフラム部21を薄くした場合、
加速度でもこのダイアフラム部21が変形し易くなって
誤出力を生じるようになるが、他方のダイアフラム部2
2を同じに薄くすることで、他方の圧力センサ素子構造
6から加速度に対応した出力のみを取り出して、その誤
出力をキャンセルし、小さな圧力差に対応した出力のみ
を得ることが可能となる。 つきに、このような構造の半導体圧力センサを製造工程
をも含めて詳しく説明する。まず、表面の結晶方位が(
’100)となっているn型シリコン基板1を酸化して
第2図に示すようにその表裏両面に酸化シリコン膜11
を形成する。つぎにフォトリソグラフィにより第3図の
ように表面側の酸化シリコン膜11に窓12を設ける。 これらの窓12は拡散用の窓で、これらの窓12を通し
てボロンなどを拡散することにより、第4図に示すよう
に拡散層(2層)13を形成する。この拡散層13は抵
抗ゲージとなるものである。 つぎに、酸化シリコンWA11を除去した後、再び酸化
して第5図に示すように酸化シリコン膜14を設け、さ
らに窒化して窒化シリコン膜15を形成する(なお、こ
の窒化シリコン膜15は場合によっては形成しなくても
よい)、そして、裏面においてフォトリソグラフィによ
り窒化シリコンの工・・Iチングと酸化シリコンのエン
チングとを順次行って、第6図に示すように裏面の酸化
シリコン膜14と窒化シリコン膜15に窓16を設ける
。 この窓16はダイアフラム部を形成するための四部を選
択的に設けるのに用いる選択工・・lチンク用の窓であ
る。この窓16を通してシリコンエツチングを行って第
7図のように2つの凹部17を同時に形成する。この2
つの凹部17はそれぞれ四角形のリング型となっており
く第10図臀照)、そのりンク型凹部17に囲まれた中
央部がボス部23.24として残されている。凹部17
が形成されることにより薄くなった部分かダイアフラム
部21.22となり、その部分は厚さか薄くなっている
ので、容易に変形することになる。このダイアフラム部
21.22の部分に、抵抗ケージとなる拡散1113が
位置するよう凹部17、つまりエツチング用窓16が位
置決めされる。 さらに表面側では、フォトリソグラフィにより窒化シリ
コンのエツチングと酸fヒシリコンのエツチングとを順
次行って、第8図のように表面の酸化シリコン1It1
4と窒化シリコン膜15に窓26を設ける。この窓26
は電極形成のためのコンタクトホールとなるものである
。そして、表面の全面にアルミニウム(あるいはAu−
Cr、Au−Ti等)を蒸着した後、フォトリソグラフ
ィによりアルミニウムをコンタクトホール窓26の近辺
のみ残してエツチングして除去し、第9図のような電極
27を設ける。 二のような加工の施されたシリコン基板1は上から見る
と、第10図のようになっている。なお、この第10図
ではシリコン基板1の表面の電8i!27等は省略して
いる。ダイアフラム部21.22は四角形となっており
、それに囲まれるようにボス部23.24か形成されて
いる。ここではダイアフラム部21.22は角形となっ
ているが、丸形等信の形状も可能である。 こうして加工されたシリコン基板1の裏面に、第11図
に示すように台座3を接合する。この台座3はガラスま
たはシリコンの基板を加工することにより、ダイアフラ
ム部21.22のそれぞれに対応した凹部31.32と
圧力導入孔33.34が形成されたものである。凹部3
1.32は凹部17に対応した4角形となっていてそれ
ぞれ独立している。この台座3としてシリコン基板を用
いると、これらの加工をエツチングで行うことができて
加工が容易である。 最後に、シリコン基板lと台座3との組立体を第1図の
ようにハウジング4内に固定して半導体圧力センサが完
成する。 こうして微小な圧力を検出するための半導体圧力センサ
を製造する場合、一つのシリコン基板1に2つの圧力セ
ンサ素子構造5.6をまったく同じ条件の工程でかつ同
時に形成することができ、非常に簡単に製造できるとと
もに、小型化も容易である。また、同じ工程で作るため
、2つの圧力センサ素子構造5.6を同じに作ることが
容易であり、加速度による誤出力の相殺精度を高めるこ
とが簡単である。
ら詳細に説明する。この発明の一実施例にかかる半導体
圧力センサは第1図にその断面を示す通りであって、シ
リコン基板1と台座3との組立体を、上下に開口41.
42を有するハウジング4中に納めてなる。シリコン基
板1には2つの対応する圧カセンサ素子横遣5.6が形
成されており、それらのダイアフラム部21.22の中
央部か厚内のボス部23.24となっている。ボス部2
3.24はダイアフラム部21.22の変形を、後述の
ように抵抗ゲージとなる拡散層13が形成されている薄
い部分に集中させるためであり、またダイアフラム部2
1.22が過大に変形して破壊に至るのを防止する保護
機能も持つ。 台座3には凹部31.32と圧力導入孔33.34とか
形成されている。凹部31.32は数μ―の深さに形成
されており、ボス部23.24が上下に動くことを許容
するとともに、過大に動いたときに二のボス部23.2
4が凹部31.32の部分で台座3に突き当るようにな
っている。こうして、台座3はなんらかの理由(たとえ
ば過大圧力や大きな加速度)でダイアフラム部21.2
2か大きく動いて破壊されることを防止するストッパと
しても機能する。 ハウジング4の上下の開口41.42に加わる圧力はそ
れぞれ、一方の圧力センサ素子構造5のダイアフラム部
21の画面に加えられ、それらの圧力差に応じて3つの
ダイアフラム部21が変形するよう構成される。すなわ
ち、ダイアフラム部21の上に設けられた拡散層13(
後述)の抵抗値か変化することによってその圧力差が検
出される。これに対して、他方の圧カセンサ素子m遣6
のダイアファム部22には開口41側の圧力がダイアフ
ラム部22の両面に加わるようにされている。そのため
、一方の圧力センサ素子構造5は文字どうり圧力センサ
素子として機能するが、他方の圧力センサ素子構造6で
は加速度でボス部24が移動した場合にだけダイアフラ
ム部22が変形オることになり、加速度を検出する加速
度センサとして機能する。すなわち、圧力センサ素子構
造6ではダイアフラム部22の上に設けられた拡散層1
3(後述)の抵抗値が変化することによってそれに加わ
った加速度が検出される。 そして、2つの圧力センサ素子構造5.6のサイズ等は
まったく同じものに形成されているため、このシリコン
基板1(あるいはハウジング4)の全体に加速度が加わ
ったとき、その加速度はボス部23.24に同じに作用
し、ダイアフラム部21.22を同じだけ変形させ、そ
の結果、加速度によっては同じ圧力を生じる。そのため
、これらの出力を減算するよう構成しておけば、加速度
による出力は相殺されてしまい、圧カセンサ素子横遣5
から生しる圧力差に応じた出力のみを取り出すことがで
きる。そのため、微小な圧力差でもダイアフラム部21
か変形するようにダイアフラム部21を薄くした場合、
加速度でもこのダイアフラム部21が変形し易くなって
誤出力を生じるようになるが、他方のダイアフラム部2
2を同じに薄くすることで、他方の圧力センサ素子構造
6から加速度に対応した出力のみを取り出して、その誤
出力をキャンセルし、小さな圧力差に対応した出力のみ
を得ることが可能となる。 つきに、このような構造の半導体圧力センサを製造工程
をも含めて詳しく説明する。まず、表面の結晶方位が(
’100)となっているn型シリコン基板1を酸化して
第2図に示すようにその表裏両面に酸化シリコン膜11
を形成する。つぎにフォトリソグラフィにより第3図の
ように表面側の酸化シリコン膜11に窓12を設ける。 これらの窓12は拡散用の窓で、これらの窓12を通し
てボロンなどを拡散することにより、第4図に示すよう
に拡散層(2層)13を形成する。この拡散層13は抵
抗ゲージとなるものである。 つぎに、酸化シリコンWA11を除去した後、再び酸化
して第5図に示すように酸化シリコン膜14を設け、さ
らに窒化して窒化シリコン膜15を形成する(なお、こ
の窒化シリコン膜15は場合によっては形成しなくても
よい)、そして、裏面においてフォトリソグラフィによ
り窒化シリコンの工・・Iチングと酸化シリコンのエン
チングとを順次行って、第6図に示すように裏面の酸化
シリコン膜14と窒化シリコン膜15に窓16を設ける
。 この窓16はダイアフラム部を形成するための四部を選
択的に設けるのに用いる選択工・・lチンク用の窓であ
る。この窓16を通してシリコンエツチングを行って第
7図のように2つの凹部17を同時に形成する。この2
つの凹部17はそれぞれ四角形のリング型となっており
く第10図臀照)、そのりンク型凹部17に囲まれた中
央部がボス部23.24として残されている。凹部17
が形成されることにより薄くなった部分かダイアフラム
部21.22となり、その部分は厚さか薄くなっている
ので、容易に変形することになる。このダイアフラム部
21.22の部分に、抵抗ケージとなる拡散1113が
位置するよう凹部17、つまりエツチング用窓16が位
置決めされる。 さらに表面側では、フォトリソグラフィにより窒化シリ
コンのエツチングと酸fヒシリコンのエツチングとを順
次行って、第8図のように表面の酸化シリコン1It1
4と窒化シリコン膜15に窓26を設ける。この窓26
は電極形成のためのコンタクトホールとなるものである
。そして、表面の全面にアルミニウム(あるいはAu−
Cr、Au−Ti等)を蒸着した後、フォトリソグラフ
ィによりアルミニウムをコンタクトホール窓26の近辺
のみ残してエツチングして除去し、第9図のような電極
27を設ける。 二のような加工の施されたシリコン基板1は上から見る
と、第10図のようになっている。なお、この第10図
ではシリコン基板1の表面の電8i!27等は省略して
いる。ダイアフラム部21.22は四角形となっており
、それに囲まれるようにボス部23.24か形成されて
いる。ここではダイアフラム部21.22は角形となっ
ているが、丸形等信の形状も可能である。 こうして加工されたシリコン基板1の裏面に、第11図
に示すように台座3を接合する。この台座3はガラスま
たはシリコンの基板を加工することにより、ダイアフラ
ム部21.22のそれぞれに対応した凹部31.32と
圧力導入孔33.34が形成されたものである。凹部3
1.32は凹部17に対応した4角形となっていてそれ
ぞれ独立している。この台座3としてシリコン基板を用
いると、これらの加工をエツチングで行うことができて
加工が容易である。 最後に、シリコン基板lと台座3との組立体を第1図の
ようにハウジング4内に固定して半導体圧力センサが完
成する。 こうして微小な圧力を検出するための半導体圧力センサ
を製造する場合、一つのシリコン基板1に2つの圧力セ
ンサ素子構造5.6をまったく同じ条件の工程でかつ同
時に形成することができ、非常に簡単に製造できるとと
もに、小型化も容易である。また、同じ工程で作るため
、2つの圧力センサ素子構造5.6を同じに作ることが
容易であり、加速度による誤出力の相殺精度を高めるこ
とが簡単である。
二の発明の半導体圧力センサによれは、同一シリコン基
板に2つの圧力センサ素子構造を設け、一方を加速度の
みに悪巧するよう精成したため、加速度か加わったとき
両圧カセンサ素子構造から同一の出力を得ることができ
、これらを差し引いて相殺することが可能となる。その
ため、ダイアフラム部の中央部を厚肉部としたボス構造
の微小圧力検出用半導体圧力センサの出力の信頼性を高
め、振動などの環境下でも使用可能とすることができる
、
板に2つの圧力センサ素子構造を設け、一方を加速度の
みに悪巧するよう精成したため、加速度か加わったとき
両圧カセンサ素子構造から同一の出力を得ることができ
、これらを差し引いて相殺することが可能となる。その
ため、ダイアフラム部の中央部を厚肉部としたボス構造
の微小圧力検出用半導体圧力センサの出力の信頼性を高
め、振動などの環境下でも使用可能とすることができる
、
第1図はこの発明の一実施例にかかる半導体圧力センサ
の断面図、第2図、第3図、第4図、第5図、第6図、
第7図、第8図、第9図は上記一実施例の製造工程の各
段階での断面図、第10図及び第11図はさらにその次
の工程を示すもので、第10図は平面図、第11図は第
10図のA−A線矢視断面図である。 1・・・シリコン基板、11.14・・・酸化シリコン
膜、12・・拡散窓、13・・・拡散層、15・・・窒
化シリコン膜、16・・・エツチング窓、17・・凹部
、21.22・ダイアフラム部、23.24・・・ボス
部、26・・コンタクトホール窓、27・・電極、3・
・・台座、31.32・・凹部、33.34・・圧力導
入孔、4・・ハウジング、41.42・開口、5.6・
・・圧力センサ素子構造。
の断面図、第2図、第3図、第4図、第5図、第6図、
第7図、第8図、第9図は上記一実施例の製造工程の各
段階での断面図、第10図及び第11図はさらにその次
の工程を示すもので、第10図は平面図、第11図は第
10図のA−A線矢視断面図である。 1・・・シリコン基板、11.14・・・酸化シリコン
膜、12・・拡散窓、13・・・拡散層、15・・・窒
化シリコン膜、16・・・エツチング窓、17・・凹部
、21.22・ダイアフラム部、23.24・・・ボス
部、26・・コンタクトホール窓、27・・電極、3・
・・台座、31.32・・凹部、33.34・・圧力導
入孔、4・・ハウジング、41.42・開口、5.6・
・・圧力センサ素子構造。
Claims (1)
- (1)一つのシリコン基板に設けられた、それらの間の
圧力差を測定する2つの圧力がその両面に加えられてい
る第1のダイアフラム部と、該第1のダイアフラム部の
中央部に設けられた第1の厚肉部と、該第1のダイアフ
ラム部の周辺部に設けられた第1の拡散抵抗ゲージと、
上記のシリコン基板に設けられた、その両面に同一の圧
力が加えられる、上記第1のダイアフラム部に対応する
第2のダイアフラム部と、該第2のダイアフラム部の中
央部に設けられた、上記第1の厚肉部に対応する第2の
厚肉部と、該第2のダイアフラム部の周辺部に設けられ
た第2の拡散抵抗ゲージとを備えることを特徴とする半
導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33780990A JPH04204226A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33780990A JPH04204226A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04204226A true JPH04204226A (ja) | 1992-07-24 |
Family
ID=18312176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33780990A Pending JPH04204226A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04204226A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007003383A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Denso Corp | 圧力センサ |
JP2007071596A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Denso Corp | 衝突検知システム |
JP2007327922A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Epson Toyocom Corp | 圧力センサ用ダイヤフラム、及び圧力センサ |
JP2008513745A (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-01 | エンゲルベルト マーゲス | 衝撃力測定手段 |
JP2014016287A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-01-30 | Denso Corp | 圧力検出装置 |
JP2015108509A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 株式会社デンソー | 車両用圧力検出装置 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33780990A patent/JPH04204226A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008513745A (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-01 | エンゲルベルト マーゲス | 衝撃力測定手段 |
JP2007003383A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Denso Corp | 圧力センサ |
JP4556782B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2010-10-06 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
JP2007071596A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Denso Corp | 衝突検知システム |
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JP2014016287A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-01-30 | Denso Corp | 圧力検出装置 |
JP2015108509A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 株式会社デンソー | 車両用圧力検出装置 |
US9534976B2 (en) | 2013-12-03 | 2017-01-03 | Denso Corporation | Pressure sensor for vehicle in the event of a collision |
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