JPH04200101A - バンドエリミネーションフィルタ - Google Patents

バンドエリミネーションフィルタ

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JPH04200101A
JPH04200101A JP33391390A JP33391390A JPH04200101A JP H04200101 A JPH04200101 A JP H04200101A JP 33391390 A JP33391390 A JP 33391390A JP 33391390 A JP33391390 A JP 33391390A JP H04200101 A JPH04200101 A JP H04200101A
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二三夫 福島
Kazuhiro Eguchi
和弘 江口
Takehiko Yoneda
米田 毅彦
Hiromitsu Tagi
多木 宏光
Mitsuo Makimoto
三夫 牧本
Morikazu Sagawa
守一 佐川
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野ン 本発明はマイクロ波帯の通信機器に使用されるバンドエ
リミネーシヨンフイルタに関するものである。
(従来の技術〉 従来のバンドエリミネーシヨンフイルタでは第10.1
1図に示す構造の同軸共振器を使用していた。
第10図は同軸共振器を開放端側から見た図であり、第
11図は第10図A−A’の断面図である。
第10.11図において801は中空状の誘電体である
。この誘電体801の内周面、外周面及び端面には内部
導体802、外部導体803、短絡端805の導体層が
形成される。前記導体層の形成には比抵抗の小さな金属
材料(銀・銅等)を用いている。804は同軸共振器の
開放端を示す。
以上のように従来のバンドエリミネーシヨンフイルタに
は同軸共振器内で特性インピーダンスが一定のものを使
用していた。
第12図及び第14図に従来のバンドエリミネーション
フィルタの回路構成例を示す。
前記の回路構成は自動車電話あるいは携帯電話等のアン
テナ共用器のような低挿入損失が要求される送信フィル
タ部に使用される。
第12図の回路構成は送信周波数ftxと受信周波数f
rxの周波数関係がfrx(ftxとなるような機種(
国内向はアンテナ共用器)の送信フィルタに適している
第12図中のUIRl、UIR2、UIR3は第10.
11図の構造を有する同軸共振器で、そノ開放端側の内
部導体にはキャパシタC1、C2、C3の一端が接続さ
れ、キャパシタC1、C2、C3の他の一端はキャパシ
タC12、C23を介して並列接続される。
以上の回路構成を有するバンドエリミ不−ンヨンフィル
タの通過特性を第13図に示す。
尚、第13図は送信周波数frx二〇、912G Hz
 、受信周波数f rx=0.857GHz。
帯域幅は0.027GHz、受信周波数帯での減衰ff
i>40dBの条件て送信フィルタ用のバンドエリミ不
−7ヨンフィルタを構成した場合の通過特性図である。
第11図の回路構成は送信周波数ftxと受信周波数f
rxの周波数関係がfrx>ftxとなるような機種(
海外向はアンテナ共用器)の送信フィルタに適している
第14図中の同軸共振器UIR1、UIR2、UIR3
は第10.11図の構造を有する同軸共振器で、その開
放端m1]の内部導体にはキャバ/りci、C2、C3
の一端が接続され、隣接するキャパシタC1、C2、C
3の他の一端はインダクタLL2、L23を介して並列
接続される。
以上の回路構成を有するバンドエIJ ミ不−7ヨンフ
ィルタの通過特性を第15図に示す。
尚、第15図は送信周波数f tx=0.837G H
z 、受信周波数f r x=0.882GHz、帯域
幅は0.025GHz、受信周波数帯での減衰量240
dBの条件で送信フィルタ用の・ミンドエリミネーンヨ
ンフィルタを構成した場合の通過特性図である。
(発明が解決しようとする課題) 前記のバンドエリミネーションフィルタを自動車電話用
のアンテナ共用器の送信フィルタ部に使用する場合につ
いて考える。
送信フィルタに要求される機能は大別すると二つある。
一つは送信出力に含まれる受信周波数帯での雑音成分の
レベル低減、他の一つは送信出力のスプリアス放射成分
の低減である。
ここで前者の機能(受信周波数帯域での雑音成分のレベ
ル低減)はバンドエリミネーションフィルタの阻止周波
数を受信周波数に設定する事により実現できる。
しかし後者については問題がある、これは第13図及び
第15図をこ示すよう(こ送信周波数ftxの整数倍(
2・ftx及び3・ftx等)の周波数で発生するスプ
リアス放射に対して十分な減衰量が得られないことであ
る。
これはバンドエリミ不−7ヨンフィルタの基本的特性に
起因しており、同軸共振器の並列共振点以外の周波数で
は減衰極を生じず通過領域となるためである。
尚、同軸共振器のような分布定数回路の場合、並列共振
点は無数tこあることは一般に知られているが、これを
スプリアス放射の抑圧には利用できなかった。
その理由は高次の並列共振点による減衰極が第13図及
、び第15図に示す減衰極Nl(周波数−3・fo)の
ようにスプリアス放射の発生する周波数からずれており
、高次減衰極N1の周波液を任意に制御する事ができな
いためである。
尚、前記の減衰極N1の周波数はバンドエリミ不−7ヨ
ンフイルタの阻止周波数帯域(受信周波数帯域)と減衰
量によって決まるものである。
以上のように従来のバノドエリミ不−/ヨノフィルタて
はスプリアス放射低減の機能がないため送信フィルタに
用いるをこは問題があった。
本発明の課題は以上の問題を解決できるバ/ドエリミ不
−/ヨンフ1′ルタを提供する事にある。
(課題を解決するための手段) かかる課題を解決した本発明の要旨は、同軸共振器tこ
キャバンタ/ス手段を直列接続した共振回路を復数個キ
ャパ/タンス手段又はインダクタンス手段で並列接続し
てフィルタを形成するとともに、同軸共振器の特性イン
ピーダンスを短絡端から開放端tこ向かって変化させて
フィルタの高次の並列共振周波数がスプリアス放射のお
こる周波数と略等しくなるように調整したことを特徴と
するバンドエリミネー7ヨンフィルタにある。
(作用) 本発明で使用する同軸共振器の構造の一例を第1〜4図
に示す。
第1図は同軸共振器を開放端側から見た図であり、第2
図は第1図A−A’の断面図である。
第1,2図において101は内周部に段差を有する中空
状の誘電体である。この誘電体101の内周面、外周面
及び端面に内部導体102、外部導体103、短絡端1
05の導体層を形成する、前記の導体層の形成には比抵
抗の小さな金属材料(銀・銅等)を用いる。104は同
軸共振器の開放端な示す。
第1.2図では開放端側の内周が大ぎくなるように中空
状の誘電体201の内周部に段差を設ける事で短絡端か
ら開放端方向に同軸共振器の特性インピーダンスを減少
させている。尚、短絡端から開放端方向に特性インピー
ダンスを増加させる場合には第3,4図に示す構造をと
ればよい。
第3図は同軸共振器を開放端側から見た図であり、第4
図は第3図A−A’の断面図である。
第3.4図において201は内周部に段差を有する中空
状の誘電体である。この誘電体201の内周面、外周面
及び端面ツこ内部導体2o2、外部導体203、短絡端
205の導体層を形成する、前記の導体層の形成には比
抵抗の小さな金属材料(銀・銅等)を用いる。204は
同軸共振器の開放端を示す。
第1〜4図において短絡端側の線路(長さLl)の特性
インピーダンスをZl、開放端側の線路(長さL2>の
特性インピーダンスZ2とすると、同軸共振器の並列共
振条件は、 jan (βLl)・jan(βL2)=tan (θ
1)・tan(θ2)=Z2/Z。
β:位相定数 θ1、θ2°電気長 (θ1=βL4、θ2=βL2) であられすことができる。
前記の式において簡単のためにL1=L2、即ちθj−
θ2二θの場合を考えると、並列共振条件は、 jan”θ = k k、インピーダンス比(k=Z2/Zt)であられすこ
とができる。
ここで基本共振周波数をfo、高次の並列共振周波数を
低い方からfSl、fs2・・・、fsn、共振周波数
と比例関係にある電気長をθ0、θ4、θ2・・・、θ
snであられし、前記の並列共振条件の関係式より各電
気長を求めると、θo=jan”(k”) θs、=π−jan−’(k’/2) θ52=yr十tan−’(k1/2)以上の結果が得
られる。
尚、同軸共振器のような分布定数回路の場合、共振条件
からも明らかなように並列共振点は無数にあるが、この
説明は繁雑となるのでθs2以下の周波数領域の並列共
振点について説明する。
前記の電気長から基本周波数foと高次の並列共振周波
数の関係を整理すると、 fsl/fo=θs1/θo:=π/ t a n −
’ (k!/2)  1 fs2/fo=θs2/θo=π/ t a n −’
 (k1/2)+1 以上の関係式が得られる。
前記の関係式においてインピーダンス比に40以上の値
であれば任意に設定できるので同軸共振器の高次並列共
振点を広範囲に制御する事かできる。
また前記の関係式より高次共振周波数fs  では基本
周波数fo以上の周波数領域、高次共振周波数fs2で
は基本周波数foの3倍以上の周波数領域で任意の周波
数に設定可能であり、前記周波数領域ではインピーダン
ス比にの減少に伴イ高次の並列共振周波数が上昇する事
がわかる。
前記インピーダンス比にと並列共振周波数の関係を第5
図に示す。
尚、同図における縦軸は高次の並列共振周波数fsを基
本共振周波数forこで規格化したものである。
前記同軸共振器を用いてバンドエリミ不一ンヨンフィル
タを構成した場合、高次の並列共振点近傍に減衰極が発
生するので前記減衰極の周波数をスプリアス放射のおこ
る周波数と等しくなるよう同軸共振器のインピーダンス
比kを制御すればスプリアス放射を低減できる。
(実施例) 以下、本発明の実施例について説明する。
実施例1 第6図は本発明によるバンドエリミネーションフィルタ
の一実施例を示す図である。
第6図において5IR1,5IR2,5IR3は同軸共
振器であり、同軸共振器内の特性インピーダンスが短絡
端から開放端方向に段階的に増加あるいは減少するよう
な構造を有するものである。
本実施例では5IRI、54R3に第3.4図に示す構
造(短絡端から開放端方向に特性インピーダンスが増加
する同軸共振器)、5IR2に第1,2図の構造(短絡
端から開放端方向に特性インピーダンスが減少する同軸
共振器)を有する同軸共振器を用いた。
Zll、Z21、Z31、は同軸共振器5IR1,5I
R2,5IR3の短絡端側の線路のインピーダンスを、
Z12、Z22、Z23は同軸共振器5IRI、5IR
2,5IR3の開放端側の線路のインピーダンスを示す
ここで同軸共振器の高次並列共振周波数の制御するため
にインピーダンス比を次のように設定した。
5IRIのインピーダンス比 k=2.55SIR2の
インピーダンス比 k=0.84SIR3のインピーダ
ンス比 k=2.59尚、5IRI、5IR2,5IR
3における開放端側の線路長と短絡端側の線路長は等し
く設定した。
前記の同軸共振器5IRI、5IR2,5IR3の開放
端側tこはキャバ/りC1,C2、C3の一端が接続さ
れ、隣接するキャパ/りC1,C2、C3の他の一端は
キャパ/りCI2、C23を介して接続される。
以上の回路構成にて送信周波数ftx=0.912GH
z、受信周波数f rx=0.857GH2、帯域幅は
0.027GHz、受信周波数帯ての減衰Jt > 4
0 d Bの条件で送信フィルタ用のバンドエリミネー
タ3ンフイルタヲ構成した。
前記バンドエリミネーションフィルタの通過特性を第7
図ンこ示す。
第7図においてfrxは受信周波数、ftxは送信周波
数、2・ftx及び3・ftxはスプリアス放射の起こ
る周波数を示す。
第7図ても明らかなように本実施例によるバノドエリミ
不一ンヨンフィルタはスプリアス放射の起こる周波数に
減衰極を発生させる事ができる。
実施例2 第8図は本発明によるバンドエリミ不−7ヨ/フィルタ
の他の実施例な示す図である。
第8図中の5IRI、5IR2,5IR3は同軸共振器
であり、同軸共振器内の特性インピーダンスが短絡端か
ら開放端方向に増加するような構造を有するものである
本実施例では5IRI、5IR2,5IR3に第3,4
図に示す構造を有する同軸共振器を用し・た。
Zll、Z21、Z31は同軸共振器5IR1,5IR
2,5IR3の短絡端側の線路のインピーダンスを、又
Z12、Z22、Z23は同軸共振器5IR1,5IR
2,5IR3の開放端側の線路のインピーダンスを示す
ここで同軸共振器の高次並列共振周波数の制御のために
インピーダンス比を次のように設定した。
5IRIのインピーダンス比 k=3.525IR2の
インピーダンス比 k=1.375IR3のインピーダ
ンス比 k=3.70尚、5IRI、5IR2,5IR
3における開放端0111の線路長と短絡端側の線路長
は等しく設定した。
前記の同軸共振器5IR1,5IR2,5IR3の開放
端側にはキャパ/りC1,C2,C3の一端が接続され
、隣接するキャパ/りC1,C2、C3の他の一端はイ
ンダクタL12、L23を介して接続される。
以上の回路構成eこて送信周波数ftx=0.837 
G Hz 、受信周波数f r x=0.882GH2
、帯域幅は0.025GHz、受信周波数帯での減衰j
t > 40 d Bの条件で送信フィルタ用のバ/ド
エリミ不−ンヨンフィルタを構成した。
前記バンドエリミ不−ンヨンフィルタの通過特性な第9
図に示す。
第9図中のfrxは受信周波数、ftxは送信周波数を
示し、2・ftx及び3・ftxはスプリアス放射の起
こる周波数を示す。
第9図でも明らかなように本実施例をこよるバンドエリ
ミ不−ンヨンフィルタはスプリアス放射の起こる周波数
に減衰極を発生させる事ができる。
以上の実施例tこおいては同軸共振器として誘電体の内
周部に段差を設ける構造のもので説明したが、これは同
軸共振器の形状を限定するものではなく同軸共振器内で
特性インピーダンスが短絡端から開放端方向に増加ある
いは減少するものであればよい。
例えば誘電体の外周部を二段差、誘電体の内周部あるい
は外周部にテーパ部を設ける事で特性インピーダンスを
変化させた同軸共振器でも同様の効果が得られる。
(発明の効果) 以上の様に本発明によれば、同軸共振器の特性インピー
ダンスを短絡端から開放端方向に向けて変えてフィルタ
の高次の並列共振周波数がスプリアス放射のおこる周波
数と略等しくなるように調整することて、送信出力のス
プリアス放射成分を低減することができた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に用し・た同軸共振器を示す平
面図、第2図は第1図A−A’線における断面図、第3
図は実施例に用いた他の同軸共振器を示す平面図、第4
図は第3図A−A’線における断面図、第5図は実施例
に用いた同軸共振器の共振特性図、第6図は実施例1の
バンドエリミネー7ヨンフィルタの回路図、第7図は実
施例1のバノドエリミ不=7ヨンフイルタの通過特性図
、第8図は実施例2のバンドエリミネーションフィルタ
の回路図、第9図は同実施例の通過特性図、第10図は
従来のバンドエリミ不−7ヨンフィルタに用いた同軸共
振器、第11図は第10図A、−A’線における断面図
、第12図は従来のバンドエリミネーションフィルタの
回路図、第13図は従来のバンドエリミ不一ノヨンフィ
ルタの通過特性図、第14図は他の従来のバンドエIJ
 ミ不−7ヨンフィルタの回路図、m15図は同フィル
タの通過特性図である。 101.201.801:誘電体 102.202.802:内部導体 103.203.803:外部導体 104.204.804:開放端 105.205.805:短絡端導体 5IR1,5IR2,5IR3:同軸共振器Z11. 
 Z12.  Z21.  Z22. 231゜Z32
゛イノピーダ/ス C1,C2,C3キャバ/り L12.L23:インダクタ ftx:送信周波数 frx:受信周波数 2・ftx、3・ftx  高次並列共振周波数性 許
 出 願 人  松下電器産業株式会社代  理  人
    弁理士  小  鍜  治       明(
ほか2名) 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 イレビー7°:/ ;t i k 第10図 \ 第6図 第7図 周就((&) 第8図 第9図 frx    龍数停) 第12図 第13図 第14図 第15図 周波数 (GHzン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)同軸共振器にキャパシタンス手段を直列接続した共
    振回路を複数個キャパシタンス手段又はインダクタンス
    手段で並列接続してフイルタを形成するとともに、同軸
    共振器の特性インピーダンスを短絡端から開放端に向か
    って変化させてフイルタの高次の並列共振周波数がスプ
    リアス放射のおこる周波数と略等しくなるように調整し
    たことを特徴とするバンドエリミネーションフイルタ。
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