JPH04199688A - 超発光ダイオード - Google Patents
超発光ダイオードInfo
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- JPH04199688A JPH04199688A JP2331777A JP33177790A JPH04199688A JP H04199688 A JPH04199688 A JP H04199688A JP 2331777 A JP2331777 A JP 2331777A JP 33177790 A JP33177790 A JP 33177790A JP H04199688 A JPH04199688 A JP H04199688A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は超発光ダイオードに関し、特に、レーザ発振を
防止できる超発光ダイオードに関するものである。
防止できる超発光ダイオードに関するものである。
従来の技術
活性層などの種々の層か気相成長法や液相成長法などの
エピタキシャル成長法により基板上に積層されて成り、
その活性層で発生した光をその活性層の一端に形成され
た光放出面から取り出す超発光ダイオード(super
luminescent diode)が知られている
。この超発光ダイオードは、位相の揃っていない光が強
い出力で得られ、産業用機器などの分野において利用さ
れている。この超発光ダイオードにおいては、通常、活
性層の光放出面およびその活性層の光放出面側と反対側
の端面と空気との間の界面が一対の反射鏡として作用す
ることにより光が共振してレーザが発振するのを防止す
るために、活性層の光放出面側と反対側の端面に反射防
止膜を設けたり、あるいは、活性層から出る光が光放出
面から斜めに出るようにストライブ状の電極を斜めに設
けたりすることが行われている。
エピタキシャル成長法により基板上に積層されて成り、
その活性層で発生した光をその活性層の一端に形成され
た光放出面から取り出す超発光ダイオード(super
luminescent diode)が知られている
。この超発光ダイオードは、位相の揃っていない光が強
い出力で得られ、産業用機器などの分野において利用さ
れている。この超発光ダイオードにおいては、通常、活
性層の光放出面およびその活性層の光放出面側と反対側
の端面と空気との間の界面が一対の反射鏡として作用す
ることにより光が共振してレーザが発振するのを防止す
るために、活性層の光放出面側と反対側の端面に反射防
止膜を設けたり、あるいは、活性層から出る光が光放出
面から斜めに出るようにストライブ状の電極を斜めに設
けたりすることが行われている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のように活性層の光放出面側と反対
側の端面に反射防止膜を設ける場合においては、基板上
への活性層等の積層工程とは別の工程で反射防止膜か設
けられることとなるため、超発光ダイオードの加工プロ
セスが複雑となる欠点があった。
側の端面に反射防止膜を設ける場合においては、基板上
への活性層等の積層工程とは別の工程で反射防止膜か設
けられることとなるため、超発光ダイオードの加工プロ
セスが複雑となる欠点があった。
また、ストライブ状電極を活性層の光放出面に対して斜
めに設ける場合においては、以下の問題があった。すな
わち、上記のような超発光ダイオードは、通常、共通の
基板上に多数形成された後に分割されて作製されるか、
このとき、ストライブ状電極を分割前の超発光ダイオー
ド毎に不連続な状態で斜めに形成する場合には、そのス
トライブ状電極の形成に手間かかかって超発光ダイオー
ドの加工プロセスが複雑となる欠点があった。これに対
し、ストライブ状電極を複数の超発光ダイオードにおい
て連続して形成すれば加工プロセスが簡単となるが、こ
の場合には、分割後の超発光ダイオードにおいて電極が
所定の位置に形成されていないものが生ずるため、材料
ロスか多くなってコストか高くなる欠点があるのである
。
めに設ける場合においては、以下の問題があった。すな
わち、上記のような超発光ダイオードは、通常、共通の
基板上に多数形成された後に分割されて作製されるか、
このとき、ストライブ状電極を分割前の超発光ダイオー
ド毎に不連続な状態で斜めに形成する場合には、そのス
トライブ状電極の形成に手間かかかって超発光ダイオー
ドの加工プロセスが複雑となる欠点があった。これに対
し、ストライブ状電極を複数の超発光ダイオードにおい
て連続して形成すれば加工プロセスが簡単となるが、こ
の場合には、分割後の超発光ダイオードにおいて電極が
所定の位置に形成されていないものが生ずるため、材料
ロスか多くなってコストか高くなる欠点があるのである
。
本発明は以上の事情を背景として為されたものであって
、その目的とするところは、レーザ発振を防止し得ると
ともに加工プロセスが簡単であって且つ低コストの超発
光ダイオードを提供することにある。
、その目的とするところは、レーザ発振を防止し得ると
ともに加工プロセスが簡単であって且つ低コストの超発
光ダイオードを提供することにある。
課題を解決するための第一の手段
上記目的を達成するための第一発明の要旨とするところ
は、半導体基板の成長面上に結晶成長により形成された
積層構造を有し、活性層の端面に形成された光放出面か
ら光を取り出す超発光ダイオードにおいて、前記成長面
を平坦部とその一端に連なる傾斜部とを備えて構成する
とともに、その成長面上に成長させられた前記活性層の
前記平坦部上に位置する部分の前記傾斜部側と反対側の
端面に前記光放出面を形成したことにある。
は、半導体基板の成長面上に結晶成長により形成された
積層構造を有し、活性層の端面に形成された光放出面か
ら光を取り出す超発光ダイオードにおいて、前記成長面
を平坦部とその一端に連なる傾斜部とを備えて構成する
とともに、その成長面上に成長させられた前記活性層の
前記平坦部上に位置する部分の前記傾斜部側と反対側の
端面に前記光放出面を形成したことにある。
作用および第一発明の効果
かかる構成の超発光ダイオードにおいては、半導体基板
の成長面は平坦部とその一端に連なる傾斜部とを備えて
構成されているとともに、その半導体基板の成長面上に
成長させられた活性層の前記平坦部上に位置する部分の
前記傾斜部側と反対側の端面に光放出面が形成されるの
で、活性層の平坦部上に位置する部分の光放出面側と反
対側の端部を成長面の傾斜部と対向させることにより、
活性層から発生して光放出面側と反対側へ向かう光を成
長面の傾斜部にて好適に散乱させ得て光放出面側へ反射
するのを防止することができ、これにより、レーザ発振
を防止することができる。このように成長面に傾斜部を
形成するだけでレーザ発振を防止でき、従来のように反
射防止膜を別個に設けたり或いはストライブ状電極を光
放出面に対して斜めに形成したりする必要がないため、
従来に比べて、レーザ発振が防止された超発光ダイオー
ドの加工プロセスが一層簡単となるとともにコストが好
適に低減される。
の成長面は平坦部とその一端に連なる傾斜部とを備えて
構成されているとともに、その半導体基板の成長面上に
成長させられた活性層の前記平坦部上に位置する部分の
前記傾斜部側と反対側の端面に光放出面が形成されるの
で、活性層の平坦部上に位置する部分の光放出面側と反
対側の端部を成長面の傾斜部と対向させることにより、
活性層から発生して光放出面側と反対側へ向かう光を成
長面の傾斜部にて好適に散乱させ得て光放出面側へ反射
するのを防止することができ、これにより、レーザ発振
を防止することができる。このように成長面に傾斜部を
形成するだけでレーザ発振を防止でき、従来のように反
射防止膜を別個に設けたり或いはストライブ状電極を光
放出面に対して斜めに形成したりする必要がないため、
従来に比べて、レーザ発振が防止された超発光ダイオー
ドの加工プロセスが一層簡単となるとともにコストが好
適に低減される。
課題を解決するための第二の手段
また、上記目的を達成するための第二発明の要旨とする
ところは、上記第一発明の超発光ダイオードにおいて、
半導体多層膜にて構成され、前記活性層から発生して前
記光放出面側と反対側へ向かう光かその光放出面側へ反
射するのを防止する反射防止層を、前記成長面上に設け
たことにある。
ところは、上記第一発明の超発光ダイオードにおいて、
半導体多層膜にて構成され、前記活性層から発生して前
記光放出面側と反対側へ向かう光かその光放出面側へ反
射するのを防止する反射防止層を、前記成長面上に設け
たことにある。
作用および第二発明の効果
このようにすれば、活性層から発生して光放出面側と反
対側へ向かう光がその光放出面側へ反射するのを反射防
止層により防止することができる。
対側へ向かう光がその光放出面側へ反射するのを反射防
止層により防止することができる。
すなわち、反射防止層には前記成長面の傾斜部に対応し
て傾斜する傾斜部分が形成され、その成長面上に成長さ
せられた活性層の前記平坦部上に位置する部分の前記傾
斜部側の端部を前記反射防止層の傾斜部分と対向させる
ことにより、活性層から発生して光放出面側と反対側(
前記傾斜部側)へ向かう光が反射防止層の傾斜部分に入
射されて光放出面側へ反射することが防止され、これに
より、レーザ発振を防止することができる。このように
レーザ発振を防止するために従来のように活性層等の積
層工程とは別の工程で反射防止膜を設けたり或いはスト
ライブ状の電極を光放出面に対して斜めに形成したりす
る必要かないため、従来に比べて、レーザ発振が防止さ
れた超発光ダイオードの加工プロセスが簡単となり且つ
コストが低減される。
て傾斜する傾斜部分が形成され、その成長面上に成長さ
せられた活性層の前記平坦部上に位置する部分の前記傾
斜部側の端部を前記反射防止層の傾斜部分と対向させる
ことにより、活性層から発生して光放出面側と反対側(
前記傾斜部側)へ向かう光が反射防止層の傾斜部分に入
射されて光放出面側へ反射することが防止され、これに
より、レーザ発振を防止することができる。このように
レーザ発振を防止するために従来のように活性層等の積
層工程とは別の工程で反射防止膜を設けたり或いはスト
ライブ状の電極を光放出面に対して斜めに形成したりす
る必要かないため、従来に比べて、レーザ発振が防止さ
れた超発光ダイオードの加工プロセスが簡単となり且つ
コストが低減される。
なお、第一発明の超発光ダイオードにおいては、成長面
の傾斜部の傾斜角度か45°である場合には、活性層の
平坦部上に位置する部分で発生して光放出面側と反対側
(傾斜部側)へ向かう光が傾斜部で反射させられた後、
その反射光が再び傾斜部へ戻されて光放出面に向かって
反射させられる虞があるが、第二発明の超発光ダイオー
ドによれば、成長面の傾斜部の傾斜角度が45°であっ
ても、活性層で発生して光放出面側と反対側へ向かう光
が光放出面側へ反射するのを反射防止層により防止でき
るため、傾斜部の傾斜角度に拘らずレーザ発振を防止で
きる利点がある。
の傾斜部の傾斜角度か45°である場合には、活性層の
平坦部上に位置する部分で発生して光放出面側と反対側
(傾斜部側)へ向かう光が傾斜部で反射させられた後、
その反射光が再び傾斜部へ戻されて光放出面に向かって
反射させられる虞があるが、第二発明の超発光ダイオー
ドによれば、成長面の傾斜部の傾斜角度が45°であっ
ても、活性層で発生して光放出面側と反対側へ向かう光
が光放出面側へ反射するのを反射防止層により防止でき
るため、傾斜部の傾斜角度に拘らずレーザ発振を防止で
きる利点がある。
実施例
第1図は本発明の一実施例である超発光ダイオ−FIO
の斜視図であり、第2図はその積層構成を説明するため
の図である。それらの図において、12はn−GaAs
単結晶から成る半導体基板(以下、単に基板という)で
ある。基板I2は、互いに平行な一対の平坦部1.4.
16およびそれら平坦部14.16の一端を互いに連結
する傾斜部18を有して階段状を成す成長面20を備え
ており、傾斜部18の傾斜角度θは45°とされている
。基板12の成長面20上には、反射防止層22、n
A ] x G a +、Asから成るクラッド層2
4、p−AI、Gap−y Asから成り、たとえば8
30nmの波長の光を発生する活性層26、p−AI、
Gap−、Asから成るクラッド層28、n−A1.G
ap−、Asから成るブロック層30、p−GaAsか
ら成るコンタクト層32、および5102から成る絶縁
層34が、たとえば有機金属化学気相成長法によって単
結晶の状態で順次気相成長させられることにより積層さ
れている。上記クラッド層24.28は2μm、活性層
26は0.1μm1ブロツク層30は0.5μm1コン
タクト層32は18m1絶縁層34は0.5μmの膜厚
でそれぞれ設けられており、上記組成x、 y、
zは0.45. 0.06. 0.45にそれぞれ設定
されている。なお、第1図および第2図において、反射
防止層22、クラッド層24.28、活性層26、ブロ
ック層30、コンタクト層32、および絶縁層34はそ
れらの膜厚の相互関係を無視して描かれている。
の斜視図であり、第2図はその積層構成を説明するため
の図である。それらの図において、12はn−GaAs
単結晶から成る半導体基板(以下、単に基板という)で
ある。基板I2は、互いに平行な一対の平坦部1.4.
16およびそれら平坦部14.16の一端を互いに連結
する傾斜部18を有して階段状を成す成長面20を備え
ており、傾斜部18の傾斜角度θは45°とされている
。基板12の成長面20上には、反射防止層22、n
A ] x G a +、Asから成るクラッド層2
4、p−AI、Gap−y Asから成り、たとえば8
30nmの波長の光を発生する活性層26、p−AI、
Gap−、Asから成るクラッド層28、n−A1.G
ap−、Asから成るブロック層30、p−GaAsか
ら成るコンタクト層32、および5102から成る絶縁
層34が、たとえば有機金属化学気相成長法によって単
結晶の状態で順次気相成長させられることにより積層さ
れている。上記クラッド層24.28は2μm、活性層
26は0.1μm1ブロツク層30は0.5μm1コン
タクト層32は18m1絶縁層34は0.5μmの膜厚
でそれぞれ設けられており、上記組成x、 y、
zは0.45. 0.06. 0.45にそれぞれ設定
されている。なお、第1図および第2図において、反射
防止層22、クラッド層24.28、活性層26、ブロ
ック層30、コンタクト層32、および絶縁層34はそ
れらの膜厚の相互関係を無視して描かれている。
基板12の底面にはAuGe/Niから成るn型オーミ
ック電極36が設けられている。一方、絶縁層34の基
板12の平坦部14上に位置する部分には、その一部が
フォトリソグラフィー技術により除去されて切欠38か
形成されており、絶縁層34の上面および絶縁層34の
切欠38内に位置するコンタクト層32の上面にはCr
/Auから成るストライブ状のp型オーミック電極40
が設けられている。
ック電極36が設けられている。一方、絶縁層34の基
板12の平坦部14上に位置する部分には、その一部が
フォトリソグラフィー技術により除去されて切欠38か
形成されており、絶縁層34の上面および絶縁層34の
切欠38内に位置するコンタクト層32の上面にはCr
/Auから成るストライブ状のp型オーミック電極40
が設けられている。
上記反射防止層22は、たとえば62nmの厚みを有す
るn−GaAs層42と68nmの厚みを有するn
A I o、 +6G a o、 s5A 8層44と
が交互に20対積層されることにより所謂超格子に構成
されており、基板12の成長面20の傾斜部18に対応
して傾斜する傾斜部分46を備えている。
るn−GaAs層42と68nmの厚みを有するn
A I o、 +6G a o、 s5A 8層44と
が交互に20対積層されることにより所謂超格子に構成
されており、基板12の成長面20の傾斜部18に対応
して傾斜する傾斜部分46を備えている。
この反射防止層22の傾斜部分46には、活性層26の
基板】2の平坦部14上に位置する平坦部分48の内側
端部(第2図において右端部)かクラッド層24を介し
て対向させられている。成長面20の傾斜部18の高さ
寸法や、反射防止層22およびクラッド層24の膜厚な
どが予めそのように決定されているのである。本実施例
においては、上記平坦部14がクレームにおける平坦部
を構成する。
基板】2の平坦部14上に位置する平坦部分48の内側
端部(第2図において右端部)かクラッド層24を介し
て対向させられている。成長面20の傾斜部18の高さ
寸法や、反射防止層22およびクラッド層24の膜厚な
どが予めそのように決定されているのである。本実施例
においては、上記平坦部14がクレームにおける平坦部
を構成する。
以上のように構成された超発光ダイオード1゜において
は、電極36.40間に順方向の駆動電流が流されるこ
とにより、活性層26の前記平坦部分48であって且つ
電極40の略直下に位置する部分から830nmの波長
の光が発生させられる。活性層26の平坦部分48内に
おいて第2図中左側へ向かう光は、そのまま平坦部分4
8の左端面に形成された光放出面50から放射される−
方、平坦部分48内において第2図中右側へ向かう光は
、クラッド層24を通して反射防止層22の傾斜部分4
6へ入射されて、散乱させられたり或いは光波干渉によ
り消滅させられたりすること等により、光放出面50側
への反射が好適に防止されるようになっている。
は、電極36.40間に順方向の駆動電流が流されるこ
とにより、活性層26の前記平坦部分48であって且つ
電極40の略直下に位置する部分から830nmの波長
の光が発生させられる。活性層26の平坦部分48内に
おいて第2図中左側へ向かう光は、そのまま平坦部分4
8の左端面に形成された光放出面50から放射される−
方、平坦部分48内において第2図中右側へ向かう光は
、クラッド層24を通して反射防止層22の傾斜部分4
6へ入射されて、散乱させられたり或いは光波干渉によ
り消滅させられたりすること等により、光放出面50側
への反射が好適に防止されるようになっている。
ここで、上記反射防止層22が設けられていない場合に
は、活性層26の平坦部分48内で発生して第2図中右
側へ向かう光は、成長面20の傾斜角度θが45°であ
ることから、その傾斜部18で第2図中上方へ反射させ
られた後、たとえば、絶縁層34の上面で下方へ反射さ
せられて再び傾斜部18において光放出面50側へ反射
させられることにより、光放出し面50と絶縁層34の
上面との間のL字状反射路において共振させられてレー
ザを発振することか避は難いのであるが、本実施例によ
れば、活性層26の平坦部分48内で発生して第2図中
右側へ向かう光は、反射防止層22の傾斜部分46へ入
射されて散乱させられたり或いは消滅させられたりする
こと等により、光放出面50側へ反射させられることが
好適に防止されて、活性層26内で発生した光の共振が
防止されるため、レーザ発振を好適に防止することがで
きる。この場合において、反射防止層22は共通のチャ
ンバ内においてクラッド層24.28や活性層26など
と共に順次結晶成長させることにより積層することがで
き、レーザ発振を防止するために従来のように活性層等
の積層工程とは別の工程でその活性層の光放出面側と反
対側の端面に反射防止膜を設けたり或いはストライブ状
電極を光放出面に対して斜めに形成したりする必要がな
いため、超発光ダイオード10の加工プロセスが簡単と
なるとともに、超発光ダイオード10を安価に提供する
ことができるのである。
は、活性層26の平坦部分48内で発生して第2図中右
側へ向かう光は、成長面20の傾斜角度θが45°であ
ることから、その傾斜部18で第2図中上方へ反射させ
られた後、たとえば、絶縁層34の上面で下方へ反射さ
せられて再び傾斜部18において光放出面50側へ反射
させられることにより、光放出し面50と絶縁層34の
上面との間のL字状反射路において共振させられてレー
ザを発振することか避は難いのであるが、本実施例によ
れば、活性層26の平坦部分48内で発生して第2図中
右側へ向かう光は、反射防止層22の傾斜部分46へ入
射されて散乱させられたり或いは消滅させられたりする
こと等により、光放出面50側へ反射させられることが
好適に防止されて、活性層26内で発生した光の共振が
防止されるため、レーザ発振を好適に防止することがで
きる。この場合において、反射防止層22は共通のチャ
ンバ内においてクラッド層24.28や活性層26など
と共に順次結晶成長させることにより積層することがで
き、レーザ発振を防止するために従来のように活性層等
の積層工程とは別の工程でその活性層の光放出面側と反
対側の端面に反射防止膜を設けたり或いはストライブ状
電極を光放出面に対して斜めに形成したりする必要がな
いため、超発光ダイオード10の加工プロセスが簡単と
なるとともに、超発光ダイオード10を安価に提供する
ことができるのである。
以上、本発明の一実施例を図面に基づいて説明したが、
本発明は他の態様で実施することもできる。
本発明は他の態様で実施することもできる。
たとえば、前記実施例では、基板12の成長面20は一
対の平坦部14.16とそれら平坦部14.16の一端
を互いに連結する傾斜部18とから構成されているが、
平坦部I6は設けられていなくても差し支えない。
対の平坦部14.16とそれら平坦部14.16の一端
を互いに連結する傾斜部18とから構成されているが、
平坦部I6は設けられていなくても差し支えない。
また、前記実施例では、基板12の成長面20には反射
防止層22.活性層26の順に成長させられているが、
それとは逆に活性層1反射防止層の順に成長させた場合
においても本発明の効果を得ることができる。
防止層22.活性層26の順に成長させられているが、
それとは逆に活性層1反射防止層の順に成長させた場合
においても本発明の効果を得ることができる。
また、前記実施例では、反射防止層22としてGaAs
/AIa、*5Gao、5sAS超格子層が設けられて
いるが、屈折率などを考慮して他の半導体材料から成る
多層膜の反射防止層を用いることも可能である。
/AIa、*5Gao、5sAS超格子層が設けられて
いるが、屈折率などを考慮して他の半導体材料から成る
多層膜の反射防止層を用いることも可能である。
また、前記実施例では、成長面20の傾斜部18の傾斜
角度θは45°とされているが、それ以外の角度であっ
てもよい。このように傾斜部18の傾斜角度を45°以
外の角度とした場合には、反射防止層22が設けられて
いなくても、活性層26の平坦部分48内で発生して第
2図中右側へ向かう光を傾斜部18において好適に散乱
させることが可能となるため、成長面上に傾斜部を形成
するだけでレーザ発振を防止できる。これにより、レー
ザ発振が防止された超発光ダイオードの加工プロセスが
一層簡単となり且つコストが一層低減される。
角度θは45°とされているが、それ以外の角度であっ
てもよい。このように傾斜部18の傾斜角度を45°以
外の角度とした場合には、反射防止層22が設けられて
いなくても、活性層26の平坦部分48内で発生して第
2図中右側へ向かう光を傾斜部18において好適に散乱
させることが可能となるため、成長面上に傾斜部を形成
するだけでレーザ発振を防止できる。これにより、レー
ザ発振が防止された超発光ダイオードの加工プロセスが
一層簡単となり且つコストが一層低減される。
また、前記実施例の超発光ダイオード10はAlGaA
sダブルへテロ構造を成しているか、GaAs、GaP
、InP、InGaAsPなどの他の化合物半導体から
成るダブルへテロ構造や単一へテロ構造の超発光ダイオ
ード、あるいはホモ構造の超発光ダイオードにも本発明
は同様に適用され得る。
sダブルへテロ構造を成しているか、GaAs、GaP
、InP、InGaAsPなどの他の化合物半導体から
成るダブルへテロ構造や単一へテロ構造の超発光ダイオ
ード、あるいはホモ構造の超発光ダイオードにも本発明
は同様に適用され得る。
その他−々例示はしないが、本発明は当業者の知識に基
づいて種々の変更、改良を加えた態様で実施することが
できる。
づいて種々の変更、改良を加えた態様で実施することが
できる。
第1図は本発明の一実施例である超発光ダイオードの斜
視図である。第2図は第1図の超発光ダイオードの積層
構造を説明するための図であって、一部を切り欠いて示
す図である。 10:超発光ダイオード 12:半導体基板 14:平坦部 18:傾斜部 20:成長面 22:反射防止層 26:活性層 50:光放出面
視図である。第2図は第1図の超発光ダイオードの積層
構造を説明するための図であって、一部を切り欠いて示
す図である。 10:超発光ダイオード 12:半導体基板 14:平坦部 18:傾斜部 20:成長面 22:反射防止層 26:活性層 50:光放出面
Claims (2)
- (1)半導体基板の成長面上に結晶成長により形成され
た積層構造を有し、活性層の端面に形成された光取出面
から光を取り出す超発光ダイオードにおいて、 前記成長面を平坦部と該平坦部の一端に連なる傾斜部と
を備えて構成するとともに、該成長面上に成長させられ
た前記活性層の前記平坦部上に位置する部分の前記傾斜
部側と反対側の端面に前記光取出面を形成したことを特
徴とする超発光ダイオード。 - (2)半導体多層膜にて構成され、前記活性層から発生
して前記光放出面側と反対側へ向かう光が該光放出面側
へ反射するのを防止する反射防止層を、前記成長面上に
設けたことを特徴とする請求項(1)に記載の超発光ダ
イオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2331777A JPH04199688A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 超発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2331777A JPH04199688A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 超発光ダイオード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04199688A true JPH04199688A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=18247517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2331777A Pending JPH04199688A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 超発光ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04199688A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015103741A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ、およびそれを用いた光干渉断層計 |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP2331777A patent/JPH04199688A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015103741A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ、およびそれを用いた光干渉断層計 |
US9945658B2 (en) | 2013-11-27 | 2018-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Wavelength tunable surface emitting laser and optical coherence tomography apparatus including the same |
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