JPH04196042A - 反射電子検出装置 - Google Patents
反射電子検出装置Info
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- JPH04196042A JPH04196042A JP2322578A JP32257890A JPH04196042A JP H04196042 A JPH04196042 A JP H04196042A JP 2322578 A JP2322578 A JP 2322578A JP 32257890 A JP32257890 A JP 32257890A JP H04196042 A JPH04196042 A JP H04196042A
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Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、試料から反射した電子を検出するための反射
電子検出装置に関し、特に試料から反射した電子を検出
することにより試料の状態を拡大する電子顕微鏡や、L
SIの製作時に回路図形を描画する描画装置に用いるの
に好適な反射電子検出装置に関する。
電子検出装置に関し、特に試料から反射した電子を検出
することにより試料の状態を拡大する電子顕微鏡や、L
SIの製作時に回路図形を描画する描画装置に用いるの
に好適な反射電子検出装置に関する。
(従来の技術)
試料に電子を照射して、この試料から反射した電子を検
出することにより、電子の照射量を制御したり、試料の
表面状態を検出するための反射電子検出装置が提案され
ている。
出することにより、電子の照射量を制御したり、試料の
表面状態を検出するための反射電子検出装置が提案され
ている。
ところで、LSIの製作時には、設計で得られたデータ
をもとに回路図形(パターン)を創成する必要がある。
をもとに回路図形(パターン)を創成する必要がある。
この回路図形をウェハへ描画する方法の一例として、電
子線をウェハに照射することにより回路図形を描画する
電子描画装置が使用されている。
子線をウェハに照射することにより回路図形を描画する
電子描画装置が使用されている。
LSIの電子線によるパターン描画(電子描画)はウェ
ハへの直接描画、あるいはマスク及びその数倍大のレク
チルの描画に使用されている。このLSIのパターンは
年々微細化が進んでおり、64MDRAMでは、パター
ンの線幅が0.4.czm。
ハへの直接描画、あるいはマスク及びその数倍大のレク
チルの描画に使用されている。このLSIのパターンは
年々微細化が進んでおり、64MDRAMでは、パター
ンの線幅が0.4.czm。
重ね合わせ精度が3σで0.11zm以ト“と昌ゎれて
いる。 パターン精度を左右する問題としては、(a)
電子光学系(鏡筒)、(b)回路系、(C)機械系(振
動、熱膨脹による斐形)、(cl)レジストプロセス系
、(e)ステージ位置の測定系、(f)反射電子の検出
なとに別けることが出来る。
いる。 パターン精度を左右する問題としては、(a)
電子光学系(鏡筒)、(b)回路系、(C)機械系(振
動、熱膨脹による斐形)、(cl)レジストプロセス系
、(e)ステージ位置の測定系、(f)反射電子の検出
なとに別けることが出来る。
これらの問題の各精度は、パターンの微細化に比例(、
て向上さぜることが必須である。
て向上さぜることが必須である。
ここでまずLSIの回路図形創成用の一般的な電子ビー
ム描画装置について、第11図を用いて説明する。
ム描画装置について、第11図を用いて説明する。
電子ビーム描画装置]は、真空チャンバ′3と、この真
空チャンバ3の」一部から試料7に電rを照射する電r
−光学系5(以上「鏡筒」と称する)と、真空チャンバ
3内に配置されて試料7が載置されると共にX方向及び
Y方向へ微量移動+iJ能なXYテーブルつと、試料7
へ照射された電子ビームの反射電子を捕捉する反射電子
検出器11とて構成されている。
空チャンバ3の」一部から試料7に電rを照射する電r
−光学系5(以上「鏡筒」と称する)と、真空チャンバ
3内に配置されて試料7が載置されると共にX方向及び
Y方向へ微量移動+iJ能なXYテーブルつと、試料7
へ照射された電子ビームの反射電子を捕捉する反射電子
検出器11とて構成されている。
また、鏡筒5には制御系]3が接続されている。
この制御系]3には、反射電子検出器11に接続された
光電了増イ1〜管]5及びこの光電子増倍管15に接続
された増幅器]7か接続されており、さらにデイスプレ
ィ1つが接続されている。
光電了増イ1〜管]5及びこの光電子増倍管15に接続
された増幅器]7か接続されており、さらにデイスプレ
ィ1つが接続されている。
以上の構成の電子ビーム描画装置1て、回路パターンを
ウェハ等に描画する手順について説明する。先ず、回路
パターン等の設計データを制御系13に人力する。次に
tiii画する試料7をXY子テーブル上の所定の位置
に載置する。そして、電子ビームにより試料面上のマー
ク位置を検出する。
ウェハ等に描画する手順について説明する。先ず、回路
パターン等の設計データを制御系13に人力する。次に
tiii画する試料7をXY子テーブル上の所定の位置
に載置する。そして、電子ビームにより試料面上のマー
ク位置を検出する。
検出したマーク位置により鏡筒5と試料7との位置合わ
ぜを行う。既に人力された段調データにノ、(づいて、
鏡筒5から電子ビームを試料7へ回路パターンに応して
照I・]シ、試料7−1.に回路パターンを描画する。
ぜを行う。既に人力された段調データにノ、(づいて、
鏡筒5から電子ビームを試料7へ回路パターンに応して
照I・]シ、試料7−1.に回路パターンを描画する。
以りの手順により、試料7上に回路パターンが描画され
る。このような手順による描画では、装置の描画精度に
関り、しているのは、マーク位置及び形状の検出と描画
中の電子ビームの電流密度の安定化の精度である。これ
らのマーク検出と描画に於ける微量な電子ビームの電流
密度の変化量の制御は、反射電子検出器]1により、電
子ビームを試料面に当てたことて発41−するエネルギ
の小さい反射電子21を検出することで行っている。
る。このような手順による描画では、装置の描画精度に
関り、しているのは、マーク位置及び形状の検出と描画
中の電子ビームの電流密度の安定化の精度である。これ
らのマーク検出と描画に於ける微量な電子ビームの電流
密度の変化量の制御は、反射電子検出器]1により、電
子ビームを試料面に当てたことて発41−するエネルギ
の小さい反射電子21を検出することで行っている。
反射電子21の検出方法は、光電変換素子からなる反射
電子検出装置]]により反射電子21を、光に変換し、
ライトノJイト内を導かれた光は光電子倍増管15によ
り電気信号に変換され、この電気信号は増幅器]5を介
してデイスプレィ]つと、制御系]3に送られ、試料の
パターン像の表示及び描画時における電子ビームの電流
密度の微量な変動を安定させる。
電子検出装置]]により反射電子21を、光に変換し、
ライトノJイト内を導かれた光は光電子倍増管15によ
り電気信号に変換され、この電気信号は増幅器]5を介
してデイスプレィ]つと、制御系]3に送られ、試料の
パターン像の表示及び描画時における電子ビームの電流
密度の微量な変動を安定させる。
第12図には、従来の反射電子検出装置11が示されて
いる。この反射電子検出装置]]の検出部1]aは、鏡
筒5の先端部と試料7との間の側部に配置されている。
いる。この反射電子検出装置]]の検出部1]aは、鏡
筒5の先端部と試料7との間の側部に配置されている。
この理由は、鏡筒5の先端部に配置される図示しないり
・1物レンスと試料7との距離(ツーキングデイスタン
ス)Sをなるべく短くする必要からである。
・1物レンスと試料7との距離(ツーキングデイスタン
ス)Sをなるべく短くする必要からである。
ところか、この構成の反射電子検出装置]1は、試料7
に反射して散乱した電子の捕捉がまた不→−−−−,,
5− 分と訂える。
に反射して散乱した電子の捕捉がまた不→−−−−,,
5− 分と訂える。
さらに、第13図には、異なる種類の反射TU:5.4
”検出装置2′3の例か示されている。この第13図に
示される反射電子検出装置23は、鏡筒5の電子ビーム
の照射路の周囲に配置されて、試料7に反身=jして、
電子ビームの照射口から鏡筒5内に戻った反射電子を捕
捉する構成である。
”検出装置2′3の例か示されている。この第13図に
示される反射電子検出装置23は、鏡筒5の電子ビーム
の照射路の周囲に配置されて、試料7に反身=jして、
電子ビームの照射口から鏡筒5内に戻った反射電子を捕
捉する構成である。
ところか、−に記のような鏡筒5内に配置された反則電
子検出装置23では、試料で反射されて鏡筒5内に戻っ
てくる反射電子の量が少ないため、+l−確に試料から
の反射電子の量を検出することが出来ない。
子検出装置23では、試料で反射されて鏡筒5内に戻っ
てくる反射電子の量が少ないため、+l−確に試料から
の反射電子の量を検出することが出来ない。
また、第15図には、鏡筒5の端部と試料7との間に配
置された第16図に示す環状体形状の反射電子検出装置
25か示されている。
置された第16図に示す環状体形状の反射電子検出装置
25か示されている。
ところか、この方法では、試料面から見た立体角か非常
に小さく、エネルギーの小さな反射電子の捕捉が不十分
で、正確な反射電子の検出が困難である。
に小さく、エネルギーの小さな反射電子の捕捉が不十分
で、正確な反射電子の検出が困難である。
このため電子ビーム電流密度の微量な変化量を検出する
ことが出来すS/N比が悪くなり、微細な回路パターン
の描画ができないという問題があった。
ことが出来すS/N比が悪くなり、微細な回路パターン
の描画ができないという問題があった。
(発明が解決しようとする課題)
以上のように、従来の反射電子検出装置では、いずれも
、反射電子の捕捉か不十分であるため、電子ビーム電流
密度の微量な変化量を得るのが困難であった。
、反射電子の捕捉か不十分であるため、電子ビーム電流
密度の微量な変化量を得るのが困難であった。
本発明は」1記事実を考慮し、エネルギーの小さな反射
電子をも精度良く検出することが出来る反射電子検出装
置を提供することが目的である。
電子をも精度良く検出することが出来る反射電子検出装
置を提供することが目的である。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
」1記目的を達成するため請求項(1)記載の発明では
、電子検出器の電子検出面を、ほぼ全ての反射電子の反
射方向を覆うごとく配置したことを特徴としている。
、電子検出器の電子検出面を、ほぼ全ての反射電子の反
射方向を覆うごとく配置したことを特徴としている。
請求項(2)記載の発明では、電子検出器を、前記試料
とこの試料に向けて電子を照射するための電子光学系と
の間に配置すると共に、この電子検出器を電子光学系を
支持する鏡筒に支持したことを特徴としている。
とこの試料に向けて電子を照射するための電子光学系と
の間に配置すると共に、この電子検出器を電子光学系を
支持する鏡筒に支持したことを特徴としている。
(作用)
請求項(1)記載の発明によれば、試料に反射した電子
は、ほぼ反射電子の反射方向を覆うことく配置された電
子検出器によって検出される。
は、ほぼ反射電子の反射方向を覆うことく配置された電
子検出器によって検出される。
これにより、試料面から見た立体角が大きくなり、エネ
ルギの小さい反射型r・を精度良く測定することが出来
る。従って、S/N比を向」二することが出来る。
ルギの小さい反射型r・を精度良く測定することが出来
る。従って、S/N比を向」二することが出来る。
請求項(2)記載の発明によれば、電r検出器を鏡筒に
支持したので、鏡筒の分解を行っても鏡筒と一体に分解
されるため鏡筒に対する位置精度は保持され、分解後に
組み(;Iける場合に試料面がらの位置が一定になり、
電子検出器がらの信号の補正が不要になる。
支持したので、鏡筒の分解を行っても鏡筒と一体に分解
されるため鏡筒に対する位置精度は保持され、分解後に
組み(;Iける場合に試料面がらの位置が一定になり、
電子検出器がらの信号の補正が不要になる。
(実施例)
次に本発明に係る反射電子検出装置29の実施例につい
て説明する。なお第11図に示される電子ビーム描画装
置1と同構成部分については、図面に同符号をイτjし
て説明を省略した。
て説明する。なお第11図に示される電子ビーム描画装
置1と同構成部分については、図面に同符号をイτjし
て説明を省略した。
第1実施例
第1図には、電子ビーム描画装置27の鏡筒先端部に形
成された対物レンス3]と、XYテーブル9」二の所定
の位置に載置された試料7と、この試料7と対物レンス
31の先端部との間に配置されてこの対物レンス3]に
支持部材32により支持された光電変換素子33と、が
示されている。
成された対物レンス3]と、XYテーブル9」二の所定
の位置に載置された試料7と、この試料7と対物レンス
31の先端部との間に配置されてこの対物レンス3]に
支持部材32により支持された光電変換素子33と、が
示されている。
第2図に示されるように、光電変換素子33は、種々の
方向に飛び散る反射電子をも検出できるように上下が開
放された円錐形状で、内面に反射電子検出面33Cが形
成されており、試料7側に大径の開口33bか対応し、
対物レンズ31側に小径の開口33aが対応するように
、配置されている。すなわち、対物レンズ3]から照射
されて反射した反射電子35の反射方向に対して直交す
る方向に反射電子検出面33cか位置するように配置さ
れている。
方向に飛び散る反射電子をも検出できるように上下が開
放された円錐形状で、内面に反射電子検出面33Cが形
成されており、試料7側に大径の開口33bか対応し、
対物レンズ31側に小径の開口33aが対応するように
、配置されている。すなわち、対物レンズ3]から照射
されて反射した反射電子35の反射方向に対して直交す
る方向に反射電子検出面33cか位置するように配置さ
れている。
第3図に示されるように光変換素子33は、ライトガイ
ド37を介して石英管39と接続され、石英管39はラ
イトガイド41を介して光電子増倍管]5と接続されて
いる。
ド37を介して石英管39と接続され、石英管39はラ
イトガイド41を介して光電子増倍管]5と接続されて
いる。
従って、光電変換素子33へ反射電子が人’J=1され
ると、光電変換素子33により光に変換され、変換され
た光は、ライトガイド37を通過して石英管3つへ送ら
れ、石英管3つにより光は減衰せずに大気中へ取り出さ
れて光電子増倍管15へ送られる。光電子増倍管]5て
は、送られた光を電気信号に変換し、この電気信号は制
御系13へ送る。
ると、光電変換素子33により光に変換され、変換され
た光は、ライトガイド37を通過して石英管3つへ送ら
れ、石英管3つにより光は減衰せずに大気中へ取り出さ
れて光電子増倍管15へ送られる。光電子増倍管]5て
は、送られた光を電気信号に変換し、この電気信号は制
御系13へ送る。
このように、本実施例によれば、上ト°か開放された円
錐形状の光電変換素子33により、試料面から見た立体
角が大きくなり、エネルギの小さい反射電子を捕捉する
ことが出来るので、反射電子の検出精度を向」二するこ
とが出来る。
錐形状の光電変換素子33により、試料面から見た立体
角が大きくなり、エネルギの小さい反射電子を捕捉する
ことが出来るので、反射電子の検出精度を向」二するこ
とが出来る。
従って、電子ビーム電流密度の微量な変化量を検出する
ことが出来、S/N比が向」ニし、微細な回路パターン
の描画が可能となる。
ことが出来、S/N比が向」ニし、微細な回路パターン
の描画が可能となる。
また、光電変換素子33を対物レンズ31に取付けてい
るために電子光学系のメンテナンス時等に分解しても光
電変換素子33と対物レンス31との取付は精度に変化
かなく精度を維持できる。
るために電子光学系のメンテナンス時等に分解しても光
電変換素子33と対物レンス31との取付は精度に変化
かなく精度を維持できる。
第2実施例
次に第2実施例について第4図及び第5図を用いて説明
する。本実施例の反射電子検出装置44の光電変換素子
4゛3は、上記第1実施例の光電変摸索r−33を分割
した例である。
する。本実施例の反射電子検出装置44の光電変換素子
4゛3は、上記第1実施例の光電変摸索r−33を分割
した例である。
第4図に示されるように、対物レンス31に支持部月4
4で支持された光電変換素子43は、上ドか開放された
円錐形状で内面に電子検出面43aか形成された光電変
換素子43を周方向に6個配置して形成されている。こ
れらの各光電変換素子43には、第1実施例と同様にラ
イトガイド37を介して石英管3つと接続され、ライト
ガイド4]を介して光電子増倍管15と接続されている
。
4で支持された光電変換素子43は、上ドか開放された
円錐形状で内面に電子検出面43aか形成された光電変
換素子43を周方向に6個配置して形成されている。こ
れらの各光電変換素子43には、第1実施例と同様にラ
イトガイド37を介して石英管3つと接続され、ライト
ガイド4]を介して光電子増倍管15と接続されている
。
これにより、第1実施例と同様に石英管3つを介して光
電子増倍管15へ、光に変換された反射電子が伝達され
る。
電子増倍管15へ、光に変換された反射電子が伝達され
る。
第3実施例
次に第6図及び第7図を用いて第3実施例にっいて説明
する。第6図に示されるように、反η、j電子検出装置
53の対物レンス31に支持部祠54で支持された光電
変換素子55は、中空円筒形て、χ・J物しンズ′3]
と試料7との間に配置されている。
する。第6図に示されるように、反η、j電子検出装置
53の対物レンス31に支持部祠54で支持された光電
変換素子55は、中空円筒形て、χ・J物しンズ′3]
と試料7との間に配置されている。
この対物レンス3]と試料7との間は、非常に狭く、こ
の狭い隙間に、光電変換素子55か、この隙間を囲むよ
うに配置されている。
の狭い隙間に、光電変換素子55か、この隙間を囲むよ
うに配置されている。
これにより、試料7から反射した弱いエネルギの電子も
検出することか出来、分解能も向上する。
検出することか出来、分解能も向上する。
第4実施例
次に第8図及び第9図を用いて第4実施例について説明
する。第9図に示されるように、対物レンス31に支持
部材58で支持された光電変換素子57は、第3実施例
の光電変換素子55を、軸方向に沿って4個に分割して
形成されている。この光電変換素子57は、第8図に示
されるように、対物レンズ31と試料7との隙間に、試
料7の上面を囲むように配置される。従って、試料7か
ら反射した弱いエネルギの電子も検出することが出来る
。
する。第9図に示されるように、対物レンス31に支持
部材58で支持された光電変換素子57は、第3実施例
の光電変換素子55を、軸方向に沿って4個に分割して
形成されている。この光電変換素子57は、第8図に示
されるように、対物レンズ31と試料7との隙間に、試
料7の上面を囲むように配置される。従って、試料7か
ら反射した弱いエネルギの電子も検出することが出来る
。
第5実施例
次に第10図(a)乃至第10図(d)を用いて第5実
施例について説明する。第5実施例は、光電変換素子の
変形例である。
施例について説明する。第5実施例は、光電変換素子の
変形例である。
第10図(a)は、円形で内面側に電子検出面45aが
形成された光電変換素子45を4個、試料7を囲んでか
つ、試料からの電子の反射方向に対して直交するように
、配置した例である。
形成された光電変換素子45を4個、試料7を囲んでか
つ、試料からの電子の反射方向に対して直交するように
、配置した例である。
第10図(b)は、矩形状で内面側に電r検出面47a
が形成された光電変換素子47を4枚、試料を囲んでか
っ、試料からの電子の反η・j方向に対して直交するよ
うに、配置した例である。
が形成された光電変換素子47を4枚、試料を囲んでか
っ、試料からの電子の反η・j方向に対して直交するよ
うに、配置した例である。
第10図(C)は、三角形状で内面側に電子検出面49
aか形成された光電変換素子4つを4枚、試料を囲んで
かつ試料からの電子の反射方向に対して直交するように
、配置した例である。
aか形成された光電変換素子4つを4枚、試料を囲んで
かつ試料からの電子の反射方向に対して直交するように
、配置した例である。
第10図(d)は、台形状で内面側に電r検出面51.
aが形成された光電変換素子51を4枚、試料を囲ん
でかつ試料からの電子の反射方向に対して直交するよう
に、配置した例である。
aが形成された光電変換素子51を4枚、試料を囲ん
でかつ試料からの電子の反射方向に対して直交するよう
に、配置した例である。
[発明の効果]
以上説明したように本発明に係る反射電子検出装置によ
れば、試料面から見た立体角が大きくなり、エネルギの
小さな反射電子を精度良くδ1り定することか出来るの
で、電子ビームの電流密度の微量な変化量を検出するこ
とが出来てS/N比か向上し、回路パターンの描画に用
いた場合には、より微細な回路パターンを描画すること
が出来るという優れた効果が得られる。
れば、試料面から見た立体角が大きくなり、エネルギの
小さな反射電子を精度良くδ1り定することか出来るの
で、電子ビームの電流密度の微量な変化量を検出するこ
とが出来てS/N比か向上し、回路パターンの描画に用
いた場合には、より微細な回路パターンを描画すること
が出来るという優れた効果が得られる。
また、光電変換素子を鏡筒に支持したので、鏡筒の分解
を行っても常に鏡筒との位置ずれは11じず試料面から
の位置が一定になり分解組み立て後の光電変換素子から
の信号の補正が不要になるという優れた効果が得られる
。
を行っても常に鏡筒との位置ずれは11じず試料面から
の位置が一定になり分解組み立て後の光電変換素子から
の信号の補正が不要になるという優れた効果が得られる
。
第1図は本発明に係る反射電子検出装置の第1実施例を
示す断面図、第2図は第1実施例の反射電子検出装置の
光電変換素子を示す斜視図、第3図は光電変換素子に人
力された電子を光に変換して制御装置に伝達する構成を
示す断面図、第4図は第2実施例の反射電子検出装置を
示す断面図、第5図は第2実施例の反射電子検出装置の
光電変換素子を示す斜視図、第6図は第3実施例の反射
電子検出装置を示す断面図、第7図は第3実施例の反射
電子検出装置の光電変換素子を示す斜視図、第8図は第
4実施例の反射電子検出装置を示す断面図、第9図は第
4実施例の反射電子検出装置の光電変換素子を示す斜視
図、第10図(a)乃至第10図(d)は光電変換素子
の他の実施例を示す斜視図、第11図乃至第15図は従
来の反射電子検出装置を示し第11図は断面図、第12
図は試料に反射した電子とこの電子検出する検出装置を
示す斜視図、第13図は鏡筒の内部に配置された光電変
換素子の従来の反射電子検出装置を示す断面図、第14
図は円筒形の光電変換素子を示す斜視図、第15図は環
状の光電変換素子が配置された反射電子検出装置を示す
断面図、第16図は環状の光電変換素子を示す斜視図で
ある。 3・・・真空チャンバ 7・・試料 9・・・XYテーブル 27・・・電子ビーム描画装置 29.53・・・反射電子検出装置 32.44.54.58・・支持部月 31・・・対物レンズ 33.43.45.47.49 51.55.57・・・光電変換素子 35・・反射電子 37.4]・・・ライトガイド 3つ・・・石英管 代理パラ′11ヱ士三好秀和
示す断面図、第2図は第1実施例の反射電子検出装置の
光電変換素子を示す斜視図、第3図は光電変換素子に人
力された電子を光に変換して制御装置に伝達する構成を
示す断面図、第4図は第2実施例の反射電子検出装置を
示す断面図、第5図は第2実施例の反射電子検出装置の
光電変換素子を示す斜視図、第6図は第3実施例の反射
電子検出装置を示す断面図、第7図は第3実施例の反射
電子検出装置の光電変換素子を示す斜視図、第8図は第
4実施例の反射電子検出装置を示す断面図、第9図は第
4実施例の反射電子検出装置の光電変換素子を示す斜視
図、第10図(a)乃至第10図(d)は光電変換素子
の他の実施例を示す斜視図、第11図乃至第15図は従
来の反射電子検出装置を示し第11図は断面図、第12
図は試料に反射した電子とこの電子検出する検出装置を
示す斜視図、第13図は鏡筒の内部に配置された光電変
換素子の従来の反射電子検出装置を示す断面図、第14
図は円筒形の光電変換素子を示す斜視図、第15図は環
状の光電変換素子が配置された反射電子検出装置を示す
断面図、第16図は環状の光電変換素子を示す斜視図で
ある。 3・・・真空チャンバ 7・・試料 9・・・XYテーブル 27・・・電子ビーム描画装置 29.53・・・反射電子検出装置 32.44.54.58・・支持部月 31・・・対物レンズ 33.43.45.47.49 51.55.57・・・光電変換素子 35・・反射電子 37.4]・・・ライトガイド 3つ・・・石英管 代理パラ′11ヱ士三好秀和
Claims (2)
- (1)試料に反射した電子を電子検出器で検出する反射
電子検出装置であって、 前記電子検出器の電子検出面を、ほぼ全ての反射電子の
反射方向を覆うごとく配置したことを特徴とする反射電
子検出装置。 - (2)試料に反射した電子を検出する電子検出器を、前
記試料とこの試料に向けて電子を照射するための電子光
学系との間に配置すると共に、前記電子検出器を電子光
学系を支持する鏡筒に支持したことを特徴とする反射電
子検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2322578A JPH04196042A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 反射電子検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2322578A JPH04196042A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 反射電子検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04196042A true JPH04196042A (ja) | 1992-07-15 |
Family
ID=18145255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2322578A Pending JPH04196042A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 反射電子検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04196042A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004259516A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Fujitsu Ltd | 走査透過型電子顕微鏡 |
JP2013541799A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-11-14 | パルセータ,エルエルシー | 密接に結合したシンチレータ−光電子増倍管の組合せを含む電子検出器、それを用いた電子顕微鏡及びx線検出器 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2322578A patent/JPH04196042A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004259516A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Fujitsu Ltd | 走査透過型電子顕微鏡 |
JP2013541799A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-11-14 | パルセータ,エルエルシー | 密接に結合したシンチレータ−光電子増倍管の組合せを含む電子検出器、それを用いた電子顕微鏡及びx線検出器 |
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