JPH04193797A - 単結晶フェライト - Google Patents
単結晶フェライトInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- C04B35/2658—Other ferrites containing manganese or zinc, e.g. Mn-Zn ferrites
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/133—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores composed of particles, e.g. with dust cores, with ferrite cores with cores composed of isolated magnetic particles
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＶＴＲ，特に８順ビデオ、５−ＶＨ８，ＥＤ
−βまたはビデオフロッピー等の磁気ヘッドの素材とし
て用いられる単結晶フェライトに関する。
−βまたはビデオフロッピー等の磁気ヘッドの素材とし
て用いられる単結晶フェライトに関する。
従来、ＶＴＲ映像用の記録、再生用ヘッドの素材として
は、主としてＭ ｎ −Ｚ ｎ系単結晶フェライト、Ｍ
ｎ−Ｚｎ−８ｎ単結晶フエライトが用いられている。と
ころが、５−ＶＨ８ＸＥＤ−β仕様のＶＴＲ用磁気ヘッ
ド材料としてＭ ｎ −Ｚ ｎ系単結晶フェライト、Ｍ
ｎ−Ｚｎ−８ｎ単結晶フエライトを採用した場合、この
単結晶フェライトは飽和磁束密度Ｂｓが小さく透磁率μ
も小さいため、高保磁力の媒体に対応できない等の難点
がある。
は、主としてＭ ｎ −Ｚ ｎ系単結晶フェライト、Ｍ
ｎ−Ｚｎ−８ｎ単結晶フエライトが用いられている。と
ころが、５−ＶＨ８ＸＥＤ−β仕様のＶＴＲ用磁気ヘッ
ド材料としてＭ ｎ −Ｚ ｎ系単結晶フェライト、Ｍ
ｎ−Ｚｎ−８ｎ単結晶フエライトを採用した場合、この
単結晶フェライトは飽和磁束密度Ｂｓが小さく透磁率μ
も小さいため、高保磁力の媒体に対応できない等の難点
がある。
この点を改善するためにＦｅ２Ｏ３の量を増加させて飽
和磁束密度Ｂｓを向上させた単結晶フェライトが知られ
ている。
和磁束密度Ｂｓを向上させた単結晶フェライトが知られ
ている。
しかしながら、上述のようにＦｅ２Ｏ３の量を増加した
単結晶フェライトの場合、飽和磁束密度Ｂｓを向上させ
ることができるが、高周波領域までの透磁率μが大幅に
低下してしまい、５−ＶＨ３，ＥＤ−β仕様のＶＴＲ用
磁気ヘッド材料に要求される飽和磁束密度５０００Ｇａ
ｕｓｓ以上、透磁率μ ９００以上、μ ５００以
上といＩＭＬ ５１１１）＋２う磁気特
性を得ることが難しいという問題点があった。
単結晶フェライトの場合、飽和磁束密度Ｂｓを向上させ
ることができるが、高周波領域までの透磁率μが大幅に
低下してしまい、５−ＶＨ３，ＥＤ−β仕様のＶＴＲ用
磁気ヘッド材料に要求される飽和磁束密度５０００Ｇａ
ｕｓｓ以上、透磁率μ ９００以上、μ ５００以
上といＩＭＬ ５１１１）＋２う磁気特
性を得ることが難しいという問題点があった。
本発明の目的は、高周派の透磁率μを向上させ、さらに
高い飽和磁束密度Ｂｓを有する単結晶フェライトを提供
することにある。
高い飽和磁束密度Ｂｓを有する単結晶フェライトを提供
することにある。
前記の目的を達成するために、本発明による単結晶フェ
ライトは、５０〜５７ｍｏｌ％のＦ ｅ ２０３に１８
〜４５ｍｏｌ％のＭ ｎ Ｏおよび５〜２５ｍｏｌ％の
ＺｎＯを含んでなる単結晶フェライトに、Ｌａ２Ｏ３の
式で示されるランタンイド族元素の酸化物を０．０１〜
５．０重量％の割合で含有せしめたことを特徴とする。
ライトは、５０〜５７ｍｏｌ％のＦ ｅ ２０３に１８
〜４５ｍｏｌ％のＭ ｎ Ｏおよび５〜２５ｍｏｌ％の
ＺｎＯを含んでなる単結晶フェライトに、Ｌａ２Ｏ３の
式で示されるランタンイド族元素の酸化物を０．０１〜
５．０重量％の割合で含有せしめたことを特徴とする。
前記組成を有する本発明の単結晶フェライトは高透磁率
で、高飽和磁束密度を有するものとなる。
で、高飽和磁束密度を有するものとなる。
以下、本発明の詳細な説明する。
本実施例においては、単結晶フェライトをブリッジマン
法により製している。
法により製している。
すなわち、先ずＭｎＯ、ＺｎＯおよびＦ ｅ ２０３を
それぞれ２８．７５ｍｏｌ％、１８．５０ｍｏｌ％およ
び５２．７５ｍｏｌ％となるように秤量し、これらの総
和に対して１．３重量％のＬ ａ ２０３で示されるラ
ンタノイド族元素の酸化物を添加して、単結晶フェライ
トを製した。本実施例におけるＬａ Ｏとしては、Ｌ
ａ Ｏ、Ｎｄ０ 、Ｓｍ Ｏ、Ｇｄ ○ 、Ｄ
ｙ２Ｏ３およびＥｒ２Ｏ３の６種類を用いた。
それぞれ２８．７５ｍｏｌ％、１８．５０ｍｏｌ％およ
び５２．７５ｍｏｌ％となるように秤量し、これらの総
和に対して１．３重量％のＬ ａ ２０３で示されるラ
ンタノイド族元素の酸化物を添加して、単結晶フェライ
トを製した。本実施例におけるＬａ Ｏとしては、Ｌ
ａ Ｏ、Ｎｄ０ 、Ｓｍ Ｏ、Ｇｄ ○ 、Ｄ
ｙ２Ｏ３およびＥｒ２Ｏ３の６種類を用いた。
前記６種類の本実施例の単結晶フェライトとＬａ２Ｏ３
を添加していない従来の単結晶フェライトに対して、Ｉ
ＭＨｚと５ Ｍ Ｈｚの透磁率μと、飽和磁束密度Ｂｓ
を測定して、第１表に示しである。
を添加していない従来の単結晶フェライトに対して、Ｉ
ＭＨｚと５ Ｍ Ｈｚの透磁率μと、飽和磁束密度Ｂｓ
を測定して、第１表に示しである。
第１表かられかるように、６種類の本実施例はそれぞれ
、透磁率μＩＭＩ（ｚ、μ５ＭＨｚおよび飽和磁束密度
Ｂｓの少なくとも１つが従来例より優れており、磁気ヘ
ッド材料として有効である。特にＳｍ Ｏ５Ｄｙ２０３
およびＥｒ２Ｏ３を添加した３種類の本実施例の単結晶
フェライトは、両透磁率および飽和磁束密度とも従来例
よりはるかにすぐれており、効果が顕著である。これら
の３種は、５−ＶＨ８，ＥＤ−β仕様のＶＴＲ用磁気−
＼ラド材料として極めて高い特性を示すものである。ま
た、Ｇｄ２Ｏ３を添加したものはμ５ＭＨ２の透磁率お
よび飽和磁束密度の点において従来例より優れており、
Ｎ ｄ ２０ ａを添加したものは両透磁率の点におい
て優れており、Ｌａ２Ｏ３を添加したものはμ の透
磁率の点において優れていＩＭＨｚ る。
、透磁率μＩＭＩ（ｚ、μ５ＭＨｚおよび飽和磁束密度
Ｂｓの少なくとも１つが従来例より優れており、磁気ヘ
ッド材料として有効である。特にＳｍ Ｏ５Ｄｙ２０３
およびＥｒ２Ｏ３を添加した３種類の本実施例の単結晶
フェライトは、両透磁率および飽和磁束密度とも従来例
よりはるかにすぐれており、効果が顕著である。これら
の３種は、５−ＶＨ８，ＥＤ−β仕様のＶＴＲ用磁気−
＼ラド材料として極めて高い特性を示すものである。ま
た、Ｇｄ２Ｏ３を添加したものはμ５ＭＨ２の透磁率お
よび飽和磁束密度の点において従来例より優れており、
Ｎ ｄ ２０ ａを添加したものは両透磁率の点におい
て優れており、Ｌａ２Ｏ３を添加したものはμ の透
磁率の点において優れていＩＭＨｚ る。
なお、本発明の単結晶フェライトは前記６種類の実施例
に限定されるものではなく、好ましくは、第１図に示す
ような５０〜５７ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３の中に１８〜４
５ｍｏｌ％のＭｎＯおよび５〜２５ｍｏｌ％のＺｎＯを
含ませたＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトに適用するとよく
、しかも添加するＬ ａ ２０３からなるランタノイド
族元素の酸化物を前記フェライトに対して０．０１〜５
，０重量％とするとよい。
に限定されるものではなく、好ましくは、第１図に示す
ような５０〜５７ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３の中に１８〜４
５ｍｏｌ％のＭｎＯおよび５〜２５ｍｏｌ％のＺｎＯを
含ませたＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトに適用するとよく
、しかも添加するＬ ａ ２０３からなるランタノイド
族元素の酸化物を前記フェライトに対して０．０１〜５
，０重量％とするとよい。
本発明において、ランタノイド族元素酸化物の添加量を
０．０１〜５．０重量％に限定した理由は、所定の磁気
特性を得るためである。すなわち、添加量が０．０１重
量％以下であると透磁率μ、飽和磁束密度Ｂｓの向上の
効果が現われず、添加量が５．０重量％以上であるとラ
ンタノイド族元素のイオン半径が０．８６１〜１．０４
５八と大きいために、Ｆｅ（イオン半径０．６７人）を
置換できずに結晶内に析出する現象が発生するために特
性が大幅に低下するからである。
０．０１〜５．０重量％に限定した理由は、所定の磁気
特性を得るためである。すなわち、添加量が０．０１重
量％以下であると透磁率μ、飽和磁束密度Ｂｓの向上の
効果が現われず、添加量が５．０重量％以上であるとラ
ンタノイド族元素のイオン半径が０．８６１〜１．０４
５八と大きいために、Ｆｅ（イオン半径０．６７人）を
置換できずに結晶内に析出する現象が発生するために特
性が大幅に低下するからである。
なお、前記６種類以外の他のランタノイド族元素の酸化
物についても同様の磁気特性を向上させる効果がみられ
た。
物についても同様の磁気特性を向上させる効果がみられ
た。
以上述べたように本発明による単結晶フェライトは、５
０〜５７＋ｎｏ１％のＦｅ２Ｏ３に１８〜４５ｍｏｌ％
のＭｎＯおよび５〜２５ｍｏｌ％のＺｎＯを含んでなる
単結晶フェライトに、Ｌａ２Ｏ３の式で示されるランタ
ノイド族元素の酸化物を０．０１〜５．０重量％の割合
で含有せしめたことにより、透磁率および飽和磁束密度
の少なくとも１つを大きく向上させることができ、高性
能のヘッド特性を有する高記録密度磁気記録用ヘッド材
として用いることができる等のきわめて優れた効果を奏
する。
０〜５７＋ｎｏ１％のＦｅ２Ｏ３に１８〜４５ｍｏｌ％
のＭｎＯおよび５〜２５ｍｏｌ％のＺｎＯを含んでなる
単結晶フェライトに、Ｌａ２Ｏ３の式で示されるランタ
ノイド族元素の酸化物を０．０１〜５．０重量％の割合
で含有せしめたことにより、透磁率および飽和磁束密度
の少なくとも１つを大きく向上させることができ、高性
能のヘッド特性を有する高記録密度磁気記録用ヘッド材
として用いることができる等のきわめて優れた効果を奏
する。
以下この頁余白
第１表
添加剤 透磁率 飽和磁束密度
μＩＭＨ２μ５ＭＨ２Ｂ ｓ （Ｇ ａ ｕ ｓ ８）
１、 な し ８５７
４９５ ５０２４２、Ｌａ Ｏ１０５０
４８４５０１４３、Ｎｄ Ｏ９９７６１５５０２０ ４、Ｓｍ Ｏ１３６７６０９５２６５５、Ｇｄ Ｏ
７８２５６９５２５９ ６、Ｄｙ Ｏ１３２５５４３５２８８７、Ｅｒ Ｏ
１４６０６１４５５６５
μＩＭＨ２μ５ＭＨ２Ｂ ｓ （Ｇ ａ ｕ ｓ ８）
１、 な し ８５７
４９５ ５０２４２、Ｌａ Ｏ１０５０
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７８２５６９５２５９ ６、Ｄｙ Ｏ１３２５５４３５２８８７、Ｅｒ Ｏ
１４６０６１４５５６５
第１図は、本発明におけるＦ ｅ ２０３Ｍ ｎ ０−
ＺｎＯのフェライト組成を示すグラフである。 出願人代理人 中 尾 俊 輔第１図 ｅ２０３
ＺｎＯのフェライト組成を示すグラフである。 出願人代理人 中 尾 俊 輔第１図 ｅ２０３
Claims (1)
- ５０〜５７ｍｏｌ％のＦｅ＿２Ｏ＿３に１８〜４５ｍｏ
ｌ％のＭｎＯおよび５〜２５ｍｏｌ％のＺｎＯを含んで
なる単結晶フェライトに、Ｌａ＿２Ｏ＿３（式中Ｌａは
ランタノイド族元素を表わす）の式で示されるランタノ
イド族元素の酸化物を０．０１〜５．０重量％の割合で
含有せしめたことを特徴とする単結晶フェライト。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2320456A JPH04193797A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 単結晶フェライト |
| KR1019910020661A KR950007165B1 (ko) | 1990-11-22 | 1991-11-20 | 단결정 페라이트 |
| DE4138466A DE4138466C2 (de) | 1990-11-22 | 1991-11-22 | Einkristallferrit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2320456A JPH04193797A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 単結晶フェライト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04193797A true JPH04193797A (ja) | 1992-07-13 |
Family
ID=18121653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2320456A Pending JPH04193797A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 単結晶フェライト |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04193797A (ja) |
| KR (1) | KR950007165B1 (ja) |
| DE (1) | DE4138466C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11945753B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-04-02 | Rogers Corporation | Low loss power ferrites and method of manufacture |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458677B1 (ko) * | 2002-09-09 | 2004-12-03 | 학교법인단국대학 | 유도 브릴루앙 산란 및 내부 공진기형 2차 조화파 발생을이용한 라만 레이저 발진 장치 및 방법 |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP2320456A patent/JPH04193797A/ja active Pending
-
1991
- 1991-11-20 KR KR1019910020661A patent/KR950007165B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-11-22 DE DE4138466A patent/DE4138466C2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11945753B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-04-02 | Rogers Corporation | Low loss power ferrites and method of manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4138466C2 (de) | 1994-06-09 |
| DE4138466A1 (de) | 1992-05-27 |
| KR920009707A (ko) | 1992-06-25 |
| KR950007165B1 (ko) | 1995-06-30 |
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