JPH04192484A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH04192484A JPH04192484A JP32420090A JP32420090A JPH04192484A JP H04192484 A JPH04192484 A JP H04192484A JP 32420090 A JP32420090 A JP 32420090A JP 32420090 A JP32420090 A JP 32420090A JP H04192484 A JPH04192484 A JP H04192484A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザの構造、製造方法に関するもの
である。
である。
第７図〜第１２図は埋込みリッジ型と呼ば口る半導体レ
ーザ装置の従来の製造方法例を示したものである。図に
おいて、（１〕は基板、（２）は下クラッド層、（３月
ま活性層、（４）ば上クラッド層、（５月まコンタクト
層、（ｓ−ｂ）はブロック層、（７）は電極を示す。
ーザ装置の従来の製造方法例を示したものである。図に
おいて、（１〕は基板、（２）は下クラッド層、（３月
ま活性層、（４）ば上クラッド層、（５月まコンタクト
層、（ｓ−ｂ）はブロック層、（７）は電極を示す。
次に動作について説明する。ｐ、ｎ１！極（７）、（３
）間に電位差をかけると、下クラッド層（ｎ−ＡＩＧａ
Ａｓ）（２）からは電子が、上クラッド層（ｐ−Ａ ｌ
ＧａＡｓ ）（４）からはホールが活性層（３）に注入
さ０再結合し発光する。
）間に電位差をかけると、下クラッド層（ｎ−ＡＩＧａ
Ａｓ）（２）からは電子が、上クラッド層（ｐ−Ａ ｌ
ＧａＡｓ ）（４）からはホールが活性層（３）に注入
さ０再結合し発光する。
このとき電流ブロック層（６ａ） （Ａｓ−５系ガラス
）によって、この部分は電流がブロックされそれ以外の
実際に発光する部分近くに集中して電流が流れ効率良く
発光する。
）によって、この部分は電流がブロックされそれ以外の
実際に発光する部分近くに集中して電流が流れ効率良く
発光する。
従来の半導体レーザ装置の製造方法は以上のように構成
さ口ていたので、ブロック層（６−ｂ）を形成するとき
、気相法による選択エピタキシャル成長を行なう必要が
ある。エピタキシャル結晶成長を行なうためには、結晶
成長装置は各条件が十分にコントロールさ口る必要があ
り、装置は高価なものが必要であるなどの問題があった
。
さ口ていたので、ブロック層（６−ｂ）を形成するとき
、気相法による選択エピタキシャル成長を行なう必要が
ある。エピタキシャル結晶成長を行なうためには、結晶
成長装置は各条件が十分にコントロールさ口る必要があ
り、装置は高価なものが必要であるなどの問題があった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ブロック層を形成する際、例えば、Ａｓ−５
系ガラスのような低融点、高抵抗のガラスを用いること
のできる半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
たもので、ブロック層を形成する際、例えば、Ａｓ−５
系ガラスのような低融点、高抵抗のガラスを用いること
のできる半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
本発明に係わる半導体レーザ装置の製造方法は、ブロッ
ク層をエピタキシャル成長法でつくったｎ−ＧａＡｓ
の代わりに、例えば、Ａｓ−３系ガラスのような低融
点、高抵抗のガラスを用いたものである。
ク層をエピタキシャル成長法でつくったｎ−ＧａＡｓ
の代わりに、例えば、Ａｓ−３系ガラスのような低融
点、高抵抗のガラスを用いたものである。
この発明における半導体レーザ装置の製造方法はブロッ
ク−層に用いたＡｓ−５系ガラスは高抵抗であるため、
ｐ−ｎ逆バイアスの層をエピタキシャルに作る必要はな
（、Ａｓ−５系ガラスメルトにつけたのち取出して固化
すれば良い。
ク−層に用いたＡｓ−５系ガラスは高抵抗であるため、
ｐ−ｎ逆バイアスの層をエピタキシャルに作る必要はな
（、Ａｓ−５系ガラスメルトにつけたのち取出して固化
すれば良い。
以下、この発明の一実施例について説明する。
第１図〜第６図はこの発明の一実施例による半導体レー
ザ装置の製造方法を示す工程図である。
ザ装置の製造方法を示す工程図である。
第１図において、（１） ｌ！基板（ｎ−ＧａＡｓ）、
（２ンは下り５７ ）’ 層（ｎ−ＡＩＧａＡｓ）、（
３）（ば活性層（ＡＩＧａＡｓ）、（４）（ま上クラッ
ド層（ｐ−ＡｌＧａＡｓ ）、（５）ＬＣコン’） ’
） ト層（ｐ−ＧａＡｓ）、（６−ａ） ＋；ｌブロッ
ク層（Ａｓ−８系ガラス）、（７）はｐ−電極、（８）
はｎ−電極である。
（２ンは下り５７ ）’ 層（ｎ−ＡＩＧａＡｓ）、（
３）（ば活性層（ＡＩＧａＡｓ）、（４）（ま上クラッ
ド層（ｐ−ＡｌＧａＡｓ ）、（５）ＬＣコン’） ’
） ト層（ｐ−ＧａＡｓ）、（６−ａ） ＋；ｌブロッ
ク層（Ａｓ−８系ガラス）、（７）はｐ−電極、（８）
はｎ−電極である。
次に動作について説明する。
ｐ、ｎｌｉ極（ｎ 、 （ｓン間に電位差をかけると、
下クラッド層（ｎ−ＡｌＧａＡｓ ）（２）からは電子
が、上クラッド層（ｐ−ＡＩＧａＡｓ）（４）からはホ
ールが活性層（３）ニ注入すｎ再結合し発光する。この
とき電泳ブロック層（６ａ）（Ａｓ−５系ガラス）ｌこ
町って、この部分は電泳がブロックされ、それ以外の実
際に発光する部分近くに集中して電流が流れ効率良く発
光する。
下クラッド層（ｎ−ＡｌＧａＡｓ ）（２）からは電子
が、上クラッド層（ｐ−ＡＩＧａＡｓ）（４）からはホ
ールが活性層（３）ニ注入すｎ再結合し発光する。この
とき電泳ブロック層（６ａ）（Ａｓ−５系ガラス）ｌこ
町って、この部分は電泳がブロックされ、それ以外の実
際に発光する部分近くに集中して電流が流れ効率良く発
光する。
次に製造工程を説明する。従来例では第２図でチッ化膜
を部分的に形成し、そ口を第３図でエツチング後、 ｎ
−ＧａＡｓブロック層をエピタキシャルに成長させた。
を部分的に形成し、そ口を第３図でエツチング後、 ｎ
−ＧａＡｓブロック層をエピタキシャルに成長させた。
その後、電極を形成し、レーザとした。
本発明では、エツチング後、Ａｓ−３系ガラスメルトに
浸漬するだけで、ブロック層を形成し、余部についたブ
ロック層はアルカリ水溶液で選択エッチして除去し、そ
の後電極を形成しレーザとする。
浸漬するだけで、ブロック層を形成し、余部についたブ
ロック層はアルカリ水溶液で選択エッチして除去し、そ
の後電極を形成しレーザとする。
このようにブロック層を従来のｎ−ＧａＡｓエピタキシ
ャル層からＡｓ−５ガラスに変えたので、ブロック層形
成が容易になった。
ャル層からＡｓ−５ガラスに変えたので、ブロック層形
成が容易になった。
第１図〜第６図は本発明実施例の製造方法を示したもの
で工程断面図、第７図〜第１２図は従来の製造方法を示
した工程断面図である。 （１１ｉｔ基板（ｎ−ＧａＡｓ） 、 （２）１２下ク
ラッド層（ｎ−ＡＩＧａＡｓ）、（３）ハ活性層（ｎ−
ＧａＡｓ） 、（４）＋！上ツクラッド層ｐ−ＡＩＧａ
Ａｓ） 、（５月ハコンタクト層（ｐ−ＧａＡｓ）、（
６Ｊ−（ａ） ｉ、ｔブロック層（Ａｓ−５系ガラス）
、（７）はｐ！極、（８）はｎ電極である。 なお、各図中、同−符ｉ＋は同一、又は相当部分である
。
で工程断面図、第７図〜第１２図は従来の製造方法を示
した工程断面図である。 （１１ｉｔ基板（ｎ−ＧａＡｓ） 、 （２）１２下ク
ラッド層（ｎ−ＡＩＧａＡｓ）、（３）ハ活性層（ｎ−
ＧａＡｓ） 、（４）＋！上ツクラッド層ｐ−ＡＩＧａ
Ａｓ） 、（５月ハコンタクト層（ｐ−ＧａＡｓ）、（
６Ｊ−（ａ） ｉ、ｔブロック層（Ａｓ−５系ガラス）
、（７）はｐ！極、（８）はｎ電極である。 なお、各図中、同−符ｉ＋は同一、又は相当部分である
。
Claims (1)
- 電流を特定する部分に集中させるためのブロック層と
して、低融点（６００℃以下）、高抵抗（１０＾８Ω・
ｃｍ以上）のガラスを用いたことを特徴とする半導体レ
ーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32420090A JPH04192484A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32420090A JPH04192484A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192484A true JPH04192484A (ja) | 1992-07-10 |
Family
ID=18163181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32420090A Pending JPH04192484A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04192484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1170839A2 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-09 | Lucent Technologies Inc. | Mesa geometry semiconductor light emitter having chalcogenide dielectric coating |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP32420090A patent/JPH04192484A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1170839A2 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-09 | Lucent Technologies Inc. | Mesa geometry semiconductor light emitter having chalcogenide dielectric coating |
| JP2002076516A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-03-15 | Lucent Technol Inc | カルコゲナイド誘電体コーティングを有するメサ構造半導体光エミッタ |
| EP1170839A3 (en) * | 2000-07-07 | 2002-04-03 | Lucent Technologies Inc. | Mesa geometry semiconductor light emitter having chalcogenide dielectric coating |
| US6463088B1 (en) | 2000-07-07 | 2002-10-08 | Lucent Technologies Inc. | Mesa geometry semiconductor light emitter having chalcogenide dielectric coating |
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