JPH0419227B2 - - Google Patents

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JPH0419227B2
JPH0419227B2 JP1928084A JP1928084A JPH0419227B2 JP H0419227 B2 JPH0419227 B2 JP H0419227B2 JP 1928084 A JP1928084 A JP 1928084A JP 1928084 A JP1928084 A JP 1928084A JP H0419227 B2 JPH0419227 B2 JP H0419227B2
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JP
Japan
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group
compound
groups
solvent
sulfide
Prior art date
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Expired
Application number
JP1928084A
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Japanese (ja)
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JPS60161963A (en
Inventor
Shoei Eda
Mikio Hori
Sanji Yasumoto
Naosuke Matsura
Ichiro Yamawaki
Shuichi Ueda
Yukio Tada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiho Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Taiho Pharmaceutical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Taiho Pharmaceutical Co Ltd filed Critical Taiho Pharmaceutical Co Ltd
Priority to JP1928084A priority Critical patent/JPS60161963A/en
Publication of JPS60161963A publication Critical patent/JPS60161963A/en
Publication of JPH0419227B2 publication Critical patent/JPH0419227B2/ja
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Furan Compounds (AREA)
  • Pyrane Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

技術分野 本発明は新規なスルフアイド化合物に関する。 発明の目的及び構成 本発明のスルフアイド化合物は下記一般式
()で表わされる。 (式中R1は低級アルキル基を、R2を水素原子、
水酸基、低級アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アラルキルオキシメトキシ基、低級アシルオ
キシ基、低級アシルアセトキシ基、低級アルコキ
シアセトキシ基、フエノキシアセトキシ基、低級
アルキルアミノアセトキシ基、低級アシルアミノ
アセトキシ基、カルボキシエチルカルボニルオキ
シ基、ラクトイルオキシ基、ベンゾイルオキシ
基、低級アルコキシカルボニルオキシ基、フエノ
キシカルボニルオキシ基、アラルキルオキシカル
ボニルオキシ基、テトラハイドロフラニルオキシ
基又はテトラハイドロピラニルオキシ基を、R3
は水素原子、水酸基、低級アルコキシ基、シクロ
アルキルオキシ基、低級アルコキシ置換エトキシ
基、テトラテイドロフラニルオキシ基、テトラハ
イドロピラニルオキシ基、テトラハイドロフルフ
リルオキシ基、テトラハイドロピラニルメチルオ
キシ基、フエノキシ基、低級アシルオキシ基、ベ
ンゾイルオキシ基、低級アルコキシカルボニルオ
キシ基、アラルキルオキシカルボニルオキシ基、
カルバモイルオキシ基、低級アルキルカルバモイ
ルオキシ基又はフエニルカルバモイルオキシ基
を、Aはアミド結合又はエーテル結合を、nは1
〜3の整数をそれぞれ示す。) 上記一般式()中R1で表わされる低級アル
キル基としては炭素数1〜6のアルキル基、例え
ばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキ
シル基等を例示できる。 一般式()中、R2及びR3で表わされる低級
アルコキシ基としては炭素数1〜6のアルコキシ
基、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イ
ソプロポキシ、ブトキシ、ヘキシロキシ基等を、
低級アシルオキシ基としては炭素数2〜6のアシ
ルオキシ基、例えばアセチルオキシ、プロピオニ
ルオキシ、ブチリルオキシ、ピバロイルオキシ、
カプロイルオキシ基等の低級アルキルカルボニル
オキシ基を、低級アルコキシカルボニルオキシ基
としては炭素数2〜5のアルコキシカルボニルオ
キシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エト
キシカルボニルオキシ、プロポキシカルボニルオ
キシ、ブトキシカルボニルオキシ基、イソブトキ
シカルボニルオキシ、t−ブトキシカルボニルオ
キシ基等を、アラルキルオキシカルボニルオキシ
基としては炭素数8〜10のアラルキルオキシカル
ボニルオキシ基、例えばベンジルオキシカルボニ
ルオキシ、フエネチルオキシカルボニルオキシ、
フエニルプロポキシカルボニルオキシ基等のフエ
ニル低級アルキルオキシカルボニルオキシ基を
夫々例示できる。 R2で表わされるアラルキルオキシ基としては
炭素数7〜9のアラルキルオキシ基、例えばベン
ジルオキシ、フエネチルオキシ、フエニルプロポ
キシ基等のフエニル低級アルキルオキシ基を、ア
ラルキルオキシメトキシ基としては炭素数8〜10
のアラルキルオキシメトキシ基、例えばベンジル
オキシメトキシ、フエネチルオキシメトキシ、フ
エニルプロポキシメトキシ基等のフエニル低級ア
ルキルオキシメトキシ基を、低級アシルアセトキ
シ基としては炭素数4〜6のアシルアセトキシ
基、例えばアセチルアセトキシ基、プロピオニル
アセトキシ、ブチリルアセトキシ基等の低級アル
キルカルボニルアセトキシ基を、低級アルコキシ
アセトキシ基としては炭素数3〜6のアルコキシ
アセトキシ基、例えばメトキシアセトキシ、エト
キシアセトキシ、プロポキシアセトキシ、ブトキ
シアセトキシ基等を、低級アルキルアミノアセト
キシ基としては炭素数3〜6のアルキルアミノア
セトキシ基、例えばメチルアミノアセトキシ、エ
チルアミノアセトキシ、プロピルアミノアセトキ
シ、ブチルアミノアセトキシ基等を、低級アシル
アミノアセトキシ基としては炭素数4〜6のアシ
ルアミノアセトキシ基、例えばアセチルアミノア
セトキシ、プロピオニルアミノアセトキシ、ブチ
リルアミノアセトキシ基等の低級アルキルカルボ
ニルアミノアセトキシ基を夫々例示できる。 R3で表わされるシクロアルキルオキシ基とし
ては例えばシクロペンチルオキシ、シクロヘキシ
ルオキシ、シクロヘプチルオキシ基等を、低級ア
ルコキシ置換エトキシ基としては炭素数3〜8の
アルコキシ置換エトキシ基、例えばメトキシエト
キシ、エトキシエトキシ、プロポキシエトキシ、
イソプロポキシエトキシ、ブトキシエトキシ、ヘ
キシロキシエトキシ基等を、低級アルキルカルバ
モイルオキシ基としては炭素数2〜5のアルキル
カルバモイルオキシ基、例えばメチルカルバモイ
ルオキシ、エチルカルバモイルオキシ、プロピル
カルバモイルオキシ、ブチルカルバモイルオキシ
基等を夫々例示できる。 本発明のスルフアイド化合物()は、例えば
抗アレルギー作用を有する一般式 (式中R4はR1と同一又は相異なつて低級アルキ
ル基を、Yは酸残基を、R1、R2、R3、n及びA
は前記と同一の意味を示す。) で表わされるスルホニウム誘導体の製造原料とし
て有用である。 上記スルホニウム誘導体()の製造方法につ
いては、後記参考例において具体的に述べる。 本発明のスルフアイド化合物()はその有す
るR1、R2、R3及びAにより下記各種の方法で製
造される。 <Aがエーテル結合の場合の本発明化合物(
a)、(a′)、(a″)の製造> 一般式()中Aがエーテル結合である本発明
化合物は次に示す製造法A〜Cのいずれかにより
製造される。 〔製造法A〕 (式中R1、R2、R3及びnは前記と同一の意味を
示し、Halはハロゲン原子を示す。) 上記スルフアイド化合物(a)(一般式()
中Aがエーテル結合を示すもの)は、上記反応式
に示すように、ハライド化合物()に、フエノ
ール誘導体()を、好ましくは塩基性化合物、
例えばナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、
これらの水素化物、これらの水酸化物又はこれら
の炭酸塩、或はピリジン、モルホリン、ピペリジ
ン、ピペラジン、トリエチルアミン等の存在下、
無溶媒又は溶媒中0〜200℃程度の温度下に反応
させることにより製造される。ハライド化合物
()はフエノール誘導体()に対し過剰量を
使用してもよいが、好ましくは1〜4倍モル使用
される。塩基性化合物はハライド化合物()に
対し過剰量使用してもよいが、好ましくは1〜4
倍モル使用される。溶媒としては、本反応に関与
しない溶媒、例えばメタノール、エタノール等の
アルコール類;テトラハイドロフラン、ジオキサ
ン等のエーテル類;ベンゼン、トルエン等の芳香
族炭化水素類;アセトン、メチルエチルケトン等
のケトン類;ジメチルホルムアミド;水及びこれ
らの混合溶媒等を使用できる。 〔製造法B〕 (式中R1、n及びHalは前記と同一の意味を示
し、OR′3は水素原子及び水酸基以外のR3を示
す。) 上記スルフアイド化合物(a′)(一般式()
中Aがエーテル結合を、R3が水素原子及び水酸
基以外の基を示すもの)は、上記反応式に示すよ
うに、スルフアイド化合物()に、ハライド化
合物()を、好ましくは塩基性化合物の存在
下、無溶媒又は溶媒中、−20〜200℃程度の温度下
に反応させることにより製造される。原料とする
スルフアイド化合物()は、上記製造法Aに従
い製造される。ハライド化合物()はスルフア
イド化合物()に対し、過剰量使用してもよい
が、好ましくは1〜4倍モル使用される。塩基性
化合物としては製造法Aに例示したものと同じも
のを使用でき、これはハライド化合物()に対
して通常1〜4倍モル使用される。溶媒は、反応
に関与しない溶媒、例えばクロロホルム、ジクロ
ルメタン等のハロゲン化炭化水素類;テトラハイ
ドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエ
ーテル類、;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化
水素類;アセトン、メチルエチルケトン等のケト
ン類;酢酸エチルエステル、酢酸メチルエステル
等のエステル類;ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキサイド等の極性溶媒類;水及びこれら
の混合溶媒等を使用できる。 〔製造法C〕 (式中R1、R3、n及びHalは前記と同一の意味
を示し、OR′2は水素原子及び水酸基以外のR2
示す。) 上記スルフアイド化合物(a″)(一般式()
中Aがエーテル結合を、R2が水素原子及び水酸
基以外の基を示すもの)は、上記反応式に示すよ
うに、スルフアイド化合物()に、ハライド化
合物()を、好ましくは塩基性化合物の存在
下、無溶媒又は溶媒中、−20〜200℃程度の温度下
に反応させることにより製造される。原料とする
スルフアイド化合物()は、上記製造法A又は
Bに従い製造される。ハライド化合物()はス
ルフアイド化合物()に対し過剰量使用しても
よいが、好ましくは1〜4倍モル使用される。塩
基性化合物としては製造法Aに例示したものと同
じものを使用でき、これはハライド化合物()
に対して、通常1〜4倍モル使用される。溶媒
は、反応に関与しないものであればよく、上記製
造法Bに例示したものと同一の各種溶媒を使用で
きる。 <Aがアミド結合の場合の本発明化合物(b)、
(b′)、(b″)の製造> 一般式()中Aがアミド結合である本発明化
合物は次に示す製造法D〜Fのいずれかにより製
造される。 〔製造法D〕 (式中R1、R2、R3、n及びHalは前記と同一の
意味を示す。) 上記スルフアイド化合物(b)(一般式()
中Aがアミド結合を示すもの)は、上記反応式に
示すように、ハライド化合物()を、アミノ誘
導体()に、好ましくは塩基性化合物、例えば
ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、これら
の水素化物、これらの水酸化物又はこれらの炭酸
塩、或はピリジン、モルホリン、ピペリジン、ピ
ペラジン、トリエチルアミン等の存在下、無溶媒
又は溶媒中0〜150℃程度の温度下に反応させる
ことにより製造される。ハライド化合物()は
アミノ誘導体()に対し過剰量使用してもよい
が、好ましくは1〜4倍モル使用される。塩基性
化合物はハライド化合物()に対し過剰量使用
してもよいが、好ましくは1〜4倍モル使用され
る。溶媒としては、本反応に関与しない溶媒、例
えばクロロホルム、ジクロルメタン等のハロゲン
化炭化水素類;テトラハイドロフラン、エチルエ
ーテル、ジオキサン等のエーテル類;ベンゼン、
トルエン等の芳香族炭化水素類;アセトン、メチ
ルエチルケトン等のケトン類;酢酸エチルエステ
ル、酢酸メチルエステル等のエステル類;ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキサイド等の極
性溶媒類;水及びこれらの混合溶媒等を使用でき
る。 〔製造法E〕 (式中R1、n、Hal及びOR′3は前記と同一の意
味を示す。) 上記スルフアイド化合物(b′)(一般式()
中Aがアミド結合を、R3が水素原子及び水酸基
以外の基を示すもの)は、上記反応式に示すよう
にスルフアイド化合物(XI)に、ハライド化合物
()を、好ましくは塩基性化合物の存在下、無
溶媒又は溶媒中、−20〜200℃程度の温度下に反応
させることにより製造される。ハライド化合物
()はスルフアイド化合物(XI)に対し、過剰
量使用してもよいが、好ましくは1〜4倍モル使
用される。塩基性化合物としては製造法Dに例示
したものを使用でき、これはハライド化合物
()に対して通常1〜4倍モル使用される。原
料とするスルフアイド化合物(XI)は上記製造法
Dに従い製造される。溶媒としては、反応に関与
しない溶媒であればよく、製造法Dに例示したと
同一の各種溶媒を使用できる。 〔製造法F〕 (式中R1、R3、n、OR′2及びHalは前記と同一
の意味を示す。) 上記スルフアイド化合物(b″)(一般式()
中Aがアミド結合を、R2が水素原子及び水酸基
以外の基を示すもの)は、上記反応式に示すよう
に、スルフアイド化合物(XII)に、ハライド化合
物()を、好ましくは塩基性化合物の存在下、
無溶媒又は溶媒中、−20〜200℃程度の温度下に反
応させることにより製造される。ハライド化合物
()はスルフアイド化合物(XII)に対し過剰量
使用してもよいが、好ましくは1〜4倍モル使用
される。塩基性化合物としては製造法Dに例示し
たものと同じものを使用でき、これはハライド化
合物()に対して、通常1〜4倍モル使用され
る。原料のスルフアイド化合物(XII)は上記製造
法D又はEに従い製造される。溶媒は、反応に関
与しないものであればよく、上記製造法Dに例示
したものと同一の各種の溶媒を使用できる。 上記製造法A〜Fに従い得られる本発明のスル
フアイド化合物は、反応終了後、通常の分離方法
に従つて単離できる。該分離方法としては、例え
ば再結晶法、抽出法、濃縮法、蒸留法、カラムク
ロマトグラフイー等を採用できる。 実施例 次に本発明を更に説明するため、参考例並びに
実施例を示す。 参考例 1 4−(3−エトキシ−2−ハイドロキシプロポ
キシ)フエニルカルバモイルメチルジメチルス
ルホニウムP−トルエンスルホネートの合成 4−(3−エトキシ−2−ハイドロキシプロポ
キシ)フエニルカルバモイルメチルメチルスルフ
アイド2.99gをメチレンクロライド20mlに溶解
後、これにP−トルエンスルホン酸メチル5.50g
を加えて、室温で24時間撹拌する。反応液にエー
テルを加えて不溶部を取し、メチレンクロライ
ド−エーテルより再結晶して、4−(3−エトキ
シ−2−ハイドロキシプロポキシ)フエニルカル
バモイルメチルジメチルスルホニウムP−トルエ
ンスルホネート4.75g(収率97.7%)を得る。 mp139−141℃ 元素分析値(C22H31NO7S2として) C H N 計算値(%) 54.41 6.43 2.88 実測値(%) 54.31 6.40 2.75 参考例 2 2−{4−(2−ハイドロキシ−3−フエノキシ
プロポキシ)フエノキシ}エチルジメチルスル
ホニウムアイオダイドの合成 2−{4−(2−ハイドロキシ−3−フエノキシ
プロポキシ)フエノキシ}エチルメチルスルフア
イド3.34g及びアセトニトリル5mlにメチルアイ
オダイド5gを加え、室温で24時間撹拌する。反
応液を濃縮し、残渣をエタノール−エーテルより
再結晶して、2−{4−(2−ハイドロキシ−3−
フエノキシプロポキシ)フエノキシ}エチルジメ
チルスルホニウムアイオダイド4.45g(収率93.5
%)を得る。 mp112−112.8℃ 元素分析値(C19H25O4SIとして) C H 計算値(%) 47.91 5.29 実測値(%) 47.75 5.23 実施例 1 4−(3−エトキシ−2−ハイドロキシプロポ
キシ)フエニルカルバモイルメチルメチルスル
フアイド(化合物1)の合成 ジメチルホルムアミド4mlに、トリエチルアミ
ン2.00g及び4−(3−エトキシ−2−ハイドロ
キシプロポキシ)アニリン2.11gを溶解する。こ
れに氷冷下メチルメルカプトアセチルクロライド
1.25gを加える。室温で12時間撹拌後、反応液を
濃縮し、残渣をクロロホルム抽出する。クロロホ
ルム層を水洗した後、濃縮する。残渣をカラムク
ロマトグラフイー(シリカゲル、エタノール:ク
ロロホルム=1:5)にて精製し、4−(3−エ
トキシ−2−ハイドロキシプロポキシ)フエニル
カルバモイルメチルメチルスルフアイド(化合物
1)2.85g(収率95.3%)を得る。 実施例 2 実施例1と同様の操作により、後記表1及び表
2に示す化合物4、8、10、12、13、14、16、
17、19、20、21、22、23、24、28、30、31、33、
35、36、37、38、42、54、55、57、59、61、63、
64、65、66、67、68、74および75を合成した。 実施例 3 4−(2−アセトキシ−3−エトキシプロポキ
シ)フエニルカルバモイルメチルメチルスルフ
アイド(化合物2)の合成 実施例1で合成した4−(3−エトキシ−2−
ハイドロキシプロポキシ)フエニルカルバモイル
メチルメチルスルフアイド4.00g及びピリジン
2.10gをベンゼン50mlに溶解する。氷冷下アセチ
ルクロライド1.60gを滴下する。室温で12時間撹
拌後、濃縮し、残渣をクロロホルム抽出し、クロ
ロホルム層を1N−HCl、1N−NaOHついで水で
順次洗浄する。クロロホルム層を濃縮し、残渣を
エーテル−石油エーテルより精製して、4−(2
−アセトキシ−3−エトキシプロポキシ)フエニ
ルカルバモイルメチルメチルスルフアイド(化合
物2)4.12g(収率90.4%)を得る。 実施例 4 実施例3と同様の操作により、後記表1及び表
2に示す化合物39、40、41、43、44、45、46、
47、48、49、50、51、60、69、71、72、73および
76を合成した。 実施例 5 2−{4−(2,3−ジハイドロキシプロポキ
シ)フエノキシ}エチルメチルスルフアイド
(化合物3)の合成 水酸化ナトリウム0.40g及び90%メタノール10
mlに4−(2,3−ジハイドロキシプロポキシ)
フエノール1.84gを溶解後、これに2−メチルメ
ルカプトエチルクロライド1.11gを加え、6時間
還流する。反応液を濃縮し、残渣をクロロホルム
抽出する。クロロホルム層を水洗し、芒硝で脱水
後、濃縮する。残渣をベンゼン−石油エーテルよ
り再結晶して、2−{4−(2,3−ジハイドロキ
シプロポキシ)フエノキシ}エチルメチルスルフ
アイド(化合物3)2.25g(収率87.2%)を得
る。 mp59−61℃ 元素分析値(C12H18O4Sとして) C H 計算値(%) 55.79 7.02 実測値(%) 55.61 7.18 実施例 6 実施例 6 実施例5と同様の操作により後記表1及び表2
に示す化合物5、6、7、9、11、15、18、25、
26、27、29、32、34、53、58及び62を合成した。 実施例 7 2−{4−(3−エトキシカルボニルオキシ−2
−ハイドロキシプロポキシ)フエノキシ}エチ
ルメチルスルフアイド(化合物52)の合成 実施例5で合成した2−{4−(2,3−ジハイ
ドロキシプロポキシ)フエノキシ}エチルメチル
スルフアイド2.58g及びピリジン0.95gをベンゼ
ン50mlに溶解する。氷冷下、エトキシカルボニル
クロライド1.09gを滴下する。室温で一夜撹拌
し、反応液を水洗した後、濃縮して得た残渣をカ
ラムクロマトグラフイー(シリカゲル、エタノー
ル:クロロホルム=1:10)にて精製して、2−
{4−(3−エトキシカルボニルオキシ−2−ハイ
ドロキシプロポキシ)フエノキシ}エチルメチル
スルフアイド(化合物52)2.95g(収率89.4%)
を得る。 実施例 8 2−{4−(2,3−ジエトキシカルボニルオキ
シプロポキシ)フエノキシ}エチルメチルスル
フアイド(化合物56)の合成 実施例7で合成した2−{4−(3−エトキシカ
ルボニルオキシ−2−ハイドロキシプロポキシ)
フエノキシ}エチルメチルスルフアイド3.30g及
びピリジン0.95gをベンゼン50mlに溶解する。氷
冷下、エトキシカルボニルクロライド1.09gを滴
下する。以下実施例7と同様に操作して2−{4
−(2,3−ジエトキシカルボニルオキシプロポ
キシ)フエノキシ}エチルメチルスルフアイド
(化合物56)3.65g(収率90.8%)を得る。 実施例 9 実施例8と同様の操作により、後記表1及び表
2に示す化合物70を合成した。 実施例 10 3−{4−(3−エトキシカルボニルオキシ−2
−ハイドロキシプロポキシ)フエニルカルバモ
イル}プロピルエチルスルフアイド(化合物
77)の合成 実施例2で合成した3−{4−(2,3−ジハイ
ドロキシプロポキシ)フエニルカルバモイル}プ
ロピルエチルスルフアイド(化合物61)3.13g及
びピリジン0.87gをベンゼン70mlに溶解する。氷
冷下、エトキシカルボニルクロライド1.09gを滴
下する。室温で3時間撹拌後、反応液を水洗、濃
縮し、残渣をカラムクロマトグラフイー(シリカ
ゲル、エーテル)にて精製して、3−{4−(3−
エトキシカルボニルオキシ−2−ハイドロキシプ
ロポキシ)フエニルカルバモイル}プロピルエチ
ルスルフアイド(化合物77)3.54g(収率91.9
%)を得る。 上記各実施例で得られた化合物(化合物1〜
77)の構造を表1に示すと共に、各例における収
率(%)並びに各化合物のmp(℃)、元素分析値
及び核磁気共鳴スペクトル(NMR)分析結果
(δ値、ppm)を下記表2に示す。尚表2中元素
分析値における( )を付して示した数値は計算
値(%)を、また( )を付さないで示した数値
は実測値(%)を示すものとする。またNMRは
DMSO−d6またはCDCl3中、TMSを内部標準物
質として測定した値である。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to novel sulfide compounds. Object and Structure of the Invention The sulfide compound of the present invention is represented by the following general formula (). (In the formula, R 1 is a lower alkyl group, R 2 is a hydrogen atom,
Hydroxyl group, lower alkoxy group, aralkyloxy group, aralkyloxymethoxy group, lower acyloxy group, lower acylacetoxy group, lower alkoxyacetoxy group, phenoxyacetoxy group, lower alkylaminoacetoxy group, lower acylaminoacetoxy group, carboxyethylcarbonyl Oxy group, lactoyloxy group, benzoyloxy group, lower alkoxycarbonyloxy group, phenoxycarbonyloxy group, aralkyloxycarbonyloxy group, tetrahydrofuranyloxy group or tetrahydropyranyloxy group, R 3
is a hydrogen atom, hydroxyl group, lower alkoxy group, cycloalkyloxy group, lower alkoxy-substituted ethoxy group, tetratedrofuranyloxy group, tetrahydropyranyloxy group, tetrahydrofurfuryloxy group, tetrahydropyranylmethyloxy group , phenoxy group, lower acyloxy group, benzoyloxy group, lower alkoxycarbonyloxy group, aralkyloxycarbonyloxy group,
carbamoyloxy group, lower alkylcarbamoyloxy group or phenylcarbamoyloxy group, A is an amide bond or ether bond, n is 1
Each represents an integer between 3 and 3. ) Examples of the lower alkyl group represented by R 1 in the above general formula () include alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, t-butyl, pentyl, hexyl groups, etc. can. In the general formula (), the lower alkoxy group represented by R 2 and R 3 includes an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy, butoxy, hexyloxy group, etc.
Examples of lower acyloxy groups include acyloxy groups having 2 to 6 carbon atoms, such as acetyloxy, propionyloxy, butyryloxy, pivaloyloxy,
Lower alkylcarbonyloxy groups such as caproyloxy groups are used as lower alkoxycarbonyloxy groups, such as alkoxycarbonyloxy groups having 2 to 5 carbon atoms, such as methoxycarbonyloxy, ethoxycarbonyloxy, propoxycarbonyloxy, butoxycarbonyloxy groups, isobutoxycarbonyl Oxy, t-butoxycarbonyloxy groups, etc., and aralkyloxycarbonyloxy groups include aralkyloxycarbonyloxy groups having 8 to 10 carbon atoms, such as benzyloxycarbonyloxy, phenethyloxycarbonyloxy,
Examples include phenyl lower alkyloxycarbonyloxy groups such as phenylpropoxycarbonyloxy groups. The aralkyloxy group represented by R 2 is an aralkyloxy group having 7 to 9 carbon atoms, such as a phenyl lower alkyloxy group such as benzyloxy, phenethyloxy, or phenylpropoxy group, and the aralkyloxymethoxy group is an aralkyloxy group having 8 to 10 carbon atoms.
Examples of aralkyloxymethoxy groups include phenyl lower alkyloxymethoxy groups such as benzyloxymethoxy, phenethyloxymethoxy, and phenylpropoxymethoxy groups, and lower acylacetoxy groups include acylacetoxy groups having 4 to 6 carbon atoms, such as acetyl. Lower alkylcarbonylacetoxy groups such as acetoxy, propionyl acetoxy, and butyryl acetoxy groups, and lower alkoxy acetoxy groups include alkoxy acetoxy groups having 3 to 6 carbon atoms, such as methoxy acetoxy, ethoxy acetoxy, propoxy acetoxy, butoxy acetoxy groups, etc. The lower alkylaminoacetoxy group includes an alkylaminoacetoxy group having 3 to 6 carbon atoms, such as methylaminoacetoxy, ethylaminoacetoxy, propylaminoacetoxy, butylaminoacetoxy group, etc., and the lower acylaminoacetoxy group includes an alkylaminoacetoxy group having 4 to 6 carbon atoms. Examples of the acylaminoacetoxy groups of No. 6 include lower alkylcarbonylaminoacetoxy groups such as acetylaminoacetoxy, propionylaminoacetoxy, and butyrylaminoacetoxy groups. Examples of the cycloalkyloxy group represented by R 3 include cyclopentyloxy, cyclohexyloxy, and cycloheptyloxy groups, and examples of the lower alkoxy-substituted ethoxy group include alkoxy-substituted ethoxy groups having 3 to 8 carbon atoms, such as methoxyethoxy, ethoxyethoxy, propoxyethoxy,
Isopropoxyethoxy, butoxyethoxy, hexyloxyethoxy groups, etc., and lower alkylcarbamoyloxy groups include alkylcarbamoyloxy groups having 2 to 5 carbon atoms, such as methylcarbamoyloxy, ethylcarbamoyloxy, propylcarbamoyloxy, butylcarbamoyloxy groups, etc. can be exemplified. The sulfide compound () of the present invention has, for example, the general formula (In the formula, R 4 is the same or different from R 1 and is a lower alkyl group, Y is an acid residue, R 1 , R 2 , R 3 , n and A
has the same meaning as above. ) is useful as a raw material for producing sulfonium derivatives represented by The method for producing the above sulfonium derivative () will be specifically described in Reference Examples below. The sulfide compound () of the present invention can be produced by the following various methods using R 1 , R 2 , R 3 and A contained therein. <Compounds of the present invention when A is an ether bond (
Production of a), (a′), (a″)> The compound of the present invention in which A in the general formula () is an ether bond is produced by any of the following production methods A to C. [Production method A ] (In the formula, R 1 , R 2 , R 3 and n have the same meanings as above, and Hal represents a halogen atom.) The above sulfide compound (a) (general formula ()
As shown in the above reaction formula, A in the middle shows an ether bond), a halide compound (), a phenol derivative (), preferably a basic compound,
For example, alkali metals such as sodium and potassium,
In the presence of these hydrides, these hydroxides, or these carbonates, or pyridine, morpholine, piperidine, piperazine, triethylamine, etc.
It is produced by reacting without a solvent or in a solvent at a temperature of about 0 to 200°C. The halide compound () may be used in an excess amount relative to the phenol derivative (), but is preferably used in an amount of 1 to 4 times the molar amount. The basic compound may be used in an excess amount relative to the halide compound (), but preferably 1 to 4
Double moles are used. As a solvent, solvents that do not participate in this reaction, such as alcohols such as methanol and ethanol; ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; aromatic hydrocarbons such as benzene and toluene; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; dimethyl Formamide; water, a mixed solvent thereof, etc. can be used. [Manufacturing method B] (In the formula, R 1 , n and Hal have the same meanings as above, and OR′ 3 represents R 3 other than a hydrogen atom and a hydroxyl group.) The above sulfide compound (a′) (general formula ()
(where A represents an ether bond and R 3 represents a hydrogen atom or a group other than a hydroxyl group), as shown in the above reaction formula, a halide compound () is added to a sulfide compound (), preferably in the presence of a basic compound. It is produced by reacting without a solvent or in a solvent at a temperature of about -20 to 200°C. The sulfide compound () used as a raw material is manufactured according to the above manufacturing method A. The halide compound () may be used in excess of the sulfide compound (), but is preferably used in an amount of 1 to 4 times the molar amount. As the basic compound, the same one as exemplified in Production Method A can be used, and this is usually used in a molar amount of 1 to 4 times the amount of the halide compound (). The solvent is a solvent that does not participate in the reaction, such as halogenated hydrocarbons such as chloroform and dichloromethane; ethers such as tetrahydrofuran, ethyl ether, and dioxane; aromatic hydrocarbons such as benzene and toluene; acetone, methyl ethyl ketone, etc. Ketones; esters such as ethyl acetate and methyl acetate; polar solvents such as dimethylformamide and dimethyl sulfoxide; water and mixed solvents thereof, and the like can be used. [Manufacturing method C] (In the formula, R 1 , R 3 , n and Hal have the same meanings as above, and OR′ 2 represents R 2 other than a hydrogen atom and a hydroxyl group.) The above sulfide compound (a″) (general formula ()
(where A represents an ether bond and R 2 represents a hydrogen atom or a group other than a hydroxyl group), as shown in the above reaction formula, a halide compound () is added to a sulfide compound (), preferably in the presence of a basic compound. It is produced by reacting without a solvent or in a solvent at a temperature of about -20 to 200°C. The sulfide compound () used as a raw material is produced according to the above production method A or B. The halide compound () may be used in excess of the sulfide compound (), but is preferably used in an amount of 1 to 4 times the mole. As the basic compound, the same ones as those exemplified in production method A can be used, and this is a halide compound ()
It is usually used in a molar amount of 1 to 4 times. The solvent may be any solvent as long as it does not participate in the reaction, and the same various solvents as those exemplified in Production Method B above can be used. <Compound (b) of the present invention when A is an amide bond,
Production of (b′), (b″)> The compound of the present invention in which A in the general formula () is an amide bond is produced by any of the following production methods D to F. [Production method D] (In the formula, R 1 , R 2 , R 3 , n and Hal have the same meanings as above.) The above sulfide compound (b) (general formula ()
As shown in the above reaction formula, A in the middle represents an amide bond, a halide compound () is converted into an amino derivative (), preferably a basic compound, such as an alkali metal such as sodium or potassium, or a hydride thereof. , their hydroxides or carbonates, or pyridine, morpholine, piperidine, piperazine, triethylamine, etc., without a solvent or in a solvent at a temperature of about 0 to 150°C. The halide compound () may be used in an excess amount relative to the amino derivative (), but is preferably used in an amount of 1 to 4 times the molar amount. The basic compound may be used in an excess amount relative to the halide compound (2), but is preferably used in an amount of 1 to 4 times the molar amount. Examples of the solvent include solvents that do not participate in this reaction, such as halogenated hydrocarbons such as chloroform and dichloromethane; ethers such as tetrahydrofuran, ethyl ether, and dioxane; benzene,
Aromatic hydrocarbons such as toluene; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; esters such as ethyl acetate and methyl acetate; polar solvents such as dimethylformamide and dimethyl sulfoxide; water and mixed solvents thereof, etc. Can be used. [Manufacturing method E] (In the formula, R 1 , n, Hal and OR' 3 have the same meanings as above.) The above sulfide compound (b') (general formula ()
(where A is an amide bond and R 3 is a hydrogen atom or a group other than a hydroxyl group), as shown in the above reaction formula, a halide compound () is added to the sulfide compound (XI), preferably in the presence of a basic compound. It is produced by reacting without a solvent or in a solvent at a temperature of about -20 to 200°C. The halide compound () may be used in excess of the sulfide compound (XI), but is preferably used in an amount of 1 to 4 times the mole. As the basic compound, those exemplified in Production Method D can be used, and this is usually used in an amount of 1 to 4 times the mole of the halide compound (). The sulfide compound (XI) used as a raw material is produced according to the above production method D. The solvent may be any solvent that does not participate in the reaction, and the same various solvents as exemplified in Production Method D can be used. [Manufacturing method F] (In the formula, R 1 , R 3 , n, OR′ 2 and Hal have the same meanings as above.) The above sulfide compound (b″) (general formula ()
(wherein A represents an amide bond and R 2 represents a hydrogen atom or a group other than a hydroxyl group), as shown in the above reaction formula, a halide compound () is added to a sulfide compound (XII), preferably a basic compound. In the presence of
It is produced by reacting without a solvent or in a solvent at a temperature of about -20 to 200°C. The halide compound () may be used in excess of the sulfide compound (XII), but is preferably used in an amount of 1 to 4 times the mole. As the basic compound, the same one as exemplified in Production Method D can be used, and this is usually used in an amount of 1 to 4 times the molar amount of the halide compound (). The raw material sulfide compound (XII) is produced according to the above production method D or E. The solvent may be any solvent as long as it does not participate in the reaction, and the same various solvents as those exemplified in Production Method D above can be used. The sulfide compound of the present invention obtained according to the above production methods A to F can be isolated according to a conventional separation method after the reaction is completed. As the separation method, for example, a recrystallization method, an extraction method, a concentration method, a distillation method, a column chromatography, etc. can be adopted. Examples Next, in order to further explain the present invention, reference examples and examples will be shown. Reference Example 1 Synthesis of 4-(3-ethoxy-2-hydroxypropoxy)phenylcarbamoylmethyldimethylsulfonium P-toluenesulfonate 2.99 g of 4-(3-ethoxy-2-hydroxypropoxy)phenylcarbamoylmethylmethylsulfonate After dissolving in 20ml of methylene chloride, add 5.50g of methyl P-toluenesulfonate.
and stir at room temperature for 24 hours. Ether was added to the reaction solution to remove the insoluble portion, which was recrystallized from methylene chloride-ether to give 4.75 g of 4-(3-ethoxy-2-hydroxypropoxy)phenylcarbamoylmethyldimethylsulfonium P-toluenesulfonate (yield 97.7%). mp139−141℃ Elemental analysis value (as C 22 H 31 NO 7 S 2 ) C H N Calculated value (%) 54.41 6.43 2.88 Actual value (%) 54.31 6.40 2.75 Reference example 2 2-{4-(2-hydroxy- Synthesis of 3-phenoxypropoxy)phenoxy}ethyldimethylsulfonium iodide 5g of methyl iodide in 3.34g of 2-{4-(2-hydroxy-3-phenoxypropoxy)phenoxy}ethylmethylsulfide and 5ml of acetonitrile and stir at room temperature for 24 hours. The reaction solution was concentrated, and the residue was recrystallized from ethanol-ether to give 2-{4-(2-hydroxy-3-
phenoxypropoxy) phenoxy}ethyldimethylsulfonium iodide 4.45g (yield 93.5
%). mp112−112.8℃ Elemental analysis value (as C 19 H 25 O 4 SI) C H Calculated value (%) 47.91 5.29 Actual value (%) 47.75 5.23 Example 1 4-(3-ethoxy-2-hydroxypropoxy)pheni Synthesis of Carbamoyl Methyl Sulfide (Compound 1) 2.00 g of triethylamine and 2.11 g of 4-(3-ethoxy-2-hydroxypropoxy)aniline are dissolved in 4 ml of dimethylformamide. Add methyl mercaptoacetyl chloride to this under ice cooling.
Add 1.25g. After stirring at room temperature for 12 hours, the reaction solution was concentrated and the residue was extracted with chloroform. After washing the chloroform layer with water, it is concentrated. The residue was purified by column chromatography (silica gel, ethanol:chloroform = 1:5) to obtain 2.85 g of 4-(3-ethoxy-2-hydroxypropoxy)phenylcarbamoylmethylmethylsulfide (compound 1). rate of 95.3%). Example 2 By the same operation as in Example 1, compounds 4, 8, 10, 12, 13, 14, 16, shown in Tables 1 and 2 below were prepared.
17, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 28, 30, 31, 33,
35, 36, 37, 38, 42, 54, 55, 57, 59, 61, 63,
64, 65, 66, 67, 68, 74 and 75 were synthesized. Example 3 Synthesis of 4-(2-acetoxy-3-ethoxypropoxy)phenylcarbamoylmethylmethylsulfide (Compound 2) 4-(3-ethoxy-2- synthesized in Example 1)
Hydroxypropoxy) phenylcarbamoylmethylmethylsulfide 4.00g and pyridine
Dissolve 2.10g in 50ml of benzene. Add 1.60 g of acetyl chloride dropwise while cooling on ice. After stirring at room temperature for 12 hours, it is concentrated, the residue is extracted with chloroform, and the chloroform layer is washed successively with 1N HCl, 1N NaOH, and water. The chloroform layer was concentrated and the residue was purified from ether-petroleum ether to give 4-(2
-Acetoxy-3-ethoxypropoxy)phenylcarbamoylmethylmethylsulfide (Compound 2) 4.12 g (yield 90.4%) is obtained. Example 4 By the same operation as in Example 3, compounds 39, 40, 41, 43, 44, 45, 46, shown in Tables 1 and 2 below were prepared.
47, 48, 49, 50, 51, 60, 69, 71, 72, 73 and
76 were synthesized. Example 5 Synthesis of 2-{4-(2,3-dihydroxypropoxy)phenoxy}ethylmethylsulfide (compound 3) Sodium hydroxide 0.40g and 90% methanol 10
4-(2,3-dihydroxypropoxy) in ml
After dissolving 1.84 g of phenol, 1.11 g of 2-methylmercaptoethyl chloride was added thereto, and the mixture was refluxed for 6 hours. The reaction solution was concentrated, and the residue was extracted with chloroform. The chloroform layer is washed with water, dehydrated with Glauber's salt, and then concentrated. The residue was recrystallized from benzene-petroleum ether to obtain 2.25 g (yield: 87.2%) of 2-{4-(2,3-dihydroxypropoxy)phenoxy}ethylmethylsulfide (compound 3). mp59-61℃ Elemental analysis value (as C 12 H 18 O 4 S) C H Calculated value (%) 55.79 7.02 Actual value (%) 55.61 7.18 Example 6 Example 6 Table 1 below was performed in the same manner as Example 5. and Table 2
Compounds 5, 6, 7, 9, 11, 15, 18, 25, shown in
26, 27, 29, 32, 34, 53, 58 and 62 were synthesized. Example 7 2-{4-(3-ethoxycarbonyloxy-2
Synthesis of 2-{4-(2,3-dihydroxypropoxy)phenoxy}ethylmethylsulfide synthesized in Example 5 and 0.95 g of pyridine Dissolve in 50ml of benzene. Under ice cooling, 1.09 g of ethoxycarbonyl chloride was added dropwise. After stirring overnight at room temperature and washing the reaction solution with water, the resulting residue was purified by column chromatography (silica gel, ethanol:chloroform = 1:10) to obtain 2-
{4-(3-ethoxycarbonyloxy-2-hydroxypropoxy)phenoxy}ethylmethylsulfide (compound 52) 2.95g (yield 89.4%)
get. Example 8 Synthesis of 2-{4-(2,3-diethoxycarbonyloxypropoxy)phenoxy}ethylmethylsulfide (compound 56) 2-{4-(3-ethoxycarbonyloxy-) synthesized in Example 7 2-hydroxypropoxy)
Dissolve 3.30 g of phenoxy}ethyl methyl sulfide and 0.95 g of pyridine in 50 ml of benzene. Under ice cooling, 1.09 g of ethoxycarbonyl chloride was added dropwise. Hereinafter, operate in the same manner as in Example 7 to obtain 2-{4
-(2,3-diethoxycarbonyloxypropoxy)phenoxy}ethylmethylsulfide (compound 56) 3.65 g (yield 90.8%) is obtained. Example 9 Compound 70 shown in Tables 1 and 2 below was synthesized by the same operation as in Example 8. Example 10 3-{4-(3-ethoxycarbonyloxy-2
-Hydroxypropoxy)phenylcarbamoyl}propylethyl sulfide (compound
Synthesis of 77) 3.13 g of 3-{4-(2,3-dihydroxypropoxy)phenylcarbamoyl}propylethyl sulfide (compound 61) synthesized in Example 2 and 0.87 g of pyridine are dissolved in 70 ml of benzene. Under ice cooling, 1.09 g of ethoxycarbonyl chloride was added dropwise. After stirring at room temperature for 3 hours, the reaction solution was washed with water, concentrated, and the residue was purified by column chromatography (silica gel, ether) to give 3-{4-(3-
Ethoxycarbonyloxy-2-hydroxypropoxy) phenylcarbamoyl}propylethyl sulfide (compound 77) 3.54 g (yield 91.9
%). Compounds obtained in each of the above Examples (Compounds 1 to 1)
The structure of 77) is shown in Table 1, and the yield (%), mp (℃), elemental analysis value, and nuclear magnetic resonance spectrum (NMR) analysis result (δ value, ppm) of each compound in each example are shown in the table below. Shown in 2. In Table 2, the values shown in parentheses in the elemental analysis values are calculated values (%), and the values shown without parentheses are actually measured values (%). Also, NMR
This is a value measured in DMSO- d6 or CDCl3 using TMS as an internal standard.

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Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中R1は低級アルキル基を、R2を水素原子、
水酸基、低級アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アラルキルオキシメトキシ基、低級アシルオ
キシ基、低級アシルアセトキシ基、低級アルコキ
シアセトキシ基、フエノキシアセトキシ基、低級
アルキルアミノアセトキシ基、低級アシルアミノ
アセトキシ基、カルボキシエチルカルボニルオキ
シ基、ラクトイルオキシ基、ベンゾイルオキシ
基、低級アルコキシカルボニルオキシ基、フエノ
キシカルボニルオキシ基、アラルキルオキシカル
ボニルオキシ基、テトラハイドロフラニルオキシ
基又はテトラハイドロピラニルオキシ基を、R3
は水素原子、水酸基、低級アルコキシ基、シクロ
アルキルオキシ基、低級アルコキシ置換エトキシ
基、テトラハイドロフラニルオキシ基、テトラハ
イドロピラニルオキシ基、テトラハイドロフルフ
リルオキシ基、テトラハイドロピラニルメチルオ
キシ基、フエノキシ基、低級アシルオキシ基、ベ
ンゾイルオキシ基、低級アルコキシカルボニルオ
キシ基、アラルキルオキシカルボニルオキシ基、
カルバモイルオキシ基、低級アルキルカルバモイ
ルオキシ基又はフエニルカルバモイルオキシ基
を、Aはアミド結合又はエーテル結合を、nは1
〜3の整数をそれぞれ示す。) で表わされるスルフアイド化合物。
[Claims] 1. General formula (In the formula, R 1 is a lower alkyl group, R 2 is a hydrogen atom,
Hydroxyl group, lower alkoxy group, aralkyloxy group, aralkyloxymethoxy group, lower acyloxy group, lower acylacetoxy group, lower alkoxyacetoxy group, phenoxyacetoxy group, lower alkylaminoacetoxy group, lower acylaminoacetoxy group, carboxyethylcarbonyl Oxy group, lactoyloxy group, benzoyloxy group, lower alkoxycarbonyloxy group, phenoxycarbonyloxy group, aralkyloxycarbonyloxy group, tetrahydrofuranyloxy group or tetrahydropyranyloxy group, R 3
is a hydrogen atom, a hydroxyl group, a lower alkoxy group, a cycloalkyloxy group, a lower alkoxy-substituted ethoxy group, a tetrahydrofuranyloxy group, a tetrahydropyranyloxy group, a tetrahydrofurfuryloxy group, a tetrahydropyranylmethyloxy group, phenoxy group, lower acyloxy group, benzoyloxy group, lower alkoxycarbonyloxy group, aralkyloxycarbonyloxy group,
carbamoyloxy group, lower alkylcarbamoyloxy group or phenylcarbamoyloxy group, A is an amide bond or ether bond, n is 1
Each represents an integer between 3 and 3. ) A sulfide compound represented by
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