JPH04185227A - 低温保障回路 - Google Patents
低温保障回路Info
- Publication number
- JPH04185227A JPH04185227A JP2315174A JP31517490A JPH04185227A JP H04185227 A JPH04185227 A JP H04185227A JP 2315174 A JP2315174 A JP 2315174A JP 31517490 A JP31517490 A JP 31517490A JP H04185227 A JPH04185227 A JP H04185227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- circuit
- heating element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は周囲温度が低温時、半導体集積回路自身の温
度を上げることにより、半導体集積回路の特性を保障す
ることを目的とする低温保障回路に関するものである。
度を上げることにより、半導体集積回路の特性を保障す
ることを目的とする低温保障回路に関するものである。
（従来の技術）
従来の半導体集積回路においては低温保障回路は内蔵さ
れておらず、周［用温度か低い場合、所望の特性を得る
ことが困難であった。
れておらず、周［用温度か低い場合、所望の特性を得る
ことが困難であった。
従来の半導体集積回路においては低温保障回路か内蔵さ
れていないので５周囲温度が低い時、所望の特性を得る
ことが困難であるという問題点があった。
れていないので５周囲温度が低い時、所望の特性を得る
ことが困難であるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、周囲温度が低温である時でも半導体集積回路
か所望の特性を得ることができる低温保障回路を得るこ
とを目的とする。
たもので、周囲温度が低温である時でも半導体集積回路
か所望の特性を得ることができる低温保障回路を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る低温保障回路は、トランジスタのベース
エミッタ間電圧Ｖ、％Ｅの負の温度特性を利用すること
により、半導体集積回路内に設けられた発熱体く抵抗体
）からの発熱による同集積回路内部の温度士昇を上記■
ＢＥの電圧として検出し、あらかしめ設定された温度に
対応する基準電圧Ｖ ｒａｔと比較する。集積回路内部
の温度か上昇してＶ！ＩＥ≦Ｖ １−ｅｆとなった時、
上記トランジスタがオンとなり、その信号をバッファ回
路で受け、発熱体（抵抗体）への電流供給を停止させる
ことにより、集積回路内部の温度をあらかじめ設定され
た温度に保つことができるようにしたものである。
エミッタ間電圧Ｖ、％Ｅの負の温度特性を利用すること
により、半導体集積回路内に設けられた発熱体く抵抗体
）からの発熱による同集積回路内部の温度士昇を上記■
ＢＥの電圧として検出し、あらかしめ設定された温度に
対応する基準電圧Ｖ ｒａｔと比較する。集積回路内部
の温度か上昇してＶ！ＩＥ≦Ｖ １−ｅｆとなった時、
上記トランジスタがオンとなり、その信号をバッファ回
路で受け、発熱体（抵抗体）への電流供給を停止させる
ことにより、集積回路内部の温度をあらかじめ設定され
た温度に保つことができるようにしたものである。
この発明における温度検出回路は、直線性が極めて良好
なるトランジスタのベース−エミッタ間電圧ＶＲＥの温
度特性を利用したもので、あらかじめ設定された温度に
おいて良好に発熱体（抵抗体）への電流供給のオン・オ
フを行なう。
なるトランジスタのベース−エミッタ間電圧ＶＲＥの温
度特性を利用したもので、あらかじめ設定された温度に
おいて良好に発熱体（抵抗体）への電流供給のオン・オ
フを行なう。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、（１）は半導体集積回路内部に設けら
れた発熱回路で発熱体（抵抗体） （１１）及びその
発熱体く抵抗体） （１１）への電流供給をオン・オ
フするスイッチ（１２）を備えている。
れた発熱回路で発熱体（抵抗体） （１１）及びその
発熱体く抵抗体） （１１）への電流供給をオン・オ
フするスイッチ（１２）を備えている。
（２）はあらかじめ設定された温度に対応する電圧を発
生する基準電圧発生回路で、定電圧源（２１）と抵抗（
２２）を備えている。（３）は発熱体（抵抗体） （
１１）より検出された温度を電圧変換する回路、および
、その電圧を基準電圧発生回路（２）にて作られた基準
電圧と比較して出力する比較回路、（４）は比較回路（
３）の出力を受けて発熱体（抵抗体）への電流供給をオ
ン・オフさせるためのバッファ回路である。
生する基準電圧発生回路で、定電圧源（２１）と抵抗（
２２）を備えている。（３）は発熱体（抵抗体） （
１１）より検出された温度を電圧変換する回路、および
、その電圧を基準電圧発生回路（２）にて作られた基準
電圧と比較して出力する比較回路、（４）は比較回路（
３）の出力を受けて発熱体（抵抗体）への電流供給をオ
ン・オフさせるためのバッファ回路である。
次に動作について説明する。
半導体集積回路内に設けられた発熱体（抵抗体）（１１
）の発熱による半導体集積回路の温度上昇をトランジス
タ（３）のベース−エミッタ間電圧ｖＢＥとして検出し
、あらかじめ設定された温度に対応する基準電圧Ｖ ｒ
ｅｆと比較し、ｖ８Ｅ≦Ｖ ｒｅｆの時、上記トランジ
スタ（３）がオンして、この信号により発熱体く抵抗体
＞ （１１）への電流供給を停止させて発熱を停止さ
せる。又、Ｖ ＢＥ＞ Ｖ ｒｅｆの時、上記トランジ
スタ（３）がオフして、この信号により発熱体（抵抗体
） （１１）への電流供給を行ない発熱により半導体
集積回路自身の温度を上昇させる（第２図参照）。これ
によって、半導体集積回路自身の温度をあらかしめ設定
した所望の温度に保つことかり能となり、低温時におい
ても所望の特性が得られる。
）の発熱による半導体集積回路の温度上昇をトランジス
タ（３）のベース−エミッタ間電圧ｖＢＥとして検出し
、あらかじめ設定された温度に対応する基準電圧Ｖ ｒ
ｅｆと比較し、ｖ８Ｅ≦Ｖ ｒｅｆの時、上記トランジ
スタ（３）がオンして、この信号により発熱体く抵抗体
＞ （１１）への電流供給を停止させて発熱を停止さ
せる。又、Ｖ ＢＥ＞ Ｖ ｒｅｆの時、上記トランジ
スタ（３）がオフして、この信号により発熱体（抵抗体
） （１１）への電流供給を行ない発熱により半導体
集積回路自身の温度を上昇させる（第２図参照）。これ
によって、半導体集積回路自身の温度をあらかしめ設定
した所望の温度に保つことかり能となり、低温時におい
ても所望の特性が得られる。
以上のようにこの発明によれば、周囲温度が低温時にお
いても、半導体集積回路の電源オン時から動作開始迄に
時間かある場合に、その時間を利用することによって、
半導体集積回路内に設けられた発熱体く抵抗体）の発熱
により集積回路自身の温度を所望の特性が出せ易い温度
にまで上昇させてその温度に保つことにより、抵抗時に
おける半導体集積回路の特性保障を可能とする効果があ
る。
いても、半導体集積回路の電源オン時から動作開始迄に
時間かある場合に、その時間を利用することによって、
半導体集積回路内に設けられた発熱体く抵抗体）の発熱
により集積回路自身の温度を所望の特性が出せ易い温度
にまで上昇させてその温度に保つことにより、抵抗時に
おける半導体集積回路の特性保障を可能とする効果があ
る。
第１図はこの発明の一実施例による低温保障回路の回路
図、第２図は第１図の低温保障回路の動作特性曲線図で
ある。 図において、（１）は発熱回路、（２）は基準電圧発生
回路、（３）は温度検出回路および比較回路、（４）は
バッファ回路、（１１）は発熱体、（１２）はスイッチ
、（２１）は定電圧源、（２２）は抵抗を示す。
図、第２図は第１図の低温保障回路の動作特性曲線図で
ある。 図において、（１）は発熱回路、（２）は基準電圧発生
回路、（３）は温度検出回路および比較回路、（４）は
バッファ回路、（１１）は発熱体、（１２）はスイッチ
、（２１）は定電圧源、（２２）は抵抗を示す。
Claims (1)
- 半導体集積回路内に設けられた発熱体と、この発熱体の
温度を検出してその温度を電圧に変換する回路と、その
電圧信号をある一定の温度に対応する電圧と比較するた
めの比較回路とを備えた半導体集積回路において、上記
発熱体の温度があらかじめ設定された温度以上となった
時に上記発熱体（抵抗体）への電流供給を停止し上記発
熱体（抵抗体）の温度上昇を停止させることにより、上
記半導体集積回路を周囲温度が低温時においてもある一
定のもとで動作させることを可能としたことを特徴とす
る低温保証回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2315174A JPH04185227A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 低温保障回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2315174A JPH04185227A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 低温保障回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04185227A true JPH04185227A (ja) | 1992-07-02 |
Family
ID=18062312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2315174A Pending JPH04185227A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 低温保障回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04185227A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114023739A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-02-08 | 上海奥简微电子科技有限公司 | 温度感测电路及热反馈保护电路 |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP2315174A patent/JPH04185227A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114023739A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-02-08 | 上海奥简微电子科技有限公司 | 温度感测电路及热反馈保护电路 |
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