JPH04177629A - チップメモリ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、光ビームを用いて光学的に情報の記録お上び
再生を行うチップ状の光情報記録媒体（チップメモリ）
に関する。

（ロ）従来の技術 近年、光ディスク、コンパクトディスク（ＣＤ）に代表
されるように、光学的な情報記録媒体を利用して、情報
の記録・再生が手軽に行われるようになってきている。

光情報記録は、基板上の記録層にレーザ光を約Ｉａｍ”
程変以下に集光照射して、記録膜に熱による形状変化（
ヒートモード型）、または光による結晶状態の変化（フ
ォトンモード型）等を生じさせて記録する方法であり、
再生専用型のＣＤ（コンパクトディスク）、追記型の記
録媒体としてのＤ　ＲＡＷ　（ｄｉｒｅｃｔ　ｒｅａｄ
　ａｆｔｅｒ　ｗｒｉｔｅ）　、書き換え型の光磁気デ
ィスク等か知られている。

ヒートモード情報記録材料に用いる記録層としては、テ
ルル、ヒスマスなどの金属薄膜、ノアニン系色素、ナツ
タロンアニン系色素ζどの有機薄膜、あるいは相転移を
利用したテルル酸化物膜などがある。これらの情報記録
材料は、情報の書き込み後、現像処理などの必要がなく
、ｒ書いた後、直読する」ことのできる、いわゆるＤＲ
ＡＷ媒体であり、高密度記録が可能であり、追加書き込
みも可能であることから、ディスク用あるいはカード用
の情報記録材料としての用途が期待されている。

現在、高度情報化社会か進行中てあり、情報の量と質の
拡大が進み、高密度・大容量の情報記録媒体、例えば光
ディスクが開発されてきている。

これらは、記録容量が格段に大きく、例えば、５インチ
の光磁気ディスクでは、５００メガバイト（両面記録）
のらのや、１２インチの記録媒体では２．１ギガバイト
程度以上のらのか開発されてきている。

（ハ）発明か解決しようとする課題 ゛しかじ、これらの光情報記録媒体の記録容量は、非常
に大きく、５．２５インチの光ディスクの情報記録容量
は、例えば、５４０メガバイトもめる。この記録媒体の
容量を現在市販されている書籍・辞書を例として説明す
ると、「広辞苑」の記録量で、約３０冊に相当する。「
広辞苑」３０冊分の情報が、記録容量５４０メガバイト
の１枚の光ディスクに記録できることは、日常、個人か
扱う量として、５４０メガバイトは大容量すぎることを
表している。

まｒ二、日常個人個人がよく接している新聞、多くの一
般書籍、文庫本等の情報媒体の記録容量は、数メガまた
は数十メガバイト程度以下であり、これらをそれぞれ別
々の光ディスクに記録して、市販品にしようとした場合
、光ディスクは、容量的にも形状的にも大変に大きいも
のであり、日常個人が使用する情報媒体としては、コス
ト的に高い情報媒体とならざるを得なかった。

本発明は、これら従来技術に伴う問題点を解決しようと
するものであって、ことに、日常、個人の身近な情報源
である、新聞、一般書籍、文庫本等の記録情報量（数メ
ガバイト程度）を記録できる、非常に小型なチップ状の
光情報記録媒体を提供することを目的とするものである
。

（ニ）課題を解決するための手段 かくして本発明によれば、基板上に光ビームによる記録
・再生可能な記録層を備えた記録媒体を切断してなる記
録媒体チップからなり、該記録媒体チップに線状または
マーク状の互換用標識が設けられてなり、かつ該記録媒
体チップが、保持基材に埋設構成されてなるチップメモ
リが提供される。

本発明のチップメモリは、府記問題点を解消すると共に
、その製造において、スピンコード法、真空蒸着法など
の各種コーティング法により、記録材料を基板の上にコ
ートした後、切断（カッティング）することによって、
−回の製膜工程に対して、多数個の記録媒体チップを作
製することのできる大量生産方式を用いることかでき、
コストダウンが可能である。

さらに、本発明のチップメモリにおいては、線状または
マーク状の互換用標識（以下、互換用基準線）が設けら
れており各チップ毎の記録再生操作時の互換性が確保さ
れている。すなわち、この互換用基準線を基準として、
記録媒体チップの正確な配置や微調ができ、その結果、
１μが以下に集束された細束のレーザ光を適用すること
が実用上可能となり、５０ｏＯ万ビブト／ｃ１１１！以
上の高密度記録及びその再生を再現性よく行うことがで
きる。

また、この互換用基準線でさらに保持基材をカットする
ことにより、同一形状のチップメモリを得ることができ
る。

かかる互換用基準線は、レーザビーム用トラッキング溝
を形成する方法と同様にして、スタンバからの転写によ
り設けることかできる。

なお、記録媒体を切断してチップ化する際に記録媒体に
さらに線状またはマーク状の切断用標識（以下、切断用
基準線）を設けておき、この切断用基準線に沿って切断
を行うとより正確な切断を行うことができる。従って、
切断前の記録媒体には互換用基準線と切断用基準線が設
けられているのが好ましい。

本発明のチップメモリは、その記録層上に、該記録層を
保護するための保護層又は保護基板を備えたちのであっ
てもよい。かかる保護層や保護基板は、記録層上に直接
配設されていてもよく、空気層を介して配設されていて
もよく、これらの具体的構造は後述の具体例や実施例等
に示されろ。

また、記録層は前述した種々の光記録材料のみからなる
もの以外に、光ビームの入力面に光反射層（例えば、金
属蒸着膜）を宵するものであってもよい。

さらに本発明のチップメモリは、上記のごとき記録媒体
チップを適当な保持基材に埋設構成した形態であるので
取扱上極めて便利である。

かかる記録媒体チップの大きさは、意図する記録容量に
よって決定されるへきであるが、本発明の目的から新聞
、一般書籍、文庫本等の記録容量を考慮して決定される
。この点について、以下、詳説する。

まず、新聞、一般書籍、文庫本等の記録容量の概算につ
いて説明する。

［新聞の記録容量の概算］ （ａ）新聞の大部分のｌベージの大きざは、５１ｃｍｘ
３８ｃｍてあり、この１ページに最大・概算１７０００
文字が記録できる。

（ｂ）新聞のページ数は、朝・夕刊の別、−絞紙、業界
紙等により異なるが１部はおよそ３６ページ以下である
。ある日の朝刊のページ数を次に示す。

◆２４ページ（サンケイ、電波、日本工業）、◆２８ペ
ージ（朝日、毎日、読売）、 ◆３２ページ（日経産業、日刊工業）、◆３６ページ（
日経） （ｃ）シたがって、新聞１部のページ数を３６ベーノ以
下として計算すると、新聞１部に記載されている情報記
録容量（文字数）は、約６１万字以下であり、約１，２
メガバイトの記録容量があれば、新聞１部相当の文字を
記録できることになる（１文字を２バイトで計算した）
。

（ｄ）また、新聞には、写真などの画像も掲載されてい
るので、そのための情報記録容量も余分に必要とされる
が、画像圧縮等の技術を用いることにより、数メガバイ
トの記録容量があるならば、一般の新聞の概略は記録で
きることになる。

（ｅ）また、「記録媒体の具体的な表示として、１ギガ
ビツトは新聞４０００ページに相当する（日経産業、１
９８９年７月６日）」等により計算すると、約３６ペー
ジは、約１，１メガバイトである。

［一般書籍の記録容量の概算］ （ａ）一般書籍の記録容量として、８５版サイズで３２
４ページの書籍（新・光機能性高分子の応用、１９８８
年第１版発行、ンーエムンー出版）を例として計算した
結果を示す。

（ｂ）１行には４３文字、１ページには３２行が記載で
き、この本１冊は３２４ページであるから、記録量を文
字換算で計算すると、１冊の記録容量は約０．９メガバ
イトになる。

［文庫本の記録容量の概算コ （ａ）　１ページに記載されている文字数を約５００．
１冊を２７０ベーノとして計算すると、１冊は約０．３
メガバイトになる。

従って、本発明のニーズ例である新聞、一般書籍、文庫
本等を記録するには、写真、図などを考慮しても、数メ
ガバイトまたは数十メガバイト程度の記録容量である光
情報記録媒体か、作製されれば良いことになる。まに、
１メガバイトの記録容量があれば、１ページの記録量を
２０００文字とした場合の°換算で白紙の２５０ページ
に相当する量が記録でき、個人で使用する記録媒体とし
て、１枚あたりの記録容量が１メガバイト程度の媒体は
、非常に使いやすいものである。

［記録密度コ 光記録は、レーザ光を約１μｍ２以下程度に集光できる
ので、ピットの記録密度は、概略３０００万ピッ８７０
１１１１以上（ＴＥＣＩ（Ｎ、ＩＬＯＧＹ　ＡＮＤ　Ｍ
ＡＲＫＥＴ、　　１９８９年４月）か可能であり、これ
をバイト単位で表示すると、６２５メガバイト／　ｃ　
、１以上になる。

かかる観点から、本発明における記録媒体チップの大き
さ（切断サイズ）は、数スＲ〜数Ｌｏａｍ角のカード状
又は数叉ス〜数１０１Ｒ径のディスク状とするのか適し
ており、ことに５〜２５ｚｘ角又は５〜２５叉ｌ径の形
状とするのが好ましい。また、データの記録方式は、ス
パイラル状のトラックに一定の速変で記録するのが望ま
しい。記録および再生において、ピックアップやメモリ
媒体などの駆動系を滑らかに動かすことが出来、データ
に対する高速アクセスや高速転送か可能になるからであ
る。

かかる大きさのチップからなる本発明のチップメモリは
、軽くて薄く、しかも小型で低コストのものであり、新
聞、書籍、文庫本等の内容の記録・再生用として極めて
適したちのである。

以下、添付図面を参照して、本発明の構成および作製方
法を、再生専用型、追記型、書き換え型に分けて、以下
に具体的に説明する。

〈構成〉 第１図は、本発明の再生専用型のチップメモリ２１の一
例を示す断面図である。第１図におＬ）で、本発明の記
録媒体チップ１は、再生専用の記録情報（ビット）、切
断用基準線３、互換用基準線４などを記録し乙記録層用
基板６の上に、再生専用型の無機記録材料の記録１ｉ７
を形成して作製した記録層基板８に、保護層９をコート
し、チップ化（１５Ｘ１５１ｘ；記憶容！（フォーマッ
ト時）約１メガバイト）したちのであり、記録媒体チッ
プ１の取り扱いを容易にするため、保持基材２２の中に
埋め込み、チップメモリ２１を作製する。

第２図（１）は、本発明の追記型記録媒体チップ１の一
例を示す断面図である。第２図（１）において、本発明
の記録媒体チップｌは、紫外線硬化樹脂２を用いて、レ
ーザビーム・トラッキング用の溝、切断用基準線３、互
換用基準線４などを基板５の上に形成した記録層用基板
６に、追記型無機記録材料または有機記録材料による記
録層７を形成して作製した記録層基板８に、接着層１０
を形成して保護基板１１を接着し、チップ化（１５×１
５ｘｚＬしたちので、空気層１２が、記録層７と保護基
板１ｚの間（Ｑ、１ｚｚ）に設けである。また、必要に
応じて、金属反射膜（図示せず）を、記録層７と空気層
１２の間に設けても良い。まｆ二、第２図（２）は、本
発明のチップメモリ２１の一例を示す断面図である。第
２図（２）において、本発明のチップメモリ２１は、第
２図（１）に示す記録媒体チップｌの取り扱いを容易に
するにめに、保持基材２２の中に埋め込み、互換用基準
線４を基準にして、保持基材の周囲の一部を切断して、
作製したものである。

第３図は、本発明の書き換え型チップメモリ２１の一例
を示す断面図である。第３図において、本発明の記録媒
体チップｌは、トラッキング用の溝、切断用基準線３、
互換用基準線４などを設けた記録層用基板６の上に、書
き換え型無機記録材料または有機記録材料による記録層
７を形成して作製した記録層基板８に、保護Ｆｔ９をコ
ートし、チップ化（＋５Ｘ１５ｚｉ）したものてめり、
記録媒体チップｌの取り扱いを容易にするため、保持基
材２２の中に埋め込み、チップメモリ２１を作製する。

また、必要に応じて、金属反射膜（図示せず）を、記録
層７と保護層９の間に設けても良い。

第４図は、本発明の記録媒体チップ１の集合体（メモリ
プレート１５）の−例を示すものである。

第４図に示すように、記録媒体チップｌは、同時に製膜
・封止された多数個の記録媒体チップ１の集合体（メモ
リプレート１５）を、切断用基準線３（または切断用マ
ーク）に沿って切断（カッティング）することによって
作製する。

第５図は、本発明のチップメモリの一例を示すものであ
る。記録媒体チップｌの取り扱いを容易にするために、
保持基材２２の上に接着または埋め込み等により固定し
、互換用基１！線４（または互換用マーク）を基準とし
て、保持基材の周囲の一部を切断して、第５図に示すチ
ップメモリ２１を作製する。

く作製工程〉 本発明のチップメモリの作製工程は、おおよそ６段階に
分けられる。すなわち、（ａ）基盤作製工程、（ｂ）製
膜工程、（ｃ）封止工程、（ｄ）チップ化工程、（ｅ）
固定ｆヒエ程、（［）互換化工程てめろ。以下、各工程
について説明する。

（ａ）レーザビーム・トラッキング用の溝、フォーマッ
ト情報などの記録情報、切断用基準線３（または切断用
マーク）および互換用基準線４（または互換用マーク）
などを形成し１こ金属スタンパ（図示せず）を用意する
。紫外線硬化樹脂２を用いて、微細パターンの記録情報
、切断用基準線３、互換用基準線４などを金属スタンパ
から基板５に転写することにより記録層用基板６を作製
するか、高精変射出成型法などによる一体成型により、
金属スタンパから記録情報、切断用基準線３、互換用基
準線４などを転写して、記録層用基板６を作製するのが
基盤作製工程である。

（ｂ）この記録層用基板６上に記録膜７をコートする工
程が製膜工程である。゛記録膜７の形成方法は、ウェッ
トプロセスとドライプロセスに分けられ、溶液塗布法（
例えばスピンコーティング法）、真空蒸着法、スパッタ
リング法、プラズマ重合法、ＬＢ法など種々の方法が開
発されている。記録・再生の方式（再生専用型、追記型
、書き換え型）や記録材料の特性に合わせて、種々の製
膜法が用いられる。例えば、有機色素を記録膜に用いる
場合の製膜工程の例としてはスピンコーティング法かあ
る。スピンコーティング法は、色素原体を所定溶媒に所
定濃度に溶解した後、溶液を濾過し、コーティング原液
とする。前述の記録層用基板をスピンナ上にセットし、
原液を、画工後高速回転にて振り切り、残存溶媒を加熱
等の方法で除去し、記録層基板８を作製する。

（ｃ）この記録層基板８に、第２図（１）に示す発明の
場合は、接着層１０を形成した後、保護基板１１を用い
て封止することにより、第１図または第３図に示す発明
の場合は合成樹脂からなる保護層９をコーティングする
ことにより、メモリプレート１５を作製するのが、封止
工程である。

（ｄ）メモリプレート１５を、ブレードによるダイソン
グ法などの機械的な方法や、炭酸ガスレーザなどによる
熱的な方法により、正方形、長方形などの多角形や、円
、楕円などの形に切断用基準線３（または切断用マーク
）に沿って切断し、記録媒体チップｌを作製する工程か
、チップ化工程である。このチップ化工程を加えること
により、メモリプレート１５から、記録媒体チップｌを
、−度に多数個作製することができる。

（ｅ）この記録媒体チップｌの取り扱いを容易にするた
めに、接着または埋め込みなどにより保持基材２２に固
定する。

（ｆ）精密な記録・再生の制御を行いやすくできるよう
に、記録媒体チップの内部に形成した互換用基準線４（
または互換用マーク）を基準にして、保持基材の周囲の
一部を切断して、形状および固定位置に対する互換性を
もたせて、チップメモリ（光カード、または光ディスク
）２＋を作製するのが、互換化工程である。

なお、チップ作製工程は清浄空間にて行われる。

〈記録層用基板、および保護基板〉 本発明において使用される記録層用基板、保護基板は、
レーザビームの入力する側、すなわち記録および再生用
のレーザ光源の側が光透過性であるかぎり、特に限定す
ることなく、広範囲のものが使用可能である。例えば、
具体的に以下のものが使用できる。ガラス、プラスチッ
ク、セラミックなどが基板材料として使用でき、プラス
チックとしては、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリスチレン、フェノール樹脂、不飽和ポ
リエステル、ＡＢＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＡＳ樹脂、Ａ
Ｓ樹脂、ＡＣＳ樹脂、アイオノマー樹脂、エポキン樹脂
、ポリアセタール樹脂、ポリアミド（ナイロン樹脂）、
ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
メチルメタクリレート、ポリブチレンテレフタレート、
ポリフェニレンサルファイド、ポリサルホンなどが用い
られるが、生産性や光透過性の点から、ガラスやポリカ
ーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリオレフィ
ンなどが特に好ましい。

く保護層〉 本発明において使用されるプラスチック保護層の材料は
、記録層を侵さないで、保護する材料である限り、広範
囲のものが使用可能である。例えば、ポリ塩化ビニル、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、フェノ
ール樹脂、不飽和ポリエステル、ＡＢＳ樹脂、ＡＢＳ樹
脂、ＡＡＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＣ９４１を詣、アイオノ
マー樹脂、エポキシ樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリア
ミド（ナイロン樹脂）、ポリカーボネート、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリブ
チレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、
ポリサルホンなどが用いられるか、生産性や長期信頼性
の点から、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリオレフィンなどが特に好ましい。

く再生専用型の無機光記録材料〉 再生専用型の無機光記録材料は、反射率の高い金属、例
えば、Ａ［、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ％Ｃｄ。

Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐｂ５Ｂｉなどの単金属や２種類以
上の金属の合金による反射性金属薄膜により構成するこ
とが好ましい。このような反射性金属薄膜層は、スパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、電
気メツキ法などの従来既知の方法によって製膜すればよ
い。この反射性金属薄膜層の膜厚は、２００．入〜１０
００３てめることか好ましい。

く追記型の無機光記録材料〉 追記型の無機光記録材料は、エネルギービームの照射に
より書き込む場合、低融点金属てあろＴｅ、ＺｎＳＰｂ
、Ｃｄ１Ｂｉ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｉｎ。

Ｇａ、Ｒｈなどの金属を主成分とした反射性金属薄膜に
より構成することが望ましく、特に、Ｔｅ−Ｓ　ｅ　、
　Ｔ　ｅ　−Ｓ　ｅ　−Ｐ　ｂ　、　Ｔ　ｅ　−Ｐ　ｂ
　ＳＴ　ｅ　−Ｓｎ、−５１Ｓｎ−ＣｕＳＴｅ−ＣｕＳ
Ｔｅ−Ｃｕ−Ｐｂなどの合金が好ましい。このような反
射性金属薄膜層は、スパッタリング法、真空蒸着法、イ
オンブレーティング法、電気メツキ法などの従来既知の
方法によって製膜すればよい。この反射性金属Ｗ＃膜層
の膜厚は、２００人〜１０００人であることが好ましい
。場合によっては、上記金属からなる多層膜たとえばＩ
ｎ膜とＴｅ膜との多層膜なども用いられる。

く追記型の有機光記録材料〉 追記型の有機光記録材料は、レーザビームの波長に応じ
た吸収波長をもった色素であり、レーザビームの熱エネ
ルギーによりピットを形成して、情報が記録できる材料
である。近赤外レーザの波長に対応した近赤外吸収色素
、可視光レーザに対応した可視光吸収色素などかめる。

近赤外吸収色素としては、例えば、ポリメチン系色素（
シアニン色素）、スクアリリウム系色素、チオールニッ
ケル錯塩、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系
色素、トリアリルメタン系色素、インモニウム、ジイン
モニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン
系色素などが用いられうる。

近赤外吸収色素は、例えば近赤外の半導体レーザビーム
による熱エネルギーによって、薄膜層の有機材料が熔融
・昇華などの反応によりビットを形成して、追記型の記
録材料として用いられている。

このような有機薄膜層は、溶液塗布法、真空蒸着法、ス
パッタリング法、プラズマ重合法などの従来既知の方法
によって製膜すればよい。また、記録情報を再生すると
きに用いるレーザビームの反射を高めるために、有機薄
膜層の下に金嘱Ｗ＃膜による光反射層を設けてもよい。

〈金属薄膜光反射層〉 レーザビームの反射層としては、反射率の高い金属、例
えばＡＩ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ
、Ｐｂ５Ｂ　ｉ？、；どの単金属や２種類以上の金属の
合金による反射性金属薄膜により１１ＩＦｆｃすること
が好ましい。このような反射性金属薄膜層は、スパッタ
リング法、真空蒸着、去、イオンブレーティング法、電
気メツキ法などの従来既知の方法によって製膜すればよ
い。

く書き換え型の無機光記録材料（光磁気）〉書き換え型
の無機光記録材料（光磁気）とは、Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅなど
の磁性材料により、情報の記録および・書き換えができ
る材料である。光磁気による記録は、レーザビームのエ
ネルギーを記録材料に照射すると同時に磁界を加えるこ
とにより、金属薄膜の磁化を反転させ、光の直線偏光が
磁化の向きに応じて回転するカー効果やファラデー効果
などを用いて、磁化の向きを検知することにより、情報
の記録、再生、書き換えを行う方法である。

ＴｂＦｅ、ＴｂＣｏ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ１ＤｙＦｅ、
ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＦｅ
Ｂ１５ＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＣｏ、ＭｎＣｕＢ１、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＧｅ、ＧｄＤｙＰｅＣｏ
、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏなどの磁性材料
の合金による薄膜が好ましい。このような金属薄膜層は
、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティン
グ法、電気メツキ法などの従来既知の方法によって製膜
すればよい。また、光磁気記録層の上下に保護層として
、誘電体の透明保護膜を設けても良い。この保護膜とし
ては、Ｓ　ｉＮ、ＡｌＮ５Ｓ　ｉＡｌ。

Ｎなどの誘電体が用いられる。

く書き換え型の無機光記録材料（相変化）〉書き換え型
の無機光記録材料（相変化）は、レーザビームのエネル
ギー照射量などの違いにより、相移転が生じて、反射率
または透過率が変化する無機材料であり、可逆性をもっ
た材料である。相変化型の材料としては、５ｎＴｅＳｅ
ＳＧｅＳｂＴｅ、Ｇｅ５ｂＴｂ、Ｉｎ５ｅＴｌ、ｒｎｓ
ｅＴｅ、５ｂＴｅＳｅ１ＴｅＧｅＳｎＡｕ、Ｇｅ５ｂＴ
ｅ−Ｃｏ、ＧｅＳｂＴｅ−ＡｇＴ１などが用いられる。

く書き換え型の有機光記録材料〉 書き換え型の有機光記録材料は、主にホトンモード型の
材料か用いられる。書き換え型の有機光記録材料の例と
しては、反応の形態により、（ｉ）開環反応（記録材料
の例・スピロピラン）、（ｂ）閉環反応（記録材料の例
：フルギド）、（ｃ’）シス−トランス異性化反応（記
録材料の例、アゾベンゼン）、（ｄ）水素移動よる互変
異性化反応（記録材料の例：サリチリデンアニリン）、
（ｅ）解離反応による遊離基の生成反応（記録材料の例
：β−テトラクロロ−１−ケトジヒドロナフタレン）、
（ｆ）光酸化還元反応（記録材料の例：テトラベンゾベ
ンタゼン）などに分類され、それぞれの分類例で示した
ような材料が用いられる。

〈保持基材〉 保持基材の材料としては、ガラス、セラミック、金属、
合成紙、紙、プラスチックフィルム、織布、不撒布など
の通常のカード基材として用いることかできるあらゆる
材料が用いられうるか、生産性、平滑性の点から、ガラ
ス、プラスチックフィルムが好ましい。プラスチックフ
ィルムとしては、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリスチレン、フェノール樹脂、不飽和ポ
リエステル、ＡＢＳ樹脂、ＡＥ　Ｓ４’ｉｆ指、ＡＡＳ
樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、アイオノマー樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド（ナイロン
樹脂）、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリメチルメタクリレート、ポリブチレンテレフタ
レート、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルホン、
セルロース誘導体、ポリエステル樹脂、ポリイミド系樹
脂、アクリル系樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリスルフす
ン樹脂、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリビニルブチラールなどを用いることがで
きるが、寸法安定性および平滑性の点からセルロースト
リアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポ
リオレフィンなどが特に好ましい。

場合によっては、鉄、ステンレス、アルミニューム、ス
ズ、銅、亜鉛などの金属シートなども用いられうる。

次に保持基材に固定された本発明のチップメモリ（光カ
ード、光ディスク）の製造方法について説明する。

まずポリエチレンテレフタレート、白色硬質塩化ビニル
などの保持基材の材料を用いて、円形、正方形、長方形
などの形に記録媒体チップを埋設するための凹部をカー
ドまたはディスク形状の保持基材に熱プレスなどにより
形成し、必要に応じてこの凹部を含めてカードまたはデ
ィスク形状の保持基材表面に接着用プライマー処理を施
しておく。次に、上述のように、数ｍｍから数ｃｍ程度
の角形、円形、楕円形などの形に、機械的な方法、また
はレーザ等の熱的な方法で切断（カッティング）された
記録媒体チップを、保持基材の凹部に嵌め込んで固定し
た後、互換用基準線または互換用マークを基準にして、
保持基材の周囲の一部を切断し、本発明のチップメモリ
を作製する。

また、このとき、片面にたとえば熱接着層が設けられｒ
こ透明ポリカーボネートフィルム（図示せず）などを記
録媒体チップの上に重ね合わせ、９０〜１５０℃程度に
加熱された熱定着ロールで圧着することにより、目的の
チップメモリを製造してもよい。

次に、上記のようにして作製し１こ、記録層への情報の
書き込み（追記型、書き換え型）および書き込まれた情
報の読みだしく再生専用型、追記型、會き換え型）につ
いて、第６図に記録再生システムの概略を示し、説明す
る。

〈情報の書き込み・追記型の場合〉 追記型の記録層への情報の書き込みは、波長３００ｎ　
ｍ＝ＬＬＧＯｎ　ｍのレーザビームなどのエネルギービ
ームをレンズなどにより集光した後、記録層に照射する
ことにより、照射部分の金属材料あるいは有機材料を蒸
発・飛散あるいは偏在させて記録ビットを形成すること
によりおこなう。この際エネルギービームの強度は、Ｑ
　、　ｌ　ｍ　Ｗ〜ＬＯＯｍＷ、パルス中は５ｎｓｅｃ
〜５００ｍ５ｅｃ、ビーム径は、０．５μｍ〜５０μｍ
であることが好ましい。

記録層上に照射されるエネルギービームとしては、半導
体レーザ、アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオンレーザな
どが用いられる。

〈情報の書き込み・書き換え型の場合〉書き換え型の記
録層への情報の書き込みは、波長３Ｈｎｍ〜１ｌ１００
ｎのレーザビームなどのエネルギービームをレンズなど
により集光した後、記録層に照射することにより、無機
記録材料の場合は照射部分の金属材料の磁化の向きや結
晶構造を変化させることにより、また有機記録材料の場
合は各種ホトンモード型の反応により、有機記録材料の
吸収スペクトルを変化させることによりおこなう。この
際エネルギービームの強度は、（１，１ｍＷ〜ＬＯＯｍ
Ｗ、パルス巾は５ｎ　ｓｅｃ〜５ＱＱｍｓｅｃ、ビーム
径は、０５μｍ〜５０μｍであることが好ましい。

記録層上に照射されるエネルギービームとしては、半導
体レーザ、アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオンレーザな
どが用いられる。

く情報の読みだし〉 一方、本発明の光情報記録媒体に書き込まれｒ二情報の
読み出しは、記録層の材料や状態などを変化させない程
度、例えば、溶解や構造変化などをおこさせない程度の
低エネルギーのエネルギービームあるいは白色光、タン
グステン光などをレンズなどを介して集光した後、記録
層用基板側あるいは保護層（保護基り側から記録層に照
射し、反射光の強度、位相変化などを検出することによ
って行う。

（ホ）作用 本発明のチップメモリは、チップ化工程および互換化工
程を製造工程に加えろ二とにより、−回の製膜工程で、
多数個の記録媒体チップを作製されるものであり、以下
のような効果を奏する。

（ａ）同一形状、小型の記録媒体チップを一度に多数個
作製することかでき、互換性があってワーレッタプルで
、低コストなチップメモリを提供することができる。

（ｂ）レーザによる高密度な記録・再生方式の適用によ
り、新聞、書籍、文庫本などが小さな記録媒体チップの
中に記録・再生でき、記録容量も適合化される。

（へ）実施例 以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。

〈実施例１　再生専用型の無機記録材料を用いた例〉 （ａ）再生専用の記録情報、レーザビーム・トラッキン
グ用の溝（幅０．８μｍ）、切断用基準線、互換用基準
線（幅０．８μｍ）などを記録した金属スタンパを用意
した。この金属スタンパを用いて、微細パターンの記録
情報、切断用基準線、互換用基準線などをガラス基板上
のアクリレート系紫外線硬化樹脂に転写することにより
記録層用基板を作製した。また、別の方法として、ポリ
カーボネートの高精度射出成型による一体成型により、
金属スタンパから記録情報、切断用基準線、互換用基準
線などを転写することによっても、厚さか１２ｍｍの記
録層用基板を作製できた。

（ｂ）次に、真空蒸着装置を用いて、４００　、人から
６００人の厚さのアルミニウムの反射性金属薄膜による
記録層を３己録層用基板の上に形成し、記録層基板を作
製した。

（ｃ）この記録層基板に、約１０μｍのプラスチック保
護層（ポリカーボネート）をコーティングし、メモリプ
レートを作製した。

（ｄ）メモリプレートを、切断用基準線に沿ってブレー
ドによる機械的な方法（ダイシング）で正方形に切断し
、多数個の記録媒体チップ（１５Ｘ１５ｍｍ）を作製し
た。

（ｅ）このチップの取り扱いを容易にするために、第５
図に示すように埋め込みにより保持基材（プランチック
製）に固定した。

（ｆ）互換用基準線を基準にして、保持基材の周囲の一
部を切断し、再生専用型のチップメモリを作製した。

また、記録層基板は、保護層をコートする代わりに、接
着剤を付加して接着層を形成した後、保護基板を用いて
封止し、メモリプレートを作製した。このメモリプレー
トを、切断することによっても、第７図に示すような再
生専用型の記録媒体チップを作製できた。

〈実施例２　追記型の無ｍ記録材料を用いた例〉（２Ｌ
）レーザビーム・トラッキング用の溝、フォーマット情
報などの記録情報、切断用マーク、互換用基準線などを
形成しに前記と同様な金属スタンパを用意した。アクリ
レート系紫外線硬化樹脂を用いて、微細パターンの記録
情報切断用マーク、互換用基準線などを金属スタンパか
らガラス基板に転写することにより記録雇用基板を作製
した。

別の方法として、ポリカーボネートの高精度射出成型に
よる一体成型により、金属スタンパから記録情報、切断
用基準線、互換用基準線などを転写することによっても
、厚さが１　、２　ｍ　ｍの記録層用基板を作製できた
。

（ｂ）次に、Ａｒガス中でメタン（ＣＨ４）ガスを用い
て、Ｔｅを反応性スパッタリングすることにより、３０
０人から６００人の厚さのＴｅ−Ｃによる金属Ｈ膜（記
録膜）を記録層用基板の上に形成することにより、記録
層基板を作製した。

（ｃ）この記録層基板に、接着剤を付加して接着層を形
成し、保護基板を用いて封止することにより、メモリプ
レートを作製した。

（ｄ）メモリプレートを、切断用マークに沿ってブレー
ドによる機械的な方法（ダイシング）で正方形に切断し
、多数個の記録媒体チップ（１５ｘ１５ｍｍ）を作製し
た。

（ｅ）このチップの取り扱いを容易にするために、埋め
込みにより保持基材に固定した。

（ｆ）互換用基準線を基準にして、保持基材の周囲の一
部を切断し、追記型の無機記録材料を用いた本発明のチ
ップメモリを作製した。

〈実施例３　追記型の有機記録材料を用いた例〉（２Ｌ
）レーザビーム・トラッキング用の溝、フす−マット情
報などの記録情報、切断用基準線、互換用基準線などを
記録した前述と同様な金属スタンパを用意した。アクリ
レート系紫外線硬化樹脂を用いて、微細パターンの記録
情報、切断用基準線、互換用基準線などを金属スタンパ
からガラス基板に転写することにより記録１用基板を作
製した。別の方法として、ポリカーボネートの高精度射
出成型による一体成型により、金属スタンパから記録情
報、切断用基準線、互換用基準線などを転写することに
よっても、厚さ１．２ｍｍの記録層用基板を作製できｒ
二。

（ｂ）次に、反射率が２０〜５０％の近赤外吸収色素で
あるシアニン色素をメタノール溶媒に溶解した後、溶液
をろ過し、コーティング原液とした。前述の記録層用基
板をスピンナ上にセットし、原液を滴下後高速回転にて
振り切った後、表面を乾燥させ、膜厚が約７００人の記
録層を形成した。

また、近赤外吸収色素として、フタロシアニン色素を用
いる場合は、ｌ　Ｏ−’Ｔｏｒｒ程度の真空度で蒸着装
置を用いても、製膜できた。

（ｃ）この記録層基板に、接着剤を付加して接着層を形
成し、保護基板を用いて封止することにより、メモリプ
レートを作製した。

（ｄ）メモリプレートを、ブレードによる機械的な方法
（ダイソング）により、正方形に切断し、多数個の記録
媒体チップ（＋　５　ｘ　Ｉ　５ｍｍ）を作製した。

（ｅ）このチップの取り扱いを容易にするために、埋め
込みにより保持基材（プラスチック族）に固定しに。

（ｆ）互換用基準線を基準にして、保持基材の周囲の一
部を切断し、追記型の宵機記録材料を用いｒこ本発明の
チップメモリを作製した。

〈実施例４　書き換え型の無機記録材料（光磁気）を用
いた例〉 （ａ）レーザビーム・トラッキング用の溝、フォーマッ
ト情報などの記録情報、切断用マーク、互換用マークな
どを記録し一航述と同様な金属スタンパを用意した。ア
クリレート系紫外線硬化樹脂を用いて、微細パターンの
記録情報、切断用マーク、互換用マークなどを金属スタ
ンパからガラス基板に転写することにより記録層用基板
を作製した。別の方法として、ポリカーボネートの高精
度射出成型法による一体成型により、金属スタンパから
記録情報、切断用マーク、互換用マークなどを転写する
ことによっても、厚さ１．２ｍｍの記録層用基板を作製
できた。

（ｂ）次に、スパッタ装置を用いて、最初にＳｉＮによ
る誘電体保護膜を積層し、その後、厚さが約１０００人
のＴｂＦｅＣｏによる磁性薄膜による記録層を形勢し、
再度ＳｉＮによる誘電体保護膜を積層した。なお、この
後、アルミニウムの反射膜を付加する場合は、感度が向
上するので、ＴｂＦｅＣｏの磁性膜を２００人〜３００
人と薄くすることができた。

（ｃ）この記録層基板に、約１０ｕｍのプラスチック保
護層（塗料）をコーティングし、メモリプレートを作製
した。

（ｄ）メモリプレートを、炭酸ガスレーザによる熱的な
方法により、正方形に切断し、多数個の記録媒体チップ
（１５ｘ　ｌ　５ｍｍ）を作製した。

（ｅ）このチップの取り扱いを容易にするために、埋め
込みにより保持基材（プラスチック族）に固定した。

（ｆ）互換用マークを目印にして、保持基材の周囲の一
部を切断し、書き換え型の無機記録材料（光磁気）を用
いた本発明のチップメモリを作製した。

〈実施例５　書き換え型の無機記録材料（相変化）を用
いた例〉 （ｇＬ）レーザビーム・トラッキング用の溝、フォーマ
ット情報などの記録情報、切断用基準線、互換用マーク
などを記録しに訂述の同様な金属スタンパを用意した。

アクリレート系紫外線硬化樹脂を用いて、微細パターン
の記録情報、切断用基準線、互換用マークなどを金属ス
タンパからガラス基板に転写することにより記録層用基
板を作製した。別の方法として、ポリカーボネートの高
精度射出成型法による一体成型により、金属スタンパか
ら記録情報、切断用基準線、互換用マークなどを転写す
ることによっても、厚さ１．２ｍｍの記録層用基板を作
製できた。

（ｂ）次に、スパッタ装置を用いて、最初に厚さか１５
００人のＳｉＮの誘電体保護膜を積層し、その後、約２
００人の厚さのＧｅ５ｂＴｅによる金属薄膜を用いて記
録層を形成し、再度厚さか約１２０人のＳｒＮによる誘
電体保護膜を積層した。なお、この後、厚さが約５００
人の金による反射膜を積層して記録層基板とした。

（ｃ）この記録層基板に、約ＩＯμｍのプラスチック保
護層（塗料）をコーティングし、メモリプレートを作製
した。

（ｄ）メモリプレートを、炭酸ガスレーザによる熱的な
方法により、正方形に切断し、多数個の記録媒体チップ
（１５ｘ　ｌ　５ｍｍ）を作製した。

（ｅ）このチップの取り扱いを容易にするために、埋め
込みにより保持基材（プラスチック族）に固定した。

（ｆ）互換用マークを目印にして、保持基材の周囲の一
部を切断し、書き換え型の無機記録材料（相変化）を用
いｆこ本発明のチップメモリを作製した。

〈実施例６　書き換え型の有機材料を用いた例〉（ａ）
レーザビーム・トラッキング用の溝、フォーマット情報
などの記録情報、切断用基準線、互換用基準線などを記
録した前述と同様な金属スタンパを用意した。アクリレ
ート系紫外線硬化樹脂を用いて、微細パターンの記録情
報、切断用基準線、互換用基準線などを金属スタンパか
らガラス基板に転写することにより記録層用基板を作製
した。別の方法として、ポリカーボネートの高精度射出
成型法による一体成型により、金属スタンパから記録情
報、切断用基準線、互換用基準線などを転写することに
よっても、厚さ１．２ｍｍの記録層用基板を作製できた
。

（ｂ）次に、有機ホトクロミック材料であるスピロピラ
ン色素を、塩化ビニル系のポリマーを混合しｆこ溶媒に
溶解した後、溶液をろ過し、コーティング原液とした。

前述の記録層用基板をスピンナ上にセットし、原液を滴
下後高速回転にて振り切っ乙。表面を乾燥させ、膜厚が
約０．７μｍの記録層を形成した。その後、反射層とし
て、厚さが０２μｍの銀の蒸着膜を積層し、記録層基板
を作製した。

（ｃ）この記録層基板に、約１０ａｍのプラスチック保
護層（塗料）をコーティングし、メモリプレートを作製
し１こ。

（ｄ）メモリプレートを、プレートによる機械的な方法
（ダイシング）により、正方形に切断し、多数個の記録
媒体チップ（１５Ｘ１５２ズ）を作製した。

（ｅ）この記録媒体チップの取り扱いを容易にするため
に、埋め込みにより保持基材（プラスチック製）に固定
した。

（ｆ）互換用基準線を基準にして、保持基材の周囲の一
部を切断し、書き換え型の有機記録材料を用いた本発明
のチップメモリを作製した。

（ト）発明の効果 本発明のチップメモリは、製膜工程の後にチップ化工程
を加えることにより、多数個の記録媒体チップを一枚の
メモリプレートから得ることができる。また、固定化工
程の後に互換用基準線（または互換用マーク）を基準に
して、保持基材の周囲の一部を切断する互換化工程を加
えることて、互換性をもったチップメモリを大量に生産
することかでき、低コストの光情報記録媒体として掛供
することができる。また、本発明の記録媒体チップは、
一般に用いるのに充分な記録容量をちっていながら、非
常に小さいので、携帯に便利な様々な形状の記録媒体（
光カード、光ディスク）に加工することが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図（２）および第３図は、各々本発明のチ
ップメモリを例示する構成説明図、第２図（１）及び第
７図は、各々本発明の記録媒体チップの構成説明図、第
４図は同じくチップ状にカットする前の記録媒体を示す
斜視図、第５図は同じく保持基材に埋設されたチップメ
モリを示す斜視図、第６図は光情報記録再生システムを
例示する構成説明図である。 ｌ・−・・・・記録媒体チップ、２・・・・・・紫外線
硬化樹脂、３・・・切断用基準線、４・・・・・・互換
用基準線、５・・・・・・基板、６・・・・・記録層用
基板、７・・・・・ｇ己録層、８・・　記録層基板、９
・・・・保護層、ＩＯ・・・・−・接着層、１１・・・
・・保護基板、１２・・・・・・空気層、１５・・・・
・メモリプレート、２１　・・・・チップメモリ、２２
・・・・保持基材。 第５ｍ Ｉ　７ｗ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に光ビームによる記録・再生可能な記録層を
   備えた記録媒体を切断してなる記録媒体チップからなり
   、該記録媒体チップに線状またはマーク状の互換用標識
   が設けられてなり、かつ該記録媒体チップが、保持基材
   に埋設構成されてなるチップメモリ。 ２、記録媒体チップの記録層が、保護層又は保護基板に
   よって、直接又は空気層を介して、被覆保護されてなる
   請求項１記載のチップメモリ。 ３、記録層が、無機の再生専用型の薄膜状光記録材料か
   らなる請求項１記載のチップメモリ。 ４、記録層が、有機又は無機の追記型の薄膜状の光記録
   材料からなる請求項１記載のチップメモリ。 ５、記録層が、有機または無機の書き換え型の薄膜状の
   光記録材料からなる請求項１記載のチップメモリ。 ６、カード状又はディスク状である請求項１のチップメ
   モリ。 ７、記録媒体チップが、線状またはマーク状の互換用標
   識と線状またはマーク状の切断用標識を有する記録媒体
   を、切換用標識に沿って切断して得られたものである請
   求項１記載の光情報記録媒体。