JPH04175264A - ムライト質焼結体の原料粉末及びムライト質焼結体の製造方法 - Google Patents
ムライト質焼結体の原料粉末及びムライト質焼結体の製造方法Info
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- JPH04175264A JPH04175264A JP2325926A JP32592690A JPH04175264A JP H04175264 A JPH04175264 A JP H04175264A JP 2325926 A JP2325926 A JP 2325926A JP 32592690 A JP32592690 A JP 32592690A JP H04175264 A JPH04175264 A JP H04175264A
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、例えば高温耐熱構造用セラミックスや集積回
路基板（絶縁セラミックス基板）として利用できるムラ
イト質焼結体の原料粉末及びムライト質焼結体の製造方
法に関するものである。
路基板（絶縁セラミックス基板）として利用できるムラ
イト質焼結体の原料粉末及びムライト質焼結体の製造方
法に関するものである。
ムライト（３Ａ］、０３ ・２ＳｊＯ２）質焼結体は、
高温における強度低下が小さ（、高温構造用セラミック
ス材料として、又、アルミナセラミックスに比べ誘電率
が低く、熱膨張率係数もシリコン半導体素子やガリウム
ーヒ素半導体素子に近い為、集積回路用絶縁性基板材料
としても注目を浴びている。 ところで、ムライト質焼結体の製造方法は、出発原料の
種類により次の三つに大別できる。 ■ カオリンなどの粘土ＦＬ物を出発原料とする方法 ■ アルミナ（Ａ １２ Ｃ１＋ ）粉末とシリカ（Ｓ
ｉ０２）粉末を出発原料とする方法 ■ 電融法により合成したムライトを粉砕し、この粉末
を出発原料とする方法
高温における強度低下が小さ（、高温構造用セラミック
ス材料として、又、アルミナセラミックスに比べ誘電率
が低く、熱膨張率係数もシリコン半導体素子やガリウム
ーヒ素半導体素子に近い為、集積回路用絶縁性基板材料
としても注目を浴びている。 ところで、ムライト質焼結体の製造方法は、出発原料の
種類により次の三つに大別できる。 ■ カオリンなどの粘土ＦＬ物を出発原料とする方法 ■ アルミナ（Ａ １２ Ｃ１＋ ）粉末とシリカ（Ｓ
ｉ０２）粉末を出発原料とする方法 ■ 電融法により合成したムライトを粉砕し、この粉末
を出発原料とする方法
しかしながら、上記■のカオリンなどの粘土鉱物を出発
原料とする製造方法により得られるムライト質焼結体は
、不純物が多く、高温における強度低下が大きく、高温
構造用セラミックス材料としては利用できない。 又、α線の放射量が多い為、半導体素子の集積回路用絶
縁性基板材料として用いた場合には、半導体素子に誤動
作を起こさせる恐れがある。 ■のＡ ｌ ｚ Ｏｘ粉末とＳｉＯ□粉末を出発原料と
する製造方法では、原料粉末を均一に混合するのが難し
く、焼結体組織が不均一になりやすく、又、焼結しにく
いため充分な強度をもったムライト質焼結体が得られに
くい。さらには、微粉末のＡｌ２Ｏ．粉末及びＳｉＯ□
粉末を出発原料とする場合、成形性が悪く、焼成収縮も
バラツキ、製造されたムライト焼結体の形状及び寸法の
安定生が悪いなどの欠点もある。 ■の電融法により合成したムライトを粉砕した粉末を出
発原料とする製造方法では、高純度ではあるが、焼結し
にくい。 この為、微量のアルカリ金属、アルカリ土類金属等を添
加して焼結時に融液を生ぜしめ、焼結を促進させる方法
が試みられている。しかしながら、この方法で製造され
たムライト質セラミックスは、焼結体内部に２０μｍを
越える大きな気孔が形成されやすく、強度のバラツキが
大きく、又、高温での強度低下も著しいという欠点があ
る。 本発明の目的は、強度が充分に大きく、しかもバラツキ
は少なく、高温での強度低下の小さいムライト質焼結体
を容易に製造する技術を提供することである。
原料とする製造方法により得られるムライト質焼結体は
、不純物が多く、高温における強度低下が大きく、高温
構造用セラミックス材料としては利用できない。 又、α線の放射量が多い為、半導体素子の集積回路用絶
縁性基板材料として用いた場合には、半導体素子に誤動
作を起こさせる恐れがある。 ■のＡ ｌ ｚ Ｏｘ粉末とＳｉＯ□粉末を出発原料と
する製造方法では、原料粉末を均一に混合するのが難し
く、焼結体組織が不均一になりやすく、又、焼結しにく
いため充分な強度をもったムライト質焼結体が得られに
くい。さらには、微粉末のＡｌ２Ｏ．粉末及びＳｉＯ□
粉末を出発原料とする場合、成形性が悪く、焼成収縮も
バラツキ、製造されたムライト焼結体の形状及び寸法の
安定生が悪いなどの欠点もある。 ■の電融法により合成したムライトを粉砕した粉末を出
発原料とする製造方法では、高純度ではあるが、焼結し
にくい。 この為、微量のアルカリ金属、アルカリ土類金属等を添
加して焼結時に融液を生ぜしめ、焼結を促進させる方法
が試みられている。しかしながら、この方法で製造され
たムライト質セラミックスは、焼結体内部に２０μｍを
越える大きな気孔が形成されやすく、強度のバラツキが
大きく、又、高温での強度低下も著しいという欠点があ
る。 本発明の目的は、強度が充分に大きく、しかもバラツキ
は少なく、高温での強度低下の小さいムライト質焼結体
を容易に製造する技術を提供することである。
本発明者は、高純度のアルミナゾルとシリカゾルを均質
に混合後、５００°Ｃ−１６００°Ｃの温度にて噴霧し
ながら焼成して種々の組成をもったムライト賞球状粉末
を合成し、このムライト質球状粉末単独を原料粉末とし
た場合、又、このムライト賞球状粉末にアルミナ粉末、
シリカ粉末及びムライト賞非球状粉末を添加したものを
原料粉末とした場合において、得られるムライト質焼結
体の強度が充分大きく、かつ、バラツキが少なく、しか
も高温での強度低下が小さいムライト質焼結体を簡単に
製造できる方法を鋭意研究した。 この結果、アルミナゾルとシリカゾルの混合物を噴霧す
ると球状粉末となるが、噴霧時の焼成温度が低いと、非
晶質の集合体で、比表面積も大きい為、成形性が悪く、
このようなものを出発原料としてムライト質焼結体を製
造した場合には、前配本発明の目的とするようなムライ
ト質焼結体は得られにくいことが判って来た。 すなわち、上記のような粉末を出発原料とした場合、成
形密度が低く、焼成収縮が大きく、安定しない為、焼成
中に割れが発生したり、焼結後の形状、寸法に大きなバ
ラツキが出たのである。 又、アルミナゾルとシリカゾルの混合物の噴霧時の焼成
温度を上げていくと、球状粉末は比表面積が象、激に小
さくなり、非晶質からムライトの結晶が生成されてくる
。さらに、噴霧時の焼成温度を上げていくと、ムライト
結晶の結晶子の大きさが微細なものから大きなものへと
変化していくことも判って来た。 これらの知見を基にして更なる研究が鋭意押し進められ
て行った結果、上記本発明の目的は、ムライト質粉末で
あり、このムライト質粉末のムライト結晶子径が２００
ｎｍ以下であって、Ａｌ２Ｏ、／ＳｉＯ□の重量比が４
０／６０〜８０／２０で、平均粒径が１０μｍ以下の球
状のものであることを特徴とするムライト質焼結体の原
料粉末によって達成されることが判明した。 又、ムライト結晶子径が２００ｎｍ以下であって、Ａ１
□Ｏ，／Ｓｉ○２の重量比が４０／６０〜８０／２０で
、平均粒径が１０μｍ以下の球状のムライト質粉末と、
ムライト結晶子径が２００ｎｍ以下であって、Ａ ｌ
ｔ ｏｘ ／Ｓ ｉ ０２の重量比が４０／６０〜８０
／２０で、平均粒径が１０μｍ以下の非球状のムライト
質粉末とを含み、前記球状のムライト質粉末１００重量
部に対して前記非球状のムライト質粉末が８０重量部以
下であることを特徴とするムライト質焼結体の原料粉末
によって達成されることが判明した。 又、Ａｌ２Ｏ３及びＳｉＯ２以外の不純物が０゜５重量
％以下で、Ａ １２０３ ／Ｓ ｉ Ｏｚの重量比が４
０／６０〜８０／２０の範囲内の値であって、結晶子の
大きさが２００ｎｍ以下のムライト結晶相を含む平均粒
径１０μｍ以下のムライト質球状粉末を原料組成とし、
このムライト質球状粉末を含む原料を成形、焼成するこ
とを特徴とするムライト質焼結体の製造方法によって達
成されることが判明した。 又、Ａ Ｉ ２０ｆｆ及びＳｉＯ□以外の不純物が０゜
５重量％以下で、結晶子の大きさが２００ｎｍ以下のム
ライト結晶相を含む平均粒径１０μｍ以下のムライト質
球状粉末１００重量部と、平均粒径が５μｍ以下のムラ
イト質非球状粉末、平均粒径が５μｍ以下のＡ Ｉ ２
０３粉末及び平均粒径が５μｍ以下の５ｉＯｚ粉末の群
の中から選ばれる少なくとも一種以上の粉末が合計８０
重量部以下とを含み、これらの原料組成におけるＡｌ２
Ｏ３／Ｓｉ○２の重量比が４０／６０〜８０／２０の範
囲内の値となるよう調整されてなるものを原料組成とし
、このムライト質球状粉末を含む原料を成形、焼成する
ことを特徴とするムライト質焼結体の製造方法によって
達成されることが判明した。 上記ムライト質焼結体の製造方法において、出発原料と
なるムライト賞球状粉末のアルミナ及びシリカ以外の成
分、すなわち不純物は０．５重量％まで許される。尚、
高温強度を重視する用途では、不純物は０．３重量％以
下、より望ましくは０．１重量％以下であることが好ま
しい。すなわち、不純物が多いと高温における強度低下
が大きくなり、特に０．５重量％を越えて多くなりすぎ
ると、高温における強度低下が著しく、内部に２０μｍ
を越える気孔が出来やすく、強度のバラツキも大きくな
る。 出発原料のアルミナ対シリカの重量比は４０対６０〜８
０対２０の範囲内のものであるが、高温における強度を
重視する場合には、シリカの割合を減少させた方が好ま
しく、すなわち６５対３５〜８０対２０、より望ましく
は７０対３０〜８０対２０であることが好ましい。 出発原料のムライト質球状粉末のムライト結晶子の大き
さは２００ｎｍ以下、好ましくは１１００ｎ以下で、ム
ライト結晶子の結晶相が含まれていることが必要である
が、ガラス相又はその他の結晶相を含んでいても良い。 すなわち、ムライト質球状粉末粒子中のムライト結晶子
の大きさが２００ｎｍを越えると、焼結しにくくなり、
充分な強度を持った焼結体が製造できにくくなる。 又、出発原料のムライト質球状粉末の平均粒径が１０μ
ｍを越えて大きくなり過ぎた場合には、焼結しにくく、
充分な強度をもった焼結体が製造されにくいことから、
平均粒径が１０μｍ以下であることが大事であり、５１
ｍ以下のものが好ましい。特に、０．３〜５μｍのもの
が好ましい。 出発原料としてＡｌ２Ｏ３及びＳｉＯ２以外の成分が０
．５重量％以下で、結晶子の大きさが２００ｎｍ以下の
ムライト結晶相を含む平均粒径１０μｍ以下のムライト
質球状粉末の他に、ムライト質非球状粉末、Ａｌ２Ｏ３
粉末及び５ｉＣ）ｚ粉末の群の中から選ばれる少なくと
も一種以上の粉末が用いられる場合には、これらの原料
組成におけるＡ１２０１対ＳｉＯ２の重量組成比が４０
対６０〜８０対２０の範囲内の値となるよう調整されな
ければならない。 尚、アルミナ対シリカの重量比は６５対３５〜８０対２
０、より望ましくは７０対３０〜８０対２０であること
が好ましい。 ムライト質非球状粉末、へ１□０３粉末及びＳｌＯ□粉
末は、平均粒径が５μｍ以下のものであることが好まし
く、より好ましくは０．３〜３μｍのものである。すな
わち、平均粒径が大きくなると焼結しにくく、一方、平
均粒径が小さくなりすぎると成形性が悪（なり、焼結体
の形状及び寸法の安定性が悪くなることから、平均粒径
が５μｍ以下、好ましくは０． ３〜３μｍのものであ
る。 又、アルミナ粉末、シリカ粉末及びムライト非球状粉末
の添加割合がムライ）１球状粉末１００重量部に対し８
０重量部を越えて多くなりすぎると、成形性、焼結性が
悪くなり、良好なムライト質焼結体が製造しにくくなる
ことから、ムライト質球状粉末１００重量部に対して平
均粒径が５ａｍ以下のムライト質非球状粉末、平均粒径
が５μｍ以下のＡ ｌ ２０ｓ粉末及び平均粒径が５μ
ｍ以下のＳｉｎ、粉末の群の中から選ばれる少なくとも
一種以上の粉末が合計８０重量部以下であることが好ま
しい。 尚、上記のようなムライト賞粉末は、ヘーマイトゾルと
シリカゾルとを所定の割合で混合し、ゲル化し、仮焼す
ることで得られる。 ヘーマイトゾルとしては、γ−Ａ Ｉ ｚ Ｏｚ ヤヘ
ーマイ） （Ａ１００Ｈ）の水分散液を加熱しながら硝
酸、塩酸などの無機酸や酢酸、ギ酸などの有機酸を加え
、解膠することによって得られたものがある。 シリカゾルとしては、シリカ微粒子、例えば湿式法で製
造されるホワイトカーボンや乾式法のヒユームドシリカ
を水中に分散させたコロイド水溶液がある。 出発原料として用いられるアルミナ粉末、シリカ粉末及
びムライト質非球状粉末は高純度のものが好ましく、出
発原料として用いる混合物の不純物（最終）の量は０．
５％以下、好ましくは０゜３％以下である。 又、ムライト質非球状粉末は電融法によって合成したム
ライトの粉砕品であるとか、ムライト質球状粉末を粉砕
したものでも良い。
に混合後、５００°Ｃ−１６００°Ｃの温度にて噴霧し
ながら焼成して種々の組成をもったムライト賞球状粉末
を合成し、このムライト質球状粉末単独を原料粉末とし
た場合、又、このムライト賞球状粉末にアルミナ粉末、
シリカ粉末及びムライト賞非球状粉末を添加したものを
原料粉末とした場合において、得られるムライト質焼結
体の強度が充分大きく、かつ、バラツキが少なく、しか
も高温での強度低下が小さいムライト質焼結体を簡単に
製造できる方法を鋭意研究した。 この結果、アルミナゾルとシリカゾルの混合物を噴霧す
ると球状粉末となるが、噴霧時の焼成温度が低いと、非
晶質の集合体で、比表面積も大きい為、成形性が悪く、
このようなものを出発原料としてムライト質焼結体を製
造した場合には、前配本発明の目的とするようなムライ
ト質焼結体は得られにくいことが判って来た。 すなわち、上記のような粉末を出発原料とした場合、成
形密度が低く、焼成収縮が大きく、安定しない為、焼成
中に割れが発生したり、焼結後の形状、寸法に大きなバ
ラツキが出たのである。 又、アルミナゾルとシリカゾルの混合物の噴霧時の焼成
温度を上げていくと、球状粉末は比表面積が象、激に小
さくなり、非晶質からムライトの結晶が生成されてくる
。さらに、噴霧時の焼成温度を上げていくと、ムライト
結晶の結晶子の大きさが微細なものから大きなものへと
変化していくことも判って来た。 これらの知見を基にして更なる研究が鋭意押し進められ
て行った結果、上記本発明の目的は、ムライト質粉末で
あり、このムライト質粉末のムライト結晶子径が２００
ｎｍ以下であって、Ａｌ２Ｏ、／ＳｉＯ□の重量比が４
０／６０〜８０／２０で、平均粒径が１０μｍ以下の球
状のものであることを特徴とするムライト質焼結体の原
料粉末によって達成されることが判明した。 又、ムライト結晶子径が２００ｎｍ以下であって、Ａ１
□Ｏ，／Ｓｉ○２の重量比が４０／６０〜８０／２０で
、平均粒径が１０μｍ以下の球状のムライト質粉末と、
ムライト結晶子径が２００ｎｍ以下であって、Ａ ｌ
ｔ ｏｘ ／Ｓ ｉ ０２の重量比が４０／６０〜８０
／２０で、平均粒径が１０μｍ以下の非球状のムライト
質粉末とを含み、前記球状のムライト質粉末１００重量
部に対して前記非球状のムライト質粉末が８０重量部以
下であることを特徴とするムライト質焼結体の原料粉末
によって達成されることが判明した。 又、Ａｌ２Ｏ３及びＳｉＯ２以外の不純物が０゜５重量
％以下で、Ａ １２０３ ／Ｓ ｉ Ｏｚの重量比が４
０／６０〜８０／２０の範囲内の値であって、結晶子の
大きさが２００ｎｍ以下のムライト結晶相を含む平均粒
径１０μｍ以下のムライト質球状粉末を原料組成とし、
このムライト質球状粉末を含む原料を成形、焼成するこ
とを特徴とするムライト質焼結体の製造方法によって達
成されることが判明した。 又、Ａ Ｉ ２０ｆｆ及びＳｉＯ□以外の不純物が０゜
５重量％以下で、結晶子の大きさが２００ｎｍ以下のム
ライト結晶相を含む平均粒径１０μｍ以下のムライト質
球状粉末１００重量部と、平均粒径が５μｍ以下のムラ
イト質非球状粉末、平均粒径が５μｍ以下のＡ Ｉ ２
０３粉末及び平均粒径が５μｍ以下の５ｉＯｚ粉末の群
の中から選ばれる少なくとも一種以上の粉末が合計８０
重量部以下とを含み、これらの原料組成におけるＡｌ２
Ｏ３／Ｓｉ○２の重量比が４０／６０〜８０／２０の範
囲内の値となるよう調整されてなるものを原料組成とし
、このムライト質球状粉末を含む原料を成形、焼成する
ことを特徴とするムライト質焼結体の製造方法によって
達成されることが判明した。 上記ムライト質焼結体の製造方法において、出発原料と
なるムライト賞球状粉末のアルミナ及びシリカ以外の成
分、すなわち不純物は０．５重量％まで許される。尚、
高温強度を重視する用途では、不純物は０．３重量％以
下、より望ましくは０．１重量％以下であることが好ま
しい。すなわち、不純物が多いと高温における強度低下
が大きくなり、特に０．５重量％を越えて多くなりすぎ
ると、高温における強度低下が著しく、内部に２０μｍ
を越える気孔が出来やすく、強度のバラツキも大きくな
る。 出発原料のアルミナ対シリカの重量比は４０対６０〜８
０対２０の範囲内のものであるが、高温における強度を
重視する場合には、シリカの割合を減少させた方が好ま
しく、すなわち６５対３５〜８０対２０、より望ましく
は７０対３０〜８０対２０であることが好ましい。 出発原料のムライト質球状粉末のムライト結晶子の大き
さは２００ｎｍ以下、好ましくは１１００ｎ以下で、ム
ライト結晶子の結晶相が含まれていることが必要である
が、ガラス相又はその他の結晶相を含んでいても良い。 すなわち、ムライト質球状粉末粒子中のムライト結晶子
の大きさが２００ｎｍを越えると、焼結しにくくなり、
充分な強度を持った焼結体が製造できにくくなる。 又、出発原料のムライト質球状粉末の平均粒径が１０μ
ｍを越えて大きくなり過ぎた場合には、焼結しにくく、
充分な強度をもった焼結体が製造されにくいことから、
平均粒径が１０μｍ以下であることが大事であり、５１
ｍ以下のものが好ましい。特に、０．３〜５μｍのもの
が好ましい。 出発原料としてＡｌ２Ｏ３及びＳｉＯ２以外の成分が０
．５重量％以下で、結晶子の大きさが２００ｎｍ以下の
ムライト結晶相を含む平均粒径１０μｍ以下のムライト
質球状粉末の他に、ムライト質非球状粉末、Ａｌ２Ｏ３
粉末及び５ｉＣ）ｚ粉末の群の中から選ばれる少なくと
も一種以上の粉末が用いられる場合には、これらの原料
組成におけるＡ１２０１対ＳｉＯ２の重量組成比が４０
対６０〜８０対２０の範囲内の値となるよう調整されな
ければならない。 尚、アルミナ対シリカの重量比は６５対３５〜８０対２
０、より望ましくは７０対３０〜８０対２０であること
が好ましい。 ムライト質非球状粉末、へ１□０３粉末及びＳｌＯ□粉
末は、平均粒径が５μｍ以下のものであることが好まし
く、より好ましくは０．３〜３μｍのものである。すな
わち、平均粒径が大きくなると焼結しにくく、一方、平
均粒径が小さくなりすぎると成形性が悪（なり、焼結体
の形状及び寸法の安定性が悪くなることから、平均粒径
が５μｍ以下、好ましくは０． ３〜３μｍのものであ
る。 又、アルミナ粉末、シリカ粉末及びムライト非球状粉末
の添加割合がムライ）１球状粉末１００重量部に対し８
０重量部を越えて多くなりすぎると、成形性、焼結性が
悪くなり、良好なムライト質焼結体が製造しにくくなる
ことから、ムライト質球状粉末１００重量部に対して平
均粒径が５ａｍ以下のムライト質非球状粉末、平均粒径
が５μｍ以下のＡ ｌ ２０ｓ粉末及び平均粒径が５μ
ｍ以下のＳｉｎ、粉末の群の中から選ばれる少なくとも
一種以上の粉末が合計８０重量部以下であることが好ま
しい。 尚、上記のようなムライト賞粉末は、ヘーマイトゾルと
シリカゾルとを所定の割合で混合し、ゲル化し、仮焼す
ることで得られる。 ヘーマイトゾルとしては、γ−Ａ Ｉ ｚ Ｏｚ ヤヘ
ーマイ） （Ａ１００Ｈ）の水分散液を加熱しながら硝
酸、塩酸などの無機酸や酢酸、ギ酸などの有機酸を加え
、解膠することによって得られたものがある。 シリカゾルとしては、シリカ微粒子、例えば湿式法で製
造されるホワイトカーボンや乾式法のヒユームドシリカ
を水中に分散させたコロイド水溶液がある。 出発原料として用いられるアルミナ粉末、シリカ粉末及
びムライト質非球状粉末は高純度のものが好ましく、出
発原料として用いる混合物の不純物（最終）の量は０．
５％以下、好ましくは０゜３％以下である。 又、ムライト質非球状粉末は電融法によって合成したム
ライトの粉砕品であるとか、ムライト質球状粉末を粉砕
したものでも良い。
表−１に示す粉末を出発原料として、ボールミルにて解
膠後、成形用バインダとしてポリビニルアルコール０．
８重量部とポリエチレングリコール２重量部を加えて２
０時間混合後、スプレードライ法により乾燥造粒し、プ
レス成形により成形後、１６００℃〜１６８０°Ｃにて
３時間焼成してムライト質焼結体を作製した。 得られたムライト質焼結体について室温と１２００℃に
て抗折強度を測定した。又、破断サンプルを用いて走査
型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により内部気孔の観察を行った
。 尚、用いたアルミナ粉末とシリカ粉末の純度は９９．９
％であり、ムライト質非球状粉末はアルミナ対シリカの
重量比が７０対３０で、不純物は０．１以下であった。
膠後、成形用バインダとしてポリビニルアルコール０．
８重量部とポリエチレングリコール２重量部を加えて２
０時間混合後、スプレードライ法により乾燥造粒し、プ
レス成形により成形後、１６００℃〜１６８０°Ｃにて
３時間焼成してムライト質焼結体を作製した。 得られたムライト質焼結体について室温と１２００℃に
て抗折強度を測定した。又、破断サンプルを用いて走査
型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により内部気孔の観察を行った
。 尚、用いたアルミナ粉末とシリカ粉末の純度は９９．９
％であり、ムライト質非球状粉末はアルミナ対シリカの
重量比が７０対３０で、不純物は０．１以下であった。
Claims (6)
- （１）ムライト質粉末であり、このムライト質粉末のム
ライト結晶子径が２００ｎｍ以下であって、Ａ１＿２Ｏ
＿３／ＳｉＯ＿２の重量比が４０／６０〜８０／２０で
、平均粒径が１０μｍ以下の球状のものであることを特
徴とするムライト質焼結体の原料粉末。 - （２）ムライト結晶子径が２００ｎｍ以下であって、Ａ
ｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＯ＿２の重量比が４０／６０〜８０
／２０で、平均粒径が１０μｍ以下の球状のムライト質
粉末と、ムライト結晶子径が２００ｎｍ以下であって、
Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＯ＿２の重量比が４０／６０〜８
０／２０で、平均粒径が１０μｍ以下の非球状のムライ
ト質粉末とを含み、前記球状のムライト質粉末１００重
量部に対して前記非球状のムライト質粉末が８０重量部
以下であることを特徴とするムライト質焼結体の原料粉
末。 - （３）Ａｌ＿２Ｏ＿３粉末及び／又はＳｉＯ＿２粉末が
さらに含まれてなる特許請求の範囲第１項又は第２項記
載のムライト質焼結体の原料粉末。 - （４）Ａｌ＿２Ｏ＿３及びＳｉＯ＿２以外の不純物が０
．５重量％以下である特許請求の範囲第１項〜第３項記
載のムライト質焼結体の原料粉末。 - （５）Ａｌ＿２Ｏ＿３及びＳｉＯ＿２以外の不純物が０
．５重量％以下で、Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＯ＿２の重量
比が４０／６０〜８０／２０の範囲内の値であって、結
晶子の大きさが２００ｎｍ以下のムライト結晶相を含む
平均粒径１０μｍ以下のムライト質球状粉末を原料組成
とし、このムライト質球状粉末を含む原料を成形、焼成
することを特徴とするムライト質焼結体の製造方法。 - （６）Ａｌ＿２Ｏ＿３及びＳｉＯ＿２以外の不純物が０
．５重量％以下で、結晶子の大きさが２００ｎｍ以下の
ムライト結晶相を含む平均粒径１０μｍ以下のムライト
質球状粉末１００重量部と、平均粒径が５μｍ以下のム
ライト質非球状粉末、平均粒径が５μｍ以下のＡｌ＿２
Ｏ＿３粉末及び平均粒径が５μｍ以下のＳｉＯ＿２粉末
の群の中から選ばれる少なくとも一種以上の粉末が合計
８０重量部以下とを含み、これらの原料組成におけるＡ
ｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＯ＿２の重量比が４０／６０〜８０
／２０の範囲内の値となるよう調整されてなるものを原
料組成とし、このムライト質球状粉末を含む原料を成形
、焼成することを特徴とするムライト質焼結体の製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21672590 | 1990-08-17 | ||
| JP2-216725 | 1990-08-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04175264A true JPH04175264A (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=16692948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2325926A Pending JPH04175264A (ja) | 1990-08-17 | 1990-11-29 | ムライト質焼結体の原料粉末及びムライト質焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04175264A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8735309B2 (en) | 2010-09-28 | 2014-05-27 | Kyocera Corporation | Mullite-based sintered body, circuit board using same and probe card |
| WO2015186560A1 (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-10 | 日本碍子株式会社 | ムライト焼結体、その製法及び複合基板 |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP2325926A patent/JPH04175264A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8735309B2 (en) | 2010-09-28 | 2014-05-27 | Kyocera Corporation | Mullite-based sintered body, circuit board using same and probe card |
| WO2015186560A1 (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-10 | 日本碍子株式会社 | ムライト焼結体、その製法及び複合基板 |
| JP5861016B1 (ja) * | 2014-06-06 | 2016-02-16 | 日本碍子株式会社 | ムライト焼結体、その製法及び複合基板 |
| US9776924B2 (en) | 2014-06-06 | 2017-10-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Mullite sintered body, method for producing the same, and composite substrate |
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