JPH0417392A - 多層セラミック配線基板の製法 - Google Patents
多層セラミック配線基板の製法Info
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- JPH0417392A JPH0417392A JP11983290A JP11983290A JPH0417392A JP H0417392 A JPH0417392 A JP H0417392A JP 11983290 A JP11983290 A JP 11983290A JP 11983290 A JP11983290 A JP 11983290A JP H0417392 A JPH0417392 A JP H0417392A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、!子機器用多層セラミック配線基板に係り、
特に電子計算機用として好適な多層セラミンク基板に関
する。
特に電子計算機用として好適な多層セラミンク基板に関
する。
近年、電子機器の小型化、高性能化、多機能化に伴い、
これに用いられる電子回路基板に対しても、高密度配線
化、高信頼度化が望まれている。
これに用いられる電子回路基板に対しても、高密度配線
化、高信頼度化が望まれている。
殊に電子計算機用回路基板としては、高密度微細配線、
高速性、高信頼性などが重要であるため、回路基板素材
としては印刷配線を施したセラミックスが用いられてい
る。
高速性、高信頼性などが重要であるため、回路基板素材
としては印刷配線を施したセラミックスが用いられてい
る。
一般に、多層セラミック回路基板は、絶縁体となるセラ
ミ−ツクスと導体となる金属とから構成されているが、
この両者の物理的、化学的性質は大きく異なっている。
ミ−ツクスと導体となる金属とから構成されているが、
この両者の物理的、化学的性質は大きく異なっている。
したがって、このような性質の異なる2種の物質を含む
複合体を高温に加熱して焼結すると、各々異なった収縮
挙動を示すために、焼結後の複合体は必然的に反りを生
ずる。
複合体を高温に加熱して焼結すると、各々異なった収縮
挙動を示すために、焼結後の複合体は必然的に反りを生
ずる。
この反りの大きさは、セラミックスと金属との比率、つ
まり基板の配線密度や、基板の上下面における配線パタ
ーンの対称性に依存し、さらに基板が大きくなるほど反
りも大きくなることが知られている。通常のセラミック
基板の反りは、基板長さ25m+n当り0.1mn、5
0mm当り0.15+nnであり、通常の回路基板では
この程度の反りがあっても十分使用可能である。しかし
高密度、多層配線を施す必要のある電子計算機用回路基
板では、長さ100圃当り0.05mn以下であること
が不可欠である。
まり基板の配線密度や、基板の上下面における配線パタ
ーンの対称性に依存し、さらに基板が大きくなるほど反
りも大きくなることが知られている。通常のセラミック
基板の反りは、基板長さ25m+n当り0.1mn、5
0mm当り0.15+nnであり、通常の回路基板では
この程度の反りがあっても十分使用可能である。しかし
高密度、多層配線を施す必要のある電子計算機用回路基
板では、長さ100圃当り0.05mn以下であること
が不可欠である。
従来、このようなセラミック基板の反り低減のために、
次のような方法が知られている。
次のような方法が知られている。
1)焼結時のセラミック基板内の温度の不均一性が反り
の原因であると考え、できるだけ温度分布が均一になる
ように焼結条件を設定する方法。
の原因であると考え、できるだけ温度分布が均一になる
ように焼結条件を設定する方法。
しかし、セラミック基板の構造から見て、この方法で基
板の反りを大幅に低減することは根本的に不可能に近い
。
板の反りを大幅に低減することは根本的に不可能に近い
。
2)−度焼結した基板に適量の重さの荷重を加えながら
再加熱し、この荷重によって基板の反りを修正する方法
。発明者らの検討によればこの方法によって基板の反り
を、修正前のそれよりも約半分に低減することができる
。しかし、元の基板の反りが大きいとき、あるいは反り
の形状が不規則なときには、上記荷重修正法によっても
反りを大幅に低減することはできなかった。
再加熱し、この荷重によって基板の反りを修正する方法
。発明者らの検討によればこの方法によって基板の反り
を、修正前のそれよりも約半分に低減することができる
。しかし、元の基板の反りが大きいとき、あるいは反り
の形状が不規則なときには、上記荷重修正法によっても
反りを大幅に低減することはできなかった。
3)反りのある焼結されたセラミック基板の表面を、研
削砥石などで平らに研削する方法。この方法は、反りを
無くするという点では非常に効果的であるが、第3図の
ように研削量が基板の場所によって異なるため基板内部
の配線導体の高さが不ぞろいになること、及び基板端部
の封止パターンが研削によって削りとられたり、パター
ン厚さが不足するなどの問題がある。
削砥石などで平らに研削する方法。この方法は、反りを
無くするという点では非常に効果的であるが、第3図の
ように研削量が基板の場所によって異なるため基板内部
の配線導体の高さが不ぞろいになること、及び基板端部
の封止パターンが研削によって削りとられたり、パター
ン厚さが不足するなどの問題がある。
上記従来技術は、セラミック配線基板の反り低減に対す
る根本的対策が施されておらず、基板上に能動素子を搭
載したときの接続不良や、基板周辺の封止時の気密不良
を生ずるため、電子計算機などに必要とされる高密度配
線基板が得られないという問題があった。
る根本的対策が施されておらず、基板上に能動素子を搭
載したときの接続不良や、基板周辺の封止時の気密不良
を生ずるため、電子計算機などに必要とされる高密度配
線基板が得られないという問題があった。
本発明の目的は、配線基板がセラミックスと導体金属と
いう異質の材料から成り、基板の反りはこの異種材料の
共存によって発生するという基本的考え方に立ち、上記
異種材料の効果を緩和させる作用をもつような基板構成
とすることによって配線基板の反りを低減させる方法を
堤供することにある。
いう異質の材料から成り、基板の反りはこの異種材料の
共存によって発生するという基本的考え方に立ち、上記
異種材料の効果を緩和させる作用をもつような基板構成
とすることによって配線基板の反りを低減させる方法を
堤供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、セラミッ
クグリーンシートの上に配線導体を印刷形成し、これを
複数枚積層した積層体の上下両面に、無配線のセラミッ
ク層を、積層法あるいは印刷法によって形成し、これを
高温で焼結後、上記無配線層を研磨によって除去し、反
りの少ない配線基板を得るものである。
クグリーンシートの上に配線導体を印刷形成し、これを
複数枚積層した積層体の上下両面に、無配線のセラミッ
ク層を、積層法あるいは印刷法によって形成し、これを
高温で焼結後、上記無配線層を研磨によって除去し、反
りの少ない配線基板を得るものである。
前記のように、セラミック配線基板は2種の異質な材料
から構成されているため、その焼結過程における収縮率
差に起因して基板の反りを発生する9基板内における配
線パターンが上下左右で対象で、かつ焼結時の加熱が均
一に行われるならば基板に反りを生じないが、通常の配
線基板では、その上下面における配線パターンが同じで
対称形になることはないので反りを生ずることになる。
から構成されているため、その焼結過程における収縮率
差に起因して基板の反りを発生する9基板内における配
線パターンが上下左右で対象で、かつ焼結時の加熱が均
一に行われるならば基板に反りを生じないが、通常の配
線基板では、その上下面における配線パターンが同じで
対称形になることはないので反りを生ずることになる。
そこで本発明は、実質的に上下面に配線パターンが異な
る基板であっても、その上下面に配線パターンを全く含
まないセラミック絶縁層を形成することにより、基板の
上下面におけるセラミックスが等価的に同じ配線パター
ンを持つようにしたものである。
る基板であっても、その上下面に配線パターンを全く含
まないセラミック絶縁層を形成することにより、基板の
上下面におけるセラミックスが等価的に同じ配線パター
ンを持つようにしたものである。
このような構成の基板を焼結すると、配線層を含む基板
内部の収縮は、従来構成の基板と同様に配線パターンの
対称性や比率に依存して進行し、反りが発生し易い状態
にある。しかし、基板上下面に存在する無配線層は、内
部の不均一収縮に逆らって均一に収縮するように作用し
、その結果基板の反りが減少するものである。このよう
にして作製した基板の上下面には、当然配線パターンが
存在せず、このままでは配線基板の役目を持たないので
、焼結後の基板の上下面を研削して無配線層のみを除去
し、配線パターンを露出させることにより配線基板が得
られる。
内部の収縮は、従来構成の基板と同様に配線パターンの
対称性や比率に依存して進行し、反りが発生し易い状態
にある。しかし、基板上下面に存在する無配線層は、内
部の不均一収縮に逆らって均一に収縮するように作用し
、その結果基板の反りが減少するものである。このよう
にして作製した基板の上下面には、当然配線パターンが
存在せず、このままでは配線基板の役目を持たないので
、焼結後の基板の上下面を研削して無配線層のみを除去
し、配線パターンを露出させることにより配線基板が得
られる。
以下、本発明の実施例について述べる。
〔実施例1〕
ムライト微粉末(純度99.9% 、平均粒子径2μm
)75重量%に、5in2(純度99.9%平均粒子径
1.5μm )90重量%、Al1.0゜(純度99.
5% 、平均粒子径0.6μm)7重量%、MgO(純
度99.8%、平均粒子径0.3μm)3重量%の組成
を有する焼結助剤を25重量%添加し、さらに成形助剤
としてポリビニルブチラール樹脂、可塑剤としてフタル
酸エステル。
)75重量%に、5in2(純度99.9%平均粒子径
1.5μm )90重量%、Al1.0゜(純度99.
5% 、平均粒子径0.6μm)7重量%、MgO(純
度99.8%、平均粒子径0.3μm)3重量%の組成
を有する焼結助剤を25重量%添加し、さらに成形助剤
としてポリビニルブチラール樹脂、可塑剤としてフタル
酸エステル。
分散溶媒としてトリクロールエチレンを各々適量加え、
ボールミルにより十分混合した。
ボールミルにより十分混合した。
このようにして得られたスラリー状の混合物を、ドクタ
ーブレード法により厚さ0.3mn のシートを成形し
た。このシートはグリーンシートと呼ばれ、多層セラミ
ックの基板の素材となるものである。
ーブレード法により厚さ0.3mn のシートを成形し
た。このシートはグリーンシートと呼ばれ、多層セラミ
ックの基板の素材となるものである。
次に、このグリーンシート(120X120mm)にス
ルーホール用の穴をあけ、タングステンペーストをこの
穴の中に密充填して、基板の縦方向の配線とした。平面
方向の配線は、タングステンペーストを用いて行った。
ルーホール用の穴をあけ、タングステンペーストをこの
穴の中に密充填して、基板の縦方向の配線とした。平面
方向の配線は、タングステンペーストを用いて行った。
ここで用いたタングステンペーストは、平均粒子径1μ
mのタングステン粒末80重量%、ジエチレングリコー
ル・モノ・n−ブチルエーテルアセテート17.5重量
%エチルセルロース2.0重量% 、ポリビニルブチラ
ール0.5重量%より成るものである。
mのタングステン粒末80重量%、ジエチレングリコー
ル・モノ・n−ブチルエーテルアセテート17.5重量
%エチルセルロース2.0重量% 、ポリビニルブチラ
ール0.5重量%より成るものである。
以上のようにして、タングステン導体が配線されたグリ
ーンシート2を10枚積層し、さらにこの積層体の上下
両面に、0.3mn厚さのグリーンシート1を重ねて積
層した。この積層体を1630℃。
ーンシート2を10枚積層し、さらにこの積層体の上下
両面に、0.3mn厚さのグリーンシート1を重ねて積
層した。この積層体を1630℃。
2時間、加湿水素−窒素雰囲気中で焼結することにより
、第1図のようなタングステン配線層を含むムライト系
セラミック焼結体を得た。
、第1図のようなタングステン配線層を含むムライト系
セラミック焼結体を得た。
この焼結体の反りは、長さ100m+n当り0.18m
mであった。このように本発明による基板の反りが小さ
いのは、積層時に積層体の上下面に無配線層を形成させ
て、焼結時の基板の上下面の収縮を均等に行わせたこと
によるものである。次にこの焼結体の上下面3を、ダイ
ヤモンド砥石で研削して第2図のように無配線層(約2
50μm)を除去して正常な回路基板を得た。この研磨
された基板の反りは、100nn長さ当り、0.008
mn と非常に小さく、この上に薄膜パターンなどを
形成する上で十分な平坦性を有していた。
mであった。このように本発明による基板の反りが小さ
いのは、積層時に積層体の上下面に無配線層を形成させ
て、焼結時の基板の上下面の収縮を均等に行わせたこと
によるものである。次にこの焼結体の上下面3を、ダイ
ヤモンド砥石で研削して第2図のように無配線層(約2
50μm)を除去して正常な回路基板を得た。この研磨
された基板の反りは、100nn長さ当り、0.008
mn と非常に小さく、この上に薄膜パターンなどを
形成する上で十分な平坦性を有していた。
一方、積層時に積層体の上下面に無配線層を設けず従来
法で作製した基板の反りは、長さ10011111当り
0 、32 no と非常に大きかった。さらに、従
来法によるこの基板を平滑研削した結果、第3図のよう
に基板の内層の導体も研削されて失われてしまい1回路
基板としての性能を保持し得ないことが明らかになった
。
法で作製した基板の反りは、長さ10011111当り
0 、32 no と非常に大きかった。さらに、従
来法によるこの基板を平滑研削した結果、第3図のよう
に基板の内層の導体も研削されて失われてしまい1回路
基板としての性能を保持し得ないことが明らかになった
。
〔実施例2〕
実施例1と同様の方法で、ムライト系セラミックスのグ
リーンシート上にタングステン導体を印刷配線したシー
ト55枚を積層し、さらにその積層体の上下両面に、導
体無配線のグリーンシート(厚さ70μm)を各−枚ず
つ積層し、これを1630℃、3時間、加湿水素−窒素
中で焼結した。得られた基板の反りは、長さ10100
l当り0.006mbであった。次にこの基板の上下両
面をダイヤモンド砥石で平滑研削し、導体無配線層(厚
さ70μm)のみを除去した。この研磨基板の反りは長
さ100m当り、0.004mmで非常に平坦であった
。
リーンシート上にタングステン導体を印刷配線したシー
ト55枚を積層し、さらにその積層体の上下両面に、導
体無配線のグリーンシート(厚さ70μm)を各−枚ず
つ積層し、これを1630℃、3時間、加湿水素−窒素
中で焼結した。得られた基板の反りは、長さ10100
l当り0.006mbであった。次にこの基板の上下両
面をダイヤモンド砥石で平滑研削し、導体無配線層(厚
さ70μm)のみを除去した。この研磨基板の反りは長
さ100m当り、0.004mmで非常に平坦であった
。
これに対して、従来法によって作製した45層の積層体
を焼結したところ、基板の反りは長さ10010111
当り0.25mm と大きかった。この基板の上下両面
を平滑研磨した結果、基板の表面部に近い内層の厚さが
不均一となり5配線基板として不適当であった。
を焼結したところ、基板の反りは長さ10010111
当り0.25mm と大きかった。この基板の上下両面
を平滑研磨した結果、基板の表面部に近い内層の厚さが
不均一となり5配線基板として不適当であった。
〔実施例3〕
アルミナ微粉末(純度99.5% 、平均粒子径3μm
)92重量%と、5in2粉末(純度99.7%、平均
粒子径1.0μm ) 6重量%と、MgO粉末(純度
99.5%、平均粒子径0.5μm)2重量%、それに
実施例1と同様の有機バインダー、可塑剤2分散溶剤を
加えて十分混合後、ドクターブレード法によって厚さ0
.25nn+ のアルミナグリーンシートを作製した。
)92重量%と、5in2粉末(純度99.7%、平均
粒子径1.0μm ) 6重量%と、MgO粉末(純度
99.5%、平均粒子径0.5μm)2重量%、それに
実施例1と同様の有機バインダー、可塑剤2分散溶剤を
加えて十分混合後、ドクターブレード法によって厚さ0
.25nn+ のアルミナグリーンシートを作製した。
次に、このグリーンシート上に、実施例1と同様の方法
でタングステン導体の配線を施し、このようなシートを
30枚積層後、さらに積層体上下両面に無配線のアルミ
ナグリーンシート(厚さ120μm)を各−枚ずつ積層
した。続いてこの積層体を1590’C,2時間、加湿
水素−窒素中で焼結した。
でタングステン導体の配線を施し、このようなシートを
30枚積層後、さらに積層体上下両面に無配線のアルミ
ナグリーンシート(厚さ120μm)を各−枚ずつ積層
した。続いてこの積層体を1590’C,2時間、加湿
水素−窒素中で焼結した。
得られた基板の反りは、長さ100mm当り0.11I
nと小さく、これを実施例1と同様に平滑研磨(研磨厚
さ約110μm)したところ、長さ100I当りの反り
が0.007nn という非常に平坦性の良い基板が得
られ、基板表面の配線層厚さにも問題はなかった。
nと小さく、これを実施例1と同様に平滑研磨(研磨厚
さ約110μm)したところ、長さ100I当りの反り
が0.007nn という非常に平坦性の良い基板が得
られ、基板表面の配線層厚さにも問題はなかった。
〔実施例4〕
アルミナ微粉末(純度99.5%、平均粒子径5μm)
55重量%に、はうけい酸ガラス微粉末(平均粒子径3
μm)45重量%を加え、さらにこれに対して有機バイ
ンダー、可塑剤2分散溶媒を適量加え、実施例1と同じ
方法で厚さ0.25Mのグリーンシートを得た。このグ
リーンシートの上にCuを主成分とする導体ペーストを
用いて、実施例1と同様の配線を施した。このように対
して作製したシートを15枚積層し、この積層体の上下
両面に無配線のグリーンシート(厚さ250μm)を各
−積層層し、950℃、4時間9弱酸化性窒素雰囲気中
で焼結した。
55重量%に、はうけい酸ガラス微粉末(平均粒子径3
μm)45重量%を加え、さらにこれに対して有機バイ
ンダー、可塑剤2分散溶媒を適量加え、実施例1と同じ
方法で厚さ0.25Mのグリーンシートを得た。このグ
リーンシートの上にCuを主成分とする導体ペーストを
用いて、実施例1と同様の配線を施した。このように対
して作製したシートを15枚積層し、この積層体の上下
両面に無配線のグリーンシート(厚さ250μm)を各
−積層層し、950℃、4時間9弱酸化性窒素雰囲気中
で焼結した。
得られた基板の反りは、長さ10100a当り0.16
nunと小さく、これを実施例1と同様平滑研磨(研磨
置駒200μm厚さ)したところ、長さ100m当りの
反りが0.005μm という良い結果が得られた。
nunと小さく、これを実施例1と同様平滑研磨(研磨
置駒200μm厚さ)したところ、長さ100m当りの
反りが0.005μm という良い結果が得られた。
これに対して、積層体の上下面に無配線層を形成しない
従来法で作製した基板の反りは、長さ100mm当り、
0.35mm と非常に大きく、これを平滑研磨しても
基板表面部の導体層厚さに大きな不同を生ずるという問
題があった。
従来法で作製した基板の反りは、長さ100mm当り、
0.35mm と非常に大きく、これを平滑研磨しても
基板表面部の導体層厚さに大きな不同を生ずるという問
題があった。
〔実施例5〕
実施例3と同様の方法でアルミナ系グリーンシートを用
いた40層配線の積層体を作り、その上下両面に、アル
ミナ系グリーンシート同じ組成のペーストをスクリーン
印刷法により厚さ80μmの無配線層を形成した。その
後、実施例3と同様の条件で焼結した。得られた基板の
反りは0.07mmで極めて小さかった。この焼結基板
をダイヤモンド砥石で厚さ80層m研磨した結果、基板
の10011111当りの反りは0 、0 O5nwo
であった。
いた40層配線の積層体を作り、その上下両面に、アル
ミナ系グリーンシート同じ組成のペーストをスクリーン
印刷法により厚さ80μmの無配線層を形成した。その
後、実施例3と同様の条件で焼結した。得られた基板の
反りは0.07mmで極めて小さかった。この焼結基板
をダイヤモンド砥石で厚さ80層m研磨した結果、基板
の10011111当りの反りは0 、0 O5nwo
であった。
一方、従来法によって作製した基板の反りは、長さ10
0mm当り、0.27mm と大きく、これを平滑研磨
しても、実用的な回路基板は得られなかった・ 〔実施例6〕 実施例4と同様の方法で、ガラスセラミックス系グリー
ンシートを用いた70層配線の積層体を作り、その上下
両面に、ガラスセラミックス系グリーンシート同じ組成
の絶縁ペーストをスクリーン印刷法により、厚さ15μ
mの無配線層を形成した。後、実施例4と同じ焼結条件
でこの積層体を焼結した。得られた基板の反りは、長さ
100百1当り、14μmであった。この基板の反りが
他の実施例のものより小さいのは積層数が多いためであ
る。
0mm当り、0.27mm と大きく、これを平滑研磨
しても、実用的な回路基板は得られなかった・ 〔実施例6〕 実施例4と同様の方法で、ガラスセラミックス系グリー
ンシートを用いた70層配線の積層体を作り、その上下
両面に、ガラスセラミックス系グリーンシート同じ組成
の絶縁ペーストをスクリーン印刷法により、厚さ15μ
mの無配線層を形成した。後、実施例4と同じ焼結条件
でこの積層体を焼結した。得られた基板の反りは、長さ
100百1当り、14μmであった。この基板の反りが
他の実施例のものより小さいのは積層数が多いためであ
る。
次に、焼結基板の上下両面をダイヤモンド砥石で研磨(
研磨置駒20μm厚さ)したところ、基板の長さ100
mm当りの反りは0.004μmであり、高密度配線に
好適な基板が得られた。
研磨置駒20μm厚さ)したところ、基板の長さ100
mm当りの反りは0.004μmであり、高密度配線に
好適な基板が得られた。
一方、従来法によって、積層体の上下両面に無配線層を
設けないで作製した基板の反りは、長さ100nn当り
0.23mm と非常に大きく、実用性のある基板は得
られなかった。
設けないで作製した基板の反りは、長さ100nn当り
0.23mm と非常に大きく、実用性のある基板は得
られなかった。
以上説明したように、本発明によれば、セラミックス系
回路基板の反りが非常に小さいために、電子計算機用と
して好適な高密度回路配線基板が可能となる。すなわち
、基板表面の配線導体の高さが均一であるため、能動素
子を搭載したときの接続不良や、基板周辺部の封止部の
気密不良などの問題がなくなり、信頼度の高い高密度配
線基板が得られる。
回路基板の反りが非常に小さいために、電子計算機用と
して好適な高密度回路配線基板が可能となる。すなわち
、基板表面の配線導体の高さが均一であるため、能動素
子を搭載したときの接続不良や、基板周辺部の封止部の
気密不良などの問題がなくなり、信頼度の高い高密度配
線基板が得られる。
さらに、焼結基板上面に、有機薄膜法などを用いて回路
パターンを形成する場合、薄膜層の段切れや、ふくれ等
の問題が無くなるという大きな効果もあり、超高密度配
線回路基板の性能向上と共に、基板製造上の歩留り向上
にも大きく寄与するものである。
パターンを形成する場合、薄膜層の段切れや、ふくれ等
の問題が無くなるという大きな効果もあり、超高密度配
線回路基板の性能向上と共に、基板製造上の歩留り向上
にも大きく寄与するものである。
第1図、第2図はいずれも本発明によるセラミック系回
路基板の断面模式図、第3図は従来法による回路基板の
断面模式図である。
路基板の断面模式図、第3図は従来法による回路基板の
断面模式図である。
Claims (7)
- 1.複数枚のセラミックグリーンシートを積層,圧着し
、該積層体を焼結して多層セラミック配線基板を製造す
る方法において、上記積層体の上下両面に無配線の絶縁
層を形成し、焼結した後、該無配線層を研磨除去するこ
とを特徴とする多層セラミック配線基板の製法。 - 2.請求項1記載の多層セラミック配線基板の製法にお
いて、上記研磨除去される無配線層の厚さが20〜25
0μmであることを特徴とする多層セラミック配線基板
の製法。 - 3.請求項1記載の多層セラミック配線基板の製法にお
いて、上記無配線の絶縁層として、セラミックグリーン
シートを用いることを特徴とする多層セラミック配線基
板の製法。 - 4.請求項1記載の多層セラミック配線基板の製法にお
いて、絶縁体ペーストを用い、スクリーン印刷法によっ
て上記無配線絶縁層を形成することを特徴とする多層セ
ラミック配線基板の製法。 - 5.請求項3記載の多層セラミック配線基板の製法にお
いて、上記無配線の絶縁層として70〜300μm厚さ
のグリーンシートを用いることを特徴とする多層セラミ
ック配線基板の製法。 - 6.請求項4記載の多層セラミック配線基板の製法にお
いて、上記印刷厚さを15〜80μmとすることを特徴
とする多層セラミック配線基板の製法。 - 7.請求項1記載の多層セラミック配線基板の製法にお
いて、上記セラミックグリーンシートとして、アルミナ
系,ムライト系,ガラスセラミックス系の材料のいずれ
かを用いることを特徴とする多層セラミック配線基板の
製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11983290A JPH0417392A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 多層セラミック配線基板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11983290A JPH0417392A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 多層セラミック配線基板の製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0417392A true JPH0417392A (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14771369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11983290A Pending JPH0417392A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 多層セラミック配線基板の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0417392A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0591733A1 (en) * | 1992-09-21 | 1994-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing multilayered ceramic substrate |
WO1999056510A1 (fr) * | 1998-04-24 | 1999-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede servant a fabriquer un substrat en ceramique possedant des couches multiples |
JP2007053294A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Tdk Corp | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
JP2008066712A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-03-21 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ、回路基板、回路モジュール及び積層コンデンサの製造方法 |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP11983290A patent/JPH0417392A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0591733A1 (en) * | 1992-09-21 | 1994-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing multilayered ceramic substrate |
WO1999056510A1 (fr) * | 1998-04-24 | 1999-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede servant a fabriquer un substrat en ceramique possedant des couches multiples |
KR100375486B1 (ko) * | 1998-04-24 | 2003-03-10 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 세라믹 다층기판의 제조방법 |
US6740183B1 (en) | 1998-04-24 | 2004-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing ceramic multi-layered substrate |
JP2007053294A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Tdk Corp | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
JP2008066712A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-03-21 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ、回路基板、回路モジュール及び積層コンデンサの製造方法 |
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