JPH04171521A - タッチパネル - Google Patents
タッチパネルInfo
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- JPH04171521A JPH04171521A JP2300385A JP30038590A JPH04171521A JP H04171521 A JPH04171521 A JP H04171521A JP 2300385 A JP2300385 A JP 2300385A JP 30038590 A JP30038590 A JP 30038590A JP H04171521 A JPH04171521 A JP H04171521A
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Landscapes
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- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
座標入力手段などとして利用されるタッチパネルに関し
、 耐久性を確保しつつ保守の容易化を図ることを目的とし
、 透明基板上に透明導電膜が設けられたタッチパネルにお
いて、前記透明導電膜が、無機質股上に有m質膜を重ね
た複合透明保護膜で被覆され、前記有機質膜が最表層の
被膜とされて構成される。
、 耐久性を確保しつつ保守の容易化を図ることを目的とし
、 透明基板上に透明導電膜が設けられたタッチパネルにお
いて、前記透明導電膜が、無機質股上に有m質膜を重ね
た複合透明保護膜で被覆され、前記有機質膜が最表層の
被膜とされて構成される。
〔産業上の利用分野]
本発明は、座標入力手段などとして利用されるタッチパ
ネルに関する。
ネルに関する。
タッチパネルは、例えば、ATM (自動窓口装置)に
おいて、デイスプレィ画面上に表示された選択肢を選択
するための入力手段などとして広く利用されている。こ
れにともなって、耐久性に優れること、汚れの拭き取り
などの保守が容易であることか望まれている。
おいて、デイスプレィ画面上に表示された選択肢を選択
するための入力手段などとして広く利用されている。こ
れにともなって、耐久性に優れること、汚れの拭き取り
などの保守が容易であることか望まれている。
〔従来の技術]
CRT画面などのデイスプレィ画面の前面に装着される
静電容量方式のタッチパネルは、ガラス基板(透明基板
)の全面に所定の面抵抗値をもつ透明導電膜を設けるこ
とによって構成される。透明導電膜としては、例えば主
成分の酸化インジウム(I nzox)と数%の酸化ス
ズからなるITO膜が用いられる。
静電容量方式のタッチパネルは、ガラス基板(透明基板
)の全面に所定の面抵抗値をもつ透明導電膜を設けるこ
とによって構成される。透明導電膜としては、例えば主
成分の酸化インジウム(I nzox)と数%の酸化ス
ズからなるITO膜が用いられる。
透明導電膜の周縁部には一定のピッチで電極端子が設け
られ、この電極端子を介して透明導電膜とタッチ位置検
知回路とが接続される。
られ、この電極端子を介して透明導電膜とタッチ位置検
知回路とが接続される。
透明導電股上の任意の点(座標)に指などを触れるでタ
ッチする)と、透明導電膜はタッチされた点で人体の静
電容!を介して接地され、各電極端子と接地ラインとの
間の抵抗値に変化が生しる。
ッチする)と、透明導電膜はタッチされた点で人体の静
電容!を介して接地され、各電極端子と接地ラインとの
間の抵抗値に変化が生しる。
この変化がタッチ位置検知回路によって検知され、これ
によってデイスプレィ画面上の座標が入力される。
によってデイスプレィ画面上の座標が入力される。
このようなタッチパネルでは、絶縁及び透明導電膜の機
械的保護などのために、透明導電膜上に所定厚さの透明
保護被膜を設ける必要がある。
械的保護などのために、透明導電膜上に所定厚さの透明
保護被膜を設ける必要がある。
従来のタッチパネルにおいては、透明保護被膜として水
ガラスなどからなる無機質の被膜が設けられ、この無機
質の被膜が座標指定領域(タッチ領域)における最表層
の被膜、すなわち外部に露出する被膜とされていた。
ガラスなどからなる無機質の被膜が設けられ、この無機
質の被膜が座標指定領域(タッチ領域)における最表層
の被膜、すなわち外部に露出する被膜とされていた。
無機質膜は機械的強度の点では優れている。しかし、無
機質膜は表面エネルギーが高い(300〜500 [d
y n e/cm]程度)ので、このような無機質膜
の表面をタッチ領域の露出面とした従来のタッチパネル
では、タッチ領域に指紋などの汚れが付着し易く且つ付
着した汚れの拭き取りが困難であった。
機質膜は表面エネルギーが高い(300〜500 [d
y n e/cm]程度)ので、このような無機質膜
の表面をタッチ領域の露出面とした従来のタッチパネル
では、タッチ領域に指紋などの汚れが付着し易く且つ付
着した汚れの拭き取りが困難であった。
このため、頻繁に清掃を行う必要があり、また清掃に要
する時間が長くタッチパネルの保守が面倒であるという
問題があった。また、清掃に際して強く擦るように拭き
取らねばならないので、清掃によっても透明保護被膜が
磨耗するという問題があった。特に、汚れの中に砂塵な
どの硬質粒子が混しると、清掃時に透明保護被膜だけで
なく透明導電膜も削られ、誤人力の原因となるような損
傷が生しるおそれがあった。
する時間が長くタッチパネルの保守が面倒であるという
問題があった。また、清掃に際して強く擦るように拭き
取らねばならないので、清掃によっても透明保護被膜が
磨耗するという問題があった。特に、汚れの中に砂塵な
どの硬質粒子が混しると、清掃時に透明保護被膜だけで
なく透明導電膜も削られ、誤人力の原因となるような損
傷が生しるおそれがあった。
このような問題を解決するため、透明保護被膜として表
面エネルギーの低い有機質膜を設けることが考えられる
が、その場合には、透明保護被膜の機械的強度が低下し
、タッチパネルの耐久性が損なわれることになる。
面エネルギーの低い有機質膜を設けることが考えられる
が、その場合には、透明保護被膜の機械的強度が低下し
、タッチパネルの耐久性が損なわれることになる。
本発明は、上述の問題に&A、耐久性を確保しつつ保守
の容易化を図ることを目的としている。
の容易化を図ることを目的としている。
[課題を解決するための手段]
上述の課題を解決するため、請求項1の発明に係るタッ
チパネル1は、第1図に示すように、透明導電1191
1が、無機質膜21.21a上に有機質膜22を重ねた
複合透明保護#20.20aで被覆され、前記有機質膜
22が最表層の被膜とされてなる。
チパネル1は、第1図に示すように、透明導電1191
1が、無機質膜21.21a上に有機質膜22を重ねた
複合透明保護#20.20aで被覆され、前記有機質膜
22が最表層の被膜とされてなる。
請求項2の発明に係るタッチパネル1Aは、第3閏に示
すように、無機質膜21.21aを被覆するフッ素樹脂
膜22Aを有し、このフッ素樹脂膜22Aが最表層の被
膜とされてなる。
すように、無機質膜21.21aを被覆するフッ素樹脂
膜22Aを有し、このフッ素樹脂膜22Aが最表層の被
膜とされてなる。
請求項3の発明に係るタッチパネル1Bは、第4図に示
すように、無機質膜21.21aを被覆する有機物超微
粒子膜22Bを有し、この有機物超微粒子膜22Bが最
表層の被膜とされてなる。
すように、無機質膜21.21aを被覆する有機物超微
粒子膜22Bを有し、この有機物超微粒子膜22Bが最
表層の被膜とされてなる。
請求項4の発明に係るタッチパネルICは、第5図に示
すように、無機質膜21.21aを被覆する有機系のハ
ードコート膜22Cを有し、この有機系のハードコート
膜22Cが最表層の被膜とされてなる。
すように、無機質膜21.21aを被覆する有機系のハ
ードコート膜22Cを有し、この有機系のハードコート
膜22Cが最表層の被膜とされてなる。
[作 用〕
透明導電膜11は、主に無機質膜21.21aによって
I!械的に保護される。
I!械的に保護される。
無機質膜21.21aは、最表層の被膜となる有m質膜
22によって覆われる。
22によって覆われる。
有機質膜22は、無機質WI21,21aに比べて表面
エネルギーが低く、汚れが付きにくく且つ付着した汚れ
の除去が容品である。
エネルギーが低く、汚れが付きにくく且つ付着した汚れ
の除去が容品である。
〔実施例]
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
第1図は本発明に係るタッチパネル1の要部断面図、第
2図はタッチパネル1の平面回である。
2図はタッチパネル1の平面回である。
タッチパネル1は、静電容量方式の座標入力装置として
、CRT画面などのデイスプレィ画面の前面に装着され
て使用される。
、CRT画面などのデイスプレィ画面の前面に装着され
て使用される。
第1図及び第2図において、ガラス基板10の表面(第
1図の上側の面)には、その全面を覆うように所定の面
抵抗値をもったITO膜11が形成されている。
1図の上側の面)には、その全面を覆うように所定の面
抵抗値をもったITO膜11が形成されている。
ITO膜11の周縁部には、図外のタッチ位置検知回路
を設けたフレキシプール基板の端子(外部導体)に接続
するための接続用導電体として、所定のピッチP(例え
ば20mm)で多数個の半田ハンプ12が形成されてい
る。そして、この半田バンプ12の形成傾城を除いて、
ITO膜11は、無機質膜21と有機質l1122とを
順に重ねた複合透明保護膜20によって被覆されている
。この複合透明保護膜20の表面がタッチ面SPとなる
。
を設けたフレキシプール基板の端子(外部導体)に接続
するための接続用導電体として、所定のピッチP(例え
ば20mm)で多数個の半田ハンプ12が形成されてい
る。そして、この半田バンプ12の形成傾城を除いて、
ITO膜11は、無機質膜21と有機質l1122とを
順に重ねた複合透明保護膜20によって被覆されている
。この複合透明保護膜20の表面がタッチ面SPとなる
。
一方、ガラス基板10の裏面にもデイスプレィ装置から
のノイズの影響を除くためのシールド電極となるIT○
膜11が形成され、このITO膜11も二酸化珪素から
なる無機質膜21aと有機質WI22とを暖に重ねた複
合透明保護膜20aによって被覆されている。
のノイズの影響を除くためのシールド電極となるIT○
膜11が形成され、このITO膜11も二酸化珪素から
なる無機質膜21aと有機質WI22とを暖に重ねた複
合透明保護膜20aによって被覆されている。
つまり、タッチパネル1では、表面側及び裏面側のそれ
ぞれの最表層の被膜が有機質膜22とされ、これによっ
て汚れの付着が軽減されている。
ぞれの最表層の被膜が有機質膜22とされ、これによっ
て汚れの付着が軽減されている。
タッチパネル1の使用に際しては、タッチ面SPの任意
の点(座標)Pに指などを触れると、lTo膜11は点
Pで人体の静電容量を介して接地され、TTO膜11の
周囲の各点と接地ラインとの間の抵抗値に変化が生しる
。この変化に対応した信号が、各半田バンプ12を介し
てタッチ位置検知回路に伝えられ、これによって点Pの
座標が検知される。
の点(座標)Pに指などを触れると、lTo膜11は点
Pで人体の静電容量を介して接地され、TTO膜11の
周囲の各点と接地ラインとの間の抵抗値に変化が生しる
。この変化に対応した信号が、各半田バンプ12を介し
てタッチ位置検知回路に伝えられ、これによって点Pの
座標が検知される。
次に、タッチパネル1の製造方法について説明する。
第3図(a)は本発明に係る他の実施例のタッチパネル
1Aの要部断面図、第3図(b)は第3図(a)のタッ
チパネル1Aの製造方法を示す図である。
1Aの要部断面図、第3図(b)は第3図(a)のタッ
チパネル1Aの製造方法を示す図である。
第3図において、ガラス基板10の表面及び裏面にそれ
ぞれITO膜11.11を形成した後、これらITO膜
11.11上に蒸着によって厚さが数千オングストロー
ム程度の二酸化珪素膜21aを形成する。二酸化珪素か
らなる被膜は緻密で電気的に安定した被膜であり、これ
によってITO膜11と外部との間の絶縁性が確保され
る。
ぞれITO膜11.11を形成した後、これらITO膜
11.11上に蒸着によって厚さが数千オングストロー
ム程度の二酸化珪素膜21aを形成する。二酸化珪素か
らなる被膜は緻密で電気的に安定した被膜であり、これ
によってITO膜11と外部との間の絶縁性が確保され
る。
次に、タッチ面SP側については、二酸化珪素被膜21
a上に水ガラスを吹き付け、乾燥の後に焼成を行うこと
によって、厚さが1μm程度のガラス質膜21bを形成
する。これによって、IT○lIl!111が機械的に
保護される。
a上に水ガラスを吹き付け、乾燥の後に焼成を行うこと
によって、厚さが1μm程度のガラス質膜21bを形成
する。これによって、IT○lIl!111が機械的に
保護される。
そして、湿気によるガラス質I!2 l bの失透の防
止及びタッチ面SPの反射防止のために、ガラス質膜2
1b上に厚さが数千オングストローム程度のフッ化マグ
ネシウム(M g F り膜21 cを蒸着する。
止及びタッチ面SPの反射防止のために、ガラス質膜2
1b上に厚さが数千オングストローム程度のフッ化マグ
ネシウム(M g F り膜21 cを蒸着する。
これら順に重ねられた二酸化珪素被膜21a1ガラス質
膜21b及びフッ化マグネシウム膜21Cによってタッ
チ面SP側の無機質1!121が構成される。
膜21b及びフッ化マグネシウム膜21Cによってタッ
チ面SP側の無機質1!121が構成される。
続いて、タッチ面SP側の無機質膜21及び裏面側の二
酸化珪素膜21a(無機質膜21a)をそれぞれフッ素
樹脂膜22Aで被覆する。
酸化珪素膜21a(無機質膜21a)をそれぞれフッ素
樹脂膜22Aで被覆する。
フッ素樹脂膜22Aの形成に際しては、アセトンなどの
溶剤による脱脂を行った後、まず、プライマー溶液(例
えば、デュポン社製458−500プライマー)をエア
ースプレーガンによって塗布する。
溶剤による脱脂を行った後、まず、プライマー溶液(例
えば、デュポン社製458−500プライマー)をエア
ースプレーガンによって塗布する。
次に、フッ素樹脂粉末(例えば、三井・デュポンフロロ
ケミカル社製テフロンPFA樹脂の微粉末)を静電塗装
法によって膜厚が50μm程度となるように塗布する。
ケミカル社製テフロンPFA樹脂の微粉末)を静電塗装
法によって膜厚が50μm程度となるように塗布する。
そして、330〜400 ’Cの温度で20〜30分の
熱処理を加えることによってフッ素樹脂粉末を焼成し、
フッ素樹脂膜22Aを得る。
熱処理を加えることによってフッ素樹脂粉末を焼成し、
フッ素樹脂膜22Aを得る。
以上のように、無りa質膜21にフッ素樹脂膜22Aを
重ねたタッチパネル1Aにおけるタッチ面SP、すなわ
ちフッ素樹脂膜22Aの外表面の表面エネルギーは、3
0[dyne/cmコ以下であり、従来のタッチパネル
に比べて10分の1以下の値であるので、タッチパネル
1Aでは、汚れが付きにくく、また、付着した汚れを容
品に拭き取ることができる。
重ねたタッチパネル1Aにおけるタッチ面SP、すなわ
ちフッ素樹脂膜22Aの外表面の表面エネルギーは、3
0[dyne/cmコ以下であり、従来のタッチパネル
に比べて10分の1以下の値であるので、タッチパネル
1Aでは、汚れが付きにくく、また、付着した汚れを容
品に拭き取ることができる。
第4図(a)は本発明に係る他の実施例のタッチパネル
1Bの要部断面図、第4図(b)は第4図(a)のタッ
チパネル1Bの製造方法を示す図である。
1Bの要部断面図、第4図(b)は第4図(a)のタッ
チパネル1Bの製造方法を示す図である。
第4図においては、ガラス基板10の表面及び裏面にそ
れぞれITOIIIl、11と無I!質膜21.21a
とを順に形成した後、無機質膜21゜21aをそれぞれ
被覆するように有機物超微粒子膜22B、22Bを形成
し、これによってタッチパネル1Bを得る。
れぞれITOIIIl、11と無I!質膜21.21a
とを順に形成した後、無機質膜21゜21aをそれぞれ
被覆するように有機物超微粒子膜22B、22Bを形成
し、これによってタッチパネル1Bを得る。
有機物超微粒子膜22Bは、稀ガス中蒸発法によって形
成される。
成される。
すなわち、ヘリウムなどの不活性ガス中で、原料として
のピレン(例えば、真空冶金■製造のピレン鰯微粒子分
散媒水)を蒸発させることによって気相中で粒子生成を
行い、その粒子を不活性ガス流によって無機質膜21.
21aの表面に運んで堆積させる。
のピレン(例えば、真空冶金■製造のピレン鰯微粒子分
散媒水)を蒸発させることによって気相中で粒子生成を
行い、その粒子を不活性ガス流によって無機質膜21.
21aの表面に運んで堆積させる。
なお、有機物超微粒子膜22Bの原料としては、ピレン
に代えて、アントラセン、銅フタロシアニン、カルバゾ
ールなどの低分子化合物、又はポリエチレン、ポリスチ
レン、ポリメタクリル酸メチルなどの高低分子化合物を
用いることができる。
に代えて、アントラセン、銅フタロシアニン、カルバゾ
ールなどの低分子化合物、又はポリエチレン、ポリスチ
レン、ポリメタクリル酸メチルなどの高低分子化合物を
用いることができる。
第5図(a)は本発明に係る他の実施例のタッチパネル
ICの要部断面図、第5図(b)は第5図(a)のタッ
チパネルICの製造方法を示す図である。
ICの要部断面図、第5図(b)は第5図(a)のタッ
チパネルICの製造方法を示す図である。
第5図においては、ガラス基板10の表面及び裏面にそ
れぞれITO膜11.11と無機質膜21.21aとを
順に形成した後、無機質膜21゜21aをそれぞれ被覆
するように有機系のハードコートl!22C,22Cを
形成し、これによってタッチパネルICを得る。
れぞれITO膜11.11と無機質膜21.21aとを
順に形成した後、無機質膜21゜21aをそれぞれ被覆
するように有機系のハードコートl!22C,22Cを
形成し、これによってタッチパネルICを得る。
ハードコートl1j22Cは、例えばシリコン樹脂を無
機質膜2]、21a上に塗布し、200“C程度の温度
で10分程度の熱処理を加えることによって形成される
。
機質膜2]、21a上に塗布し、200“C程度の温度
で10分程度の熱処理を加えることによって形成される
。
シリコン樹脂は、熱処理を加えることにより、シラノー
ル基の脱水縮合反応が生し、アルキル基を含んだシロキ
サン結合(−3i −0−5i −)を形成して硬化す
る。
ル基の脱水縮合反応が生し、アルキル基を含んだシロキ
サン結合(−3i −0−5i −)を形成して硬化す
る。
なお、ハードコート膜22Cは、シリコン樹脂に代えて
、メラミン系、アルキド系、又はウレタン系の塗料を塗
布して熱処理を加えて硬化させるか、又は、多官能アク
リレート系塗料に紫外線を照射して硬化させることによ
って形成することができる。
、メラミン系、アルキド系、又はウレタン系の塗料を塗
布して熱処理を加えて硬化させるか、又は、多官能アク
リレート系塗料に紫外線を照射して硬化させることによ
って形成することができる。
上述の実施例によれば、無機質#21に比べて表面エネ
ルギーの低い有I!質膜22が外部に露出する最表層の
被膜となるので、汚れにくく且つ軽く拭き取るだけで汚
れを除去することができる。
ルギーの低い有I!質膜22が外部に露出する最表層の
被膜となるので、汚れにくく且つ軽く拭き取るだけで汚
れを除去することができる。
したがって、清掃の回数を削減することができるととも
に、清掃に際してタッチ面SPを強く擦る必要がないの
で、ITO膜11の損傷を防止することができる。
に、清掃に際してタッチ面SPを強く擦る必要がないの
で、ITO膜11の損傷を防止することができる。
本発明によれば、耐久性を確保しつつ保守の容易化を図
ることができる。
ることができる。
第1図は本発明に係るタッチパネルの要部断面図、
第2図はタッチパネルの平面図、
第3図(a)は本発明に係る他の実施例のタッチパネル
の要部断面図、 第3図(b)は第3図(a)のタッチパネルの製造方法
を示す図1 、第4図(a)は本発明に係る他の実施例のタッチパネ
ルの要部断面図、 第4図(b)は第4図(a)のタッチパネルの製造方法
を示す図、 第5図(a)は本発明に係る他の実施例のタッチパネル
の要部断面図、 第5図(b)は第5図(a)のタッチパネルの製造方法
を示す図である。 図において、 1.1A、1B、ICはタッチパネル、10はガラス基
板(透明基板)、 11はITOIm(透明導電膜)、 20.20aは複合透明保護膜、 21.21aは無機質膜、 22は有機質膜、 22Aはフッ素樹脂膜、 22Bは有機物超微粒子膜、 22Cは有機系のハードコート膜である。 本発明に係るタッチパネルの要部断面図第1図 タッチパネルの平面図 第2図 第5図(a) 第5図(b) 本発明に係る他の実施例の タッチパネルの要部断面図 第3図(a ) 無機質膜の形成 フッ素樹脂膜の形成 第3図(b) 本発明に係る他の実施例の タッチパネルの要部断面図 第4図(a) ↓ 超微粒子膜の形成 第4図(a)のタッチパネル の製造方法を示す図 第4図(b)
の要部断面図、 第3図(b)は第3図(a)のタッチパネルの製造方法
を示す図1 、第4図(a)は本発明に係る他の実施例のタッチパネ
ルの要部断面図、 第4図(b)は第4図(a)のタッチパネルの製造方法
を示す図、 第5図(a)は本発明に係る他の実施例のタッチパネル
の要部断面図、 第5図(b)は第5図(a)のタッチパネルの製造方法
を示す図である。 図において、 1.1A、1B、ICはタッチパネル、10はガラス基
板(透明基板)、 11はITOIm(透明導電膜)、 20.20aは複合透明保護膜、 21.21aは無機質膜、 22は有機質膜、 22Aはフッ素樹脂膜、 22Bは有機物超微粒子膜、 22Cは有機系のハードコート膜である。 本発明に係るタッチパネルの要部断面図第1図 タッチパネルの平面図 第2図 第5図(a) 第5図(b) 本発明に係る他の実施例の タッチパネルの要部断面図 第3図(a ) 無機質膜の形成 フッ素樹脂膜の形成 第3図(b) 本発明に係る他の実施例の タッチパネルの要部断面図 第4図(a) ↓ 超微粒子膜の形成 第4図(a)のタッチパネル の製造方法を示す図 第4図(b)
Claims (4)
- (1)透明基板(10)上に透明導電膜(11)が設け
られたタッチパネル(1)において、前記透明導電膜(
11)が、無機質膜(21)(21a)上に有機質膜(
22)を重ねた複合透明保護膜(20)(20a)で被
覆され、前記有機質膜(22)が最表層の被膜とされて
なる ことを特徴とするタッチパネル。 - (2)透明基板(10)上に透明導電膜(11)が設け
られたタッチパネル(1A)において、前記透明導電膜
(11)を被覆する無機質膜(21)(21a)と、 前記無機質膜(21)(21a)を被覆するフッ素樹脂
膜(22A)とを有し、 前記フッ素樹脂膜(22A)が最表層の被膜とされてな
る ことを特徴とするタッチパネル。 - (3)透明基板(10)上に透明導電膜(11)が設け
られたタッチパネル(1B)において、前記透明導電膜
(11)を被覆する無機質膜(21)(21a)と、 前記無機質膜(21)(21a)を被覆する有機物超微
粒子膜(22B)とを有し、 前記有機物超微粒子膜(22B)が最表層の被膜とされ
てなる ことを特徴とするタッチパネル。 - (4)透明基板(10)上に透明導電膜(11)が設け
られたタッチパネル(1C)において、前記透明導電膜
(11)を被覆する無機質膜(21)(21a)と、 前記無機質膜(21)(21a)を被覆する有機系のハ
ードコート膜(22C)とを有し、前記有機系のハード
コート膜(22C)が最表層の被膜とされてなる ことを特徴とするタッチパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2300385A JPH04171521A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | タッチパネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2300385A JPH04171521A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | タッチパネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04171521A true JPH04171521A (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=17884150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2300385A Pending JPH04171521A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | タッチパネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04171521A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004074487A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Oike Kaihatsu Kenkyusho:Kk | 防紋防汚面形成方法及び該方法によって防紋防汚面が形成された積層体 |
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WO2012060338A1 (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | 株式会社アルバック | 積層体 |
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WO2013111508A1 (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-01 | 京セラ株式会社 | 入力装置、表示装置、および電子機器 |
US8614327B2 (en) | 2004-06-24 | 2013-12-24 | Vertex Pharmaceuticals Incorporated | Modulators of ATP-binding cassette transporters |
US8802700B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-08-12 | Vertex Pharmaceuticals Incorporated | Modulators of ATP-Binding Cassette transporters |
US9139530B2 (en) | 2005-12-28 | 2015-09-22 | Vertex Pharmaceuticals Incorporated | Solid forms of N-[2,4-bis(1,1-dimethylethyl)-5-hydroxyphenyl]-1,4-dihydro-4-oxoquinoline-3-carboxamide |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP2300385A patent/JPH04171521A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US8741925B2 (en) | 2004-06-24 | 2014-06-03 | Vertex Pharmaceuticals Incorporated | Modulators of ATP-binding cassette transporters |
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JPWO2013111508A1 (ja) * | 2012-01-25 | 2015-05-11 | 京セラ株式会社 | 入力装置、表示装置、および電子機器 |
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