JPH04167243A - Optical apparatus for reproducing magnetically recorded information - Google Patents
Optical apparatus for reproducing magnetically recorded informationInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は情報を光学的情報記録担体に記録、再生する光
学的情報記録内生装置に関するものてあｇ、さらに詳し
くは、本発明は磁気光学効果を利用した磁気情報記録担
体に記録された情報を再生する光ヘットの構成に関する
ものである。Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical information recording device for recording and reproducing information on an optical information recording carrier. The present invention relates to the configuration of an optical head that uses optical effects to reproduce information recorded on a magnetic information recording carrier.
［従来の技術］
光磁気ディスク装置は、データ記憶容量が太きこと、さ
らにデータの書換えか可能な事などにより注目されてい
る。従来のこれら装置におけるデータ記録方式はマーク
間記録（ピット位置記録）といわれる方式てあり、近年
この光磁気ディスク装置のデータ容量を上げるためのマ
ーク長記録（ピットエツジ記録）方式の検討かなされて
いる。[Prior Art] Magneto-optical disk devices are attracting attention because of their large data storage capacity and the ability to rewrite data. The conventional data recording method in these devices is a method called mark-to-mark recording (pit position recording), and in recent years, research has been carried out on mark length recording (pit edge recording) in order to increase the data capacity of magneto-optical disk devices. .
このようなマーク長記録された光ディスクから記録され
た情報を正確に再生するためには、光ヘットもマーク長
記録された情報ピットのエツジ位置を正確に読み取る事
か要求される。In order to accurately reproduce information recorded from such an optical disc recorded with a mark length, the optical head is also required to accurately read the edge position of the information pit recorded with a mark length.
ところか従来の光磁気ディスク用の光ヘットにおいては
、半導体レーザからの光束を対物レンズにより微小スポ
ット光とし、情報ピットからの反射光量の変化をいわゆ
る差動検出して情報の再生が行われていた。However, in conventional optical heads for magneto-optical disks, information is reproduced by converting the light beam from a semiconductor laser into a minute spot light using an objective lens, and by differentially detecting changes in the amount of light reflected from the information pits. Ta.
このような従来方式であるガウス分布状の光量分布を有
する微小スポット光を投光し、情報ピットからの反射光
の光量変化を差動検出する方式ては、エツジ検出能力が
低いという問題点があった。This conventional method, which projects a minute spot light with a Gaussian distribution of light intensity and differentially detects changes in the light intensity of the reflected light from the information pits, has the problem of low edge detection ability. there were.
またこれらの問題点とは別に、光磁気用の光ヘットはそ
の信号検出光学系か複雑てあり、このため光ヘットか大
きく重くなり、光ディスクへのアクセススピードが遅く
なるという問題かあった。In addition to these problems, a magneto-optical optical head has a complicated signal detection optical system, which increases the weight of the optical head and slows down the access speed to the optical disk.
従来から新規な光磁気信号検出光学系により小型光磁気
ヘットを実現しようとする提案かなされているか、高性
能な光磁気ディスク信号の検出と小型光ヘット構成とを
両立させた提案は存在しなかった。There have been proposals to realize a compact magneto-optical head using a new magneto-optical signal detection optical system, but there has been no proposal that combines high-performance magneto-optical disk signal detection with a compact optical head configuration. Ta.
第４図は、特開昭６３−７４１２８として提案された外
部共振器構造の半導体レーザを用いた小型光ヘッドの構
成を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating the configuration of a small optical head using a semiconductor laser having an external resonator structure, which was proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-74128.
第４（ａ）図において、２９は回転される光ディスつて
あり、３０は固定磁気ディスク装置などに用いられてい
るエアー浮上用のスライダーおよびその支持具である。In FIG. 4(a), 29 is a rotating optical disk, and 30 is an air floating slider used in fixed magnetic disk drives and its support.
このスライダーに微小光ヘット３１か設けられている。A minute optical head 31 is provided on this slider.
第４図（ｂ）はその光ヘットの拡大図である。この光ヘ
ットはモノリシック構造の半導体レーザ部３２とエアー
ギャップ３３をはさんて、光電変換センサ一部３４とか
同一・基板トに一体に設けられている半導体レーサ部は
４０から、後はど説明するある設定された一定駆動バイ
アス電流を加えられＬＥＤ発振またはレーザ発振状態と
なり、その先導波路領域３５の端面のうち、反射防止膜
が設けられた光ディスクへの光束射出端面３６から読み
取りビーム３７を投光する。光ディスク２９からの反射
光束３８は、光ディスク１の情報ビットの反射率の大小
により光量が変化し、半導体レーザ３２と再カップリン
グする。FIG. 4(b) is an enlarged view of the optical head. This optical head is sandwiched between a monolithic semiconductor laser section 32 and an air gap 33, and includes a photoelectric conversion sensor section 34 and a semiconductor laser section integrally provided on the same substrate starting from 40.The rest will be explained later. A certain set constant driving bias current is applied to the LED oscillation or laser oscillation state, and a reading beam 37 is emitted from the light emitting end face 36 of the leading waveguide region 35 toward the optical disk provided with the anti-reflection film. do. The reflected light beam 38 from the optical disk 29 changes in light amount depending on the reflectance of the information bits of the optical disk 1, and is recoupled with the semiconductor laser 32.
第４図（ｃ）は半導体レーザに加えられる駆動電流と検
出信号との関係を示す、この設定された駆動電流が印加
された状態において、光ディスクからの反射光３８が、
半導体レーザの光射出端に再カップリングする場合、そ
の反射光量の大小、すなわち光デイスク情報ピットの反
射率の高低により半導体レーザは４２．４３のようにレ
ーザ発振モートとＬＥＤ発振モードの２つの状態をとり
、半導体レーザ３２の反対側射出端面からの光束３９の
光量の大小に変換され、光電変換センサー３４により検
出され。FIG. 4(c) shows the relationship between the drive current applied to the semiconductor laser and the detection signal. When the set drive current is applied, the reflected light 38 from the optical disk is
When recoupling to the light emitting end of a semiconductor laser, the semiconductor laser can be in two states: laser oscillation mode and LED oscillation mode, as shown in 42.43, depending on the amount of reflected light, that is, the reflectance of the optical disk information pit. is converted into the intensity of the light beam 39 from the opposite emission end face of the semiconductor laser 32, and detected by the photoelectric conversion sensor 34.
４１から信号電流として検出される。逆に言えば、この
ような条件になるように、この半導体レーザ３２の駆動
電流が設定されている事になる。41 as a signal current. In other words, the driving current of the semiconductor laser 32 is set so as to meet such conditions.
この光ヘットは、光ディスクからの反射光量の変化を、
外部共振器構造に作られた半導体レーザの発振光量の変
化として検出しようとするものである。しかし１通常の
光磁気ディスクにおいては、書き込まれた情報により投
光直線偏光の偏光面の回転方向か変化するのであり、反
射光量自体はほとんど変化しない。したかって、このよ
うな構成では、半導体レーザの発光端面に再カップリン
グされる光磁気ディスクからの反射光量はほとんど変化
せず、光ヘットの小型化は実現できるが、光磁気ディス
クに書き込まれた信号を再生する能力は低い。This optical head detects changes in the amount of light reflected from the optical disc.
This is intended to be detected as a change in the amount of oscillated light from a semiconductor laser made in an external resonator structure. However, in a normal magneto-optical disk, the rotation direction of the polarization plane of the projected linearly polarized light changes depending on the written information, and the amount of reflected light itself hardly changes. Therefore, with such a configuration, the amount of light reflected from the magneto-optical disk that is recoupled to the light-emitting end facet of the semiconductor laser hardly changes, making it possible to downsize the optical head; The ability to reproduce the signal is low.
また光磁気ディスクの信号読み取り用検出系として、従
来提案された別の方式が知られている。ＭＴＣＲＯＯＰ
ＴＴＣ５ＮＥＷＳ Ｖｏｌ、６ Ｎｏｌ Ｐａｇｅ７０
１９８８年に示されているように、この提案では、ＴＥ
、ＴＭの直交した２モートて同時発振する半導体レーザ
な用い、この両側に１／４波長板フアラデローテータな
どを設け、光磁気記録膜からの反射とのビート周波数の
変化を検出する。この方式ては、高性能に光磁気信号を
検出することはできるが、ひかし複雑な構成のため、光
ヘットの小型化の実現はむずかしい。In addition, another method proposed in the past is known as a detection system for reading signals from a magneto-optical disk. MTCROOP
TTC5NEWS Vol, 6 Nol Page 70
As shown in 1988, this proposal
A semiconductor laser is used that simultaneously oscillates with two orthogonal motes of TM, and a quarter-wave plate Fara derotator is provided on both sides of the laser to detect changes in the beat frequency due to reflection from the magneto-optical recording film. Although this method can detect magneto-optical signals with high performance, it is difficult to realize miniaturization of the optical head due to the relatively complicated structure.
このように、従来技術においては、光磁気信号の検出が
可能であり、かつ小型光ヘッドの構成か可能となるよう
な光学検出方式が存在しなかった。As described above, in the prior art, there has been no optical detection method that is capable of detecting magneto-optical signals and that allows for the construction of a compact optical head.
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、半導体レーザからの直線偏光光束を投
光光学系により、情報記録面上に導き、情報記録面から
の反射光を、前記投光光学系を介して受光光学系により
光検出器に導き、磁気光学効果を利用して前記情報記録
面上に記録された情報の再生を行う磁気情報再生光学装
置において１両端面上に微小発光領域を有する前記半導
体レーザの、少なくとも前記投光光学系側端面」―に反
射防止膜を設け、前記投光光学系内に、半導体レーザか
らの直線偏光を透過する偏光選択光学素子と、前記直線
偏光を往復させるとその偏光面を９０度回転させる偏光
方向回転光学素子とを設け、前記情報記録面からの反射
光を、前記投光光学系により再度前記半導体レーザの発
光望域上に光スポットとして再結像させ、前記半導体レ
ーザの発光光強度の変化を検出することにより、前記情
報面上に記録された磁気情報の構成要素である磁区エツ
ジを高精度に検出てき、エツジ検出能力か高くかつ小型
の光ヘッドを実現させる事かできる。[Means for Solving the Problems] According to the present invention, a linearly polarized light beam from a semiconductor laser is guided onto an information recording surface by a projection optical system, and reflected light from the information recording surface is directed to the projection optical system. A magnetic information reproducing optical device for reproducing information recorded on the information recording surface using the magneto-optic effect by guiding the light to a photodetector by a light receiving optical system through a light receiving optical system. An anti-reflection film is provided on at least the end surface of the semiconductor laser on the side of the light projection optical system, and a polarization selection optical element that transmits the linearly polarized light from the semiconductor laser is provided in the light projection optical system, and a polarization selective optical element that transmits the linearly polarized light back and forth. A polarization direction rotation optical element is provided which rotates the polarization plane by 90 degrees when the light is reflected from the information recording surface, and the light reflected from the information recording surface is refocused as a light spot onto the desired light emission area of the semiconductor laser by the projection optical system. By imaging and detecting changes in the intensity of light emitted from the semiconductor laser, magnetic domain edges, which are components of the magnetic information recorded on the information surface, can be detected with high precision. It is possible to realize an optical head.
［実施例］
以下図面に従い本発明を説明する。第１図から第３図は
本発明の第１実施例を説明するための図である。[Example] The present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 3 are diagrams for explaining a first embodiment of the present invention.
第１図は本発明による光磁気信号再生用光へラドの概略
図である。同図において、ｌは先導波路層２を有し、波
長λの直線偏光（この電界ベクトル方向を図中Ｅて示す
）を発する半導体レーザてあり、投光光束射出端面３上
には、この波長に対する反射防止膜が設けである。反対
側の端面４は通常の半導体レーザ構造と同じであり、反
射防■ト膜はなく、高反射面となっている。５はこの端
面４からの射出光束の強度を検出する光電変換素子であ
る。６は半導体レーザからの光束を平行光束に変換する
コリメータレンズてあり、半導体レーザの光束射出点は
このレンズの焦点に設けられている。７は２０て示され
る水平方向の偏光成分はほとんど透過し、これと直交す
る方向の偏光成分を１００％吸収する偏光選択素子とし
ての検光子である。８はファラデーローテータてあり、
Ｅで示されるような水平方向の電界ベクトルを有する直
線偏光がこれを通過すると、その電界ベクトルの方向を
１６で示すように反時計回りに４５度回転させる機能を
有する。９は対物レンズである。対物レンズ９により集
光された光束は、光磁気ディスクの透明基板を透過し、
情報トラック１２上に投光スポット１０をつくる。１２
は光磁気ディスク記録媒体面上に設けられた情報トラッ
クの１ってあり、１１は光スポットのトラッキング制御
用に設けられた案内溝である。１３゜１４はこの情報ト
ラック上に記録された情報ビットてあり、エツジ１５を
境界にして、各々の領域で反対方向の磁化を有する。領
域１３では磁化は図中Ｍで示されるように投光光軸と平
行であり、かつ対物レンズの方向をむいていて、領域１
４てはこれと逆の方向であるとする。FIG. 1 is a schematic diagram of an optical helad for magneto-optical signal reproduction according to the present invention. In the figure, l is a semiconductor laser which has a guiding waveguide layer 2 and emits linearly polarized light of wavelength λ (this electric field vector direction is shown as E in the figure). An anti-reflection coating is provided. The opposite end surface 4 has the same structure as a normal semiconductor laser, and has no anti-reflection film and is a highly reflective surface. Reference numeral 5 denotes a photoelectric conversion element that detects the intensity of the light beam emitted from the end face 4. A collimator lens 6 converts the light beam from the semiconductor laser into a parallel light beam, and the light beam exit point of the semiconductor laser is provided at the focal point of this lens. Reference numeral 7 designates an analyzer as a polarization selection element which transmits almost all polarized light components in the horizontal direction shown by 20 and absorbs 100% of the polarized light components in the direction perpendicular to the horizontal direction. 8 has a Faraday rotator,
When linearly polarized light having a horizontal electric field vector as shown by E passes through it, it has the function of rotating the direction of the electric field vector by 45 degrees counterclockwise as shown by 16. 9 is an objective lens. The light beam focused by the objective lens 9 passes through the transparent substrate of the magneto-optical disk,
A light projection spot 10 is created on the information track 12. 12
1 is one of the information tracks provided on the surface of the magneto-optical disk recording medium, and 11 is a guide groove provided for tracking control of the optical spot. Information bits 13 and 14 are recorded on this information track, and have magnetization in opposite directions in each area with the edge 15 as the boundary. In region 13, the magnetization is parallel to the projection optical axis, as shown by M in the figure, and is directed toward the objective lens.
4 is in the opposite direction.
領域１３に入射した光スポット１０の光束は、入射前の
電界ベクトルの方向は１６てあったが、 ＴｂＦｅＣｏ
なとのアモルファス合金から成る光磁気配Ｍ膜により反
射された光束は、領域１３の磁化の影響を受け、その電
界ベクトルの方向か１７で示されるようにθたけ回転す
る。Although the direction of the electric field vector of the light flux of the light spot 10 incident on the region 13 was 16 before the incident, TbFeCo
The light flux reflected by the magneto-optical M film made of an amorphous alloy is influenced by the magnetization of the region 13, and rotates by θ as shown by 17 in the direction of the electric field vector.
この光束は再び対物レンズ９により平行光となり、ファ
ラデーローテータ８を透過する事によリ、さらに４５度
の偏光面の回転を受け１図中１８で示されるような電界
ベクトルの方向となる。この光束は、さらに検光子７に
より２０で示される方向の電界ベクトル成分１９のみが
透過され、コリメータレンズ６により反射防市膜が設け
られた半導体レーザの射出点上に再結像する。This light beam becomes parallel light again by the objective lens 9, and when it passes through the Faraday rotator 8, the plane of polarization is further rotated by 45 degrees, resulting in an electric field vector direction as shown by 18 in FIG. Further, the analyzer 7 transmits only the electric field vector component 19 in the direction 20 of this light beam, and the collimator lens 6 re-images it on the emission point of the semiconductor laser provided with the anti-reflective film.
一方領域１４て反射された光スポット１０の光束は、磁
化の方向が逆になっているため、この影響により電界ベ
クトルの回転方向は一〇となり、ファラデーローテーク
８．検光子７を通過する事により、やはり電界ベクトル
１９の成分のみか、半導体レーザの射出端面上に再結像
される。On the other hand, since the direction of magnetization of the light beam of the light spot 10 reflected by the region 14 is reversed, the direction of rotation of the electric field vector becomes 10 due to this influence, resulting in a Faraday low take of 8. By passing through the analyzer 7, only the component of the electric field vector 19 is reimaged on the emission end face of the semiconductor laser.
この時検光子透過直後のコリメータレンズ６に入射直前
の反射光束波面上での位相分布を見ると、領域１３、領
域１４の゛磁化の影響による電界ベクトルの回転方向が
逆になっているため、領域１３からの反射光束と領域１
４からの反射光束とは位相かπたけ異なっている。この
ような波面なレンズ６により再結像すると、第２図に示
すように、半導体レーザｌの射出端面上の光量分布はこ
のπの位相分布のため単一のスポット光とならず、先導
波路層２（この厚みは通常１ｕｓ＋程度である）上下に
分かれた２つのスポット光２１．２２となる。（波動光
学 第１刷２８５ページ 久保磁広著 岩波古店刊１９
７１年参照）
したかってこのような場合、半導体レーザｌの光導波路
層へ再入射する光量は大幅に少なくなり、半導体レーザ
からの発光光量か減少する。At this time, looking at the phase distribution on the wavefront of the reflected light beam just before it enters the collimator lens 6 after passing through the analyzer, we see that the directions of rotation of the electric field vectors due to the influence of magnetization in regions 13 and 14 are opposite, Reflected light flux from area 13 and area 1
The phase is different from that of the reflected light beam from 4 by π. When the image is re-imaged by the lens 6 with such a wavefront, as shown in FIG. Layer 2 (this thickness is usually about 1 us+) becomes two spot lights 21 and 22 separated into upper and lower parts. (Wave Optics 1st printing page 285, written by Toshihiro Kubo, published by Iwanami Furuten 19)
(Refer to 1971) Therefore, in such a case, the amount of light that re-enters the optical waveguide layer of the semiconductor laser I is significantly reduced, and the amount of light emitted from the semiconductor laser is also reduced.
第３図は情報トラック、ヒに投光したスポット内に情報
磁区のエツジか存在しない場合における。半導体レーザ
光束射出端面上に再結像されたスポット光の光量分布を
示している。この場合には１反射光束内に磁区エツジに
より発生するπの位相分布は存在せず１反射光束は通常
の再結像の光スポツト分布となり、光導波路層２−ヒに
スポット２３か再結像される。FIG. 3 shows the case where there is no edge of the information magnetic domain within the spot projected onto the information track. It shows the light intensity distribution of the spot light re-imaged on the semiconductor laser beam emitting end surface. In this case, there is no phase distribution of π generated by the magnetic domain edge within one reflected beam, and one reflected beam becomes a normal re-imaging optical spot distribution, and the spot 23 is re-imaged on the optical waveguide layer 2-A. be done.
したかってこの場合には、半導体レーザの先導波路層内
に再入射する光■は、先の第２図に比べて大幅に増え、
半導体レーザの発光光量が増加する。Therefore, in this case, the amount of light re-entering into the leading waveguide layer of the semiconductor laser increases significantly compared to the previous figure 2,
The amount of light emitted by the semiconductor laser increases.
この半導体レーザの駆ｌｈ電流を先の従来例第４図と同
様に、半導体レーザ１への再入射光量の大小によりレー
ザ発振モードとＬＥＤ発光モートとが切り替わる点に設
定し、この駆動電流において、半導体レーザの発光強度
変化を光電変換素子５により検出すれば、投光スポット
内に情報磁区のエツジか存在するか否かが精度良く検出
てきる。このようにして半導体レーザの発振状態の変化
を検出して情報磁区エツジの存在を検出する。The drive lh current of this semiconductor laser is set at a point where the laser oscillation mode and the LED light emission mode are switched depending on the magnitude of the amount of light re-entering the semiconductor laser 1, as in the prior art example shown in FIG. 4, and at this drive current, If the change in the emission intensity of the semiconductor laser is detected by the photoelectric conversion element 5, it is possible to accurately detect whether or not an edge of the information magnetic domain exists within the projected light spot. In this way, the presence of an information magnetic domain edge is detected by detecting a change in the oscillation state of the semiconductor laser.
この実施例においては、情報磁区エツジの存否にかかわ
らず半導体レーザ１の射出端面上に常に戻ってくるバイ
アス偏光成分を検光子７によりカットしている。しかし
、半導体レーザ１内の光導波路２の偏光選択性能が非常
に高ければ、この検光子７の機能を先導波路２が発揮し
てくれるのてこの検光子７は不要となる。In this embodiment, the analyzer 7 cuts off the bias polarized light component that always returns onto the emission end face of the semiconductor laser 1 regardless of the presence or absence of an information magnetic domain edge. However, if the polarization selection performance of the optical waveguide 2 in the semiconductor laser 1 is very high, the analyzer 7 as a lever becomes unnecessary since the leading waveguide 2 performs the function of the analyzer 7.
またこの実施例においては、投光光学系内の水平方向偏
光成分を選択するための偏光選択素子として偏光吸収型
検光子７を用いたが、更に光の利用効率を向上させる目
的には、この偏光選択光学素子として水平方向の偏光成
分のみを透過し、これ以外の偏光成分を反射する偏光ビ
ームスプリッタ−を用いれば良い。さらにこの偏光ビー
ムスプリッタ−から反射光束を光ヘットに必須なサーボ
光学系、つまりオートトラッキング用光学系、オートフ
ォーカシング用光学系などに導き、従来公知の各種検出
光学系を使えはさらなる光利用率の向上か図れる。Furthermore, in this embodiment, a polarization absorbing analyzer 7 was used as a polarization selection element for selecting the horizontal polarization component in the projection optical system. A polarization beam splitter that transmits only horizontal polarization components and reflects other polarization components may be used as the polarization selection optical element. Furthermore, the reflected light beam from this polarizing beam splitter is guided to a servo optical system essential to the optical head, such as an optical system for auto-tracking, an optical system for auto-focusing, etc., and various conventional detection optical systems can be used to further improve the light utilization efficiency. It can be improved.
本実施例では、従来の光ヘツド光学系にそれほど大きな
変更を加える事なく、精度よくエツジを検出できる光ヘ
ッドを実現することかできる。さらに本実施例において
は、外部共振器構造の半導体レーザな光検出器として用
いているので、少ない光量でも＃を幅することか可能で
あり、検出感度をあげる享かてきる。In this embodiment, it is possible to realize an optical head that can detect edges with high precision without making any major changes to the conventional optical head optical system. Furthermore, in this embodiment, since a semiconductor laser having an external cavity structure is used as a photodetector, it is possible to widen # even with a small amount of light, and the detection sensitivity can be increased.
また、この実施例ては光磁気ディスク用の光ヘットの場
合を説明したか、本発明はこれに限定されるものてはな
く１例えば、垂直磁気膜を用いた高分解能な磁気リニア
スケールエンコータの信号読みたし系などにも用いるこ
とかてきる。Furthermore, although this embodiment has been described for an optical head for a magneto-optical disk, the present invention is not limited thereto; for example, a high-resolution magnetic linear scale encoder using a perpendicular magnetic film is used. It can also be used for signal reading systems.
［発明の効果］
以上説明したように１本発明は光磁気記録膜によって生
じる磁気カー効果により発生する位相分布のとびを、光
スポットを再結像することにより外部共振器の発振光強
度の変化として検出し、従来の光磁気ヘットの構造を大
幅に複雑化することなく、高精度に情報磁区エツジを検
出てきる光磁気ディスク用の光ヘットを実現するもので
ある。[Effects of the Invention] As explained above, one aspect of the present invention is to correct the jump in the phase distribution caused by the magnetic Kerr effect caused by the magneto-optical recording film by reimaging the optical spot to change the oscillation light intensity of the external resonator. The present invention aims to realize an optical head for a magneto-optical disk that can detect information magnetic domain edges with high precision without significantly complicating the structure of a conventional magneto-optical head.
第１図から第３図は本発明の磁気情報再生光学装置の第
１実施例を説明する図、
第４図は従来の光ヘッドの構成を説明する図である。
ｌ・・・半導体レーザ
２・・・光導波路層
３・・・投光光束射出端面
８・・・ファラデーローテータ1 to 3 are diagrams illustrating a first embodiment of the magnetic information reproducing optical device of the present invention, and FIG. 4 is a diagram illustrating the configuration of a conventional optical head. l... Semiconductor laser 2... Optical waveguide layer 3... Projected light beam exit end surface 8... Faraday rotator
Claims (2)
より、磁気情報記録面上に導き、前記情報記録面からの
反射光を、前記投光光学系を介して光検出器に導き、磁
気光学効果を利用して前記磁気情報記録面上に記録され
た信号の再生を行う磁気情報再生光学装置において、両
端面上に微小発光領域を有する前記半導体レーザの、少
なくとも前記投光光学系側端面上に反射防止膜を設け、
前記半導体レーザからの直線偏光を透過する偏光選択光
学素子と、前記直線偏光を往復させるとその偏光面を９
０度回転させる偏光方向回転光学素子とを前記投光光学
系内に設け、前記上記記録面からの反射光を、前記投光
光学系により再度前記半導体レーザの発光領域上に光ス
ポットとして再結像させ、前記半導体レーザの発光光強
度の変化を検出することにより、前記情報記録面上に記
録された情報磁区のエッジを検出する事を特徴とする磁
気情報再生光学装置。(1) A linearly polarized light beam from a semiconductor laser is guided onto a magnetic information recording surface by a light projection optical system, and the reflected light from the information recording surface is guided to a photodetector via the light projection optical system. In a magnetic information reproducing optical device that reproduces a signal recorded on the magnetic information recording surface by utilizing an optical effect, at least an end face on the projection optical system side of the semiconductor laser having minute light emitting regions on both end faces. An anti-reflection film is provided on top.
A polarization selective optical element that transmits the linearly polarized light from the semiconductor laser, and when the linearly polarized light is reciprocated, the plane of polarization is changed to 9.
A polarization direction rotating optical element that rotates the polarization direction by 0 degrees is provided in the light projection optical system, and the light reflected from the recording surface is refocused by the light projection optical system onto the light emitting region of the semiconductor laser as a light spot. A magnetic information reproducing optical device characterized in that an edge of an information magnetic domain recorded on the information recording surface is detected by imaging and detecting a change in the intensity of light emitted from the semiconductor laser.
、ファラデーローテータである事を特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の磁気情報再生光学装置。(2) The magnetic information reproducing optical device according to claim 1, wherein the polarization direction rotating optical element in the light projection optical system is a Faraday rotator.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29270890A JPH04167243A (en) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | Optical apparatus for reproducing magnetically recorded information |
| DE69126160T DE69126160T2 (en) | 1990-03-16 | 1991-03-15 | Optical information recording / reproducing apparatus |
| EP91302268A EP0447265B1 (en) | 1990-03-16 | 1991-03-15 | Optical information recording/reproducing apparatus |
| US08/165,548 US5581532A (en) | 1990-03-16 | 1993-12-13 | Optical information recording/reproducing apparatus for accurately detecting magnetic domain edges |
| US08/282,768 US5712840A (en) | 1990-03-16 | 1994-07-29 | Optical information recording/reproduciing apparatus having two-division detectors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29270890A JPH04167243A (en) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | Optical apparatus for reproducing magnetically recorded information |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167243A true JPH04167243A (en) | 1992-06-15 |
Family
ID=17785282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29270890A Pending JPH04167243A (en) | 1990-03-16 | 1990-10-29 | Optical apparatus for reproducing magnetically recorded information |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04167243A (en) |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP29270890A patent/JPH04167243A/en active Pending
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