JPH04163848A - Ion implantation device - Google Patents
Ion implantation deviceInfo
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- JPH04163848A JPH04163848A JP2288971A JP28897190A JPH04163848A JP H04163848 A JPH04163848 A JP H04163848A JP 2288971 A JP2288971 A JP 2288971A JP 28897190 A JP28897190 A JP 28897190A JP H04163848 A JPH04163848 A JP H04163848A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン注入装置に関し、特にイオン源の構造に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an ion implanter, and more particularly to the structure of an ion source.
従来、イオン注入装置のイオン源は、第２図に示すよう
に構成されていた。Conventionally, an ion source of an ion implantation apparatus has been configured as shown in FIG.
即ち、アークチャンバー４内に備えられた１本のフィラ
メント５に電流を流し、カス導入管１０からは不純物ガ
スをアークチャンバー４内に流し込む。一方、イオン源
室外壁１３のアークチャンバー４が位置する場所に、フ
ィラメント５の長さ方向に一対のソースマグネット８が
設置されている。このソースマグネット８による磁界と
フィラメントから放出される電子と不純物ガスにより、
アークチャンバー４内にはプラズマか生成される。この
プラズマは、講か切られたフロントスリット９を通して
マイナスに印加された引出電極６によりイオンビーム１
２として取出される。That is, a current is passed through one filament 5 provided in the arc chamber 4, and impurity gas is flowed into the arc chamber 4 from the waste introduction pipe 10. On the other hand, a pair of source magnets 8 are installed in the length direction of the filament 5 at a location on the outer wall 13 of the ion source chamber where the arc chamber 4 is located. Due to the magnetic field from this source magnet 8 and the electrons and impurity gas emitted from the filament,
Plasma is generated within the arc chamber 4. This plasma is applied to the ion beam 1 by the extraction electrode 6 which is negatively applied through the cut front slit 9.
2.
上述したように従来のイオン注入装置のイオン源は、１
個のアークチャンバー４しか設置されていないため取り
出されるイオンビームか少い。この為、イオン注入工程
での処理能力が低いという欠点がある。As mentioned above, the ion source of the conventional ion implanter has 1
Since only three arc chambers 4 are installed, the number of ion beams that can be taken out is small. Therefore, there is a drawback that the throughput in the ion implantation process is low.
本発明のイオン注入装置は、イオン源から引出されたイ
オンビームをターゲットに注入するイオン注入装置にお
いて、前記イオンビームの中心線を対称軸としてＶ字形
状に２個のイオン源を配置したものである。The ion implantation apparatus of the present invention is an ion implantation apparatus for implanting an ion beam extracted from an ion source into a target, in which two ion sources are arranged in a V-shape with the center line of the ion beam as an axis of symmetry. be.
次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例のイオン源の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of an ion source according to an embodiment of the present invention.
第１図において、イオン注入装置のイオン源は、ターゲ
ット（図示せず）に注入されるイオンビーム１２の中心
線を対称軸として、７字形状く角度的３０°）に配置さ
れた第１及び第２のイオン源２．３とから構成されてい
る。各イオン源は同一構造のものであり、イオン源室１
内にはガス導入管１０に接続されたアークチャンバー４
が設けられており、その内部にはフィラメント導入端子
１１に接続するフィラメント５が設けられている。そし
て、フィラメント５の前方には溝が切られたフロントス
リット１が設けられている。In FIG. 1, the ion source of the ion implantation apparatus has first and second ion sources arranged in a figure 7 shape at an angle of 30° with the center line of the ion beam 12 implanted into a target (not shown) as the axis of symmetry. It is composed of a second ion source 2.3. Each ion source has the same structure, with ion source chamber 1
Inside is an arc chamber 4 connected to a gas introduction pipe 10.
A filament 5 connected to the filament introduction terminal 11 is provided inside the filament. A front slit 1 having a groove is provided in front of the filament 5.
これに伴い、各々のイオン源２，３内のアークチャンバ
ー４に対してプラズマ生成の為のソースマグネット８を
設置するが、中心のソースマグネットは両アークチャン
バーの共有として設置する。また、両イオン源２．３か
ら生成されたイオンビーム１２は、従来の引出電極とは
異なり、断面がくの字形の引圧型ｉ７ＡとＶ字形引出電
極７Ｂにより収束させている。Accordingly, a source magnet 8 for plasma generation is installed in the arc chamber 4 in each of the ion sources 2 and 3, but the central source magnet is installed to be shared by both arc chambers. Further, the ion beam 12 generated from both ion sources 2.3 is focused by a suction type i7A having a dogleg-shaped cross section and a V-shaped extraction electrode 7B, unlike conventional extraction electrodes.
以上説明したように本発明は、イオンビームの中心線に
対して２個のイオン源をＶ字形状に配置する事により、
取り出されるイオンビームは従来の約２倍に増加するた
め、ウェハー処理能力を向上させることができるという
効果がある。As explained above, the present invention has two ion sources arranged in a V-shape with respect to the center line of the ion beam.
Since the number of ion beams extracted is approximately twice that of the conventional method, it has the effect of improving wafer processing capacity.
第１図は本発明の一実施例のイオン源の断面図、第２図
は従来例のイオン源の断面図である。
１・・・イオン源室、２・・・第１イオン源、３・−・
第２イオン源、４・・・アークチャンバー、５・・・フ
ィラメント、６・・・引出電極、７Ａ、７Ｂ・・・引出
電極、８・・ソースマグネット、９・・・フロントスリ
ット、１０・・・ガス導入管、１１・・・フィラメント
導入端子、１２・・・イオンビーム、１３・・・イオン
源室外壁。FIG. 1 is a sectional view of an ion source according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a conventional ion source. 1... Ion source chamber, 2... First ion source, 3...
Second ion source, 4... Arc chamber, 5... Filament, 6... Extracting electrode, 7A, 7B... Extracting electrode, 8... Source magnet, 9... Front slit, 10... - Gas introduction tube, 11... filament introduction terminal, 12... ion beam, 13... ion source chamber outer wall.
Claims (1)
注入するイオン注入装置において、前記イオンビームの
中心線を対称軸としてＶ字形状に２個のイオン源を配置
したことを特徴とするイオン注入装置。An ion implantation apparatus for implanting an ion beam extracted from an ion source into a target, characterized in that two ion sources are arranged in a V-shape with the center line of the ion beam as an axis of symmetry.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2288971A JPH04163848A (en) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | Ion implantation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2288971A JPH04163848A (en) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | Ion implantation device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04163848A true JPH04163848A (en) | 1992-06-09 |
Family
ID=17737173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2288971A Pending JPH04163848A (en) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | Ion implantation device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04163848A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007009303A (en) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Toyohashi Univ Of Technology | Plasma surface treatment method, plasma treatment device, and work |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP2288971A patent/JPH04163848A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007009303A (en) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Toyohashi Univ Of Technology | Plasma surface treatment method, plasma treatment device, and work |
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