JPH04154125A - シリコンオキシナイトライド膜の成膜方法 - Google Patents
シリコンオキシナイトライド膜の成膜方法Info
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- JPH04154125A JPH04154125A JP28040090A JP28040090A JPH04154125A JP H04154125 A JPH04154125 A JP H04154125A JP 28040090 A JP28040090 A JP 28040090A JP 28040090 A JP28040090 A JP 28040090A JP H04154125 A JPH04154125 A JP H04154125A
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- film
- silicon oxynitride
- oxynitride film
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- plasma cvd
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコンオキシナイトライド膜の成膜方法に関
し、特にプラズマCVD法によるシリコンオキシナイト
ライド膜の成膜方法に関する。
し、特にプラズマCVD法によるシリコンオキシナイト
ライド膜の成膜方法に関する。
現在、半導体集積回路を始め電子デバイスの多くの分野
で基板に成膜を行う方法としてプラズマCVD法が利用
されている。このプラズマCVD法により近年急速に且
つ広範囲に実用化されたものとして、窒化シリコン(S
i xNy)膜、酸化シリコン(SiOx)膜あるい
はシリコンオキシナイトライド(SiOxNy)膜等の
形成がある。
で基板に成膜を行う方法としてプラズマCVD法が利用
されている。このプラズマCVD法により近年急速に且
つ広範囲に実用化されたものとして、窒化シリコン(S
i xNy)膜、酸化シリコン(SiOx)膜あるい
はシリコンオキシナイトライド(SiOxNy)膜等の
形成がある。
従来より用いられているプラズマCVD装置の構成図を
第2図に示す、この種のプラズマCVD装置によるシリ
コンオキシナイトライド膜の成膜は、加熱源9により3
00℃程度に加熱されたシリコン基板4上に原料ガスと
してシラン(SiHa)、アンモニア(NHs )及び
亜酸化窒素(N20)等を反応ガス供給口6より処理室
7に導入して、真空ポンプ12にて処理室内を所定の圧
力状態下に保持しながら基板台11と電極板5に高周波
電圧を印加することで行われる。
第2図に示す、この種のプラズマCVD装置によるシリ
コンオキシナイトライド膜の成膜は、加熱源9により3
00℃程度に加熱されたシリコン基板4上に原料ガスと
してシラン(SiHa)、アンモニア(NHs )及び
亜酸化窒素(N20)等を反応ガス供給口6より処理室
7に導入して、真空ポンプ12にて処理室内を所定の圧
力状態下に保持しながら基板台11と電極板5に高周波
電圧を印加することで行われる。
近年、LSIは高集積化が進み、微細加工技術が必要と
され、プラズマCVD装置によるシリコンオキシナイト
ライド膜においても、ステップ・カバレッジの優れた膜
が必要とされる。しがし、従来より原料ガスとして用い
られているSiH4によるシリコンオキシナイトライド
膜を酸化膜3上の段差を有するAρM2上に形成した場
合、第3図に示すように、1.0μm間隔程度の微細な
段差上では、カバレッジが不十分となり、これをデバイ
スに適用した場合、デバイスの信頼性に問題が起こる。
され、プラズマCVD装置によるシリコンオキシナイト
ライド膜においても、ステップ・カバレッジの優れた膜
が必要とされる。しがし、従来より原料ガスとして用い
られているSiH4によるシリコンオキシナイトライド
膜を酸化膜3上の段差を有するAρM2上に形成した場
合、第3図に示すように、1.0μm間隔程度の微細な
段差上では、カバレッジが不十分となり、これをデバイ
スに適用した場合、デバイスの信頼性に問題が起こる。
本発明の目的は、前記問題点を解消したシリコンオキシ
ナイトライド膜の成膜方法を提供することにある。
ナイトライド膜の成膜方法を提供することにある。
本発明のプラズマCVD法によるシリコンオキシナイト
ライド膜の成膜方法は、原料ガスに有機シランを用いる
ものである。
ライド膜の成膜方法は、原料ガスに有機シランを用いる
ものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)、(b)は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体チップの断面図である。
めの半導体チップの断面図である。
シリコン基板4の上に酸化膜3を形成し、その上に幅1
,0μm、高さ0.65μmで段差間隔1.0μmのA
η膜2を下地として、第2図で示したプラズマCVD装
置を用いて、加熱源9により300℃に加熱されたシリ
コン基板4上に原料ガスとして、テトラエトキシシラン
C3i (OC2N5)4 )を50SCCM、アンモ
ニア(NH3)を2.OSLM、亜酸化窒素(N20)
1.OSLM、それぞれ反応ガス供給口6により処理室
7に導入し、真空ポンプ12にて処理室内を2.0To
rrの圧力状態に保持しながら基板台11の電極板5に
高周波電力500Wを与えることにより、シリコンオキ
シナイトライド膜を0.55μm成膜した。
,0μm、高さ0.65μmで段差間隔1.0μmのA
η膜2を下地として、第2図で示したプラズマCVD装
置を用いて、加熱源9により300℃に加熱されたシリ
コン基板4上に原料ガスとして、テトラエトキシシラン
C3i (OC2N5)4 )を50SCCM、アンモ
ニア(NH3)を2.OSLM、亜酸化窒素(N20)
1.OSLM、それぞれ反応ガス供給口6により処理室
7に導入し、真空ポンプ12にて処理室内を2.0To
rrの圧力状態に保持しながら基板台11の電極板5に
高周波電力500Wを与えることにより、シリコンオキ
シナイトライド膜を0.55μm成膜した。
第3図に示した従来の方法による形状は、A1膜の間隔
が1.0μmではシリコンオキシナイトライド膜1のス
テップ・カバレッジが悪く、図に示すようにAJIMの
上層部の膜厚aに比べて、AiI膜の側壁部の膜厚すが
薄く、b / a = 40%であるのに対して、本実
施例による成膜方法では80%以上にまで向上する。
が1.0μmではシリコンオキシナイトライド膜1のス
テップ・カバレッジが悪く、図に示すようにAJIMの
上層部の膜厚aに比べて、AiI膜の側壁部の膜厚すが
薄く、b / a = 40%であるのに対して、本実
施例による成膜方法では80%以上にまで向上する。
第1図(b)は上記方法によりシリコンオキシナイトラ
イド膜を第1図(a)と同じ下地上に1.1μmの厚さ
に成膜した場合の形状である。
イド膜を第1図(a)と同じ下地上に1.1μmの厚さ
に成膜した場合の形状である。
従来の方法によるステップカバレッジの悪い膜では、第
3図からもわかるように、厚く成膜した場合にAJ腹膜
間完全に埋まらず、空洞なるものが発生したが、本実施
例による成膜方法では、第1図(b)に示すように完全
に埋めつくされ、平坦な膜が形成される。
3図からもわかるように、厚く成膜した場合にAJ腹膜
間完全に埋まらず、空洞なるものが発生したが、本実施
例による成膜方法では、第1図(b)に示すように完全
に埋めつくされ、平坦な膜が形成される。
反応ガスとしてテトラエキシシランの代りにテトラメト
キシシラン(St (○CH3)4)を用いてもよい、
すなわち、第2図に示したプラズマCVD装置により原
料ガスにテトラメトキシシラン70 S CCM 、
N Hs 1 、5 S L M及びN201.OSL
Mを用いて、温度400℃、圧力5.0Torr、高周
波電力500Wを与えることによりシリコンオキシナイ
トライド膜を成膜した。その結果第1図(a)で示した
幅1.0μm、高さ0.65μmで段差間隔1.0μm
のAρ膜2の下地上で、Aρ膜の上層部aとAJ!Iの
側壁部の膜厚すとの比b / aは85%にまでに向上
した。
キシシラン(St (○CH3)4)を用いてもよい、
すなわち、第2図に示したプラズマCVD装置により原
料ガスにテトラメトキシシラン70 S CCM 、
N Hs 1 、5 S L M及びN201.OSL
Mを用いて、温度400℃、圧力5.0Torr、高周
波電力500Wを与えることによりシリコンオキシナイ
トライド膜を成膜した。その結果第1図(a)で示した
幅1.0μm、高さ0.65μmで段差間隔1.0μm
のAρ膜2の下地上で、Aρ膜の上層部aとAJ!Iの
側壁部の膜厚すとの比b / aは85%にまでに向上
した。
以上説明したように本発明は、プラズマCVD装置によ
りシリコンオキシナイトライド膜の成膜において、原料
ガスに有機シランを用いることによりステッパ・カバレ
ッジの優れた膜を成膜できるという効果を有する。その
結果、半導体デバイスの信頼性を著しく高めることがで
きる。
りシリコンオキシナイトライド膜の成膜において、原料
ガスに有機シランを用いることによりステッパ・カバレ
ッジの優れた膜を成膜できるという効果を有する。その
結果、半導体デバイスの信頼性を著しく高めることがで
きる。
第1図(a)、(b)は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体チップの断面図、第2図は本発明の実施例に
使用したプラズマCVD装置の構成図、第3図は従来の
方法によるシリコンオキシナイトライド膜を形成した場
合の半導体チップの断面図である。 1・・・シリコンオキシナイトライド膜、2・・・Af
膜、3・・・酸化膜、4・・・シリコン基板、5・・・
電極板、6・・・反応ガス供給口、7・・・処理室、8
・・・高周波電源、9・・・加熱源、10・・・排出口
、11・・・基板台、 2・・・真空ポンプ。
めの半導体チップの断面図、第2図は本発明の実施例に
使用したプラズマCVD装置の構成図、第3図は従来の
方法によるシリコンオキシナイトライド膜を形成した場
合の半導体チップの断面図である。 1・・・シリコンオキシナイトライド膜、2・・・Af
膜、3・・・酸化膜、4・・・シリコン基板、5・・・
電極板、6・・・反応ガス供給口、7・・・処理室、8
・・・高周波電源、9・・・加熱源、10・・・排出口
、11・・・基板台、 2・・・真空ポンプ。
Claims (1)
- プラズマCVD法によりシリコンオキシナイトライド
膜の成膜方法において、原料ガスに有機シランを用いる
ことを特徴とするシリコンオキシナイトライド膜の成膜
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28040090A JPH04154125A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | シリコンオキシナイトライド膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28040090A JPH04154125A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | シリコンオキシナイトライド膜の成膜方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04154125A true JPH04154125A (ja) | 1992-05-27 |
Family
ID=17624503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28040090A Pending JPH04154125A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | シリコンオキシナイトライド膜の成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04154125A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0605980A2 (en) * | 1993-01-07 | 1994-07-13 | Ramtron International Corporation | Method for depositing silicon nitride and silicon oxynitride films |
EP1247876A2 (en) * | 2001-04-05 | 2002-10-09 | Canon Sales Co., Inc. | Method for manufacturing a semiconductor device |
-
1990
- 1990-10-18 JP JP28040090A patent/JPH04154125A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0605980A2 (en) * | 1993-01-07 | 1994-07-13 | Ramtron International Corporation | Method for depositing silicon nitride and silicon oxynitride films |
EP0605980A3 (en) * | 1993-01-07 | 1995-08-02 | Ramtron Int Corp | Layering process for depositing silicon nitride and silicon oxynitride. |
EP1247876A2 (en) * | 2001-04-05 | 2002-10-09 | Canon Sales Co., Inc. | Method for manufacturing a semiconductor device |
EP1247876A3 (en) * | 2001-04-05 | 2003-07-30 | Canon Sales Co., Inc. | Method for manufacturing a semiconductor device |
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