JPH04152249A - 光導波路回折格子バイオケミカルセンサー - Google Patents
光導波路回折格子バイオケミカルセンサーInfo
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- JPH04152249A JPH04152249A JP27703890A JP27703890A JPH04152249A JP H04152249 A JPH04152249 A JP H04152249A JP 27703890 A JP27703890 A JP 27703890A JP 27703890 A JP27703890 A JP 27703890A JP H04152249 A JPH04152249 A JP H04152249A
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光導波路上に取り付けた回折格子構造を利用
してバイオケミカルセンサーを作製する方法に関するも
のである。
してバイオケミカルセンサーを作製する方法に関するも
のである。
[従来の技術]
光導波路を用いたバイオケミカルセンサーでは、次のも
のが良く知られている。すなわち、スイスのグループは
ゾル−ゲル法を用いて厚さ1100n程度のS j 0
2とTi1tとの混合物の薄膜をガラス基板上に作製し
、この薄膜が柔らかい内に市販の回折格子を押し付けて
、直径2mm程度の回折格子のレリーフ(1)を持つ薄
膜光導波路(2)を作製した(例えば、W、Lukos
z and K、Tiefenthaler、5ens
ors and Actuators、 Is
f19+181 273−284)この薄膜光導波路
の回折格子部に第1図のようにレーザー光(3)を入射
して導波光を励起できる角度θは、第2図のようにクラ
ッド部(5)の屈折率ncに強く依存している。従って
、回折格子部(1)にタンパク質やイオンなどが吸着す
ることによってクラッド部(5)の屈折率ncが変化す
ると、導波光の強度(4)が変化する。これを利用して
バイオケミカルセンサーを作ることができる。しかし、
この光導波路回折格子バイオケミカルセンサーは現段階
では次に挙げた4項目のような欠点を持っている。
のが良く知られている。すなわち、スイスのグループは
ゾル−ゲル法を用いて厚さ1100n程度のS j 0
2とTi1tとの混合物の薄膜をガラス基板上に作製し
、この薄膜が柔らかい内に市販の回折格子を押し付けて
、直径2mm程度の回折格子のレリーフ(1)を持つ薄
膜光導波路(2)を作製した(例えば、W、Lukos
z and K、Tiefenthaler、5ens
ors and Actuators、 Is
f19+181 273−284)この薄膜光導波路
の回折格子部に第1図のようにレーザー光(3)を入射
して導波光を励起できる角度θは、第2図のようにクラ
ッド部(5)の屈折率ncに強く依存している。従って
、回折格子部(1)にタンパク質やイオンなどが吸着す
ることによってクラッド部(5)の屈折率ncが変化す
ると、導波光の強度(4)が変化する。これを利用して
バイオケミカルセンサーを作ることができる。しかし、
この光導波路回折格子バイオケミカルセンサーは現段階
では次に挙げた4項目のような欠点を持っている。
1、回折格子母材を押し付けて回折格子(1)を作製す
るので、均質で良質な回折格子を作るのが困難である上
、操作が面倒である。
るので、均質で良質な回折格子を作るのが困難である上
、操作が面倒である。
2、光導波路(2)となるSiO2TiOン混合膜の屈
折率と回折格子部(1)の屈折率は等しく、最大でも1
8であるために、試料溶液と接したときの励起導波光強
度が小さい。
折率と回折格子部(1)の屈折率は等しく、最大でも1
8であるために、試料溶液と接したときの励起導波光強
度が小さい。
3ゾル−ゲル法を採用しているために、上質の光導波路
を作製することが難しい、特に、ゾル−ゲル法に用いる
試薬が空気中の湿気と反応しやすいので、特に日本国内
においては過剰な湿気を避けるための装置が必要であり
、またしばしば導波光の減衰率の大きな膜しか得られな
い。
を作製することが難しい、特に、ゾル−ゲル法に用いる
試薬が空気中の湿気と反応しやすいので、特に日本国内
においては過剰な湿気を避けるための装置が必要であり
、またしばしば導波光の減衰率の大きな膜しか得られな
い。
4、光導波路(2)の材料と回折格子部(1)の材料が
同じであるために、回折格子部(11以外に吸着する光
吸収物質や光散乱物質の影響が大きく、光導波路部(2
)の回折格子部(1)付近を他の材料で覆うことが必要
である。
同じであるために、回折格子部(11以外に吸着する光
吸収物質や光散乱物質の影響が大きく、光導波路部(2
)の回折格子部(1)付近を他の材料で覆うことが必要
である。
また以下に述べるように、本発明を構成するためには、
高い屈折率を持ち、かつ操作性に優れたレジスト材料(
フォトレジストあるいは電子線レジスト)が薄膜を作製
することが必須であるが従来このような材料はなかった
6 [発明が解決しようとする課題] 本発明は、上述のような従来の光導波路回折格子バイオ
ケミカルセンサーの欠点を解決し、作製が容易で感度が
高く、かつ加工精度の高い光導波路回折格子バイオケミ
カルセンサーを作製する手法を与えることを目的とする
。また併せて1本発明に必須な高屈折率を持つレジスト
薄膜を開発することを目的としている。
高い屈折率を持ち、かつ操作性に優れたレジスト材料(
フォトレジストあるいは電子線レジスト)が薄膜を作製
することが必須であるが従来このような材料はなかった
6 [発明が解決しようとする課題] 本発明は、上述のような従来の光導波路回折格子バイオ
ケミカルセンサーの欠点を解決し、作製が容易で感度が
高く、かつ加工精度の高い光導波路回折格子バイオケミ
カルセンサーを作製する手法を与えることを目的とする
。また併せて1本発明に必須な高屈折率を持つレジスト
薄膜を開発することを目的としている。
[課題を解決する手段]
上記の目的を達成するために1本発明では光導波路部分
(6)と回折格子部分(7)とを異なる材料で作製し、
各々の特性を最適化する。光導波路部(6)には屈折率
が1.45から1,55と小さい材料を用いて導波光(
4)の損失を下げまたセンサーとして用いるときに生ず
るクラッド(5)の変化による導波路特性変化を抑える
1回折格子部(7ンには屈折率が185以上と大きな値
の材料を用いて、主なセンシングの対象である水溶液と
の屈折率差を大きくして回折格子部(7)での導波光励
起効率を上げる。更に、回折格子部(7)の材料をフォ
トレジストあるいは電子線レジストとすることによって
加工性を格段に上げる。これは、我々が発見した次の事
実を利用して初めて可能となった。すなわち、無機フォ
トレジスト材料であると同時に電子線レジスト材料であ
るポリタングステン類の薄膜の屈折率は乾燥時間に依存
して約17から2.0以上にまで変化する。従って、例
えば三光束干渉法を用いることによって屈折率が2.0
以上もある材料で回折格子を容易に作ることができる。
(6)と回折格子部分(7)とを異なる材料で作製し、
各々の特性を最適化する。光導波路部(6)には屈折率
が1.45から1,55と小さい材料を用いて導波光(
4)の損失を下げまたセンサーとして用いるときに生ず
るクラッド(5)の変化による導波路特性変化を抑える
1回折格子部(7ンには屈折率が185以上と大きな値
の材料を用いて、主なセンシングの対象である水溶液と
の屈折率差を大きくして回折格子部(7)での導波光励
起効率を上げる。更に、回折格子部(7)の材料をフォ
トレジストあるいは電子線レジストとすることによって
加工性を格段に上げる。これは、我々が発見した次の事
実を利用して初めて可能となった。すなわち、無機フォ
トレジスト材料であると同時に電子線レジスト材料であ
るポリタングステン類の薄膜の屈折率は乾燥時間に依存
して約17から2.0以上にまで変化する。従って、例
えば三光束干渉法を用いることによって屈折率が2.0
以上もある材料で回折格子を容易に作ることができる。
また、ポリタングステン酸を合成する過程で、余分なH
2O2を除去するために従来は白金触媒を用いていたの
で終点の判断が困難であり上質のフォトレジストあるい
は上質の電子線レジストを得ることがしばしば困難であ
ったので1本発明では加熱法によって余分なH2O2を
除くことによって合成方法を改良する。
2O2を除去するために従来は白金触媒を用いていたの
で終点の判断が困難であり上質のフォトレジストあるい
は上質の電子線レジストを得ることがしばしば困難であ
ったので1本発明では加熱法によって余分なH2O2を
除くことによって合成方法を改良する。
[作用]
このように回折格子部(7)と光導波路部(6)を異な
る材料で作ることにより、各々の部分の特性の最適化が
でき、該センサーの感度が上がると共に、製作行程が規
格化できるようになり、製品間のばらつきが著しく減少
した。また、回折格子部(7)を高屈折率を持つフォト
レジスト材料あるいは高屈折率を持つ電子線レジスト材
料で作製するので1回折格子部(7)の加工が容易にな
った。更に、ポリタングステン類の合成法に改良を加え
たので、高屈折率を持つフォトレジスト薄膜を容易に得
られるようになった。
る材料で作ることにより、各々の部分の特性の最適化が
でき、該センサーの感度が上がると共に、製作行程が規
格化できるようになり、製品間のばらつきが著しく減少
した。また、回折格子部(7)を高屈折率を持つフォト
レジスト材料あるいは高屈折率を持つ電子線レジスト材
料で作製するので1回折格子部(7)の加工が容易にな
った。更に、ポリタングステン類の合成法に改良を加え
たので、高屈折率を持つフォトレジスト薄膜を容易に得
られるようになった。
[実施例]
以下に、実施例により本発明を更に具体的に説明する。
実施例 1
ポリタングステン#類のNMに185以上の屈折率を持
たせること、およびポリタングステン#類を容易に合成
することは本発明において本質的であるので1本実施例
ではポリタングステン酸類の薄膜の作製方法について述
べる。ポリタングステン酸類は種々あり、ここではイソ
ポリクンゲステンM(以下、W−rPAと略記するンに
ついて詳しく述べるが、他のポリタングステン類、例え
ばヘテロポリタングステンM(以下、W−HPAと略記
する)でも同様である。
たせること、およびポリタングステン#類を容易に合成
することは本発明において本質的であるので1本実施例
ではポリタングステン酸類の薄膜の作製方法について述
べる。ポリタングステン酸類は種々あり、ここではイソ
ポリクンゲステンM(以下、W−rPAと略記するンに
ついて詳しく述べるが、他のポリタングステン類、例え
ばヘテロポリタングステンM(以下、W−HPAと略記
する)でも同様である。
まず、タングステン粉末3gをH20t15mlに反応
溶解させ、透明な溶液を得た。タングステン粉末の替わ
りにタングステン酸を使うこともできる6M反応溶液か
ら余分なH21tを除去するのに、原種(T、Kudo
、 H,Okamoto、 K、 Matsumoto
。
溶解させ、透明な溶液を得た。タングステン粉末の替わ
りにタングステン酸を使うこともできる6M反応溶液か
ら余分なH21tを除去するのに、原種(T、Kudo
、 H,Okamoto、 K、 Matsumoto
。
and Y、 5asaki、 Inorg、 Chf
、^cta、111 (+91161L27)では白金
触媒を用いているが、本発明では加熱によって行った。
、^cta、111 (+91161L27)では白金
触媒を用いているが、本発明では加熱によって行った。
すなわち、試験管容器に入れた該反応液を60°Cから
120°Cに熱した乾燥器中に置き、2h程度熱してH
2O2の除去を行った0M反応液が黄色を呈し始め、か
つ該反応液からの発泡が終わらないうちに乾燥器より取
り出した1次に該溶液を蒸発皿に移し、室温で送風して
乾燥し、黄色固体を得た。なお、反応液が黄色を呈する
前、あるいは発泡が完全に終了してから乾燥器から取り
出すと、乾燥固化の際に白色結晶が生じてしまう、しか
し、上述した反応終点の見分は方は容易であり、失敗は
少ない、但し、白色結晶が生じた場合は再び1(202
に溶解させれば該反応液とすることができる。これに対
して白金触媒を用いてH20pの分解を行うときは、発
泡が激しすぎるので終点を見分けるのが困難である。
120°Cに熱した乾燥器中に置き、2h程度熱してH
2O2の除去を行った0M反応液が黄色を呈し始め、か
つ該反応液からの発泡が終わらないうちに乾燥器より取
り出した1次に該溶液を蒸発皿に移し、室温で送風して
乾燥し、黄色固体を得た。なお、反応液が黄色を呈する
前、あるいは発泡が完全に終了してから乾燥器から取り
出すと、乾燥固化の際に白色結晶が生じてしまう、しか
し、上述した反応終点の見分は方は容易であり、失敗は
少ない、但し、白色結晶が生じた場合は再び1(202
に溶解させれば該反応液とすることができる。これに対
して白金触媒を用いてH20pの分解を行うときは、発
泡が激しすぎるので終点を見分けるのが困難である。
実施例 2
メタノールなどのアルコールあるいは蒸留水1m]あた
りに、実施例1で作製したW−TPAあるいはW−1(
PAの固体を0.45g溶解させスピンコード用の溶液
を作製した。スピンコード時の回転数と、得られたW−
IPAの薄膜の膜厚の関係を第3図に示す、但し、この
膜厚は該薄膜を十分乾燥させた後測定した1回転時間は
30秒としたがこれ以上あるいはこれ以下でも良い。
りに、実施例1で作製したW−TPAあるいはW−1(
PAの固体を0.45g溶解させスピンコード用の溶液
を作製した。スピンコード時の回転数と、得られたW−
IPAの薄膜の膜厚の関係を第3図に示す、但し、この
膜厚は該薄膜を十分乾燥させた後測定した1回転時間は
30秒としたがこれ以上あるいはこれ以下でも良い。
スピンコード後にW−ZPA@51を80°Cから12
0°Cで乾燥する時間とエリプソメトリ−で測定した該
薄膜の屈折率との関係を第4図に示す、十分に乾燥した
該薄膜の屈折率は約2.0となった。この事実は本発明
者らが初めて見いだしたことである。従来のフォトレジ
ストの屈折率は高々l 6であり1本実施例で示した約
2.0の屈折率は、フォトレジストの屈折率として、ま
たスピンコード可能な電子線レジストとして最も大きい
値である。但し、光照射によっては屈折率は余り変化し
なかった。
0°Cで乾燥する時間とエリプソメトリ−で測定した該
薄膜の屈折率との関係を第4図に示す、十分に乾燥した
該薄膜の屈折率は約2.0となった。この事実は本発明
者らが初めて見いだしたことである。従来のフォトレジ
ストの屈折率は高々l 6であり1本実施例で示した約
2.0の屈折率は、フォトレジストの屈折率として、ま
たスピンコード可能な電子線レジストとして最も大きい
値である。但し、光照射によっては屈折率は余り変化し
なかった。
実施例 3
市販スライドガラスを400°Cの溶融したKN O]
に2h浸漬する熱イオン交換法によって作製した導波層
の有効厚み約2μmのガラス光導彼路(6)上に、膜厚
的1500nmのW−IPAあるいはW−HPAの薄膜
をスピンコード法によって形成した。120”Cで30
分間乾燥させ該薄膜を乾燥させた後、He−Cdレーザ
ーを用いた二光束干渉法によって該薄膜上に周期0.
5μmの回折格子を第5図のように作製した0w−IP
AおよびW−HPAはネガ型のフォトレジストであるの
で、レーザー光が照射された部分のみ硬化し、5mmx
5mmの回折格子(7)が形成された。現像は蒸留水で
行った。120°Cで更に加熱乾燥を行って屈折率を2
,0にした。 Taや Nbなどを含む他のポリタン
グステン酸類の薄膜についても同様に高い屈折率を持つ
回折格子を作ることができる。
に2h浸漬する熱イオン交換法によって作製した導波層
の有効厚み約2μmのガラス光導彼路(6)上に、膜厚
的1500nmのW−IPAあるいはW−HPAの薄膜
をスピンコード法によって形成した。120”Cで30
分間乾燥させ該薄膜を乾燥させた後、He−Cdレーザ
ーを用いた二光束干渉法によって該薄膜上に周期0.
5μmの回折格子を第5図のように作製した0w−IP
AおよびW−HPAはネガ型のフォトレジストであるの
で、レーザー光が照射された部分のみ硬化し、5mmx
5mmの回折格子(7)が形成された。現像は蒸留水で
行った。120°Cで更に加熱乾燥を行って屈折率を2
,0にした。 Taや Nbなどを含む他のポリタン
グステン酸類の薄膜についても同様に高い屈折率を持つ
回折格子を作ることができる。
このようにして得た回折格子(7)付きのガラス光導波
路(6)を、第6図のようにセンサーに組んだ9本実施
例では溶液室(8)はアクリル樹脂性、光導波路(6)
と接する部分には屈折率が1.3程度と低いテフロンシ
ートC9)を挟んで導波光の漏れを防いだ、テフロンシ
ート(9)の代わりに、屈折率の低いM g F 2な
どを光導波路(6)の面に蒸着し、この上に溶液室(8
)をエポキシ樹脂などで固定しても良い、溶液室(8)
に蒸留水を満たした状態でHe−Neレーザー光(3)
を回折格子(7)に入射し、導波光(4)を励起した後
、pHの異なる溶液を導入したところ導波光(4)の強
度が大きく変わり、pHと導波光強度との関係はほぼ線
形であった。また、タンパク質溶液(例文ばアルブミン
)を溶液室(8)に導入したところ、導波光(4)の強
度が大きく変化し、タンパク質の濃度と導波光強度変化
とは第7図のようにほぼ比例した。ゾル−ゲル法による
光導波路回折格子バイオケミカルセンサーの感度との比
較を報告例を基にして行ったところ、本センサーの方が
5倍程度良かった。
路(6)を、第6図のようにセンサーに組んだ9本実施
例では溶液室(8)はアクリル樹脂性、光導波路(6)
と接する部分には屈折率が1.3程度と低いテフロンシ
ートC9)を挟んで導波光の漏れを防いだ、テフロンシ
ート(9)の代わりに、屈折率の低いM g F 2な
どを光導波路(6)の面に蒸着し、この上に溶液室(8
)をエポキシ樹脂などで固定しても良い、溶液室(8)
に蒸留水を満たした状態でHe−Neレーザー光(3)
を回折格子(7)に入射し、導波光(4)を励起した後
、pHの異なる溶液を導入したところ導波光(4)の強
度が大きく変わり、pHと導波光強度との関係はほぼ線
形であった。また、タンパク質溶液(例文ばアルブミン
)を溶液室(8)に導入したところ、導波光(4)の強
度が大きく変化し、タンパク質の濃度と導波光強度変化
とは第7図のようにほぼ比例した。ゾル−ゲル法による
光導波路回折格子バイオケミカルセンサーの感度との比
較を報告例を基にして行ったところ、本センサーの方が
5倍程度良かった。
実施例 4
スタンプ法あるいはホログラフィック回折格子法と光硬
化性ポリマーとを用いて、第8図のような回折格子(1
0ンつき光導波11i(11)を作製した。該ポリマー
光導波路〔11〕および該回折格子(10)の屈折率は
1.52であり、このままで水溶液に接すると水溶液と
の屈折率差が小さいために回折効率が極めて小さくなる
1次に、実施例1のようにして作製したw−rpΔある
いはW−HPAを、スピンコード法によってポリマー光
導波路(11〕および回折格子(10)上にコートした
。さらにHe−Cdレーザー光あるいは低圧水銀灯の光
を該回折格子部分のみに照射して、第9図のように該回
折格子のみW−IPAあるいはW−HPAで覆われるよ
うにした。W−IPAあるいはW−HPAとポリマーと
の間の濡れを良くするために該ポリマー膜を濃硫酸に浸
漬する。
化性ポリマーとを用いて、第8図のような回折格子(1
0ンつき光導波11i(11)を作製した。該ポリマー
光導波路〔11〕および該回折格子(10)の屈折率は
1.52であり、このままで水溶液に接すると水溶液と
の屈折率差が小さいために回折効率が極めて小さくなる
1次に、実施例1のようにして作製したw−rpΔある
いはW−HPAを、スピンコード法によってポリマー光
導波路(11〕および回折格子(10)上にコートした
。さらにHe−Cdレーザー光あるいは低圧水銀灯の光
を該回折格子部分のみに照射して、第9図のように該回
折格子のみW−IPAあるいはW−HPAで覆われるよ
うにした。W−IPAあるいはW−HPAとポリマーと
の間の濡れを良くするために該ポリマー膜を濃硫酸に浸
漬する。
あるいは酸素プラズマに喝すことによって該ポリマー膜
の表面を親水化することは有効である。
の表面を親水化することは有効である。
このようにして得られた得られた回折格子(10)付き
光導波路(11)を第5図と同様なセンサーに組んだ、
センサー特性は実施例3とほぼ同様であった。
光導波路(11)を第5図と同様なセンサーに組んだ、
センサー特性は実施例3とほぼ同様であった。
実施例 5
第10図のように、まずスライドガラス基板あるいはア
クリル樹脂製基板(13)の上に三光束干渉法あるいは
電子線真先法によってW−IPAあるいはW−HPAの
回折格子(14〕を作った。
クリル樹脂製基板(13)の上に三光束干渉法あるいは
電子線真先法によってW−IPAあるいはW−HPAの
回折格子(14〕を作った。
次に、この上を第11図のように光硬化性樹脂あるいは
ガラスで覆って光導波路部(15)を作製した。光硬化
性樹脂の場合はスピンコード法で、ガラスの場合はスパ
ッタリング法で薄膜を形成した。このようにして作製し
た回折格子付き光導波路を第5図と同様なセンサーに組
んだ、センサー特性は実施例3とほぼ同様であった。
ガラスで覆って光導波路部(15)を作製した。光硬化
性樹脂の場合はスピンコード法で、ガラスの場合はスパ
ッタリング法で薄膜を形成した。このようにして作製し
た回折格子付き光導波路を第5図と同様なセンサーに組
んだ、センサー特性は実施例3とほぼ同様であった。
[発明の効果]
本発明は以下に記載されるような効果を奏する。
本発明になる光導波路回折格子バイオケミカルセンサー
では、光導波路部の材料の屈折率を低(し、回折格子部
の材料の屈折率を高くしであるので、光導波路部での導
波光の減衰が減り、また溶液中の物質の光導波路部への
吸着の影響が減少するとともに回折格子部での回折効率
が上がってセンサーの感度が増した。また、該センサー
の回折格子部の材料として本発明者らが見いだした1゜
85以上の高屈折率を持つレジスト材料を用いているた
めに1回折格子構造の工作精度が上がるとともに加工も
容易になった。更に、該レジスト材料の合成過程を改良
したので、容易に該レジスト材料が得られるようになっ
た。
では、光導波路部の材料の屈折率を低(し、回折格子部
の材料の屈折率を高くしであるので、光導波路部での導
波光の減衰が減り、また溶液中の物質の光導波路部への
吸着の影響が減少するとともに回折格子部での回折効率
が上がってセンサーの感度が増した。また、該センサー
の回折格子部の材料として本発明者らが見いだした1゜
85以上の高屈折率を持つレジスト材料を用いているた
めに1回折格子構造の工作精度が上がるとともに加工も
容易になった。更に、該レジスト材料の合成過程を改良
したので、容易に該レジスト材料が得られるようになっ
た。
4、
第1図は従来の光導波路回折格子バイオケミカルセンサ
ーの縦断面図、第2図は回折格子からレーザー光を入射
して導波光を励起する時の最適角度とクラッド部の屈折
率との関係である。第3図は、W−IPAをスピンコー
ド法によって作製するときの回転数と膜厚との関係であ
り、第4図はスピンコードによって得られたW−IPA
薄膜の屈折率と乾燥時間との関係である。第5図はW−
IPAからなる回折格子構造を取り付けたガラス光導波
路の斜視図、第6図は第5図の光導波路をバイオケミカ
ルセンサーに組んだ状態の縦断面図、第7図は第6図の
センサーを用いて溶液中のアルブミンのセンシングを行
った例である。第8図は光硬化性樹脂を用いて作製した
回折格子つき光導波路の縦断面図、第9図は第8図の回
折格子をW−TPAまたはW−HPAで覆った状態の縦
断面図である。第10図はガラス基板上にW−IPAま
たはW−HPAからなる回折格子を取り付けた状態の縦
断面図、第11図は第10図に示した基板と回折格子を
先導波層で覆った状態の縦断面図である。 1・・・回折格子レリーフ、2.11.15・・・薄膜
光導波路あるいは導波層、3・・・レーザー光、4・・
・導波光、5・・・クラッド部、6・・・ガラス光導波
路、7,10.14・・・回折格子、8・・・溶液室、
9・・・テフロンシート、12・・・高屈折率フォトレ
ジスト膜、13・・・スライドガラス
ーの縦断面図、第2図は回折格子からレーザー光を入射
して導波光を励起する時の最適角度とクラッド部の屈折
率との関係である。第3図は、W−IPAをスピンコー
ド法によって作製するときの回転数と膜厚との関係であ
り、第4図はスピンコードによって得られたW−IPA
薄膜の屈折率と乾燥時間との関係である。第5図はW−
IPAからなる回折格子構造を取り付けたガラス光導波
路の斜視図、第6図は第5図の光導波路をバイオケミカ
ルセンサーに組んだ状態の縦断面図、第7図は第6図の
センサーを用いて溶液中のアルブミンのセンシングを行
った例である。第8図は光硬化性樹脂を用いて作製した
回折格子つき光導波路の縦断面図、第9図は第8図の回
折格子をW−TPAまたはW−HPAで覆った状態の縦
断面図である。第10図はガラス基板上にW−IPAま
たはW−HPAからなる回折格子を取り付けた状態の縦
断面図、第11図は第10図に示した基板と回折格子を
先導波層で覆った状態の縦断面図である。 1・・・回折格子レリーフ、2.11.15・・・薄膜
光導波路あるいは導波層、3・・・レーザー光、4・・
・導波光、5・・・クラッド部、6・・・ガラス光導波
路、7,10.14・・・回折格子、8・・・溶液室、
9・・・テフロンシート、12・・・高屈折率フォトレ
ジスト膜、13・・・スライドガラス
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、屈折率が1.45から1.55の材料からなる光導
波層(6)の上部に取り付けた1.85以上の屈折率を
持つ材料からなる回折格子(7)が感応部であることを
特徴とする光導波路回折格子バイオケミカルセンサー。 2、回折格子構造(7)を1.85以上の屈折率を持つ
フォトレジスト材料あるいは1.85以上の屈折率を持
つ電子線レジスト材料で作製することを特徴とする請求
項1記載の光導波路回折格子バイオケミカルセンサー。 3、イソポリタングステン酸あるいはヘテロポリタング
ステン酸あるいはこれらポリタングステン酸類を構成要
素の一つとする材料からなる薄膜を形成した後に乾燥固
化させることを特徴とする1.85以上の屈折率を持つ
フォトレジスト薄膜の作製法。 4、反応溶液から余分なH_2O_2を加熱によって除
去することを特徴とするイソポリタングステン酸あるい
はヘテロポリタングステン酸の合成法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27703890A JPH04152249A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 光導波路回折格子バイオケミカルセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27703890A JPH04152249A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 光導波路回折格子バイオケミカルセンサー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04152249A true JPH04152249A (ja) | 1992-05-26 |
Family
ID=17577916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27703890A Pending JPH04152249A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 光導波路回折格子バイオケミカルセンサー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04152249A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002139430A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-17 | Kurabo Ind Ltd | 被測定成分濃度の測定方法 |
WO2017006679A1 (ja) * | 2015-07-07 | 2017-01-12 | 古野電気株式会社 | 測定用チップ、測定装置、および測定方法 |
JP2019049530A (ja) * | 2017-07-12 | 2019-03-28 | ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングDr. Johannes Heidenhain Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | 回折バイオセンサ |
WO2020027197A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 積水化学工業株式会社 | 検査方法、検査用器具及び検査装置 |
EP3896530A4 (en) * | 2018-12-11 | 2022-03-16 | Sony Group Corporation | HOLOGRAM RECORDING COMPOSITION, HOLOGRAM RECORDING MEDIA, DIFFRACTION OPTICAL ELEMENT, AND OPTICAL DEVICE, OPTICAL COMPONENT, AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH A DIFFRACTION OPTICAL ELEMENT IS USED |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP27703890A patent/JPH04152249A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002139430A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-17 | Kurabo Ind Ltd | 被測定成分濃度の測定方法 |
WO2017006679A1 (ja) * | 2015-07-07 | 2017-01-12 | 古野電気株式会社 | 測定用チップ、測定装置、および測定方法 |
US10732104B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-08-04 | Furuno Electric Co., Ltd. | Measuring chip, measuring device and measuring method |
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WO2020027197A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 積水化学工業株式会社 | 検査方法、検査用器具及び検査装置 |
JPWO2020027197A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2021-09-24 | 積水化学工業株式会社 | 検査方法、検査用器具及び検査装置 |
EP3896530A4 (en) * | 2018-12-11 | 2022-03-16 | Sony Group Corporation | HOLOGRAM RECORDING COMPOSITION, HOLOGRAM RECORDING MEDIA, DIFFRACTION OPTICAL ELEMENT, AND OPTICAL DEVICE, OPTICAL COMPONENT, AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH A DIFFRACTION OPTICAL ELEMENT IS USED |
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