JPH04151848A - スクリーニング装置およびスクリーニング試験法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はスクリーニング技術、特に多ビームレーザアレ
イ等の光電子装置のスクリーニングに適用して有効な技
術に関する。

〔従来の技術〕

半導体レーザは光通信用光源あるいは情報処理用光源と
して広く使用されている。また、半導体レーザ装置とし
ては、レーザビームを複数発光する多ビームレーザ（マ
ルチビームレーザ）も開発されている。たとえば、工業
調査会発行「電子材料Ｊ１９８７年２月号、昭和６２年
３月１日発行、Ｐ７２〜Ｐ７６には、半導体レーザチッ
プがハイブリッド形あるいはモノリシック形となる３ビ
一ム半導体レーザの構造および特性が開示されている。

また、この文献にはモノリシック形のマルチビーム動作
時の特性についても触れられ、隣接する素子の動作によ
る出力変動や発振スペクトル変動についても記載されて
いる。

一方、半導体レーザにおける発光特性の検査については
、たとえば、日経ＢＰ社発行「日経エレクトロニクスＪ
　１９８５年２月１１日号、Ｐ１Ｂ１〜Ｐ２Ｏ２に記載
されている。この文献には、光測定器としてパワー・メ
ータ、光パワー・テスタ、光スペクトラム・アナライザ
が使用されている旨記載されている。

他方、一般に半導体装置はその製品の信頼度を保証する
ためにも、エージング等によってスクリニングが行われ
ている。エージングについては、たとえば、工業調査会
発行「電子材料Ｊ　１９Ｂ４年１０月号、昭和５９年１
０月１日発行、Ｐ１７０−Ｐ１７４に記載されている。

この文献でもわかるように、ＩＣ等の半導体装置のエー
ジングにあっては、配線基板からなるエージングボード
に所定数の半導体装置を取り付けた後、エージング装置
（エージング炉）に入れ、その後、所望温度雰囲気下で
半導体装置に所定の電圧を印加することによって行われ
ている。

〔発明が解決しようとする課題〕

スクリーニング試験（エージング試験）は寿命保証をす
るため、半導体レーザ装置等の光電子装置では必要不可
欠な項目である。試験時間には、連続発振（Ｃｏｎｔｉ
ｎｕｏｕｓ　Ｗａｖｅ　０ｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ：　Ｃ
Ｗ）動作でチップからの発熱を考慮したワースト条件下
では、品種によって異なるが、たとえば数十時間となる
。また、チップ判定方法は、定出力動作（Ａｕｔｏｍａ
ｔｉｃ　Ｉ’ｏｗｅｒ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　：　Ａ　Ｐ　
Ｃ）で動作電流変化率Δ１．および定電流動作（＾ｕｔ
ｏｍａｔｉｃＣｕｒｒｅｎｔ　Ｃｏｎｔｒｏｌ：Ａ　Ｃ
Ｃ）で光出力変化率ΔＰｏを算出している。

一方、前記文献にも記載されているように、１チツプで
複数個の発光部をもつチップを組み込んだり、あるいは
複数のチップを組み合わせて組の込むことによって発光
部を複数とした多ビーム半導体レーザ装置（レーザアレ
イ）が出現してきている。多ビーム半導体レーザ装置の
スクリーニング試験も効率良く寿命評価する必要がある
。

ところで、半導体レーザ装置等の光電子装置のスクリー
ニングは、本出願人にあっては、環境試験装置等の恒温
槽内に半導体レーザ装置等を配し、一定温度下で前記半
導体レーザ装置等を動作させ、前記半導体レーザ装置に
対応して配置された光検出装置で発光された光を検出し
ながら行う。しかし、このようなスクリーニング装置は
、ハード・ソフト面でともに単一ビーム発光での製品測
定をするために設計されており、複数ビーム発光の製品
については配慮がされておらず、複数ビーム発光部での
各ビーム毎での動作電流変化率Δ■ｏや光出力変化率Δ
Ｐｏの判定が直接はでき難い。

したがって、単一ビーム用のスクリーニング装置を使用
して多ビーム半導体レーザ装置のスクリニングを行う場
合、各発光源を個々に発光させて各ビームの特性を測定
するため、全ビームの測定には多くの時間が費やされる
ことになり、スクリーニング時間が長くなる。また、全
ビームを同時発光させながら行うチップワースト条件で
の試験では、個々のビームの特性測定が行えないため、
不良発光部の特定ができない等の問題があることが判明
した。

本発明の目的は、多ビーム光電子装置において、各ビー
ム毎の動作電流変化率Δ■ｏ、光出力変化率ΔＰｏの測
定１判定を、全ビームを発光させながら各ビーム独自に
行う技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、同一時間帯に、設定する初期光出
力Ｐｏ、そのときの動作電流Ｉ。を変更して複数条件で
特性を測定する技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、多ビーム発光チップにおいて、ど
のビーム光（発光源）が不良であるか否かを測定できる
量産品の不良解析に適したスクリーング技術を提供する
ことにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

本発明のスクリーニング装置は、多ビーム半導体レーザ
装置を収容する恒温槽と、この恒温槽および多ビーム半
導体レーザ装置ならびに多ビーム半導体レーザ装置から
発光されるレーザ光を検出する受光装置を制御管理する
制御装置とからなり、かつ前記多ビーム半導体レーザ装
置を駆動する駆動回路には、多ビーム半導体レーザ装置
の各レーザダイオードをそれぞれ駆動するＡＰＣ回路お
よびＡＣ，Ｃ回路が設けられ、各レーザダイオードをＡ
ＣＣ回路でＣＷ動作し、ＡＰＣ回路で動作電流変化率Δ
Ｉｏおよび光出力変化率ΔＰａを測定できるようになっ
ている。

そこで、このようなスクリーニング試験にあっては、最
初に多ビーム半導体レーザ装置の各レーザダイオードを
順次駆動させてレーザビームを発生させ、かつＡＰＣ回
路を用いて各レーザビームの初期光出力Ｐｏおよび動作
電流Ｉ。を測定する。

その後、測定によって得た動作電流Ｉ。値を用いてＡＣ
Ｃ駆動させる。その後、一定時間経過した後再びＡＰＣ
回路を利用して光出力Ｐおよび動作電流Ｉを測定し、演
算処理して光出力変化率へＰ０および動作電流変化率Δ
Ｉｏを算出する。この算出値に基づいて多ビーム半導体
レーザ装置の良否および単一の多ビーム半導体レーザ装
置におけるレーザダイオードの良否を判定する。

スクリーニング試験においては、試験の途中で光出力や
動作電流を変化させることもできる。また、スクリーニ
ングはパルス時分割動作によるパルス発振によっても行
える。

〔作用〕

上記した本発明のスクリーニング装置によるスクリーニ
ング試験法にあっては、多ビーム半導体レーザ装置の各
レーザダイオードはＡＣＣ回路で所定時間あるいは連続
的に発光駆動可能となるとともに、ＡＰＣ回路に切り換
えることによって、光出力および動作電流を測定できる
ことから、初期光出力Ｐｏや初期動作電流■。あるいは
途中での光出力および動作電流を測定できる。したがっ
て、所望経過時の光出力変化率ΔＰｏおよび動作電流変
化率ΔＩｏを演算にて得ることができ、多ビーム半導体
レーザ装置の良否、多ビーム半導体し〜ザ装置における
各レーザダイオードの良否の判定が可能となる。また、
このスクリーニング試験法では、多ビーム半導体レーザ
装置において全てのレーザダイオードを同時に駆動させ
ながら、同時に光出力変化率および動作電流変化率を検
出できることから、スクリーニング試験時間が大幅に短
縮できる。

また、このスクリーニング試験法では、試験の途中で光
出力や動作電流を任意に変えることもできることから、
多種多様のスクリーニングが達成できるとともに、実装
状態に近似させることも可能である。

また、このスクリーニング試験法では、パルス時分割に
より、多ビーム半導体レーザ装置の各レーザダイオード
をパルス発振させなからスクリーニングできるため、高
熱を発生ずる高光出力の多ビーム半導体レーザ装置のス
クリーニング試験にも最適である。

さらに、このスクリーニング試験法では、複数のレーザ
ダイオードを同時に発振させていても、途中でＡＰＣ回
路に切り換えることによって、各レーザダイオードの良
否を判定することができる。

したがって、試験中の途中試験結果の光出力やあらかし
め設定しておいた光出力に基づき不良品の試験を自動的
に中止する（フェイルストップ機能）ことも可能である
。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。

第１図は本発明の一実施例によるスクリーニング装置に
おける多ビーム半導体レーザ装置駆動のための回路図、
第２図は同じくスクリーニング装置の構成を示す概略平
面図、第３図は多ビーム半導体レーザ装置とこの多ビー
ム半導体レーザ装置から発光された光を受光する受光装
置とを示す正面図、第４図は多ビーム半導体レーザ装置
の概要を示す断面図、第５図は多ビームレーザチップと
発光された各ビームの相関を示す模式的平面図、第６図
は特定のビームの特性を検出する際の動作回路図、第７
図は全ビームを発生させる際の動作回路図、第８図は多
ビーム半導体レーザ装置を同一設定光出力でＣＷ動作を
させて動作電流変化率ΔＩｏ、光出力変化率ΔＰｏの測
定を行う場合のタイミングチャート、第９図は多ビーム
半導体レーザ装置を任意設定光出力下でＣＷ動作させて
各設定光出力に対するΔＩｏ、ΔＰｏを測定するための
タイミングチャート、第１０図は多ビーム半導体レーザ
装置のΔＩｏ、ΔＰｏをパルス時分割で測定させるタイ
ミングチャートである。

本発明によるスクリーニング装置、すなわち多ビーム光
電子装置用スクリーニング装置は、第２図に示されるよ
うに、恒温槽１と、制御装置２とからなっている。また
、前記恒温槽１内には、被スクリーニング製品である多
ビーム半導体レーザ装置３が取り付けられる治具４が複
数配設されている。この治具４には、図示はしないがソ
ケットが配列され、第４図にも示されるように多ビーム
半導体レーザ装置３が装着される。また、この治具４の
配線系は前記制御装置２に接続されている。

したがって、ソケットに装着された多ビーム半導体レー
ザ装置３は、前記制御装置２によって発光制御され、た
とえば、ＦＬ、、ＦＬ２．ＦＬ、。

ＦＬ、で示されるように複数のレーザビーム５を同時に
あるいは個々に発光する。

また、前記恒温槽１内には、前記多ビーム半導体レーザ
装置３に対応して配列される受光装置６が取り付けられ
る治具７が配設されている。この治具７も前記治具４と
同様に図示しないソケットが配設され、このソケットに
前記受光装置６が装置４ 着されている。治具７の配線系は前記制？ｆｆｌ装置２
に接続されている。また、前記制御装置２は恒温槽１の
温度管理も行い、スクリーニング試験時、恒温槽１内の
温度を、たとえば、５０°Ｃあるいは７０°Ｃに維持す
る。

制御装置２には、第１図に示されるようなスクリーニン
グのための駆動回路が内蔵されている。

この回路は、多ビーム半導体レーザ装置３におｉＪるＬ
ＤＩ　、ＬＤ２．ＬＤ３　、ＬＤｌｌで示される各発光
部（レーザダイオード）をそれぞれ駆動させるＮ個のＡ
ＣＣ回路１０と、前記ＬＤ、、ＬＤ２ＬＤ３．ＬＤＮな
るレーザダイオードを選択的に駆動させる単一のＡＰＣ
回路１１と、受光装置６内に内蔵された受光素子（ホト
ダイオード）１２に連なるオペアンプが組み込まれた受
光回路１３とからなっている。前記ＡＣＣ回路１０ば、
多ビーム半導体レーザ装置の各発光源の数だけ設＋３ら
れ、切り換えスイッチｓｗ、、ｓｗ２．ｓｗ３、ＳＷＮ
のｂ接点への切り換えによってレーザビームＦＬ＋　、
ＦＬｚ　、ＦＬ３　、ＦＩ−Ｎを発光する。

したがって、第７図の回路図で示されるように、切り換
えスイッチｓｗ、、ｓｗ２．ｓｗ３　　ｓｗ９を全てｂ
接点に切り換えることによって、全てのレーザダイオー
ドＬＤ、、ＬＤ２　、ＬＤ３．ＬＤ、はＡＣＣ回路１０
によって動作し、レーザビームＦ　＋−，、Ｆ　Ｉ−２
，Ｆ　ｒ−３、Ｆ　ｒ−１１を発光する。

また、切り換えスイッチＳＷ＋　、ＳＷ２．５Ｗ３ＳＷ
Ｎを選択して動作させれば、所望のレーザダイオードを
動作させることができる。

前記ＡＰＣ回路１１は一つだけであることから、切り換
えスイッチ１４の切り換えによって接点Ａ〜接点ＡＮの
いずれかと接続できるようになっている。したがって、
ＡＰＣ駆動の場合は、単一のレーザダイオードしか発光
させることができず、たとえば、第６図に示されるよう
に、切り換えスイッチ１４を接点Ａ１と接続させ、この
接点Ａに連なる回線の切り換えスイッチＳＷ、をａ接点
に切り換えれば、レーザダイオードＬＤ、を動作させ、
レーザビームＦ　Ｌ　、を発光させることができる。

このような駆動回路は、治具４のソケットの数だけ設け
られ、同時に各多ビーム半導体レーザ装置３のスクリー
ニングが行えるようになっている。

被スクリーニング製品となる多ビーム半導体レーザ装置
３は、第４図に示されるように、熱伝導率の高い金属板
からなるステム１７と、このステム１７の主面側に気密
固定されたキャップ１８とによってパッケージが形成さ
れている。前記ステム１７の主面の中央部には熱伝導率
の高い金属で形成されたヒートシンク１９が図示しない
鑞月等で固定されている。このヒートシンク１９の側面
先端部分には直接あるいは図示しないサブマウントを介
して半導体レーザチップ（多ビームレーザチップ）２０
が固定されている。前記多ビームレーザチップ２０は、
第５図の二点鎖線で示されるように、平行にＬＤＩ　、
ＬＤ２　、ＬＤ３　、ＬＤＮなるレーザダイオード（共
振器）２１を有している。そして、各レーザダイオード
２１にそれぞれ所定の電圧が印加されると、各レーザダ
イオード２１からレーザビーム５を発光する。レーザビ
ーム５は、レーザダイオード２１の両端のミラー面から
出射される。ここでは、使用に供される前方光をＦ　Ｌ
＋　、　　Ｆ　Ｌ２　＋、　Ｆ　Ｌ：ｌ　、　　Ｆ　Ｌ
Ｎと称し、後方光をＲＬ＋　、ＲＬｚ　、ＲＬ３．ＲＬ
Ｎと称することにする。

一方、前記ステム１７の主面には多ビームレーザチップ
２０の下端から発光されるレーザビーム５（後方光）を
受光し、レーザビーム５の光出力をモニターする受光素
子（ホトダイオード：ＰＤ）２２が固定されている。

他方、前記ステム１７には所定本数のリード２３が貫通
状態でかつ絶縁的に固定されている。各リード２３は、
多ビームレーザチップ２０および受光素子２２の所定電
極にワイヤ２４を介してそれぞれ電気的に接続されてい
る。したがって、所定のり一ド２３にそれぞれ所定の電
圧が印加されると、多ビームレーザチップ２０の所定の
レーザダイオード２１からレーザビーム５が発光される
。

また、前記受光素子２２では、レーザビーム５の後方光
を受光することによって所定リート２３間に電流が流れ
るため、この電流を検出することによってレーザビーム
５の光出力を測定することができる。

さらに、前記ステム１７の主面には窓２５を有する金属
製のキャップ１８が気密的に固定され、多ビームレーザ
チップ２０およびヒートシンク１９を封止している。前
記窓２５ばキャンプ１８の天井部に設けた円形孔を透明
なガラス板２６で気密的に塞ぐことによって形成されて
いる。したがって、多ビームレーザチップ２０の上端か
ら出射したレーザビーム５（前方光）は、この透明なガ
ラス板２６を透過してステム１７とキャップ１８とによ
って形成されたパッケージ外に放射される。

つぎに、多ビーム半導体レーザ装置３のスクリニングに
ついて説明する。

最初に第２図および第３図に示されるように、多ビーム
半導体レーザ装置３は治具４に装着される。その後、恒
温槽１は所定温度に設定される。

ついで多ビーム半導体レーザ装置は駆動制御されてレー
ザ光（レーザビーム）５を発光しスクリーニングが行わ
れる。

本発明のスクリーニング装置は、第１図のような駆動回
路を有するため、多ビーム半導体レーザ装置３の各発光
源（レーザダイオード）を同時に発光させ、かつ各ビー
ム独自に動作電流変化率Δ１ｏ、光出力変化率八Ｐ、等
が判定できる機能がある。

具体的には、第６図に示すように、レーザダイオードＬ
Ｄ、のみを駆動させてレーザビームＦＬを発生させる回
路をつくる。すなわち、切り換えスイッチ１４を接点Ａ
１に接続した後、切り換えスイッチＳ　Ｗ　＋を切り換
えてａ接点に接続し、ＡＰＣ駆動させ、この状態で初期
設定光出力Ｐｏに対する初期動作電流Ｉ。を読み込む。

以下同様にレーザビームＦＬ２　　　ＦＬ３．ＦＬ、の
ＰｏＴｏを読み込む。つぎに、レーザダイオードＩ、Ｄ
、ＬＤ２．ＬＤ、、ＬＤＮをそれぞれの初期動作電流■
。でＡＣＣ回路制御のちとに同時発光させる。一定時間
経過後、仮にΔＩｏを算出したい場合は、ＡＣＣ回路を
ＯＦＦにし各レーザビームに対し、設定光出力Ｐｏに対
する動作電流ＩをＡＰＣ回路をつくり読み取る。そして
　各ビームの初期動作電流Ｉ。と測定動作電流Ｉとの比
較演算により、光出力変化率ΔＴｏの算出をする。また
、光出力変化率ΔＰｏの算出にあっては、初期動作電流
Ｉ。での光出力Ｐ値を読み取り、初期光出力Ｐｏと測定
光出力Ｐとの比較演算によって光出力変化率ΔＰｏの算
出をする。

この手法のタイミングチャートを第８図に示す。

このタイミングチャートで示すように、時間８１〜時間
ｓ２および時間８３〜時間Ｓ４に至る時間域はそれぞれ
測定タイムＳであり、時間ｄ、〜時間ｄ２に至る時間域
はスクリーニング駆動タイムＤである。測定タイムＳで
はＡＣＣ回路１０をＯＦＦにした状態でＡＰＣ回路１１
により順次レーザダイオードＬＤ１．ＬＤ２　、Ｌｌ）
：＋　、ＬＤＮを駆動させて光出力Ｐおよび動作電流■
を測定することができる。この測定における単一レーザ
ダイオード当たりの測定時間は、たとえば、１００μｓ
である。また、スクリーニング駆動タイムＤは、製品全
数を試験する場合は数十時間となり、ロットの抜き取り
による信頼性試験では数百時間にも及ぶことになる。

このスクリーニング試験においては、時間８〜時間Ｓ２
に至る時間帯にレーザダイオードＬ　ＤＬＤ２．ＬＤ３
．ＬＤ、を順次パルス発振動作させてレーザビームＦＬ
、、ＦＬ２．ＦＬ３゜ＦＬ、の初期光出力Ｐｏ、初期動
作電流Ｉｏを読み込む。つぎに、ＡＰＣ回路１１をＯＦ
Ｆにし、各切り換えスイッチＳＷ＋　、ＳＷ２　、　　
ＳＷ３．ＳＷＮをＯＮ、すなわちｂ接点に接続してＡＣ
Ｃ回路１０を使用して各レーザダイオードＬＤ、、ＬＤ
２．ＬＤ、、ＬＤ、をＣＷ光発振せる。ＣＷ光発振時間
ｄ、〜時間ｄ２間でかつパルス発振にて行う。その後、
一定時間（Ｄ時間）経過後、切り換えスイッチＳＷ＋　
、ＳＷｚ　、ＳＷ３　、ＳＷＮを切り換えてａ接点に接
続する。そして、切り換えスイッチ１４を接点Ａ１．接
点Ａ２．接点Ａ３接点Ａ、と順次切り換えて、各レーザ
ダイオードＬＤ＋　、ＬＤ２　、ＬＤａ　、ＬＤＮを動
作させてしザビームＦＬ、　　　ＦＬ２．ＦＬ３．ＦＬ
Ｎを発生させ、各レーザビームＦＬ、、ＦＬ２．ＦＬ。

ＦＬ、の光出力および動作電流を測定し、演算処理によ
って光出力変化率ΔＰｏおよび動作電流変化率ΔＩｏを
算出する。これにより、多ビーム半導体レーザ装置３の
良否および多ビームレーザチップ２０におけるレーザダ
イオード２１の良否が判定できることになる。

このスクリーニング試験法では、試験途中の光出力値や
動作電流値をあらかじめ設定しておいた基準値に基づい
て判定させ、不良品の試験を自動的に中止する（フェイ
ルストップ機能）こともできる。

また、スクリーニング試験法としては、光出力変化率お
よび動作電流変化率の測定後再びＣＷ動作を繰り返すこ
とも可能である。

スクリーニング試験の他の手法としては、第９図に示さ
れるタイミングチャートによる手法がある。この手法は
前記プロセスの後、ＣＷ動作をさせかつ、任意に設定光
出力を変えることができるタイミングチャートである。

この例では、前記プロセスＳ、Ｄ、Ｓの後、新たに各レ
ーザビームの再光出力の設定を時間Ｓ、〜時間Ｓ６に至
る光出力再設定時間域Ｐｓで行い、時間６３〜時間ｄ４
に至るスクリーニング駆動タイムＤの聞咎レーザダイオ
ードＬ　Ｄｌ、　　Ｌ　Ｄ２　、　　Ｌ　Ｉ）：＋　、
　　Ｌ　ＤＮをＡＣＣ駆動させる。その後、時間８７〜
時間Ｓ１１に至る測定タイムＳの間に、前述のパルス時
分割法によって各レーザダイオードＬＤ、、ＬＤ２　、
ＬＤ、、ＬＤ、のレーザビームＦＬ、、ＦＬ２．ＦＬ３
．ＦＬ、の光出力変化率ΔＰｏ、Ｐｏ型流変化率Δ１．
を測定する。この手法では、スクリーニング前半で、た
とえば、ＶＤ等の読み出力３ｍＷと低光出力でのスクリ
ーニングが行え、後半では、たとえば、ＶＤ等の書き込
み出力３０ｍＷと高光出力のスクリーニングが行えるこ
とになる。

これにより、各多ビーム半導体レーザ装置３の良否の判
定あるいは単一の多ビーム半導体レーザ装置３におりる
各発光源の良否の判定が行える。

また、スクリーニング試験において、前記測定タイムＳ
　スクリーニング駆動タイムＤｌ光出力再設定時間域Ｐ
ｓを適当に組合せ、かつ各プロセスでの平均化を図るこ
とにより、測定の精度を一層高めることができる。

第１０図はパルス動作で各レーザダイオードｌ７Ｉ）＋
　　　Ｌ　Ｄ２　、　　Ｉ−Ｄ：＋　、　　Ｌ　ＤＮを
駆動させるタイミングチャートであり、各レーザダイオ
ードＬ　Ｄ、　　ＬＤ２　、　　ＬＩＩＩＩ　、　　Ｌ
Ｄ＋＋が一巡してパルス動作駆動する駆動タイムＤｐを
繰り返して行いスクリーニング試験を行う。この手法は
、ＡＰＣ駆動に近催した試験法となるが、１０μｓ以下
のパルス発振駆動であるため熱が発生し難くなり、動作
時高熱を発生する高出力用半導体レーザ装置に最適な手
法である。

このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。

（１）本発明のスクリーニング試験法によれば、多ビー
ム半導体レーザ装置の各レーザダイオードはＡＣＣ回路
で同時に発振駆動されるが、回路の切り換えとＡＰＣ回
路によって個別のレーザダイオード（発光源）の光出力
変化率や動作電流変化率が得られるという効果が得られ
る。

（２）本発明のスクリーニング試験法によれば、多ビー
ム半導体レーザ装置の各レーザダイオードは同時に発振
駆動され、かつ測定タイムでそれぞれ個別に光出力変化
率や動作電流変化率が求められるため、複数のレーザダ
イオードの発光を行うにも係わらず、不良レーザダイオ
ード（発光源）があれば、どの発光源が不良であるか判
定できるという効果が得られる。

（３）本発明のスクリーニング試験法によれば、多ビー
ム半導体レーザ装置の各レーザダイオードは同時に発振
駆動され、かつ測定タイムでそれぞれ個別に光出力変化
率や動作電流変化率が求められるため、スクリーニング
試験時間が大幅に短縮されるという効果が得られる。

（４）本発明のスクリーニング試験法によれば、多ビー
ム半導体レーザ装置の各レーザダイオードはＡＣＣ回路
またはＡＰＣ回路で駆動される構造となっていることか
ら、所定時間で光出力および動作電流を任意に変更でき
るため、多種多様なスクリーニング試験、たとえば実装
条件に合わせた試験あるいはチップワースト条件下での
試験が行えるという効果が得られる。

（５）本発明のスクリーニング試験法では、所望の時間
域で多ビーム半導体レーリ′装置および多ビーム半導体
レーザ装置におりる各発光源の良否の判定ができるため
、不良となった製品の試験を続行させることなく中止で
きることができ、効率的な試験が行えるという効果が得
られる。

（６）上記（１）〜（５）により、本発明のスクリーニ
ング試験技術によれば、多種多様なスクリーング試験が
短時間にかつ効率良く高精度に行えるという相乗効果が
得られる。

以」二木発明者によってなされた発明を実施例に栽づき
具体的に説明したが、本発明は」下記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない、たとえば、前記実施
例では、複数ビーム光を１つの受光系回路で処理する場
合について説明したが、仮に各ビームに対する受光系が
１づつ取れるようにしてスクリーニング試験を行っても
前記実施例同様な効果が得られる。また、この場合、各
レーザダイオード（発光源）の後方光を光ファイバを用
いて各受光装置に案内するようにしてもよい。さらに、
前記スクリーニング試験プロセスは、前記実施例に限定
されるものではなく、複数ビーム発光製品のスクリーニ
ング試験時に、どのように効率よく全ビーム光の測定を
し、各ビーム毎に光出力変化率ΔＰｏ、Ｐｏ型流変化率
ΔＩｏ、の算出ができるか、また、スクリーニング試験
仕様を実装条件に近くするにはどうしたら良いか、製品
評価のワースト条件での測定をどのように作るかの目的
を達成するべく種々に変更可能である。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である多ビーム半導体１ノ
−ザ装置のスクリーニング試験技術に適用した場合につ
いて説明したが、それに限定されるものではなく、たと
えば、発光ダイオードアレイのスクリーニング試験技術
にも適用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

本発明の多ビーム光電子装置のスクリーニング試験法に
よれば、多ビーム光電子装置の各発光源をＡＣＣ回路お
よびＡＰＣ回路を用いて発光制御できるため、（１）同
時発光によるチップワースト条件下での測定が可能、（
２）同時測定化によるスクリニング時間短縮、（３）任
意光出力設定が可能となる実装条件下での試験が可能、
（４）　ＣＷ動作でのスクリーニングが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるスクリーニング装置に
おける多ビーム半導体レーザ装置駆動のための回路図、 第２図は同じくスクリーニング装置の構成を示す概略平
面図、 第３図は多ビーム半導体レーザ装置とこの多ビーム半導
体レーザ装置から発光された光を受光する受光装置とを
示す正面口、 第４図は多ビーム半導体レーザ装置の概要を示す断面図
、 第５図は多ビームレーザチップと発光された各ビームの
相関を示す模式的平面図、 第６図は特定のビームの特性を検出する際の動作回路図
、 第７図は全ビームを発生させろ際の動作回路図、第８図
は多ビーム半導体レーザ装置を同一設定光出力でＣＷ動
作をさせて動作電流変化率Δ■０光出力変化率八Ｐへの
ａｌｌｌ定を行う場合のタイミングチャート、 第９図は多ビーム半導体レーザ装置を任意設定光出力下
でＣＷ動作させて各設定光出力に対するΔＩｏ　　ΔＰ
ｏを測定するためのタイミングチャト、 第１０図は多ビーム半導体レーザ装置のΔＩｏ、ΔＰｏ
をパルス時分割で測定させるタイミングチャートである
。 １・・・恒温槽、２・・・制御装置、３・・・多ビーム
半導体レーザ装置、４，７・・・治具、５・・・レーリ
゛ヒーム、６・・・受光装置、１０・・・ＡＣＣ回路、
１１・・・ＡＰＣ回路、１２・・・受光素子、１３・・
・受光回路、１４・・切り換えスイッチ、１７・・・ス
テム、］８・・個−ヤンプ、１９・・・ヒートシンク、
２０・・・多ピームレー１ノチップ、２１・・・レーザ
ダイオ−１−１２３・・・リー１−１２４・・・ワイヤ
、２５・・・窓、２６・・・ガラス板。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、恒温槽および制御装置を有する多ビーム光電子装置
   用スクリーニング装置であって、前記恒温槽内に配設さ
   れかつ前記多ビーム光電子装置が取り付けられる治具と
   、前記治具に取り付けられた多ビーム光電子装置から発
   光された光を受光する受光装置が取り付けられた治具と
   を有し、前記制御装置は前記恒温槽の温度を制御するよ
   うに構成されているとともに、前記多ビーム光電子装置
   のスクリーニングを行うための駆動回路を有しているこ
   とを特徴とするスクリーニング装置。 ２、前記駆動回路は多ビーム光電子装置の各発光源を個
   々に駆動制御するＡＰＣ回路と、前記多ビーム光電子装
   置の発光源を個々に駆動制御するＡＣＣ回路と、前記多
   ビーム光電子装置から発光された受光回路とからなり、
   かつ前記ＡＰＣ回路は多ビーム光電子装置の複数の発光
   源を選択的に発光させるように構成されていることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載のスクリーニング装
   置。 ３、多ビーム光電子装置のスクリーニング試験法であっ
   て、全ビームを同時発光させながら、パルス時分割法に
   て各ビーム毎に初期光出力Ｐ＿ｏおよびこのときの動作
   電流Ｉ＿ｏを読み込み、各ビーム毎に比較演算して動作
   電流変化率ΔＩ＿ｏ、光出力変化率ΔＰ＿ｏを求めるこ
   とを特徴とするスクリーニング試験法。 ４、多ビーム光電子装置のスクリーニング試験法であっ
   て、ＣＷ動作させるために発光源駆動方式をＡＣＣ駆動
   とし、光出力変化率ΔＰ＿ｏを測定する時には、各ビー
   ム毎にパルス時分割動作で各初期光出力Ｐ＿ｏに対する
   動作電流Ｉ＿ｏを読み込み、その後前記動作電流Ｉ＿ｏ
   でそれぞれの発光源を同時に駆動させ、一定時間後、各
   発光源駆動電流をＯＦＦし、再びパルス時分割動作で各
   発光源毎に前回駆動させた同じ強度の電流を印加して光
   出力Ｐを検出し、その結果を比較演算して光出力変化率
   ΔＰ＿ｏの算出をすることを特徴とするスクリーニング
   試験法。 ５、多ビーム光電子装置のスクリーニング試験法であっ
   て、各発光源をパルス駆動によって発振させるとともに
   、各ビーム毎にパルス時分割動作で各初期光出力Ｐ＿ｏ
   に対する動作電流Ｉ＿ｏを読み込み、その後各発光源を
   前記動作電流Ｉ＿ｏでそれぞれ同時に駆動させ、一定時
   間後、各発光源駆動電流をＯＦＦし、再びパルス時分割
   動作で各ビーム毎に設定Ｐ＿ｏ値にするための動作電流
   Ｉを読み込み、その結果を比較演算して動作電流変化率
   ΔＩ＿ｏの算出をすることを特徴とするスクリーニング
   試験法。 ６、特許請求の範囲第５項または第６項記載の試験にお
   いて、途中試験結果出力およびフェイルストップ機能が
   必要な場合は、任意結果出力時間毎に特許請求の範囲第
   ５項または第６項記載の試験を繰り返すことを特徴とす
   るスクリーニング試験法。 ７、特許請求の範囲第５項または第６項記載の試験の測
   定精度向上のために、特許請求の範囲第５項または第６
   項記載の試験を行い、各測定周期の平均化をし測定周期
   の繰り返しを行うことを特徴とするスクリーニング試験
   法。 ８、単ビーム発光および多ビーム発光する光電子装置の
   スクリーニング試験法であって、設定光出力値を任意に
   選択しかつ前記設定光出力値も試験の途中で変化させる
   ことを特徴とするスクリーニング試験法。