JPH04146685A - 修復パッド及びその製造方法 - Google Patents
修復パッド及びその製造方法Info
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- JPH04146685A JPH04146685A JP26952090A JP26952090A JPH04146685A JP H04146685 A JPH04146685 A JP H04146685A JP 26952090 A JP26952090 A JP 26952090A JP 26952090 A JP26952090 A JP 26952090A JP H04146685 A JPH04146685 A JP H04146685A
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- pad
- layer
- jig
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Links
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
修復バンド及びその製造方法に関し、
脱離箇所への密着性が良好で、かつショート等を確実に
防止することのできる修復パッド、およびその製造方法
を提供することを目的とし、ポリイミド層の上面にメタ
ル層を積層して形成され、被修復基板のパッド脱離部に
貼着するように構成する。
防止することのできる修復パッド、およびその製造方法
を提供することを目的とし、ポリイミド層の上面にメタ
ル層を積層して形成され、被修復基板のパッド脱離部に
貼着するように構成する。
本発明は、修復パッド及びその製造方法に関するもので
ある。 多層薄膜基板の表層部には、素子リード等を実装するた
めのバンドが形成されているが、該パッドは、絶縁層上
に薄膜形成されるために、運搬時、あるいは素子実装作
業時等に脱落することがあり、その修復をする必要があ
る。
ある。 多層薄膜基板の表層部には、素子リード等を実装するた
めのバンドが形成されているが、該パッドは、絶縁層上
に薄膜形成されるために、運搬時、あるいは素子実装作
業時等に脱落することがあり、その修復をする必要があ
る。
従来、脱離したパッドを修復作業は、第3図に示すよう
に、導電金属から形成された修復パッド7を被修復基板
3の絶縁層8上のパッド脱離部位4に張り付けることに
より行なわれていた。
に、導電金属から形成された修復パッド7を被修復基板
3の絶縁層8上のパッド脱離部位4に張り付けることに
より行なわれていた。
しかし、上述した従来例において、パッドが脱離する場
合には、ポリイミド絶縁層8の一部も剥離しているため
に、修復パッド7が傾いたり、あるいは密着状態が不完
全であるという欠点を有するものであった。 また、絶縁層8の剥離のために、下層の導体層が露出し
たり、あるいは該ポリイミド絶縁層8が炭化してポリイ
ミド絶縁層8の!!縁能能力喪失している場合が多々あ
り、この状態で修復パッド7を張り付けると、パターン
ショートを引き起こすという欠点をも存するものであっ
た。 本発明は、以上の欠点を解消すべ(なされたものであっ
て、脱離箇所への密着性が良好で、かつショート等を確
実に防止することのできる修復パッド、およびその製造
方法を提供することを目的とする。
合には、ポリイミド絶縁層8の一部も剥離しているため
に、修復パッド7が傾いたり、あるいは密着状態が不完
全であるという欠点を有するものであった。 また、絶縁層8の剥離のために、下層の導体層が露出し
たり、あるいは該ポリイミド絶縁層8が炭化してポリイ
ミド絶縁層8の!!縁能能力喪失している場合が多々あ
り、この状態で修復パッド7を張り付けると、パターン
ショートを引き起こすという欠点をも存するものであっ
た。 本発明は、以上の欠点を解消すべ(なされたものであっ
て、脱離箇所への密着性が良好で、かつショート等を確
実に防止することのできる修復パッド、およびその製造
方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段]
本発明によれば上記目的は、実施例に対応する第1図に
示すように、 ポリイミド層1の上面にメタル層2を積層して形成され
、被修復基板3のパッド脱離部位4に貼着される修復パ
ッド7を提供することにより達成される。 さらに、この修復バッド7は、第2図に示すように、 基板状治具5にAl薄膜層6、ポリイミド層1を積層し
た後、パッド形状のメタル層2を積層し、次いで、反応
性イオンエツチングによりポリイミド層1をエツチング
し、 この後、All膜層6を溶解して基板状治具5から分離
する修復パッドの製造方法により製造される。 【作用】 上記構成に基づき、本発明における修復バッド7は、ポ
リイミド層1の上面にメタル層2を積層して形成される
。 この結果、パッド剥離の際に同時にはぎ取られたポリイ
ミド絶縁層8も同時に修復され、傾き等の不具合も解消
され、かつショート等も完全に防止される。
示すように、 ポリイミド層1の上面にメタル層2を積層して形成され
、被修復基板3のパッド脱離部位4に貼着される修復パ
ッド7を提供することにより達成される。 さらに、この修復バッド7は、第2図に示すように、 基板状治具5にAl薄膜層6、ポリイミド層1を積層し
た後、パッド形状のメタル層2を積層し、次いで、反応
性イオンエツチングによりポリイミド層1をエツチング
し、 この後、All膜層6を溶解して基板状治具5から分離
する修復パッドの製造方法により製造される。 【作用】 上記構成に基づき、本発明における修復バッド7は、ポ
リイミド層1の上面にメタル層2を積層して形成される
。 この結果、パッド剥離の際に同時にはぎ取られたポリイ
ミド絶縁層8も同時に修復され、傾き等の不具合も解消
され、かつショート等も完全に防止される。
以下、本発明の望ましい実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。 第2図は本発明の実施例を示すもので、図中5は治具と
なるガラスセラミック板で、その上面には、5ミクロン
程度の膜厚でA1薄膜層6が形成されており、さらにそ
の上面に10ミクロン程度のポリイミド層1が成膜され
、このポリイミド層lにさらにメタル層2が積層されて
いる。 上記メタル層2は、1500オングストロ一ム程度のC
r、500オングストロ一ム程度のTi、4ミクロン程
度のCu、2ミクロン程度のNi、0.5ミクロン程度
のAuを順次積層した後、エツチングによりパッドの形
状に仕上げられる。 次いで、上記ポリイミド層1は第2図(b)に示すよう
に、RI E(Reactive 1ove ton
Etching)によりエツチングされる。このエツチ
ング工程において、上記メタル層2は、マスクとして機
能し、ポリイミド層1の内、上面にメタル層2が形成さ
れていない領域のみが選択エツチングされる(第2図(
c)参照)。この後、治具5を0.2NaOH水溶液中
に浸漬すると、ポリイミド層1との接触部のAl薄膜層
6が熔解し、10分ないし15分毎に洗浄、乾燥、液浸
を繰り返し、基板からの分離が容易になった頃、弱粘着
テープを用いて採取すると、修復パッド7が得られる。 以上のようにして得られた修復バッド7は、第1図に示
すように、メタル層2の裏面にポリイミド層1が形成さ
れるもので、この修復バッド7を被修復基板3の所要箇
所に接着剤を用いて接着することにより、基板修復がな
される。
細に説明する。 第2図は本発明の実施例を示すもので、図中5は治具と
なるガラスセラミック板で、その上面には、5ミクロン
程度の膜厚でA1薄膜層6が形成されており、さらにそ
の上面に10ミクロン程度のポリイミド層1が成膜され
、このポリイミド層lにさらにメタル層2が積層されて
いる。 上記メタル層2は、1500オングストロ一ム程度のC
r、500オングストロ一ム程度のTi、4ミクロン程
度のCu、2ミクロン程度のNi、0.5ミクロン程度
のAuを順次積層した後、エツチングによりパッドの形
状に仕上げられる。 次いで、上記ポリイミド層1は第2図(b)に示すよう
に、RI E(Reactive 1ove ton
Etching)によりエツチングされる。このエツチ
ング工程において、上記メタル層2は、マスクとして機
能し、ポリイミド層1の内、上面にメタル層2が形成さ
れていない領域のみが選択エツチングされる(第2図(
c)参照)。この後、治具5を0.2NaOH水溶液中
に浸漬すると、ポリイミド層1との接触部のAl薄膜層
6が熔解し、10分ないし15分毎に洗浄、乾燥、液浸
を繰り返し、基板からの分離が容易になった頃、弱粘着
テープを用いて採取すると、修復パッド7が得られる。 以上のようにして得られた修復バッド7は、第1図に示
すように、メタル層2の裏面にポリイミド層1が形成さ
れるもので、この修復バッド7を被修復基板3の所要箇
所に接着剤を用いて接着することにより、基板修復がな
される。
以上説明したように、本発明によれば、被修復基板にお
けるパッド脱離部位への密着性を良好にすることができ
、かつショート等を確実に防止することができる。
けるパッド脱離部位への密着性を良好にすることができ
、かつショート等を確実に防止することができる。
第1図は本発明の実施例を示す図、
第2図は修復パッドの製造工程を示す図、第3図は従来
例を示す図である。 図において、 1・・・ポリイミド層、 2・・・メタル層、 3・・・被修復基板、 4・・・バッド脱離部位、 5・・・治具、 6・・・Al薄膜層、 7・・・修復パッド。
例を示す図である。 図において、 1・・・ポリイミド層、 2・・・メタル層、 3・・・被修復基板、 4・・・バッド脱離部位、 5・・・治具、 6・・・Al薄膜層、 7・・・修復パッド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔1〕ポリイミド層(1)の上面にメタル層(2)を積
層して形成され、被修復基板(3)のパッド脱離部位(
4)に貼着される修復パッド。 〔2〕基板状治具(5)にAl薄膜層(6)、ポリイミ
ド層(1)を積層した後、パッド形状のメタル層(2)
を積層し、 次いで、反応性イオンエッチングによりポリイミド層(
1)をエッチングし、 この後、Al薄膜層(6)を溶解して基板状治具(5)
から分離する修復パッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26952090A JPH04146685A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 修復パッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26952090A JPH04146685A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 修復パッド及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04146685A true JPH04146685A (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=17473538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26952090A Pending JPH04146685A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 修復パッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04146685A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109302793A (zh) * | 2017-07-25 | 2019-02-01 | 双鸿电子(惠州)有限公司 | 一种PCB用mark点修补方法 |
CN109561599A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-04-02 | 广东科翔电子科技有限公司 | 一种高精细线路pcb的线路修补方法 |
-
1990
- 1990-10-09 JP JP26952090A patent/JPH04146685A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109302793A (zh) * | 2017-07-25 | 2019-02-01 | 双鸿电子(惠州)有限公司 | 一种PCB用mark点修补方法 |
CN109561599A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-04-02 | 广东科翔电子科技有限公司 | 一种高精细线路pcb的线路修补方法 |
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