JPH0413890A - メッキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、主として、薄膜磁気ヘッドの磁気回路を構成
するパーマロイ磁性膜を形成するためのメッキ方法に関
し、硫酸第１鉄及び硫酸ニッケルを含むメッキ浴組成を
用いてパーマロイのメッキ膜を形成する場合に、添加剤
としてラウリル硫酸ナトリウムを用い、その添加量を制
御してメッキ膜の断面形状を制御することにより、磁性
膜の断面形状を簡単、かつ、確実にコントロールするこ
とができるようにしたものである。

〈従来の技術〉 薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気回路を構成する磁性膜は
、通常、パーマロイのメッキ膜として形成される。この
場合のメッキ浴組成及びメッキ条件等は、例えは特開昭
６１−１７７３９２号公報で知られている。この公開公
報には、硫酸第１鉄及び硫酸ニッケルを含むメッキ浴に
、ホウ酸、塩化アンモニウム、サッカリンナトリウムま
たは界面活性剤等を添加し、選定されたＰＨ１温度、電
流密度及びメッキ浴流動の条件下でパーマロイメッキ膜
を形成する手段が開示されている。

〈発明か解決しようとする課題〉 しかしながら、上記公知文献は、断面形状が実質的に均
一なパーマロイメッキ膜のメッキ方法を開示するた（プ
である。メッキ膜の断面形状をコントロールする手段は
開示していない。磁性膜の断面形状は、孤立再生波形に
おけるアンダーシュートに密接に関連する。次にこの点
について述べる。

第８図は従来のメッキ方法によって得られた磁性膜を有
する薄膜磁気ヘッドの要部の断面図で、１はセラミック
で構成された基体、２は下部磁性膜、３はアルミナ等で
なるギャップ膜、４は上部磁性膜、５はコイル膜、６は
ノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂で構成された絶縁膜、
７はアルミナ等の保護膜である。

基体１はアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＯ□）部１０
１の表面にＡｌ２Ｏ３等でなる絶縁膜１０２を設け、こ
の絶縁膜１０２の上に磁気回路を形成しである。

下部磁性膜２及び上部磁性膜４の先端部はアルミナ等で
なるギャップ膜３を隔てて対向するボール部２１．４２
となっており、このボール部２１．４１において読み書
きを行なう。上部磁性膜４はボール部４１とは反対側の
後方領域において、結合部４２によって下部磁性膜２の
ヨーク部２２と結合されている。コイル膜５は結合部４
２を渦巻状に回るように形成されている。

第９図は上記薄膜磁気ヘッドを媒体対向面側から見た拡
大図である。ボール部２１．４１は媒体走行方向ａで見
た厚みが実質的に一定であって、両者２１−４１間にギ
ャップ膜３を直線的に配置した構造となっている。

第１０図は上述の薄膜磁気ヘッドを用いて、磁気記録媒
体に記録した１シヨツトの信号を再生した場合の孤立再
生波形を示している。孤立再生波形の下側には、ギャッ
プ膜３を介して対向するボール部２１．４１が孤立再生
波形と対応する関係で示されている。Ｍは磁気記録媒体
である。

ｉｔｏ図に示すように、孤立再生波形はボール部２１．
４１の端縁に対応する位置で、疑似波形であるアンダー
シュートＡ、Ｂを生じている。薄膜磁気ヘッドは、バル
ク型磁気ヘッド等と異なって、磁気記録媒体Ｍの走行方
向ａで見たボール部２１．４１の端部の厚みが薄く、有
限であるため、ギャップ膜３による本来の変換ギャップ
の他に、ボール２１．４１の各端部Ｘ％Ｙによる疑似ギ
ャップが発生し、この疑似ギャップにより、アンダーシ
ュートＡ、Ｂを生じる。Ｆ、ｎはギャップ膜３を変換ギ
ャップとする本来の磁束を示し、Ｆｆｌ、Ｆｆ２は端部
Ｘ、Ｙを疑似ギャップとする磁束回路の１部を示してい
る。

アンダーシュートＡ、Ｂの存在は、高密度記録の場合、
ピークシフトが大きくなるため、読み出しのエラーマー
ジンもしくは位相マージンに限界を生じ、高密度記録の
大きな障害となる。

特開昭６１−１７７３９２号公報等で知られたメッキ方
法によって得られた磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドは、
上述のアンダーシュートの問題を解決することができな
かった。

そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、磁性膜の断面形状を簡単、かつ、確実にコントロー
ルし得るメッキ方法を提供することにある。

く課題を解決するための手段〉 上述した課題解決のため、本発明は、少なくとも硫酸第
１鉄及び硫酸ニッケルを含むメッキ浴組成を用いてパー
マロイのメッキ膜を形成するメッキ方法であって、 添加剤としてラウリル硫酸ナトリウムを用い、その添加
量を制御して前記メッキ膜の断面形状を制御すること を特徴とする。

〈作用〉 硫酸第１鉄及び硫酸ニッケルを含むメッキ浴組成を用い
てパーマロイのメッキ膜を形成する場合に、添加剤とし
てラウリル硫酸ナトリウムを用い、その添加量を制御し
てメッキ膜の断面形状を制御することにより、磁性膜の
断面形状を簡単、かつ、確実にコントロールすることが
できる。

〈実施例〉 第１図は薄膜磁気ヘッドの磁性膜をパーマロイのメッキ
膜として形成する場合のメッキ方法を示す図である。

第１図（ａ）に示すように、基板１上にメッキ下地膜２
０を形成し、メッキ下地膜２０の表面に下部磁性膜パタ
ーンを画定するレジストフレーム８をフォトリングラフ
ィによって形成した後、パーマロイメッキ膜を形成する
。メッキ浴組成は、前述した特開昭６１−１７７３９２
号公報等で知られており、下記の組成範囲となる。

硫酸第１鉄　　　　　　　５〜２０ｇ／ρ硫酸ニッケル
　　　　２００〜３５０　ｇ／ｆｌホウ酸　　　　　　
　１０〜３０ｇ／Ｉｌ塩化アンモニウム　　　１０〜３
０　ｇ、ｚｌサッカリンナトリウム　　０〜２　　ｇ／
ＪＱ上記組成範囲において、ラウリル硫酸ナトリウムの
添加量を変えると、第１図（ｂ）に示すようにボール部
２１の形状がコントロールできる。

メッキ浴のＰＨ１温度、電流密度及びメッキ浴流動の条
件等は従来と同様でよい。ボール部２１は下部磁性膜の
１部であるから、通常は下部磁性膜の全体も、上述の厚
みコントロールを受ける。この後、第１図（Ｃ）に示す
ようにギャップ膜３をスパッタ等の手段によって形成し
、更に、上部磁性膜を形成する。上部磁性膜の形成に当
っても、同様のメッキ手段により、所定の厚みコントロ
ールを受りたボール部を形成する。次に具体例を示す。

〈メッキ浴組成〉 硫酸第１鉄　　　　　　　　　９ｇ／Ｉｔ硫酸ニッケル
　　　　　　３３０ｇ／ｕホウ酸　　　　　　　　　２
５ｇ／ｕ 塩化アンモニウム　　　　　１５ｇ／ｆｌサッカリンナ
トリウム　　０〜２ｇ／Ｊ２」二連のメッキ浴組成に対
し、添加剤としてラウリル硫酸ナトリウムを添加してメ
ッキ処理を行なう。このメッキ処理において、ラウリル
硫酸ナトリウムの添加量を制御することにより、第１図
に示したように、所定の断面形状にコントロールされた
ボール部２１を得る。

第２図はラウリル硫酸ナトリウムの添加量を変えたとき
のボール部２１の端部形状変化量△ｈを示す図である。

図において、横軸はラウリル硫酸すトリウムの添加量（
ｇ／ｊ２）、縦軸はボール部２１の変化量△ｈを示して
いる。変化量△ｈはボール部２１の表面がフラットにな
る場合を基準値０にして、ボール部２１の両端が盛り上
がる方向を（＋）△ｈ、両端が降下する方向を（−）△
ｈとして示しである。図中、Ｓｏは表面が実質的にフラ
ットになる基準サンプル、Ｓｌは両端が（＋）△ｈたけ
盛り上がる方向にあるサンプル、Ｓ、は両端が（−）△
ｈだけ低下する方向にあるサンプルをそれぞれ示してい
る。メッキ処理は電流１．２Ａで１５分間行なフた。

図示するように、ラウリル硫酸ナトリウムの添加量約２
　（ｇ／ｕ）を基準にして、それよりも添加量が増える
と、ボール部２１の両端が低下する方向となり、添加量
が減少するとボール部２１の両端が盛り上がる。従って
、ラウリル硫酸ナトリウムの添加量制御によって、ボー
ル部２１の形状をコントロールすることができる。

第３図は本発明に係るメッキ方法によって得られた薄膜
磁気ヘッドを媒体対向面側から見た拡大図である。各ボ
ール部２１．４１は、ギャップ膜３が媒体走行方向ａに
湾曲するように、厚みを変化させである。下部磁性膜の
ボール部２１は、幅方向の両端側で薄く、中間部で厚く
なっており、上部磁性膜のボール部４１は、幅方向の両
端側で厚く、中間部で薄くなっていて、ギャップ膜３は
媒体走行方向ａに凹状に湾曲している。第８図にバした
ように、ボール部２１は下部磁性膜に連続しており、ボ
ール部４１は上部磁性膜に連続している。

第４図は上記構造の薄膜磁気ヘッドの孤立再生波形を示
す図である。第４図に示すように、矢印ａ方向に走行す
る磁気記録媒体Ｍに対して、ボール部２１．４１の端部
Ｘ、Ｙが、ギャップ膜３の湾曲に従い、中央端部ｘ１、
Ｙｌから幅方向の端部Ｘｎ、Ｙｎに向かって、徐々に移
動するような結果となる。このため、ボール部２１．４
１の端部Ｘ、Ｙに発生するアンダーシュー１−Ａ、Ｂが
キャップ膜３の湾曲に従い徐々に変化するような包絡線
状の波形となり、アンダーシュートＡ、　　Ｂが無視で
きる程度に弱められる。

第５図は本発明に係るメッキ法よって得られた薄膜磁気
ヘッドの別の実施例を示している。この実施例では、ボ
ール部２１は、幅方向の両端側で厚く、中間部で薄くな
っており、上部磁性膜のボール部４１は、幅方向の両端
側で薄く、中間部で厚くなっている。従って、ギャップ
膜３は、媒体走行方向ａに対して凸状に湾曲している。

第６図は本発明に係るメッキ法によって得られた薄膜磁
気ヘッドの更に別の実施例を示している。各ボール部２
１．４１は、ギャップ膜３とは反対側の面が曲面となる
ように、厚みを変化させである。ボール部２１．４１に
付与されるべき曲面は、凸状または凹状の何れでもよい
。この例では、凸状曲面を示して、下部磁性膜のボール
部２１は、基板１の表面に形成された凹部１００内にお
いて、幅方向の両端側で薄く、中間部で厚くなるように
形成されている。ボール部２１はギャップ膜３のある面
が実質的に平面状となっていて、ギャップ膜３はほぼ平
面状となるように配置されている。上部磁性膜のボール
部４１も、幅方向の両端側で薄く、中間部で厚くなるよ
うに、ギャップ膜３の上に形成されている。

第７図は本発明に係るメッキ法によって得られた薄膜磁
気ヘッドの更に別の実施例を示す図である。この実施例
では、上部磁性膜のボール部４１のみを、厚みの変化す
る形状にしである。図示はされていないが、下部磁性膜
のボール部のみを、厚みの変化する形状としてもよい。

アンダーシュートの抑制作用は、ボール部２１．４１の
うち、厚みを変化させた方側て得られるだけであるが、
片側のみで生じるアンダーシュートは回路的に容易に抑
制できる。

本発明は、薄膜磁気ヘッドのボール部の厚みコントロー
ルに極めて有効なものであるが、薄膜磁気ヘッドに限ら
ず、パーマロイのメッキ膜の断面形状をコントロールす
る必要のある用途に広く適用できる。

〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明は、少なくとも硫酸第１鉄及
び硫酸ニッケルを含むメッキ浴組成を用いてパーマロイ
のメッキ膜を形成するメッキ方法であって、添加剤とし
てラウリル硫酸ナトリウムを用い、その添加量を制御し
てメッキ膜の断面形状を制御するようにしたから、磁性
膜の断面形状を簡単、かつ、確実にコントロールし得る
メッキ方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの要部における製
造工程を示す図、第２図はラウリル硫酸ナトリウムの添
加量を変えたときのボール部の端部形状変化量を示す図
、第３図は本発明に係るメッキ法によって得られた磁性
膜を有する薄膜磁気ヘッドを媒体対向面側から見た拡大
図、第４図は第３図に示した薄膜磁気ヘッドの作用を説
明する図、第５図〜第７図は本発明に係るメッキ法によ
って得られた磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドを媒体対向
面側から見た各拡大図、第８図は従来より知られた薄膜
磁気ヘッドの要部の断面図、第９図は従来の薄膜磁気ヘ
ッドを媒体対向面側から見た拡大図、第１０図は従来の
薄膜磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体に記録した１シヨ
ツトの信号な再生した場合の孤立再生波形図をそれぞれ
示している。 １・・・基板　　　　　　２・・・下部磁性膜３・・・
ギャップ膜 ４・・・下部磁性膜　　　５・・・コイル膜２１．２２
・・・ボール部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも硫酸第１鉄及び硫酸ニッケルを含むメ
   ッキ浴組成を用いてパーマロイのメッキ膜を形成するメ
   ッキ方法であって、 添加剤としてラウリル硫酸ナトリウムを用い、その添加
   量を制御して前記メッキ膜の断面形状を制御すること を特徴とするメッキ方法。
2. （２）前記メッキ膜は、薄膜磁気ヘッドの磁性膜である
   ことを特徴とする請求項１に記載のメッキ方法。