JPH04137623A - 配線パターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は１表面に段差部分を有する基板に形成されたＡ
ｌ薄膜の配線パターンの形成方法に関しとくに精密パタ
ーンの形成方法に関する。

〈従来の技術〉 第１図＜ａ）〜（ｆ）は段差部分を有する基板上に配線
パターンを形成する従来の方法を示す概略工程図である
。工程に従って説明する。

工程（ａ） 段差を有する基板１の表面に熱さ１μｍ程度のＡｌ薄膜
２を蒸着やスパッタなどにより形成する。

工程（ｂ） 一工程（ａ）で形成しなＡｌ薄膜２上に段差の平坦化を
目的とした厚さ２μｍ程度の下層レジスト３、厚さ０．
１〜０．４μｍ程度の中間層（＃化膜、窒化膜、Ａｌな
ど）４．及び厚さ０．１μｍ程度の上層レジスト５を順
次積層する。

工程（ｃ） 除去すべきＡＩ薄ＷＡ２の上方に位置する上層レジスト
５をパターニングして中間層４を露出させる。

工程（ｄ） 上層レジスト５をマスクとして中間層４をエツチングし
、更に中間層４をマスクとして下層レジスト３をエツチ
ングしてＡｌ薄膜２を露出させる。

工程（ｅ） 下層レジスト３をマスクとしてＡｉ’４膜２をエツチン
グする。

〈発明が解決しようとする課題〉 ところで７段差は例えば１μｍ程度の厚さであリ、基板
１上に半導体部品を形成したり多層配線を行うことによ
り発生するが、その側壁は基板面に対して急峻に形成さ
れる。そのため、この上に形成される１μｍ程度の厚さ
のＡｌ薄膜はその段差部では（ａ）図に示す様にオーバ
ーハングの形状となる。従って（ｄ）図に示す様に下層
レジスト３を反応性イオンエツチングで除去する場合は
オーバーハングの下にレジスト３−が残る。その結果（
ｅ）図においてＡｌ薄膜２をエツチングしてもその残っ
たレジスト３−下のＡｌＨ３は除去されずエツチング残
膜２−として残る。そして。

この残った。１２残膜２−は剥がれて遊離しやすいので
そのままにしておくと基板の他の箇所に付着して短絡な
どの不具合を起こす原因となる。

このためウェットエツチングを行って残ったＡｌ残膜２
−を除去しているが、ウエットエ・ンチングを行うと工
程（ｆ）に示すように下層レジスト３の下のＡｌ薄膜２
までエツチングされてしまって細くなり、良好なパター
ンか得られないという問題があった。

本発明は上記従来技術の問題を解決するために成された
もので、従来の工程（ｄ）においてＡ１薄膜２を除去す
る際に基板１の温度を低くすることにより、下層レジス
ト３及びＡｌ薄膜２の側壁にエツチングにより発生する
ポリマーを付着させてウェットエツチング時にＡｌ４膜
の側壁がエツチングされるのを防止することを目的とす
る。

く課題を解決するための手段〉 上記従来技術の問題を解決する為の本発明の配線パター
ンの形成方法は、基板の段差部分を含んで形成されたＡ
ｌ薄膜を反応性イオンエツチングにより除去して配線を
行う配線パターンの形成方法において、前記Ａｌ薄膜は
、前記基板を冷却しながらエツチングすることを特徴と
するものである。

〈作用〉 Ａ　ｌ　Ｎ膜を反応性イオンエツチングによりエツチン
グするとＡ１薄膜の側壁にエツチングされたレジストが
再堆積する。基板温度を低くするとこの堆積量が促進さ
れる。

〈実施例〉 本実施例における概略製作工程を第１図を用いて説明す
る。第１図（ａ）〜（ｃ）までは従来と同様の工程によ
り作製する。

本発明では工程（ｄ）においてＡｌ薄１１に２をエツチ
ングする際に基板１の温度をＯ〜１０℃程度に冷却する
（反応性イオンエツチングでＡｌ薄膜２をエツチングす
る場合、冷却し、ない場合はイオンの衝突により基板の
温度は７０〜８０°Ｃ程度に上昇する）。

第１図（ｅ）は基板の温度を５℃に冷却してエツチング
することにより下層レジスト３とＡ　Ｉ　Ｎ膜２の側壁
にポリマーくエツチングされたレジストが再堆積したも
の・・・エツチングレートは異なるが反応性イオンエツ
チングによりレジストもエツチングされる）７が付着し
た状態を示している。

なお、ポリマー６は基板温度が従来のように高い場合に
もわずかに付着するがウェットエツチングの保護膜とな
るまでには堆積しない。

第２図は第１図に示す工程（ｅ）の後にウェットエツチ
ングをおこなった状態を示すものでＡｌ残膜２−を除去
しても下層レジスト３の下のＡｌ薄膜２は細くならない
。

第３図は下層レジスト３を除去した本発明による配線方
法（ａ）と従来例による方法（ｂ）のＡり薄膜の幅の状
態を示すもので従来例の幅ｔ、−に比較して本発明によ
る幅ｔが広くなっている。

〈発明の効果〉 以上実施例とともに具体的に説明した様に本発明によれ
ば１反応性イオンエツチングでＡｌ薄膜をエツチングす
る際に基板を冷却する様にしたのでＡｌ薄膜の側壁に従
来より厚いポリマーを形成することができ、ウェットエ
ツチングによりＡ１残膜を除去する際に下層レジスト下
のＡｌ薄膜が除去される、二とかない、その結果、電気
的特性の向上をはかることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明及び従来の一実施例の概略を工程図、第
２図は本発明におけるウエットエッチングエ稈を示づ“
図、第３図は本発明による配線方法（ａ）と従来例によ
る方法（ｂ）のＡｆ薄膜の幅の状態を示す図である。 １・・・シリコン基板、２・・・Ａｌ薄膜、３・・・下
層レジスト１４・・・中間層、５・・・上層レジスト、
６・・・ポリマー

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板の段差部分を含んで形成されたＡｌ薄膜を反応性イ
   オンエッチングにより除去して配線を行う配線パターン
   の形成方法において、前記Ａｌ薄膜は、前記基板を冷却
   しながらエッチングすることを特徴とする配線パターン
   の形成方法。