JPH04137062U - power transistor unit - Google Patents
power transistor unitInfo
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- JPH04137062U JPH04137062U JP5275391U JP5275391U JPH04137062U JP H04137062 U JPH04137062 U JP H04137062U JP 5275391 U JP5275391 U JP 5275391U JP 5275391 U JP5275391 U JP 5275391U JP H04137062 U JPH04137062 U JP H04137062U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】パワートランジスタユニットの取り付け自由度
を上げる。
【構成】パワートランジスタユニット１をユニット本体
１０とベース２０の二つに分割する。放熱フィン１５を
互いに平行に設ける。ユニット本体１０の格納部１２の
側面に４つの嵌合凹部１６を形成し、ベース２０の孔２
１の内側面に４つの嵌合突起２３を設ける。格納部１２
を孔２１に挿入し、嵌合突起２３を嵌合凹部１６に嵌合
させることにより、ユニット本体１０とベース２０が不
離一体となる。ベース２０に対するユニット本体１０の
取り付け方向を変更することによって、放熱フィン１５
の長手方向Ｘとベース２０の長手方向Ｙとを直交させて
配置することも、平行に配置することも可能となる。
(57) [Summary] [Purpose] To increase the degree of freedom in mounting the power transistor unit. [Structure] A power transistor unit 1 is divided into two parts: a unit body 10 and a base 20. Radiation fins 15 are provided parallel to each other. Four fitting recesses 16 are formed on the side surface of the storage section 12 of the unit body 10, and the holes 2 of the base 20 are formed.
Four fitting protrusions 23 are provided on the inner surface of 1. Storage part 12
is inserted into the hole 21 and the fitting protrusion 23 is fitted into the fitting recess 16, whereby the unit main body 10 and the base 20 become inseparable. By changing the attachment direction of the unit body 10 to the base 20, the radiation fins 15
The longitudinal direction X of the base 20 and the longitudinal direction Y of the base 20 can be arranged perpendicularly or in parallel.
Description
【０００１】0001
この考案は、放熱フィンを具備するパワートランジスタユニットに関するもの である。 This invention relates to a power transistor unit equipped with heat dissipation fins. It is.
【０００２】0002
自動車の空調装置においては、ファンモータの回転数を制御するために、パワ ートランジスタが用いられている。パワートランジスタは発熱するので冷却をす る必要がある。そのため、パワートランジスタを放熱部を有するケーシングに内 蔵してパワートランジスタユニットとし、放熱部を空調ダクト内に張り出すよう にして設置し、空調ダクトを流れる空気によって空冷するようにしている。 In automobile air conditioners, power is used to control the rotation speed of the fan motor. - Transistors are used. Power transistors generate heat, so they must be cooled. It is necessary to Therefore, the power transistor is housed in a casing with a heat dissipation section. The heat dissipation section is designed to extend into the air conditioning duct. The system is installed in a central location, and is cooled by air flowing through the air conditioning ducts.
【０００３】 図３は、実開昭６１ー４５２２６号公報に開示された従来のパワートランジス タユニット５０の組み立て斜視図である。このパワートランジスタユニット５０ は、ターミナル部５１と、取付用フランジ５２と、放熱部５３とから構成されて おり、その内部にパワートランジスタ(図示せず)が内蔵されている。放熱部５３ は、フランジ５２に対して起立姿勢をなす複数の柱状体５４を四方に配列して構 成されている。0003 Figure 3 shows a conventional power transistor disclosed in Japanese Utility Model Application No. 61-45226. FIG. 4 is an assembled perspective view of the data unit 50. This power transistor unit 50 is composed of a terminal part 51, a mounting flange 52, and a heat radiation part 53. A power transistor (not shown) is built inside it. Heat radiation part 53 is constructed by arranging a plurality of columnar bodies 54 in an upright position with respect to the flange 52 in all directions. has been completed.
【０００４】 上記パワートランジスタユニット５０の場合には、空気が放熱部５３を通過す る際に風切り音が起こり耳障りであるという欠点があるとともに、放熱部５３に おける空気抵抗が大きく、そのためエネルギの損失が大きいという不利点があっ た。0004 In the case of the power transistor unit 50, air passes through the heat dissipation section 53. There is a drawback that wind noise is generated when the heat dissipation section 53 The disadvantage is that the air resistance is large, resulting in large energy losses. Ta.
【０００５】 そこで、これらの放熱部５３に係る問題を解決すべく改良が加えられ、図４に 示すパワートランジスタユニット５０が開発された。図４は正面図であり、この パワートランジスタユニット５０も、ターミナル部５１とフランジ５２と放熱部 ５３とから構成されている。このパワートランジスタユニット５０の放熱部５３ は、互いに平行をなす平板状の多数の放熱フィン５５を有している。 このパワートランジスタユニット５０の場合には、空調ダクトに設置する際に 、空調ダクト内の空気の流れ方向と放熱フィン５５の長手方向(紙面に垂直な方 向)とを一致させる。このようにすると、放熱部５３において風切り音が生じな くなり、空気抵抗を小さくすることができる。[0005] Therefore, improvements were made to solve the problems related to these heat dissipation parts 53, and as shown in FIG. A power transistor unit 50 shown in the figure was developed. Figure 4 is a front view, and this The power transistor unit 50 also includes a terminal section 51, a flange 52, and a heat dissipation section. It is composed of 53. Heat dissipation section 53 of this power transistor unit 50 has a large number of flat radiation fins 55 that are parallel to each other. In the case of this power transistor unit 50, when installing it in an air conditioning duct, , the direction of air flow in the air conditioning duct and the longitudinal direction of the radiation fins 55 (perpendicular to the page) direction). In this way, wind noise is not generated in the heat dissipation section 53. This makes it possible to reduce air resistance.
【０００６】[0006]
しかしながら、上記改良型のパワートランジスタユニット５０は、ターミナル 部５１とフランジ５２と放熱部５３とが一体に形成されているため、汎用性にか けていた。即ち、空調ダクトに対するフランジ５２の取り付け方向によって放熱 フィン５５の方向性が一意的に決まってしまうので、空調ダクトにおけるフラン ジ５２の設置方向と、空調ダクト内の空気の流れ方向とを考慮して、フランジ５ ２と放熱フィン５５の相互の方向性を決定し、製作する必要があるからである。 したがって、方向性の異なる場所には設置することができず、汎用性に欠けるこ ととなった。 However, the improved power transistor unit 50 has a terminal Since the portion 51, flange 52, and heat dissipation portion 53 are integrally formed, it is highly versatile. It was clear. That is, heat radiation is determined by the direction in which the flange 52 is attached to the air conditioning duct. Since the directionality of the fins 55 is uniquely determined, the flange in the air conditioning duct The flange 52 is installed in consideration of the installation direction of the flange 52 and the flow direction of the air in the air conditioning duct. This is because it is necessary to determine the mutual orientation of the heat dissipating fins 2 and the heat dissipating fins 55 before manufacturing them. Therefore, it cannot be installed in locations with different orientations, resulting in a lack of versatility. It became.
【０００７】 この考案は上述従来の技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的と するところは、静粛性に富み、空気抵抗が低く、しかも、取り付け方向の自由度 が大きく汎用性に富むパワートランジスタユニットを提供しようとするところに ある。[0007] This idea was made in view of the problems of the above-mentioned conventional technology, and it It is quiet, has low air resistance, and can be installed in any direction. is trying to provide a large and versatile power transistor unit. be.
【０００８】[0008]
この考案は上述目的を達成するためになされたもので、その要旨は、 (イ)互いに略平行をなして外方へ延びる複数の放熱フィンを有し、内部にパワー トランジスタが内蔵されたユニット本体と、 (ロ)このユニット本体が着脱可能に取り付けられ、設置すべき部位に固定される ベースと、 (ハ)上記ユニット本体と上記ベースのいずれか一方に設けられた多数の第１係合 部と、残る他方に設けられた第２係合部とからなり、第２係合部を第１係合 部のいずれかに選択的に係合させることにより、ユニット本体とベースとの 相対的な方向性を変えることができる方向変更機構、 とを具備することを特徴とするパワートランジスタユニットにある。 This invention was made to achieve the above purpose, and its gist is as follows: (a) It has multiple heat dissipation fins that extend outward and are approximately parallel to each other, and has a power source inside. A unit body with a built-in transistor, (b) This unit body is removably attached and fixed to the location where it should be installed. base and (c) A number of first engagements provided on either one of the unit main body and the base and a second engaging part provided on the remaining other side, and the second engaging part is connected to the first engaging part. By selectively engaging one of the parts, the unit body and base can be connected. a direction change mechanism that can change the relative direction; There is a power transistor unit characterized by comprising:
【０００９】[0009]
空調ダクト等の設置すべき部位に対するベースの設置方向と、放熱フィンの設 置方向との相対的な方向性を、ユニット本体とベースの相互の方向性を変えるこ とによって変更することができる。これによって、取り付け方向の自由度が大き くなる。 The installation direction of the base relative to the area where air conditioning ducts, etc. should be installed, and the installation of radiation fins. You can change the mutual orientation of the unit body and base relative to the installation direction. and can be changed by. This provides greater freedom in mounting direction. It becomes.
【００１０】0010
以下、この考案の実施例を図１及び図２の図面に基づいて説明する。尚、この 実施例におけるパワートランジスタユニットも、自動車の空調装置におけるファ ンモータの回転数制御用に用いられ、空調ダクトの内部に設置されるものである 。 Hereinafter, an embodiment of this invention will be described based on the drawings of FIGS. 1 and 2. Furthermore, this The power transistor unit in the embodiment is also used as a fan in an automobile air conditioner. It is used to control the rotation speed of the engine motor and is installed inside the air conditioning duct. .
【００１１】 図１はこの考案に係るパワートランジスタユニット１の第１実施例を示す分解 斜視図である。 このパワートランジスタユニット１はユニット本体１０とベース２０とから構 成されている。ユニット本体１０は放熱部１１と格納部１２とターミナル部１３ とを具備しており、このユニット本体１０の内部にパワートランジスタ(図示せ ず)が内蔵されている。放熱部１１の下部１４は横断面正方形をなし、この下部 １４から平板状の３枚の放熱フィン１５が互いに平行をなして上方(外方)へ延び ている。格納部１２の横断面は正方形をなしており、その大きさは放熱部１１の 下部１４よりも若干小さくされている。格納部１２の各側面の中央には同一形状 、同一寸法の横長の嵌合凹部(第１係合部)１６がそれぞれ一つずつ形成されてい る。[0011] FIG. 1 shows an exploded view of a first embodiment of a power transistor unit 1 according to this invention. FIG. This power transistor unit 1 is composed of a unit body 10 and a base 20. has been completed. The unit body 10 includes a heat dissipation section 11, a storage section 12, and a terminal section 13. This unit body 10 has a power transistor (not shown) inside the unit body 10. ) is built-in. The lower part 14 of the heat radiation part 11 has a square cross section, and this lower part 14 has a square cross section. From 14, three flat radiation fins 15 extend upward (outward) parallel to each other. ing. The cross section of the storage section 12 is square, and its size is the same as that of the heat dissipation section 11. It is slightly smaller than the lower part 14. The same shape is placed in the center of each side of the storage section 12. , one horizontally long fitting recess (first engaging part) 16 of the same size is formed respectively. Ru.
【００１２】 一方、ベース２０は平板状をなし、その中央に正方形の孔２１が形成され、こ の孔２１の両側に二つの取り付け孔２２，２２が形成されている。孔２１の大き さは、格納部１２よりも若干大きく、放熱部１１の下部１４よりも若干小さくさ れており、孔２１に格納部１２を挿入することができるようになっている。この 孔２１の各内側面の中央には、上記嵌合凹部１６に嵌合可能な同一形状、同一寸 法の横長の嵌合突起(第２係合部)２３がそれぞれ一つずつ形成されている。0012 On the other hand, the base 20 has a flat plate shape, and a square hole 21 is formed in the center of the base 20. Two mounting holes 22, 22 are formed on both sides of the hole 21. Size of hole 21 The size is slightly larger than the storage part 12 and slightly smaller than the lower part 14 of the heat dissipation part 11. The storage portion 12 can be inserted into the hole 21. this At the center of each inner surface of the hole 21, a hole having the same shape and size that can be fitted into the fitting recess 16 is provided. One horizontally elongated fitting protrusion (second engaging portion) 23 is formed in each case.
【００１３】 上記パワートランジスタユニット１においては、ユニット本体１０の格納部１ ２をベース２０の孔２１に挿入し、嵌合突起２３を嵌合凹部１６に嵌合すること によって、ユニット本体１０とベース２０とが不離一体となり、放熱部１１の下 部１４の底面がベース２０の表面に当接する。 そして、ベース２０の取り付け孔２２にビス(図示せず)を差し込み、空調ダク トの壁部(図示せず)にねじ込むことによって、パワートランジスタユニット１は 空調ダクトに固定される。[0013] In the power transistor unit 1, the storage section 1 of the unit body 10 is 2 into the hole 21 of the base 20 and fit the fitting protrusion 23 into the fitting recess 16. As a result, the unit main body 10 and the base 20 become an inseparable body, and the bottom of the heat dissipation section 11 is The bottom surface of the portion 14 comes into contact with the surface of the base 20. Then, insert a screw (not shown) into the mounting hole 22 of the base 20 and attach it to the air conditioning duct. The power transistor unit 1 is screwed into the wall (not shown) of the Fixed to the air conditioning duct.
【００１４】 上記パワートランジスタユニット１においては、放熱フィン１５の長手方向Ｘ を空調ダクト内の空気の流れ方向に一致させることによって、放熱部１１におけ る風切り音の発生を防止することができ、空気抵抗も小さくなってエネルギの損 失を抑えることができる。[0014] In the power transistor unit 1, the longitudinal direction of the radiation fin 15 By matching the flow direction of the air in the air conditioning duct, the heat dissipation section 11 is It can prevent the generation of wind noise, reduce air resistance, and reduce energy loss. losses can be reduced.
【００１５】 ところで、図１のように組み立てたパワートランジスタユニット１においては 、放熱フィン１５の長手方向Ｘとベース２０の長手方向Ｙとが直交する。しかし ながら、空調ダクトにおける設置場所の状況によっては、放熱フィン１５の長手 方向Ｘとベース２０の長手方向Ｙとを同方向にしたい場合がある。その場合には 、ユニット本体１０とベース２０とを組み付ける際に、ユニット本体１０を図１ の状態から９０°回転して取り付ける。 このようにユニット本体１０とベース２０との相対的な方向性を変えることが できるのは、ユニット本体１０の格納部１２とベース２０の孔２１の横断面を 正方形にし、格納部１２の各側面における嵌合凹部１６の設置位置を同一にし 孔２１の各内側面における嵌合突起２３の設置位置を同一にし、各嵌合凹部 １６を同一形状、同一寸法にし、各嵌合突起２３を同一形状、同一寸法にした ことによって、一の嵌合突起２３をいずれの嵌合凹部１６にも嵌合させることが できることによる。[0015] By the way, in the power transistor unit 1 assembled as shown in FIG. , the longitudinal direction X of the radiation fins 15 and the longitudinal direction Y of the base 20 are orthogonal to each other. but However, depending on the installation location in the air conditioning duct, the length of the radiation fin 15 may be There are cases where the direction X and the longitudinal direction Y of the base 20 are desired to be the same direction. In that case , when assembling the unit body 10 and the base 20, the unit body 10 is Rotate 90 degrees from the position shown below to install. In this way, the relative orientation between the unit body 10 and the base 20 can be changed. What can be done is the cross section of the storage part 12 of the unit body 10 and the hole 21 of the base 20. The fitting recesses 16 are installed in the same position on each side of the storage section 12. The installation position of the fitting protrusion 23 on each inner surface of the hole 21 is the same, and each fitting recess is 16 have the same shape and the same dimensions, and each fitting protrusion 23 has the same shape and the same dimensions. This makes it possible to fit one fitting protrusion 23 into any of the fitting recesses 16. Depends on what you can do.
【００１６】 このように、このパワートランジスタユニット１によれば、その取り付けの自 由度が大きくなり、パワートランジスタユニット１の共通化が可能になる。尚、 この実施例においては、嵌合凹部１６と嵌合突起２３によって方向変更機構が構 成されている。[0016] As described above, according to this power transistor unit 1, its installation can be done automatically. The degree of flexibility is increased, and the power transistor unit 1 can be used in common. still, In this embodiment, the direction changing mechanism is constructed by the fitting recess 16 and the fitting protrusion 23. has been completed.
【００１７】 図２(Ａ)はこの考案に係るパワートランジスタユニット１の第２実施例を示す 分解斜視図である。以下の説明では、このパワートランジスタユニット１が前述 の第１実施例のものと相違する点についてだけ述べ、同一態様部分については図 ２に同一符号を付して説明を省略するものとする。[0017] FIG. 2(A) shows a second embodiment of the power transistor unit 1 according to this invention. It is an exploded perspective view. In the following explanation, this power transistor unit 1 is Only the points that are different from those of the first embodiment will be described, and the same aspects will be explained in the drawings. 2 will be given the same reference numerals and the explanation will be omitted.
【００１８】 このパワートランジスタユニット１のベース２０には、円形の孔２４が形成さ れている。この孔２４の内周面には、同一形状、同一寸法の二つの板片状の係合 突起(第２係合部)２５，２５が、内側に向かって突出している。係合突起２５， ２５は点対称な位置に配置され、同一高さに設けられている。[0018] A circular hole 24 is formed in the base 20 of this power transistor unit 1. It is. The inner circumferential surface of this hole 24 is provided with two plate-shaped engagement plates having the same shape and size. Projections (second engaging portions) 25, 25 protrude inward. engagement protrusion 25, 25 are arranged point-symmetrically and at the same height.
【００１９】 一方、このパワートランジスタユニット１の格納部１２は円盤状をなしている 。この格納部１２の外径は、放熱部１１の下部１４よりも大きく、ベース２０の 孔２４の内径よりも若干小さくされていて、格納部１２は孔２４に挿入可能にな っている。格納部１２の外周面には、同一高さに周方向等間隔に、同一形状、同 一寸法の８つの係合溝(第１係合部)１７，１７…が形成されている。図２(Ｂ)は 係合溝１７の正面図であり、この図に示すように各係合溝１７は、格納部１２の 底面から上面に向かって延びる縦溝１７ａと、縦溝１７ａの上部から隣接する係 合溝１７に向かって周方向略水平に延びる横溝１７ｂとから構成されている。横 溝１７ｂは縦溝１７ａから離間するに従って上記係合突起２５の厚さよりも細く なるテーパ状をなしている。[0019] On the other hand, the storage section 12 of this power transistor unit 1 has a disk shape. . The outer diameter of the storage section 12 is larger than the lower part 14 of the heat dissipation section 11 and the outer diameter of the base 20 The inner diameter of the hole 24 is made slightly smaller so that the storage portion 12 can be inserted into the hole 24. ing. On the outer circumferential surface of the storage part 12, the same shape and the same shape are arranged at the same height and at equal intervals in the circumferential direction. Eight engagement grooves (first engagement portions) 17, 17, . . . of one dimension are formed. Figure 2(B) is 2 is a front view of the engagement grooves 17, and as shown in this figure, each engagement groove 17 is located in the storage section 12. A vertical groove 17a extending from the bottom surface to the top surface and an adjacent engaging groove 17a extending from the top of the vertical groove 17a. A lateral groove 17b extending substantially horizontally in the circumferential direction toward the matching groove 17. beside The groove 17b becomes thinner than the thickness of the engagement protrusion 25 as the distance from the vertical groove 17a increases. It has a tapered shape.
【００２０】 上記縦溝１７ａには、格納部１２の底面側からベース２０の係合突起２５が挿 入可能となっており、係合突起２５を縦溝１７ａの天井に突き当てた後に、ユニ ット本体１０とベース２０を相対回動して、係合突起２５を横溝１７ｂに侵入さ せると、楔作用によって係合突起２５が横溝１７ｂに徐々に締め付けられ、ユニ ット本体１０とベース２０とが不離一体となる。そして、この時に、格納部１２ の上面とベース２０の上面とがほぼ面一になる。[0020] The engagement protrusion 25 of the base 20 is inserted into the vertical groove 17a from the bottom side of the storage section 12. After the engaging protrusion 25 hits the ceiling of the vertical groove 17a, the unit can be inserted. The mat main body 10 and the base 20 are rotated relative to each other, so that the engaging protrusion 25 enters the lateral groove 17b. Then, the engagement protrusion 25 is gradually tightened by the lateral groove 17b due to the wedge action, and the unit The kit body 10 and the base 20 become an inseparable body. At this time, the storage section 12 The upper surface and the upper surface of the base 20 are substantially flush with each other.
【００２１】 上記パワートランジスタユニット１の場合には、係合突起２５が孔２４の周方 向等間隔に８つ設けられているので、放熱フィン１５の長手方向Ｘとベース２０ の長手方向Ｙとの相対的な方向性を４５°間隔に変更することができ、第１実施 例のものよりも取り付けの自由度が更に大きくなる。 尚、この実施例においては、係合溝１７と係合突起２５により方向変更機構が 構成されている。[0021] In the case of the power transistor unit 1 described above, the engagement protrusion 25 is located around the hole 24. Since eight are provided at equal intervals in the direction, the longitudinal direction of the radiation fins 15 and the base 20 The relative directionality with respect to the longitudinal direction Y can be changed to 45° intervals, and the first implementation The degree of freedom in installation is even greater than in the example. In this embodiment, the direction changing mechanism is configured by the engaging groove 17 and the engaging protrusion 25. It is configured.
【００２２】 この考案は上述実施例に制約されず種々の態様が採用可能である。例えば、上 述各実施例においては、第１係合部を凹部あるいは溝とし、第２係合部を突起と しているが、これを逆にしてもよい。又、第１係合部の数は４つあるいは８つに 限られるものではなく、所望する自由度の数に応じて種々設定が可能である。又 、第２係合部の数も２つあるいは４つに限るものではない。 又、放熱フィンの平行度は厳密ではなく、許容される空気抵抗の範囲内に収ま るならば、若干の平行にずれがあっても構わない。[0022] This invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various embodiments can be adopted. For example, above In each of the above embodiments, the first engaging part is a recess or a groove, and the second engaging part is a projection. However, this can be reversed. Also, the number of first engaging parts is four or eight. The number of degrees of freedom is not limited, and various settings can be made depending on the desired number of degrees of freedom. or Also, the number of second engaging portions is not limited to two or four. Also, the parallelism of the radiation fins is not strict, and must be within the allowable air resistance range. If it is, it doesn't matter if there is a slight deviation in parallelism.
【００２３】[0023]
以上説明したように、この考案によれば、放熱フィンを互いに略平行に配置し 、ユニット本体とベースを着脱可能にし、且つ、ユニット本体とベースとの間に 第１係合部と第２係合部とからなる方向変換機構を設けたことにより、風切り音 の発生防止と空気抵抗の低減という目的を達成しつつ、パワートランジスタユニ ットの取り付け自由度を大きくすることができるという優れた効果が奏される。 加えて、パワートランジスタユニットの共通化が可能になるという効果もある。 As explained above, according to this invention, the radiation fins are arranged approximately parallel to each other. , the unit body and the base can be attached and detached, and there is no space between the unit body and the base. By providing a direction changing mechanism consisting of a first engaging part and a second engaging part, wind noise can be reduced. While achieving the objectives of preventing the occurrence of air pollution and reducing air resistance, This has the excellent effect of increasing the degree of freedom in attaching the kit. In addition, there is an effect that power transistor units can be shared.
【図１】この考案に係るパワートランジスタユニットの
実施例を示す分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view showing an embodiment of a power transistor unit according to the invention.
【図２】他の実施例を示すものであり、(Ａ)はパワート
ランジスタユニットの分解斜視図、(Ｂ)は係合溝の正面
図である。FIG. 2 shows another embodiment, in which (A) is an exploded perspective view of a power transistor unit, and (B) is a front view of an engagement groove.
【図３】従来のパワートランジスタユニットの組立斜視
図である。FIG. 3 is an assembled perspective view of a conventional power transistor unit.
【図４】従来の他のパワートランジスタユニットの正面
図である。FIG. 4 is a front view of another conventional power transistor unit.
１ パワートランジスタユニット １０ ユニット本体 １１ 放熱部 １５ 放熱フィン １６ 嵌合凹部(第１係合部) １７ 係合溝(第１係合部) ２０ ベース ２３ 嵌合突起(第２係合部) ２５ 係合突起(第２係合部） 1 Power transistor unit 10 Unit body 11 Heat dissipation part 15 Heat dissipation fin 16 Fitting recess (first engagement part) 17 Engagement groove (first engagement part) 20 base 23 Fitting protrusion (second engagement part) 25 Engagement protrusion (second engagement part)
Claims (1)
数の放熱フィンを有し、内部にパワートランジスタが内
蔵されたユニット本体と、(ロ)このユニット本体が着脱
可能に取り付けられ、設置すべき部位に固定されるベー
スと、(ハ)上記ユニット本体と上記ベースのいずれか一
方に設けられた多数の第１係合部と、残る他方に設けら
れた第２係合部とからなり、第２係合部を第１係合部の
いずれかに選択的に係合させることにより、ユニット本
体とベースとの相対的な方向性を変えることができる方
向変更機構、とを具備することを特徴とするパワートラ
ンジスタユニット。Claims 1: (a) a unit main body having a plurality of heat dissipating fins extending outward substantially parallel to each other and having a power transistor built therein; and (b) this unit main body being removably attached. , a base fixed to the site to be installed; (c) a number of first engaging parts provided on either one of the unit main body and the base; and a second engaging part provided on the remaining other. and a direction changing mechanism capable of changing the relative directionality between the unit body and the base by selectively engaging the second engaging part with either of the first engaging parts. A power transistor unit characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5275391U JPH04137062U (en) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | power transistor unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5275391U JPH04137062U (en) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | power transistor unit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137062U true JPH04137062U (en) | 1992-12-21 |
Family
ID=31928950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5275391U Pending JPH04137062U (en) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | power transistor unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04137062U (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013098328A (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JP2014183123A (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Fujitsu Ltd | Radiator |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP5275391U patent/JPH04137062U/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013098328A (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JP2014183123A (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Fujitsu Ltd | Radiator |
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