JPH04125947A - Feed back device of film formation system - Google Patents
Feed back device of film formation systemInfo
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Abstract
Description
本発明はＣＶＤなどの成膜プロセスを決定するデータと
してのレシピに基づいて半導体製造装置を作動させ成膜
を行わせる成膜システムにおいて、前記レシピデータお
よび半導体製造装置をメンテナンスするためのフィード
バック装置に関する。
なお以下各図において同一の符号は同一もしくは相当部
分を示す。The present invention relates to a feedback device for maintaining the recipe data and the semiconductor manufacturing equipment in a film forming system that operates a semiconductor manufacturing equipment to form a film based on a recipe as data for determining a film forming process such as CVD. . Note that in the following figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
この種の成膜用半導体製造装置において、半導体ウェハ
に対する実成膜処理がどのように行われるかを説明する
。この半導体製造装置を作動させ成膜プロセスを自動的
に実行するために、まずレシピ（ｒｅｃｉｐｅ、つまり
処決、製法の意）とよばれる工程別の各種条件データを
備えたデータが存在する。一般にこのレシピデータには
、前処理工程。
実成膜処理工程、後処理工程のそれぞれの工程における
装置パラメータとしての条件データが格納されており、
このパラメータを様々に変更することにより、同じ半導
体製造装置でも種々の成膜を実現できる。
従って装置の使用者は、このレシピ内の条件データを操
作し、例えば膜の厚さ、膜の質（均一性、等）、膜成長
の速度等が自分の目的に合致するような膜を得るための
実験を繰返し行っている。これらの条件データはレシピ
というデータにより管理され、得た膜と１対１で管理さ
れる。A description will be given of how actual film formation processing is performed on a semiconductor wafer in this type of semiconductor manufacturing apparatus for film formation. In order to operate this semiconductor manufacturing apparatus and automatically execute a film forming process, first, there is data called a recipe (meaning a treatment or manufacturing method) that includes various condition data for each process. Generally, this recipe data includes pre-processing steps. Condition data as equipment parameters for each process of actual film formation process and post-processing process is stored.
By changing these parameters variously, various film formations can be realized using the same semiconductor manufacturing apparatus. Therefore, the device user manipulates the condition data in this recipe to obtain a film whose thickness, film quality (uniformity, etc.), film growth rate, etc. match his/her purpose. We are conducting repeated experiments for this purpose. These condition data are managed by data called a recipe, and are managed on a one-to-one basis with the obtained film.
そこである特定の成膜をするレシピデータに注目して考
えると、このレシピデータにより運転された装置は、全
て同一膜質、膜厚のウェハを生産する筈である。これは
装置の特性の信顛性に関わる問題であり、完成された半
導体製造装置においては、このプロセスの再現性は保証
されている筈である。ところが、この完成された装置に
おいても同一レシピにより成膜を行った場合に、成膜枚
数をこなしていくうちに再現性が保証されなくなるのが
常である。この原因は、成膜を行っていくに従い、半導
体製造装置の反応室（即ち成膜を行っている部屋）のま
わりに膜が付くとか、長期的に見た場合には真空排気用
ポンプの動作特性が変化するとか、成膜ガスの導入部の
目詰り等によって反応室の特性が変化し、各種条件に悪
影響を与えるからである。このため半導体製造装置の使
用者は、頻繁に装置のメンテナンスを行い運用を行って
いる。
そこで本発明は反応室の特性に応じて自動的にプロセス
条件を変化させることができる成膜システムのフィード
バック装置を提供することにより、前記のメンテナンス
回数を減少しようとするものである。If we focus on recipe data for forming a specific film, all apparatuses operated according to this recipe data should produce wafers with the same film quality and thickness. This is a problem related to the reliability of the characteristics of the device, and the reproducibility of this process should be guaranteed in a completed semiconductor manufacturing device. However, even in this completed apparatus, when films are formed using the same recipe, reproducibility is usually no longer guaranteed as the number of films deposited increases. The cause of this is that as film formation progresses, a film may form around the reaction chamber of the semiconductor manufacturing equipment (i.e., the room where film formation is performed), or in the long term, the operation of the vacuum pump may cause This is because the characteristics of the reaction chamber change due to changes in the characteristics or clogging of the film-forming gas inlet, etc., which adversely affects various conditions. Therefore, users of semiconductor manufacturing equipment frequently perform maintenance and operation of the equipment. Therefore, the present invention aims to reduce the number of maintenance operations described above by providing a feedback device for a film forming system that can automatically change process conditions according to the characteristics of a reaction chamber.
前記の課題を解決するために本発明の装置は、ｒ成膜プ
ロセスを決定するデータとしてのレシピ（限定レシピ１
−１など）に基づいて半導体製造装置を作動させ成膜を
行わせる成膜システムにおいて、
前記成膜プロセスを最適に実行するのに必要な規格デー
タ（３など）を備え、
前記規格データは少なくとも基準成膜速度（３Ｃなど）
、各種の評価項目別の基準値（３０など）、この各基準
値に対する許容範囲（３８など）、各種の基準プロセス
パラメータ（Ｐなど）を含むようにし、
前記レシピに基づき試験的に成膜されたテストピースを
検査して得られた膜厚および前記評価項目別の評価値の
入力に基づいて所定の演算を行い、前記規格データの基
準成膜速度および基準プロセスパラメータを更新する手
段と、
前記テストピースについての評価値と前記規格データに
おける当該評価項目に対する基準値との差が、同じく規
格データ中の対応する許容範囲を越えたときは、前記半
導体試験装置をメンテナンスすべき旨の信号を出力する
手段とを備えたｊものとする。In order to solve the above problems, the apparatus of the present invention uses a recipe (limited recipe 1) as data for determining the r film forming process.
-1, etc.), which operates a semiconductor manufacturing equipment to perform film formation, comprising standard data (3, etc.) necessary to optimally execute the film forming process, and the standard data includes at least Standard film formation rate (3C, etc.)
, a standard value for each evaluation item (such as 30), an allowable range for each standard value (such as 38), and various standard process parameters (such as P), and a film is formed on a trial basis based on the recipe. means for performing a predetermined calculation based on input of the film thickness obtained by inspecting the test piece and the evaluation value for each evaluation item, and updating the standard film formation rate and standard process parameter of the standard data; When the difference between the evaluation value of the test piece and the reference value for the evaluation item in the standard data exceeds the corresponding tolerance range in the standard data, a signal indicating that the semiconductor testing equipment should be maintained is output. It shall be equipped with means to do so.
本発明は、レシピデータごとに、そのデータとは別に規
格データを備え、その規格データ内に膜厚、膜質等につ
いての評価値に対する基準値およびその許容範囲データ
と、各種プロセスパラメータおよびその算出計数を持た
せ、更にユーザが実際に成膜したウェハを検査して得た
データとしての膜厚および前記基準値に対応する評価値
からこの評価値が許容範囲に入っているか否かを判別し
て、許容範囲に入っていない場合は半導体製造装置のメ
ンテナンスを行うべき旨の信号を出力する手段と、
前記の各種の評価値、基準値、プロセスパラメータの算
出計数から最新の最適プロセスパラメータを算出して今
までの対応するプロセスパラメータを更新する手段を設
けることにより、成膜プロセスへのフィードバックを可
能にしたものである。In the present invention, standard data is provided for each recipe data separately from the data, and within the standard data, standard values and tolerance range data for evaluation values for film thickness, film quality, etc., various process parameters and their calculation coefficients are provided. Furthermore, it is determined whether or not this evaluation value is within the allowable range based on the film thickness as data obtained by inspecting the wafer on which the film was actually formed by the user and the evaluation value corresponding to the reference value. , a means for outputting a signal to the effect that maintenance of the semiconductor manufacturing equipment should be performed when the semiconductor manufacturing equipment is not within the allowable range, and a means for calculating the latest optimum process parameters from the various evaluation values, reference values, and calculated counts of the process parameters. By providing means for updating the corresponding process parameters, feedback to the film forming process is made possible.
以下第１図ないし第４図に基づいて本発明の詳細な説明
する。
第３図は本実施例におけるレシピデータの構成図である
。このレシピデータは半導体製造装置（図外）が自動的
に実行する成膜プロセス（なおここで該プロセスは以下
に述べる下位のプロセス全体を包含する意味を持つもの
とする）全体の動作内容を決定するデータである。第３
図において１はレシピデータ（単にレシピともいう）で
あり、ＩＡはレシピ塩、ＩＢは当該レシピを実行する際
の下位プロセスとしてのプロセスの順番を示すプロセス
番号である。
ＩＣはプロセス保持時間、つまり半導体製造装置をこの
保持時間だけこのプロセスのプロセスデータ（後述）の
状態に保ったのち、次のプロセス番号のプロセスデータ
の状態に移行させるという意味の保持時間である。ＩＤ
は当該プロセスを識別するためのプロセス属性を示す記
号で、Ｐは反応室へのウェハ搬入前の工程、Ｗは成膜反
応前／後の工程（例えばガスの流入、排出など）、Ｒは
実際に膜を成長させるプロセスとしての反応プロセス、
Ｅは反応室からのウェハの搬出後の工程をそれぞれ意味
する。
２は半導体製造装置を構成する各機器の、前記プロセス
番号ＩＢに該当するプロセスでの状態（例えばガス１を
ＸＸｃｃ流すとか、バルブ０番と６番を開けるといった
状態）を定義したプロセスデータであり、第１図のよう
にプロセスデータ２は各バルブの開閉状態を示すデータ
２Ａや各種のプロセスパラメータ等で構成されている。
そしてこのプロセスデータ２はレシピデータ１の下位デ
ータとしてレシピ塩ＩＡとプロセス番号ＩＢとの指定に
よって検索可能なようにこの成膜システムに格納されて
いる。
第４図は各レシピデータ１に対応して設けられている規
格データの構成を示す。この規格データ３とは、レシピ
データ１によって実際に半導体製品の成膜を行うに先立
って、前記レシピデータ１によって試作品としての半導
体ウェハ（テストピース、Ｔ、Ｐ、とも略す）を用いて
仮成膜を行い、この成膜の良否を検査によって評価し、
その結果によってレシピデータ１の内容の修正を行うが
、このときの成膜評価の規格となるデータである。
この規格データ３の内部データは、レシピ塩３Ａ（但し
このレシピ塩３Ａはレシピデータ１中のレシピ塩ＩＡと
同じである）、Ｔ、Ｐ０作成時の反応プロセスの時間と
してのＴＰ成膜時間ｔｋ、このレシピにおける反応プロ
セスの成長速度（以下Ｇｒｏｗｔｈ Ｒａｔｅを略しＧ
、Ｒ１という）としての基準成膜速度３Ｃ，膜質の良否
を判断するための評価項目１〜ｎについての基準値３Ｄ
、この各評価項目１〜ｎ別の基準値についてのそれぞれ
の許容範囲３Ｂ、膜厚に影響を与える各種のパラメータ
としてのｍ個の基準プロセスパラメータＰ （ＰＩ〜Ｐ
ｊ〜Ｐｓｉ）、各最新の基準プロセスパラメータＰ１〜
Ｐ−をそれぞれ算出するためのｍ個の算出係数データＫ
（Ｋｌ〜Ｋｊ＝ＫＩ１１）から成る。
第１図はレシピデータ１によってテストピースに対し仮
の成膜を行った結果により、規格データ３を更新する手
順の説明図である。なお以下８１〜Ｓ６の符号はこの手
順のステップを示す。
本発明の対象となるレシピデータ１は規格データ３を持
つレシピであり、このレシピ１を特に限定レシピ１−１
といい、名前は固定である。この限定レシピ１−１がプ
ロセスフィードバック可能なレシピとなる。ユーザは実
成膜を行う前に、Ｔ。
Ｐ、による半導体製造装置の評価用運転を実行する。こ
れは限定レシピ１−１による運転で、かつレシピ１−１
内のプロセス属性ＩＤの記号が”Ｒ”の反応プロセスの
保持時間ＩＣとしてはこの限定レシピ１−１内の保持時
間値ｔＲでなく （ｔＲは製品製作時に適用されるもの
で、テストピースには適用されない）、規格データ３内
に登録されているＴ、Ｐ、成膜時間ｔｋを用いて運転さ
れる（Ｓｌ）。この運転後に、成膜処理されたウェハは
検査され、膜厚、及び膜質を評価する評価項目１〜ｎま
での評価値を得て、この成膜システムの評価用プログラ
ムに入力される（Ｓ２）。
そこでこの評価用プログラムは新たな基準Ｇ。
Ｒｏと基準プロセスパラメータＰ（ＰＩ〜Ｐａ）の算出
と評価を行う。新基準Ｇ、 Ｒ，はＴ、 Ｐ、成膜時間
ｔｋと入力された膜厚から求められ（Ｓ３）、新たな基
準プロセスパラメータＰは以下の式より求められる （
Ｓ４）。
ｋｊ
ここで
Ｐｊｏｌｄ ：規格データ３中の基準プロセスパラメ
ータＰＯｊ番目のパラメータで、Ｔ、Ｐ、製作前に登録
されていた基準プロセスパラメータの値、Ｐｊｎｅｗ
： Ｔ、 Ｐ、の評価によってＰｊｏｌｄに代って
新に登録される基準プロセスパラメータの値、基準値ｊ
：規格データ３中のｊ番目の評価項目の基準値３Ｄの値
、
評価値ｊ：前記のｊ番目の評価項目の評価値、ｋｊ：規
格データ３中に予め登録されているｊ番目のプロセスパ
ラメータ算出係数、
である。但しこの場合１〜ｍ番までの評価項目はそれぞ
れ基準プロセスパラメータＰ１〜Ｐ１１に対応する内容
となるように予め配列されているものとする。
このようにして計算された新基準Ｇ、 Ｒ，およびＰｊ
ｎｅｗ（新基準プロセスパラメータ）を規格データ３内
にそれぞれ従来の対応するデータ３Ｃ，Ｐｊに置換わる
新たな基準データとして更新登録する（Ｓ５．Ｓ６）。
なおこの更新は全ての基準プロセスパラメータＰ１〜ｐ
Ｈに対して行われることはいうまでもない。
次に製品製作（実成膜）のための半導体製造装置の運転
を実行するが、この場合の前記限定レシピデータ１−１
および規格データ３の運用方法を第２図を用いて説明す
る。なお以下Ｓｌｌ〜Ｓ１３の符号は第２図中のステッ
プを示す。
この場合レシピ塩と処理枚数を指定入力する。
もしレシピ１が限定レシピ１−１の場合には、ユーザは
さらに反応プロセスにて成長させる膜厚（要求膜厚）を
指定する（Ｓｌｌ）。そして先に第１図で述べたように
Ｔ、Ｐ、にて算出された規格データ３内の基準Ｇ、Ｒ，
３Ｃの値とここで入力された膜厚とから、反応プロセス
の保持時間ＩＣの値ｔＲを計算し、限定レシピ１−１内
の反応プロセス（この例ではプロセスＲ）の今までの保
持時間ｔＲを書き替える（３１２）。
また前記反応プロセス（プロセスＲ）のプロセスデータ
２内のプロセスパラメータに関しては、このプロセスデ
ータ２内の対応する部分のプロセスパラメータの値を規
格データ３内の対応する基準プロセスパラメータＰ （
ＰＩ〜ｐＨ）によって書き替える。従ってこの更新され
た限定レシピ１−１と同じく更新されたプロセスデータ
２による半導体製造装置の運転を実行すれば、目的とす
る膜厚でしかも目的とする膜厚の成膜を実現できる。
また先に説明したＴ、Ｐ、運転によって得たＴ。
Ｐ、についての各評価値と、これに対応する規格データ
３内の基準値３Ｄとの差が同じく規格データ３内にある
各対応する評価値の許容範囲３Ｅ内に入っていなければ
、前記評価プログラムが自動的に半導体製造装置のメン
テナンスを行うべき旨の通知をユーザに行うようにし、
この場合はプロセスへのフィードバック（つまり、規格
データ３゜レシピ１．プロセスデータ２の更新）は実行
されない。The present invention will be explained in detail below based on FIGS. 1 to 4. FIG. 3 is a configuration diagram of recipe data in this embodiment. This recipe data determines the operation contents of the entire film deposition process (herein, the term "process" includes all of the lower-level processes described below) that is automatically executed by the semiconductor manufacturing equipment (not shown). This is the data that will be used. Third
In the figure, 1 is recipe data (also simply referred to as a recipe), IA is a recipe salt, and IB is a process number indicating the order of processes as lower processes when executing the recipe. IC is a process holding time, which means that the semiconductor manufacturing equipment is held in the state of process data (described later) for this process for this holding time, and then transferred to the state of the process data of the next process number. ID
is a symbol indicating a process attribute to identify the process, P is a process before the wafer is carried into the reaction chamber, W is a process before/after the film forming reaction (e.g. gas inflow, exhaust, etc.), and R is the actual process. reaction process, as the process of growing a film on
E means each step after the wafer is unloaded from the reaction chamber. 2 is process data that defines the state of each device constituting the semiconductor manufacturing equipment in the process corresponding to the process number IB (for example, the state of flowing XXcc of gas 1 or opening valves 0 and 6). As shown in FIG. 1, the process data 2 is composed of data 2A indicating the open/closed state of each valve, various process parameters, and the like. This process data 2 is stored in this film forming system as subordinate data of recipe data 1 so that it can be searched by specifying recipe salt IA and process number IB. FIG. 4 shows the structure of standard data provided corresponding to each recipe data 1. This standard data 3 means that prior to actually forming a film on a semiconductor product based on the recipe data 1, a test piece is prepared using a semiconductor wafer as a prototype (test piece, also abbreviated as T or P) according to the recipe data 1. A film is formed, the quality of this film formation is evaluated by inspection,
The contents of recipe data 1 are modified based on the results, and this data serves as a standard for film formation evaluation at this time. The internal data of this standard data 3 are recipe salt 3A (however, this recipe salt 3A is the same as recipe salt IA in recipe data 1), T, TP film formation time tk as the time of the reaction process when creating P0. , the growth rate of the reaction process in this recipe (hereinafter referred to as Growth Rate)
, R1) as a reference film formation rate 3C, and reference values 3D for evaluation items 1 to n for determining the quality of the film.
, respective tolerance ranges 3B for the standard values for each evaluation item 1 to n, and m standard process parameters P (PI to P
j~Psi), each latest standard process parameter P1~
m pieces of calculation coefficient data K for calculating each P-
(Kl~Kj=KI11). FIG. 1 is an explanatory diagram of a procedure for updating standard data 3 based on the result of temporarily forming a film on a test piece using recipe data 1. Note that the symbols 81 to S6 below indicate the steps of this procedure. Recipe data 1 that is the object of the present invention is a recipe having standard data 3, and this recipe 1 is particularly limited to limited recipe 1-1.
The name is fixed. This limited recipe 1-1 becomes a recipe that allows process feedback. Before performing actual film formation, the user performs T. An evaluation operation of the semiconductor manufacturing equipment is performed by P. This is operation based on limited recipe 1-1, and recipe 1-1
The retention time IC of the reaction process whose process attribute ID symbol is "R" is not the retention time value tR in this limited recipe 1-1 (tR is applied at the time of product manufacturing, and the test piece is (not applicable), and is operated using T, P, and film-forming time tk registered in standard data 3 (Sl). After this operation, the film-formed wafer is inspected, and evaluation values for evaluation items 1 to n for evaluating film thickness and film quality are obtained and input into the evaluation program of this film-forming system (S2). . Therefore, this evaluation program is a new standard G. Calculate and evaluate Ro and standard process parameters P (PI~Pa). New standards G, R, are determined from T, P, film forming time tk, and the input film thickness (S3), and the new standard process parameter P is determined from the following formula (
S4). kj Here, Pjold: Standard process parameter POj-th parameter in standard data 3, T, P, value of standard process parameter registered before manufacturing, Pjnew
: Value of the standard process parameter newly registered in place of Pjold by evaluation of T, P, standard value j
: Value of the standard value 3D of the j-th evaluation item in the standard data 3, Evaluation value j: Evaluation value of the j-th evaluation item, kj: The j-th process parameter registered in advance in the standard data 3 The calculation coefficient is . However, in this case, it is assumed that the evaluation items numbered 1 to m are arranged in advance so as to correspond to the standard process parameters P1 to P11, respectively. New standards G, R, and Pj calculated in this way
new (new standard process parameters) are updated and registered in the standard data 3 as new standard data to replace the corresponding conventional data 3C and Pj, respectively (S5 and S6). Note that this update applies to all standard process parameters P1 to P1.
Needless to say, this is done for H. Next, the semiconductor manufacturing equipment is operated for product manufacturing (actual film formation), but in this case, the limited recipe data 1-1
and how to use the standard data 3 will be explained with reference to FIG. Note that hereinafter, symbols Sll to S13 indicate steps in FIG. In this case, specify the recipe salt and number of sheets to be processed. If recipe 1 is limited recipe 1-1, the user further specifies the film thickness (required film thickness) to be grown in the reaction process (Sll). Then, as mentioned earlier in FIG. 1, the standards G, R, in the standard data 3 calculated at T, P,
From the value of 3C and the film thickness input here, the value tR of the retention time IC of the reaction process is calculated, and the retention time tR up to now of the reaction process (process R in this example) in the limited recipe 1-1 is calculated. (312). Regarding the process parameters in the process data 2 of the reaction process (process R), the values of the process parameters in the corresponding part of this process data 2 are converted to the corresponding standard process parameters P in the standard data 3 (
Rewrite by PI~pH). Therefore, by operating the semiconductor manufacturing apparatus according to the updated limited recipe 1-1 and the updated process data 2, it is possible to form a film with the desired film thickness. Also, T, P, which was explained earlier, and T obtained by driving. If the difference between each evaluation value for P and the corresponding reference value 3D in the standard data 3 is not within the tolerance range 3E of each corresponding evaluation value also in the standard data 3, the evaluation The program automatically notifies the user that maintenance of semiconductor manufacturing equipment should be performed,
In this case, feedback to the process (that is, updating of standard data 3° recipe 1. process data 2) is not performed.
本発明によれば、レシピデータ以外に規格データを持た
せることとしたので、製品を製作する直前の装置状態に
マツチしたプロセスの構築、すなわちプロセスデータへ
のフィードバックが可能になり、成膜の再現性が保証さ
れる。また、許容範囲内データとの比較により、プロセ
ス再現性が満足されるかどうかのチエツクが行なえ、装
置メンテナンスの時期をユーザに知らせることも可能で
ある。According to the present invention, since standard data is provided in addition to recipe data, it is possible to construct a process that matches the equipment state immediately before manufacturing the product, that is, to feed back to the process data, and to reproduce the film formation. gender is guaranteed. Furthermore, by comparing with data within the allowable range, it is possible to check whether process reproducibility is satisfied, and it is also possible to notify the user when it is time for equipment maintenance.
第１図は本発明の一実施例としてのテストピースに基づ
く規格データの更新手順の説明図、第２図は同じく製品
製作（実成膜）の手順の説明図、
第３図は同じくレシピデータおよびプロセスデータの構
成を示す図、
第４図は同じく規格データの構成を示す図である。
１ （１−１）：レシピデータ、（１−１：限定レシピ
データ）、２：プロセスデータ、３：規格データ、３Ａ
：レシピ塩、ｔｋ ：’ｒ、 Ｐ、成膜時間、３Ｃ
二基率成膜速度（Ｇ、 Ｒ，）、３Ｄ ＝評価基準値、
３Ｅ：評価許容範囲、Ｐ（Ｐ１＝Ｐｊ〜Ｐｍ）：基準プ
ロセスパラメータ、
Ｋ
（Ｋｌ
〜Ｋｊ
〜Ｋｍ）：プロセスパラメータ算出係数。Fig. 1 is an explanatory diagram of the standard data update procedure based on a test piece as an embodiment of the present invention, Fig. 2 is an explanatory diagram of the procedure of product manufacturing (actual film formation), and Fig. 3 is the same recipe data. and FIG. 4 is a diagram showing the structure of the standard data. 1 (1-1): Recipe data, (1-1: Limited recipe data), 2: Process data, 3: Standard data, 3A
: Recipe salt, tk :'r, P, film formation time, 3C
Two-base rate film formation rate (G, R,), 3D = evaluation standard value,
3E: Evaluation tolerance range, P (P1 = Pj ~ Pm): Standard process parameter, K (Kl ~ Kj ~ Km): Process parameter calculation coefficient.
Claims (1)
づいて半導体製造装置を作動させ成膜を行わせる成膜シ
ステムにおいて、 前記成膜プロセスを最適に実行するのに必要な規定デー
タを備え、 前記規格データは少なくとも基準成膜速度、各種の評価
項目別の基準値、この各基準値に対する許容範囲、各種
の基準プロセスパラメータを含むようにし、 前記レシピに基づき試験的に成膜されたテストピースを
検査して得られた膜厚および前記評価項目別の評価値の
入力に基づいて所定の演算を行い、前記規格データの基
準成膜速度および基準プロセスパラメータを更新する手
段と、 前記テストピースについての評価値と前記規格データに
おける当該評価項目に対する基準値との差が、同じく規
格データ中の対応する許容範囲を越えたときは、前記半
導体試験装置をメンテナンスすべき旨の信号を出力する
手段とを備えたことを特徴とする成膜システムのフィー
ドバック装置。[Claims] 1) In a film forming system that operates a semiconductor manufacturing apparatus to form a film based on a recipe as data for determining a film forming process, the film forming system includes: The standard data includes at least a standard film formation rate, standard values for various evaluation items, tolerance ranges for each standard value, and various standard process parameters, and the standard data includes at least a standard film formation rate, a standard value for each evaluation item, an allowable range for each standard value, and various standard process parameters. means for performing a predetermined calculation based on input of the film thickness obtained by inspecting the coated test piece and the evaluation value for each of the evaluation items, and updating the standard film formation rate and standard process parameters of the standard data; , when the difference between the evaluation value of the test piece and the reference value for the evaluation item in the standard data exceeds the corresponding tolerance range in the standard data, a signal indicating that the semiconductor testing equipment should be maintained; What is claimed is: 1. A feedback device for a film forming system, comprising: means for outputting .
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|---|---|---|---|
| JP24656790A JPH04125947A (en) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | Feed back device of film formation system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24656790A JPH04125947A (en) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | Feed back device of film formation system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04125947A true JPH04125947A (en) | 1992-04-27 |
Family
ID=17150337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24656790A Pending JPH04125947A (en) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | Feed back device of film formation system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04125947A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003090271A1 (en) * | 2002-04-19 | 2003-10-30 | Tokyo Electron Limited | Film formation method |
| CN111678870A (en) * | 2020-06-01 | 2020-09-18 | 肇庆宏旺金属实业有限公司 | Online detection method and system for continuous vacuum coating of stainless steel coil |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6077415A (en) * | 1983-10-05 | 1985-05-02 | Toshiba Mach Co Ltd | Process control apparatus for semiconductor vapor growth apparatus |
| JPS63244621A (en) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | Diffusion furnace control system |
| JPH0225563B2 (en) * | 1983-01-17 | 1990-06-04 | Oki Electric Ind Co Ltd |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP24656790A patent/JPH04125947A/en active Pending
Patent Citations (3)
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| CN1315161C (en) * | 2002-04-19 | 2007-05-09 | 东京毅力科创株式会社 | Film formation method |
| CN111678870A (en) * | 2020-06-01 | 2020-09-18 | 肇庆宏旺金属实业有限公司 | Online detection method and system for continuous vacuum coating of stainless steel coil |
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