JPH04125921A - Wafer boat for vertical type heat treatment furnace - Google Patents
Wafer boat for vertical type heat treatment furnaceInfo
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 25
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 202
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、ＣＶＤ （化学的気相成長）、酸化、拡散
等の半導体ウェーハの熱処理に用いられる熱処理炉、特
に縦型熱処理炉において使用されるウェーハボート（ウ
ェーハ保持用治具）に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is a heat treatment furnace used for heat treatment of semiconductor wafers such as CVD (chemical vapor deposition), oxidation, and diffusion, particularly in a vertical heat treatment furnace. The present invention relates to a wafer boat (wafer holding jig).
［従来の技術］
一般的に、熱処理炉は、半導体ウェーハ（以下、ウェー
ハ）の表面にＣＶＤ膜、酸化膜等の形成、および、不純
物拡散を行うための装置である。この熱処理炉はその形
状によって縦型炉と横型炉とがある。そして、それぞれ
炉の形状に合致する形状のウェーハボートが用いられる
。[Prior Art] Generally, a heat treatment furnace is an apparatus for forming a CVD film, an oxide film, etc., and diffusing impurities on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer). There are two types of heat treatment furnaces, depending on their shape: vertical furnaces and horizontal furnaces. Wafer boats each having a shape matching the shape of the furnace are used.
第７図に示すように、従来の縦型熱処理炉用つ工−ハボ
ート１１は、通常は石英ないし炭化ケイ素を素材とし、
２つの面板１２ ａ、 １２ ｂ間にこれらを橋絡す
るように設けられた３本の支柱Ｉ３ａ、１３ｂ、１３ｃ
を有している。各支柱１３ａ。As shown in FIG. 7, the conventional vertical heat treatment furnace tool 11 is usually made of quartz or silicon carbide.
Three pillars I3a, 13b, 13c are provided to bridge the two face plates 12a, 12b.
have. Each strut 13a.
１３ ｂ、 １３ ｃにおいては、ウェーハを保持す
るためのウェーハ保持溝１４が、所定の間隔で支柱１の
軸線方向に沿って約１００〜２００箇所に刻設されてい
る。13b and 13c, wafer holding grooves 14 for holding wafers are carved at about 100 to 200 locations along the axial direction of the support column 1 at predetermined intervals.
縦型熱処理炉内へのこのウェーハボート１１の装入は、
ウェーハボート１１の長手方向が垂直方向に一致するよ
うにして行う。したがって、このウェーハボート１１に
保持された各ウェーハは、炉内において水平に保たれて
熱処理炉内に装入されることとなる。The charging of this wafer boat 11 into the vertical heat treatment furnace is as follows:
This is done so that the longitudinal direction of the wafer boat 11 coincides with the vertical direction. Therefore, each wafer held in this wafer boat 11 is maintained horizontally in the furnace and charged into the heat treatment furnace.
第８図および第９図は、従来のウェーハ保持溝を示すも
ので、支柱１３ａ、・・の軸線方向で、かつ、ウェーハ
保持溝１４に対して垂直な面による断面図である。8 and 9 show conventional wafer holding grooves, and are cross-sectional views taken in the axial direction of the support columns 13a, . . . and perpendicular to the wafer holding groove 14. FIG.
第８図に示すように、ウェーハ保持溝１４は支柱１３ａ
、・・の軸線に対して直交する方向に延在して所定の深
さに形成されている。そして、このウェーハ保持溝１４
は通常はその断面が矩形に形成され、その上下の側壁１
５ ａ、 １５ ｂは支柱１３ａ、・・の軸線を含む
平面（以下、垂直面）においてその軸線に対して垂直と
なるように、すなわち水平面によって形成されている。As shown in FIG. 8, the wafer holding groove 14 is
, . . . extend in a direction perpendicular to the axes of , and are formed to a predetermined depth. Then, this wafer holding groove 14
is usually rectangular in cross section, and its upper and lower side walls 1
5a, 15b are formed perpendicular to the axis of the support columns 13a, . . . on a plane (hereinafter referred to as a vertical plane) that includes the axes of the supports 13a, .
また、ウェーハ保持溝１４の底壁１５ｃはこれらの側壁
１５ａ、１５ｂに対して直交する面（上記と同様の垂直
面）で形成されている。Furthermore, the bottom wall 15c of the wafer holding groove 14 is formed of a surface (the same vertical surface as above) orthogonal to these side walls 15a and 15b.
または、第９図に示すように、ウェーハ保持溝１６は、
大略Ｖ字形の形状に形成されている。すなわち、このウ
ェーハ保持溝１６の上下の側壁１７ａ、１７ｂは、上記
垂直面内で支柱１３ａ。Alternatively, as shown in FIG. 9, the wafer holding groove 16 is
It is formed into a roughly V-shape. That is, the upper and lower side walls 17a, 17b of this wafer holding groove 16 support the support 13a within the vertical plane.
・の軸線に対して垂直な線に対して数度の角度αを有し
て拡開するように傾斜している。下側の側壁（以下、下
側壁）１７ｂの傾斜角度をαて以下表す。・It is inclined so as to diverge at an angle α of several degrees with respect to a line perpendicular to the axis of . The inclination angle of the lower side wall (hereinafter referred to as the lower side wall) 17b is hereinafter expressed as α.
第１０図および第１１図は、ウェーへの直径を含み、か
つ、そのウェーハ表面に垂直な面によるウェーハ端部の
断面図である。10 and 11 are cross-sectional views of the wafer edge in a plane that includes the diameter to the wafer and is perpendicular to the wafer surface.
第１０図に示すように、通常は、ウェーハ１８の端面１
９は所定の曲率を有する曲面で閉じられて形成されてい
る。As shown in FIG. 10, normally the end surface 1 of the wafer 18
9 is formed of a closed curved surface having a predetermined curvature.
または、第１１図に示すように、所定の厚さで円形のウ
ェーハ２０にあっては、このように所定の曲率て面取り
した端面２１と、上面である主面２２および下面である
背面２３とのそれぞれの間に、これらのウェーハ表面２
２．２３に対して所定の角度βを有して傾斜したテーパ
面２４． ２４が設けられている。以下、このテーパ面
２４の傾斜角度をβとする。Alternatively, as shown in FIG. 11, a circular wafer 20 with a predetermined thickness has an end surface 21 chamfered with a predetermined curvature, a main surface 22 as an upper surface, and a back surface 23 as a lower surface. between each of these wafer surfaces 2
2.23, the tapered surface 24 is inclined at a predetermined angle β relative to . 24 are provided. Hereinafter, the inclination angle of this tapered surface 24 will be referred to as β.
ここに、この傾斜角度βは上記ウェーハボート１１のウ
ェーハ保持溝１６の下側壁１７ｂの傾斜角度αよりも大
きく形成されている（β〉α）。Here, the inclination angle β is larger than the inclination angle α of the lower wall 17b of the wafer holding groove 16 of the wafer boat 11 (β>α).
第１２図（Ａ）、（Ｂ）は、上記第８図に示すウェーハ
保持溝１４内にウェーハ２０の端部を挿入した状態を拡
大断面で示している。FIGS. 12(A) and 12(B) are enlarged cross-sectional views of the state where the end of the wafer 20 is inserted into the wafer holding groove 14 shown in FIG. 8 above.
第１２図（Ａ）に示すように、ウェーハ２０は、ウェー
ハ２０の下向きの背面２３の一部が、つ工−ハ保持溝１
４の下側の側壁１５ｂに密着して接触することにより、
ウェーハ保持溝１４に保持される。すなわち、このウェ
ーハ２０とウェーハ保持溝１４とは一定領域２５で面接
触しているものである。As shown in FIG. 12(A), the wafer 20 has a part of the downwardly facing back surface 23 located in the wafer holding groove 1.
By closely contacting the lower side wall 15b of 4,
The wafer is held in the wafer holding groove 14. That is, the wafer 20 and the wafer holding groove 14 are in surface contact in a certain area 25.
また、同図（Ｂ）に示すように、ウェーハ２０がウェー
ハ保持溝１４に深く差し込まれた状態では、この面接触
２５の他、さらに、ウェーハ２０の端面（曲面）２１と
ウェーハ保持溝１４の底壁１５ｃとが、接触点２６で接
触する。Further, as shown in FIG. 2B, when the wafer 20 is deeply inserted into the wafer holding groove 14, in addition to this surface contact 25, there is also a contact between the end surface (curved surface) 21 of the wafer 20 and the wafer holding groove 14. The bottom wall 15c makes contact at a contact point 26.
第１３図（Ａ）、 （Ｂ）は、略Ｖ字形のウェーハ保
持溝１６にウェーハ２０の端部を挿入した場合の保持状
態を示している。13(A) and 13(B) show the holding state when the end portion of the wafer 20 is inserted into the approximately V-shaped wafer holding groove 16.
この場合、ウェーハ保持溝１６の下側壁１７ｂの傾斜角
度αよりも、ウェーハ２０のテーパ面２４の傾斜角度β
の方が大きい。このため、ウェーハ２０の下面２３と、
この下面２３に対して傾斜角度βをなして傾斜したテー
パ面２４との連続する境界部分に存在する接触点２７で
、ウェーハ２０は下側壁１７ｂに接触している。In this case, the inclination angle β of the tapered surface 24 of the wafer 20 is greater than the inclination angle α of the lower wall 17b of the wafer holding groove 16.
is larger. Therefore, the lower surface 23 of the wafer 20 and
The wafer 20 is in contact with the lower wall 17b at a contact point 27 existing at a continuous boundary with the tapered surface 24 that is inclined at an angle β with respect to the lower surface 23.
また、ウェーハ２ｏがウェーハ保持溝１６内に深く差し
込まれた状態では、この接触点２７の他にも、ウェーハ
２ｏの端面２１がウェーハ保持溝１６の底壁１７ｃの接
触点２８において接触する。Furthermore, when the wafer 2o is deeply inserted into the wafer holding groove 16, in addition to this contact point 27, the end surface 21 of the wafer 2o comes into contact with the bottom wall 17c of the wafer holding groove 16 at a contact point 28.
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来のウェーハボートでは、
以上の形状のウェーハ保持溝１４または１６によって構
成されており、その下側壁１５ｂ。[Problem to be solved by the invention] However, in such a conventional wafer boat,
The lower wall 15b is composed of the wafer holding groove 14 or 16 having the above shape.
１７ｂは平坦に、または、その傾斜角度αがつ工−ハ２
０の下面傾斜角度βよりも小さく形成されていた。17b is flat or has an inclined angle α.
The lower surface inclination angle β was smaller than 0.
このため、第１２図（Ａ）、 （Ｂ）に示すように、
ウェーハ２０を保持した場合、ウェーハ２゜の一部２３
がウェーハ保持溝１４と面接触２５する。Therefore, as shown in Fig. 12 (A) and (B),
When holding the wafer 20, part 23 of the wafer 2°
makes surface contact 25 with the wafer holding groove 14.
または、第１３図（Ａ）、 （Ｂ）に示すように、ウ
ェーハ２０の下向き背面２３と傾斜角度βをなすテーパ
面２４との連続部で接触点２７を生じることとなる。Alternatively, as shown in FIGS. 13(A) and 13(B), a contact point 27 is generated at a continuous portion between the downward facing back surface 23 of the wafer 20 and the tapered surface 24 forming an inclination angle β.
したがって、ＣＶＤ膜、酸化膜等の形成において、ウェ
ーハ２０の下向き背面２３の接触面２δ、または、接触
点２７近傍部分での正常な成膜が不可能となる。Therefore, in forming a CVD film, an oxide film, etc., normal film formation cannot be performed on the contact surface 2δ of the downward facing back surface 23 of the wafer 20 or in the vicinity of the contact point 27.
特に、ＣＶＤによってアモルファスシリコン薄膜、多結
晶シリコン薄膜、シリコン窒化膜、酸化膜等をｉｏ、ｏ
ｏｏ八以への厚さに形成する際には、この影響が顕著で
ある。In particular, CVD is used to form amorphous silicon thin films, polycrystalline silicon thin films, silicon nitride films, oxide films, etc.
This effect is noticeable when forming the film to a thickness of 0.08 or more.
場合によっては、成膜によってウェーハ２０とウェーハ
保持溝１４．１６の下側壁１５ｂ、１７ｂとが固着され
、成膜工程終了後の冷却過程における熱応力の発生によ
りウェーハ２０の破損を招くこともあるという課題が生
じていた。In some cases, the wafer 20 and the lower walls 15b, 17b of the wafer holding groove 14.16 are stuck together due to film formation, and the wafer 20 may be damaged due to thermal stress generated during the cooling process after the film formation process is completed. A problem arose.
そこで、本発明は、ウェーハ保持溝の下側壁の傾斜角度
αをウェーハの下面傾斜角度βよりも大きく形成して、
ウェーハ端面とテーパ面との境界部分で接、触してウェ
ーハを支持することにより、ウェーへ下面での成膜を正
常に行うことができるとともに、この成膜によるウェー
ハとウェーハ保持溝との固着を防止し、ウェーハの破損
を完全になくすことを、その目的としている。Therefore, in the present invention, the inclination angle α of the lower side wall of the wafer holding groove is formed to be larger than the inclination angle β of the lower surface of the wafer,
By supporting the wafer through contact at the boundary between the wafer end face and the tapered surface, it is possible to properly deposit a film on the wafer on the lower surface, and this film formation also allows the wafer to adhere to the wafer holding groove. The purpose is to prevent wafer damage and completely eliminate wafer damage.
［課題を解決するための手段］
本発明に係る縦型熱処理炉用ウェーハボートは、ウェー
ハが挿入されるウェーハ保持溝がその軸線方向に沿フて
複数個設けられた複数の支柱と、これらの支柱を連結す
る支持部材と、を備え、これらのウェーハ保持溝に挿入
されたウェーハを略水平状態に保持して熱処理炉内に装
入される縦型熱処理炉用ウェーハボートにおいて、前記
ウェーハ保持溝の下側壁を水平面に対して下側に向かっ
て所定角度α傾斜させるとともに、この傾斜角度αが、
前記ウェーハ端部の下面傾斜角度βよりも大きい縦型熱
処理炉用ウェーハボートである。[Means for Solving the Problems] A wafer boat for a vertical heat treatment furnace according to the present invention includes a plurality of supports each having a plurality of wafer holding grooves along its axial direction into which wafers are inserted, and a plurality of supports having a plurality of wafer holding grooves into which wafers are inserted. A wafer boat for a vertical heat treatment furnace is provided with a support member that connects the support columns, and is loaded into the heat treatment furnace while holding the wafers inserted in the wafer holding grooves in a substantially horizontal state. The lower wall of is inclined downward at a predetermined angle α with respect to the horizontal plane, and this inclination angle α is
The wafer boat for a vertical heat treatment furnace is larger than the lower surface inclination angle β of the wafer end portion.
また、前記傾斜角度αは、以下の範囲にある縦型熱処理
炉用ウェーハボートである。Further, the inclination angle α is in the following range for a wafer boat for a vertical heat treatment furnace.
すなわち、β＋３゜＜α＜β＋１５°である。That is, β+3°<α<β+15°.
さらに、前記傾斜角度αは１５°以上で８δ。Further, the inclination angle α is 15° or more and 8δ.
未満の範囲に設定した縦型熱処理炉用ウェーハボートで
ある。This is a wafer boat for vertical heat treatment furnaces that is set within the range below.
［作用コ
本発明に係る縦型熱処理炉用ウェーハボートは、下側壁
が所定角度αで傾斜したウェーハ保持溝を有するため、
ウェーハとウェーハ保持溝の下側壁との接触が常に点接
触となる。[Function] Since the wafer boat for a vertical heat treatment furnace according to the present invention has a wafer holding groove whose lower side wall is inclined at a predetermined angle α,
The contact between the wafer and the lower wall of the wafer holding groove is always point contact.
また、ウェーハ背面とテーパ面との連続部（境界部分）
では、下側壁とは接触しない。ウェーハはその最外周縁
部分（端面とテーパ面との境界部分）で下側壁に点接触
する。この傾斜角度αはつ工−ハの下面傾斜角度βより
も大きいからである。Also, the continuous part (boundary part) between the back surface of the wafer and the tapered surface.
It does not make contact with the lower wall. The wafer makes point contact with the lower wall at its outermost peripheral edge (the boundary between the end surface and the tapered surface). This is because this angle of inclination α is larger than the angle of inclination β of the lower surface of the drill bit.
このため、ＣＶＤ膜、酸化膜などの形成において、ウェ
ーハボートにウェーハを装着した状態でウェーハの主面
（上向きの面）のみならず、ウェーハの背面（下向きの
面）にも均一な膜形成が可能となる。For this reason, when forming CVD films, oxide films, etc., uniform film formation is possible not only on the main surface (upward facing surface) of the wafer but also on the back surface (downward facing surface) of the wafer when the wafer is mounted on the wafer boat. It becomes possible.
そして、この成膜時、接触する部分はウェーハの端面と
ウェーハボートのウェーハ保持溝との点接触部分のみに
限られている。During this film formation, the contact area is limited to the point contact area between the end face of the wafer and the wafer holding groove of the wafer boat.
このため、形成した膜によるウェーハとウェーハ保持溝
との固着も、その固着力が小さく、かつ、固着面積が小
さくなる。この結果、ウェーハおよびウェーハボートの
損傷が最小限に抑えられる。For this reason, the adhesion of the wafer and the wafer holding groove by the formed film also has a small adhesion force and a small adhesion area. As a result, damage to the wafers and wafer boat is minimized.
また、下側壁の傾斜角度αはウェーハの下面傾斜角度β
に対して、β＋３°より大きく、かつ、β＋１５゜未満
の範囲にあることが好適である。Also, the inclination angle α of the lower side wall is the inclination angle β of the lower surface of the wafer.
It is preferable that the angle is larger than β+3° and smaller than β+15°.
さらに、この傾斜角度αは１５°〜８５６の範囲にある
ことがよい。Furthermore, this inclination angle α is preferably in a range of 15° to 856°.
［実施例コ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。[Example code] Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図（Ａ）、 （Ｂ）は、本発明に係る縦型熱処理
炉用ウェーハボートの第１実施例を示すもので、そのウ
ェーハ保持溝部分を拡大した断面図である。FIGS. 1(A) and 1(B) show a first embodiment of a wafer boat for a vertical heat treatment furnace according to the present invention, and are enlarged cross-sectional views of the wafer holding groove portion thereof.
この場合、熱処理炉装入時と同様に、ウェーハボートは
垂直に立てられている。In this case, the wafer boat is vertically erected as in the case of charging into the heat treatment furnace.
そして、そのウェーハボートの支柱３１に形成されたウ
ェーハ保持溝−３２には、ウェーハ３３が挿入されるこ
ととなる。Then, the wafer 33 is inserted into the wafer holding groove 32 formed in the support column 31 of the wafer boat.
このウェーハ３３は上記従来のウェーハ２０と同様の構
成のものであって、上下両面３４． ３５と、所定曲率
の曲面からなる端面３６と、をテーパ面３７．３７によ
り連続させたものである。そして、そのテーパ面３７と
下面３５との間の下面傾斜角度βも上記ウェーハ２０の
それと同じである。This wafer 33 has the same structure as the conventional wafer 20 described above, and has upper and lower surfaces 34. 35 and an end surface 36 made of a curved surface with a predetermined curvature are connected by a tapered surface 37.37. The lower surface inclination angle β between the tapered surface 37 and the lower surface 35 is also the same as that of the wafer 20 described above.
また、ウェーハ保持溝３２は、全体として■字形の断面
形状であって、上記垂直面内で水平面に対して下向きに
一定の傾斜角度αをなして傾斜した下側壁３８と、この
下側壁３８と線対称に形成された上側壁３９と、これら
の両側壁３８．３９を連続する底壁４０と、で構成され
ている。この底壁４０は平坦な面により所定の幅を有し
て形成されている。Further, the wafer holding groove 32 has a cross-sectional shape of a letter square as a whole, and includes a lower wall 38 that is inclined downwardly at a constant angle of inclination α with respect to the horizontal plane within the vertical plane; It is composed of an upper wall 39 that is formed line-symmetrically, and a bottom wall 40 that continues these side walls 38 and 39. This bottom wall 40 is formed of a flat surface and has a predetermined width.
そして、この場合において、ウェーハ保持溝３２の下側
壁３８の傾斜角度αは、ウェーハ３３におけるその背面
（下面）３５とテーパ面３７との間の傾斜角度βよりも
大きく設定されている（α〉〉β）６
また、この傾斜角度αは、１５６以上で８５″の間の任
意の角度である。In this case, the inclination angle α of the lower wall 38 of the wafer holding groove 32 is set to be larger than the inclination angle β between the back surface (lower surface) 35 of the wafer 33 and the tapered surface 37 (α> 〉β)6 Further, this inclination angle α is an arbitrary angle between 156 and 85″.
また、ウェーハ保持溝３２の底壁４ｏと、両側壁３８，
３９とを連続する曲面の曲率は、ウェーハ端面３６の曲
率よりも小さく形成されている。Further, the bottom wall 4o of the wafer holding groove 32, the both side walls 38,
The curvature of the curved surface continuous with 39 is smaller than the curvature of the wafer end surface 36.
以上の構成に係るウェーハボートにあって、ウェーハ保
持溝３２にウェーハ３３を挿入すると、ウェーハ３３は
その最外周縁部分である端面３６とテーパ面３７との境
界部分で必ず下側壁３８に接触する。第１図（Ａ）にこ
の状態を示している。In the wafer boat having the above configuration, when a wafer 33 is inserted into the wafer holding groove 32, the wafer 33 always comes into contact with the lower wall 38 at the boundary between the end surface 36 and the tapered surface 37, which is the outermost peripheral edge of the wafer 33. . This state is shown in FIG. 1(A).
また、ウェーハ３３が深く挿入されると、第１図（Ｂ）
に示すように、ウェーハ端面３６がウェーハ保持溝３２
の底壁４０に当接して支持される結果となる。Furthermore, when the wafer 33 is inserted deeply, as shown in FIG.
As shown in FIG.
As a result, it comes into contact with and is supported by the bottom wall 40 of.
すなわち、いずれの場合にあっても、ウェーハ３３はウ
ェーハ保持溝３２の壁面の一点において接触して水平に
保持されるものである。That is, in any case, the wafer 33 is held horizontally by contacting the wall surface of the wafer holding groove 32 at one point.
したがって、熱処理炉内での成膜はウェーハ上面（主面
）３４のみならず、ウェーへ下面（背面）３５にも正常
に行うことができる。そして、この成膜によるウェーハ
３３とウェーハ保持溝３２との固着、この固着に起因す
るこれらの破損は生じないものである。Therefore, film formation in the heat treatment furnace can be normally performed not only on the upper surface (principal surface) 34 of the wafer but also on the lower surface (back surface) 35 of the wafer. Further, the wafer 33 and the wafer holding groove 32 are not stuck together due to this film formation, and the damage caused by this sticking does not occur.
例えば、このウェーハ３３の下面３５に、多結晶シリコ
ンをＣＶＤ装置によって所定厚さ（例えば０． ５〜１
．５μｍ）に堆積させる場合、ウェーハ３３の下面３５
のみならずテーパ面３７にも多結晶シリコン層が堆積さ
れることとなる。この多結晶シリコン層は不純物のゲッ
タリング層として機能させるためのものである。For example, polycrystalline silicon is deposited on the lower surface 35 of this wafer 33 to a predetermined thickness (for example, 0.5 to 1
．． 5 μm), the lower surface 35 of the wafer 33
A polycrystalline silicon layer is deposited not only on the tapered surface 37 but also on the tapered surface 37. This polycrystalline silicon layer is intended to function as a gettering layer for impurities.
この場合にあっても、ウェーハ３３は、その最外周縁部
分である端面３６とテーパ面３７との境界部分で、ウェ
ーハ保持溝３２の下側壁３８に接触、支持されている。Even in this case, the wafer 33 is in contact with and supported by the lower wall 38 of the wafer holding groove 32 at the boundary between the end surface 36 and the tapered surface 37, which is the outermost peripheral edge of the wafer 33.
この結果、多結晶シリコンによるウェーハ３３と下側壁
３８との固着が生じても、部分的なものであり、その後
の熱応力によってウェーハ３３が破損することはない。As a result, even if the wafer 33 is stuck to the lower wall 38 due to polycrystalline silicon, it is only partial and the wafer 33 will not be damaged by subsequent thermal stress.
第２図は本発明の第２実施例を示すものである。FIG. 2 shows a second embodiment of the invention.
乙の実施例では、ウェーハ４１の片面のみにＣＶＤ膜、
酸化膜等の成膜を行う場合を示している。In the embodiment B, only one side of the wafer 41 is coated with a CVD film.
This shows a case where a film such as an oxide film is formed.
この場合には、図に示すように、２枚のウェーハ４１．
４１の成膜が不要な面４２．４２同士を密着して重ね合
わせ、ウェーハ保持溝３２に挿入するものである。In this case, as shown in the figure, two wafers 41.
The surfaces 42 and 42 of 41 which do not require film formation are closely overlapped and inserted into the wafer holding groove 32.
この結果、成膜しても成膜面の品質に差のない所望の膜
が、２枚のウェーハ４１，４１の表面上に形成される。As a result, a desired film is formed on the surfaces of the two wafers 41, 41, with no difference in quality between the film-forming surfaces.
なお、この場合のウェーハ４１，４１は上記つ工−ハ３
３と同一の形状のもので、ウェーハ保持溝３２も上記第
１実施例のそれと同じ構成である。Note that the wafers 41, 41 in this case are
The wafer holding groove 32 has the same configuration as that of the first embodiment.
ウェーハ４１の下面傾斜角度βよりもウェーハ保持溝３
２の下側壁３８の傾斜角度αの方が大きいものである。The wafer holding groove 3 is smaller than the lower surface inclination angle β of the wafer 41.
The inclination angle α of the lower wall 38 of No. 2 is larger.
したがって、これらの接触点は下側のウェーハ４１の最
外周縁部分である。Therefore, these contact points are at the outermost periphery of the lower wafer 41.
第３図は本発明の第３実施例を示している。FIG. 3 shows a third embodiment of the invention.
この実施例は、ウェーハ保持溝４５が平坦な底壁を有し
ない場合である。In this embodiment, the wafer holding groove 45 does not have a flat bottom wall.
図において示すように、ウェーハ保持溝４５の上下両側
壁４６．４７を、ウェーハ端面の曲率よりも小さい曲率
の曲面で形成した底壁４８によって連続している。As shown in the figure, the upper and lower side walls 46, 47 of the wafer holding groove 45 are continuous by a bottom wall 48 formed with a curved surface having a smaller curvature than the curvature of the wafer end surface.
その結果、ウェーハは上記各実施例と同様にその下面に
て最外周縁部分によりウェーハ保持溝４５の下側壁４７
と接触して支持されることとなる。As a result, as in each of the above-mentioned embodiments, the outermost peripheral edge of the wafer is attached to the lower wall 47 of the wafer holding groove 45 on its lower surface.
It comes into contact with and is supported.
第４図は本発明の第４実施例を示している。FIG. 4 shows a fourth embodiment of the invention.
この図に示すように、ウェーハの接する下側壁５１と反
対側の上側壁５２は、水平面に対して任意の角度γを有
して傾斜した構成である。ウェーハ保持溝５３において
下側壁５１と底壁５４とは第３実施例のそれと同様の構
成である。この場合、ウェーハ保持溝５３はウェーハが
挿入されることができる幅で開口していることはもちろ
んである。As shown in this figure, the lower wall 51 in contact with the wafer and the upper wall 52 on the opposite side are inclined at an arbitrary angle γ with respect to the horizontal plane. In the wafer holding groove 53, the lower wall 51 and the bottom wall 54 have the same structure as that of the third embodiment. In this case, it goes without saying that the wafer holding groove 53 has an opening with a width that allows the wafer to be inserted therein.
その他の構成、作用は省略している。Other configurations and functions are omitted.
第５図は本発明の第５実施例を示している。FIG. 5 shows a fifth embodiment of the invention.
この図に示すように、略Ｖ字形の断面形状のウェーハ保
持溝５５において、上下両側壁５６，５７は上記各実施
例と同様に傾斜角度を有して傾斜して形成されている。As shown in this figure, in the wafer holding groove 55 having a substantially V-shaped cross section, the upper and lower side walls 56, 57 are formed to be inclined at an inclination angle as in each of the above embodiments.
これらの傾斜した側壁５６゜５７同士を連続する底壁５
８は図示の垂直面で支柱軸線と平行な垂直面で形成され
ている。また、この底壁５８と上下両側壁５６．５７と
を連続するその境界部分は曲面５９．６０で形成され、
このうち、ウェーハに接しない上側壁５６と底壁５８の
境界部の曲面５９においては、その曲率をつ工−ハ端面
の曲率よりも大きくなるように形成してもよい。A bottom wall 5 that connects these inclined side walls 56° 57
Reference numeral 8 indicates a vertical plane parallel to the column axis. Further, the boundary portion that connects the bottom wall 58 and the upper and lower side walls 56.57 is formed by a curved surface 59.60,
Among these, the curved surface 59 at the boundary between the upper wall 56 and the bottom wall 58 that is not in contact with the wafer may be formed so that its curvature is larger than the curvature of the end surface of the wafer.
第６図は本発明の第６実施例を示している。FIG. 6 shows a sixth embodiment of the invention.
この実施例では、第５実施例での上側壁５６と底壁５８
との境界部を、曲面５９に代えて、所定角度δて交差さ
せて形成した場合である。In this embodiment, the upper wall 56 and the bottom wall 58 in the fifth embodiment are
In this case, instead of the curved surface 59, the boundary portion between the curved surface 59 and the curved surface 59 is formed so as to intersect with each other at a predetermined angle δ.
［発明の効果コ
以上のように本発明によれば、縦型熱処理炉用ウェーハ
ボートによるＣＶＤ膜、酸化膜等の形成においで、ウェ
ーハ保持溝の一部と接触する側のウェーハの下向き背面
においても所望の正常な成膜が可能である。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, in the formation of a CVD film, oxide film, etc. using a wafer boat for a vertical heat treatment furnace, on the downward facing back surface of the wafer on the side that contacts a part of the wafer holding groove. It is also possible to form a desired normal film.
特に、ウェーハとウェーハ保持溝との固着が最小限に抑
えられるため、ウェーハおよびウェーハボートの破損を
回避することができる。In particular, since adhesion between the wafer and the wafer holding groove is minimized, damage to the wafer and wafer boat can be avoided.
つまり、ウェーハの損傷を最小限に抑えた状態で、ウェ
ーハの主面、背面に同等の成膜が可能となる。In other words, it is possible to form the same film on the main surface and back surface of the wafer while minimizing damage to the wafer.
第１図（Ａ）、 （Ｂ）は本発明の第１実施例に係る
縦型熱処理炉用ウェーハボートのウェーハ保持状態にお
けるウェーハ保持溝を示す断面図、第２図は本発明の第
２実施例に係るウェーハボートのウェーハ保持溝へ２枚
のウェーハを保持した状態でのウェーハ保持溝を示す断
面図、第３図は本発明の第３実施例に係るウェーハボー
トのウェーハ保持溝を示す断面図、第４図は第４実施例
に係るウェーハボートのウェーハ保持溝を示す断面図、
第５図は第５実施例に係るウェーハボートのウェーハ保
持溝を示す断面図、第６図は第６実施例に係るウェーハ
保持溝の断面図、第７図は従来のつ工−ハボートを示す
その斜視図、第８図は従来のウェーハ保持溝を示すその
断面図、第９図は同じ〈従来のウェーハ保持溝の断面図
、第１０図は従来のウェーハの端部を示す断面図、第１
１図は同じ〈従来のウェーハの端部の断面図、第１２図
は（Ａ）、 （Ｂ）は従来のウェーハ保持溝にウェー
ハを保持した状態を示す断面図、第１３図（Ａ）。
（Ｂ）は別の従来のウェーハ保持溝にウェーハを保持し
た状態を示す断面図である。
３１ ・
３２ ・
３３ ψ
３５ ・
３６ ・
３７争
３８・
支柱、
ウェーハ保持溝、
ウェーハ、
ウェーハの下面（背面）、
ウェーハの端面、
ウェーハのテーパ面、
ウェーハ保持溝の下側壁、
４０・・・・・・・・ウェーハ保持溝の底壁、α・・・
・・・・・・下側壁の傾斜角度、β・・・・・・・・・
ウェーへの下面傾斜角度。FIGS. 1A and 1B are cross-sectional views showing wafer holding grooves in a wafer holding state of a wafer boat for a vertical heat treatment furnace according to a first embodiment of the present invention, and FIG. A cross-sectional view showing a wafer holding groove of a wafer boat according to an example in which two wafers are held in the wafer holding groove, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing a wafer holding groove of a wafer boat according to a third embodiment of the present invention. 4 is a sectional view showing a wafer holding groove of a wafer boat according to a fourth embodiment,
FIG. 5 is a sectional view showing a wafer holding groove of a wafer boat according to a fifth embodiment, FIG. 6 is a sectional view of a wafer holding groove according to a sixth embodiment, and FIG. 7 is a conventional wafer boat. 8 is a sectional view of the conventional wafer holding groove, FIG. 9 is a sectional view of the conventional wafer holding groove, and FIG. 10 is a sectional view of the conventional wafer holding groove. 1
1 is a cross-sectional view of the edge of a conventional wafer, FIG. 12 is (A), and (B) is a cross-sectional view showing a state in which a wafer is held in a conventional wafer holding groove, and FIG. 13 (A). (B) is a sectional view showing a state in which a wafer is held in another conventional wafer holding groove. 31 ・ 32 ・ 33 ψ 35 ・ 36 ・ 37 38. Post, wafer holding groove, wafer, lower surface (back surface) of wafer, end surface of wafer, tapered surface of wafer, lower wall of wafer holding groove, 40... ...Bottom wall of wafer holding groove, α...
・・・・・・Inclination angle of lower wall, β・・・・・・・・・
Bottom slope angle to the way.
Claims (3)
方向に沿って複数個設けられた複数の支柱と、 これらの支柱を連結する支持部材と、を備え、これらの
ウェーハ保持溝に挿入されたウェーハを略水平状態に保
持して熱処理炉内に装入される縦型熱処理炉用ウェーハ
ボートにおいて、 前記ウェーハ保持溝の下側壁を水平面に対して下側に向
かって所定角度α傾斜させるとともに、この傾斜角度α
が、前記ウェーハ端部の下面傾斜角度βよりも大きいこ
とを特徴とする縦型熱処理炉用ウェーハボート。(1) The wafer holding groove into which the wafer is inserted is provided with a plurality of columns provided along the axial direction of the wafer holding groove, and a support member connecting these columns, and the wafer holding groove is inserted into the wafer holding groove. In a wafer boat for a vertical heat treatment furnace in which wafers are held in a substantially horizontal state and loaded into a heat treatment furnace, the lower wall of the wafer holding groove is inclined downward at a predetermined angle α with respect to the horizontal plane; This inclination angle α
is larger than the lower surface inclination angle β of the wafer end portion.
）に記載の縦型熱処理炉用ウェーハボート。 すなわち、 β＋３゜＜α＜β＋１５゜ である。(2) Claim (1) wherein the inclination angle α is within the following range:
) Wafer boat for vertical heat treatment furnaces. That is, β+3°<α<β+15°.
囲に設定した請求項（１）または（２）に記載の縦型熱
処理炉用ウェーハボート。(3) The wafer boat for a vertical heat treatment furnace according to claim 1 or 2, wherein the inclination angle α is set in a range of 15° or more and less than 85°.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2248272A JPH04125921A (en) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | Wafer boat for vertical type heat treatment furnace |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2248272A JPH04125921A (en) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | Wafer boat for vertical type heat treatment furnace |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04125921A true JPH04125921A (en) | 1992-04-27 |
Family
ID=17175660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2248272A Pending JPH04125921A (en) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | Wafer boat for vertical type heat treatment furnace |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04125921A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5487398A (en) * | 1993-06-22 | 1996-01-30 | Tadahiro Ohmi | Rotary cleaning method with chemical solutions and rotary cleaning apparatus with chemical solutions |
| WO1998000860A1 (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-08 | Sumitomo Sitix Corporation | Method and device for heat-treating single-crystal silicon wafer, single-crystal silicon wafer, and process for producing single-crystal silicon wafer |
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| JP2008010721A (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Denso Corp | Manufacturing method and manufacturing equipment of semiconductor device |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP2248272A patent/JPH04125921A/en active Pending
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