JPH04125402A - Manufacture of minute probe - Google Patents
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- C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は走査型トンネル顕微鏡またはその原理を応用し
た高密度情報処理装置等の走査型トンネル電流検知装置
用の微小プローブの製造方法に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for manufacturing a microprobe for a scanning tunneling microscope or a scanning tunneling current detection device such as a high-density information processing device applying the principle thereof. be.
［従来の技術］
原子や分子サイズの分解能を有する観察方法として近年
多くの注目を集めている走査型トンネル顕微鏡（以下、
ＳＴＭという）は、試料表面と対向するプローブ先端の
曲率半径が小さいほど分解能が高いとされている。理想
的には先端が１原子程度まで尖っていることが望まれて
いる。更にこのＳＴＭの応用例の一つとして超高密度情
報処理装置があるが、勿論、高い情報処理密度を達成す
るために先端部の曲率半径が小さいことが要求されてい
る。と同時に、情報処理システムの機能向上、特に高速
化の観点から、多数のプローブを同時に駆動すること（
プローブのマルチ化）が提案され、この為に同一基板上
に作成された特性の揃ったプローブが求められている。[Prior art] Scanning tunneling microscopy (hereinafter referred to as "scanning tunneling microscopy") has attracted much attention in recent years as an observation method with atomic and molecular size resolution.
It is said that the smaller the radius of curvature of the tip of the probe facing the sample surface, the higher the resolution of STM. Ideally, it is desired that the tip be as sharp as one atom. Further, one application example of this STM is an ultra-high density information processing device, and of course, in order to achieve high information processing density, the radius of curvature of the tip is required to be small. At the same time, from the perspective of improving the functionality of information processing systems, especially speeding up, it is important to drive a large number of probes simultaneously (
(Probe multiplication) has been proposed, and for this purpose, probes with uniform characteristics that are fabricated on the same substrate are required.
従来、上記の様な先端部の曲率半径が小さいプローブ電
極は切削及び電界研磨法等を用いて製造されていた。切
削法では時計旋盤を用いて繊維状結晶の線材を切削し曲
率半径５乃至１０μｍの微小先端部をもつプローブの製
造が可能であり、ダイスによる線引加工によれば曲率半
径１０μｍ以下のものが可能である。また、電界研磨法
はプローブとなる線材（通常、直径ｉｎｍ以下）を電界
液中で電圧印加によって浸食させ先端を尖らせるもので
あるが、先端曲率半径０．１乃至１μｍと切削法より微
小なプローブを製造することができる。Conventionally, probe electrodes having a small radius of curvature at the tip as described above have been manufactured by cutting, electropolishing, and the like. With the cutting method, it is possible to manufacture probes with minute tips with a radius of curvature of 5 to 10 μm by cutting a fibrous crystal wire using a watch lathe, and with wire drawing using dies, probes with a radius of curvature of 10 μm or less can be manufactured. It is possible. In addition, in the electropolishing method, a wire serving as a probe (usually with a diameter of inches or less) is eroded in an electrolytic solution by applying voltage to sharpen the tip, but the tip has a radius of curvature of 0.1 to 1 μm, which is smaller than the cutting method. Probes can be manufactured.
又、微小プローブの形成方法として、半導体製造プロセ
ス技術を使いシリコンの異方性エツチングにより、マル
チに配列したプローブが記載されている。（特開昭６１
−２０６１４８号公報）［発明が解決しようとする課題
］
これら従来の微小プローブ製造方法のうち、切削法は先
端曲率を小さくすることに適していないばかりでなく、
プローブに応力が加わるために曲がり易いという欠点も
有している。また、電界研磨法で作成したプローブ先端
も決して原子、分子オーダの曲率半径を満足するもので
はない。更に、これらの製造方法では微小な形状を再現
性よく作製することが難しく、製造工程での歩留まりが
低いと同時に、同一基板上に特性の揃った多数のプロー
ブを作製することは困難であった。Further, as a method for forming microprobes, a multi-arrayed probe is described by anisotropic etching of silicon using semiconductor manufacturing process technology. (Unexamined Japanese Patent Publication No. 61
-206148 Publication) [Problems to be Solved by the Invention] Among these conventional microprobe manufacturing methods, the cutting method is not only not suitable for reducing the tip curvature;
It also has the disadvantage that it is prone to bending due to the stress applied to the probe. Furthermore, the tip of a probe made by electropolishing never satisfies a radius of curvature on the order of atoms or molecules. Furthermore, with these manufacturing methods, it is difficult to produce minute shapes with good reproducibility, resulting in low yields in the manufacturing process, and at the same time, it is difficult to produce a large number of probes with uniform characteristics on the same substrate. .
又、単結晶シリコンを用いて異方性エツチングにより形
成する場合、プローブのマルチ化は容易だが材料がシリ
コンに限定されてしまう。そのためドープされたシリコ
ンをプローブに用いた場合には、シリコンが酸化されや
すいことから、大気中では再現性の良い安定な特性を得
ることは困難であった。更に、シリコンプローブ上に導
電性材料を被覆して形成する場合には、プローブの最先
端部は鋭利に形成されているため、被覆されにくく安定
な特性を得ることは難しいという問題があった。Furthermore, when forming single crystal silicon by anisotropic etching, it is easy to use multiple probes, but the material is limited to silicon. Therefore, when doped silicon is used as a probe, it is difficult to obtain stable characteristics with good reproducibility in the atmosphere because the silicon is easily oxidized. Furthermore, when forming a silicon probe by coating it with a conductive material, there is a problem in that since the tip of the probe is formed to be sharp, it is difficult to coat it and it is difficult to obtain stable characteristics.
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、酸化しにくい材料を用いるため微小プローブとして
再現性の良い安定な特性が得られ、かつ先端が鋭利に形
成できプローブのマルチ化も容易である微小プローブの
製造方法を提供するものである。The present invention was developed in view of the above-mentioned drawbacks of the conventional technology, and because it uses a material that is difficult to oxidize, stable characteristics with good reproducibility can be obtained as a microprobe, and the tip can be formed with a sharp tip, making it possible to use multiple probes. The present invention provides an easy method for manufacturing a microprobe.
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、プローブ材料に隣接したところにマス
クを配置し、斜めイオンエツチングすることにより、マ
スクの影となった部分では非エツチング部を生じること
を利用したものであり、この非エツチング部を微小プロ
ーブとして用いるものである。[Means for Solving the Problems] According to the present invention, by placing a mask adjacent to the probe material and performing oblique ion etching, a non-etched portion is created in the shadow of the mask. This non-etched portion is used as a microprobe.
すなわち本発明の特徴とするところは、支持体の表面に
パターニングされた電極を形成する工程と、前記支持体
及び電極上にパターニングされたマスクを形成する工程
と、全面又は一部にプローブ材料を成膜する工程と、斜
めイオンエツチングによりプローブ材料を加工し、微小
突起を形成する工程と、を備えて形成される微小プロー
ブの製造方法である。In other words, the features of the present invention include a step of forming a patterned electrode on the surface of a support, a step of forming a patterned mask on the support and the electrode, and a step of applying a probe material to the entire surface or part of the support. This method of manufacturing a microprobe is formed by forming a film, and processing a probe material by oblique ion etching to form microprotrusions.
続いて図面に従って本発明を説明する。Next, the present invention will be explained according to the drawings.
第１図は製造工程の断面図である。又第２図はマスク形
状を表わす平面図である。又第３図は斜めイオンエツチ
ングの入射方向を表わす平面図である。FIG. 1 is a sectional view of the manufacturing process. FIG. 2 is a plan view showing the shape of the mask. FIG. 3 is a plan view showing the direction of incidence of oblique ion etching.
図中の１は支持体、２は電極、３はマスク、４はプロー
ブ、５はイオンの入射方向である。In the figure, 1 is a support, 2 is an electrode, 3 is a mask, 4 is a probe, and 5 is an ion incident direction.
第１図（ａ）に於いて、先ず支持体１を用意する。この
支持体１は表面凹凸の少ない材料が好ましく例えば＃７
０５９フュージョン、溶融石英さらには表面を研磨した
＃７０５９、石英、シリコンウェハー等を用いることが
できる。又、駆動機構を有する基板、例えばＰＬＺＴ圧
電体、基板上に形成された圧電素子、さらには静電力を
用いた片持及び両持ち梁等を用いることができる。次に
支持体１上に電極２を形成する。該電極２はトンネル電
流を取り出す配線であるから、高導電性を有していれば
良いが、後工程でイオンエツチングにさらされる場合に
は、エッチレートの遅い材料が好ましい。例えば、Ｃｒ
、Ａｊ２．Ｔｉ、Ｍｏなどが挙げられる。In FIG. 1(a), first, a support 1 is prepared. This support 1 is preferably made of a material with few surface irregularities, such as #7.
059 fusion, fused silica, #7059 with a polished surface, quartz, silicon wafer, etc. can be used. Further, a substrate having a driving mechanism, for example, a PLZT piezoelectric material, a piezoelectric element formed on the substrate, a cantilevered beam or a double-sided beam using electrostatic force, etc. can be used. Next, an electrode 2 is formed on the support 1. Since the electrode 2 is a wiring for extracting tunnel current, it suffices if it has high conductivity, but if it will be exposed to ion etching in a later process, a material with a slow etching rate is preferable. For example, Cr
, Aj2. Examples include Ti and Mo.
係る電極２の形成方法は従来公知の技術、例えば半導体
産業で一般に用いられている真空蒸着法やスパッタ法、
化学気相成長法などの薄膜作製技術やフォトリソグラフ
技術およびエツチング技術を適用することができ、その
作製方法は本発明を制限するものではない。The method for forming the electrode 2 is a conventionally known technique, such as a vacuum evaporation method or a sputtering method commonly used in the semiconductor industry.
Thin film manufacturing techniques such as chemical vapor deposition, photolithography, and etching techniques can be applied, and the manufacturing method does not limit the present invention.
次に第１図（ｂ）に示すように電極２及び支持体１上に
マスク３を形成する。該マスク３は後工程でイオンエツ
チングにさらされるため、エッチレートの遅い材料が好
ましく、例えばＳｉＯ□やフォトレジストであるＡＺ１
３５０ （ヘキスト社製）などが挙げられる。該マスク
３のパターン形状はイオンエツチングの方向と係りが深
いため、後で詳細に説明する。該マスク３の形成方法と
しても従来公知の技術で十分であるが、電極面に対して
なるべく垂直に形成することが好ましい。Next, as shown in FIG. 1(b), a mask 3 is formed on the electrode 2 and the support 1. Since the mask 3 will be exposed to ion etching in a later process, it is preferable to use a material with a slow etching rate, such as SiO□ or photoresist AZ1.
350 (manufactured by Hoechst). Since the pattern shape of the mask 3 is closely related to the direction of ion etching, it will be explained in detail later. Conventionally known techniques are sufficient for forming the mask 3, but it is preferable to form it as perpendicular to the electrode surface as possible.
次に第１図（Ｃ）に示すようにプローブ４を全面にスパ
ッタ等の成膜法で形成する。又、電気メツキ等の選択性
がある成膜法を用いた場合には一部分に形成可能である
。該プローブ４はトンネル電流を検知するために用いら
れるため、酸化しにくい高導電率の材料が好ましく例え
ばプラチナ、金、パラジウム等が挙げられる。Next, as shown in FIG. 1C, probes 4 are formed on the entire surface by a film forming method such as sputtering. Further, when a selective film formation method such as electroplating is used, it can be formed in a portion. Since the probe 4 is used to detect tunnel current, it is preferably made of a highly conductive material that is difficult to oxidize, such as platinum, gold, palladium, etc.
次に第１図（ｄ）に示すように電極面に対し斜めイオン
エツチングでプローブ材を加工することにより、プロー
ブ４を形成できる。該プローブ４はマスク３のパターン
形状を変えることにより色々な形状を作ることが可能で
ある。例えば第２図に示したようにマスク３のパターン
形状をＶ型に開口したものとした場合は、第３図に示し
たイオンの入射方向５を図中の二方向から行えば、マス
クの影を利用した非エツチング部、すなわちプローブ４
を角錐形状に形成できる。尚、第３図に示したようにマ
スク３のＶ型パターン形状の開口角度をθとした場合、
反対方向から入射してくるイオンの方向をθくθ゛ と
した方が角錐形状を得やすくなる。又マスク３の開口部
を円形パターンとした場合には基板回転を行いながらイ
オンエツチングすることにより円錐形状のプローブ４を
得ることができる。Next, as shown in FIG. 1(d), the probe 4 can be formed by processing the probe material by diagonal ion etching on the electrode surface. The probe 4 can be made into various shapes by changing the pattern shape of the mask 3. For example, if the pattern shape of the mask 3 is a V-shaped opening as shown in FIG. 2, if the ion incidence direction 5 shown in FIG. The non-etched part using probe 4
can be formed into a pyramidal shape. Incidentally, if the opening angle of the V-shaped pattern of the mask 3 is θ as shown in FIG.
It is easier to obtain a pyramidal shape by setting the direction of ions incident from the opposite direction to θ and θ゛. Further, when the opening of the mask 3 is formed into a circular pattern, a conical probe 4 can be obtained by performing ion etching while rotating the substrate.
次に第１図（ｅ）に示すようにマスク３をエツチング除
去することにより微小プローブが製造できる。Next, as shown in FIG. 1(e), the mask 3 is removed by etching to produce a microprobe.
［実施例１］ 本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。[Example 1] Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図及び第２図は第１実施例の微小プローブの製造方
法を説明するための製造工程の断面図及びステップ部の
パターン形状を表わす平面図である。又第３図はエツチ
ング方向を表わす平面図である。FIGS. 1 and 2 are cross-sectional views of the manufacturing process for explaining the method of manufacturing the microprobe of the first embodiment, and a plan view showing the pattern shape of the step portion. FIG. 3 is a plan view showing the etching direction.
まず、板厚１．１ｍｍのコーニング社製＃７０５９ガラ
スを洗浄し支持体１とし、これに真空蒸着法によりクロ
ムを０．２μｍ堆積し、フォトリソグラフィー技術を用
いて加工することにより、電極２を形成した。（工程ａ
）次に、スパッタ法により５ｉ０２を全面に膜厚２．０
μｍ堆積させ、フォトリソグラフィー技術とＲＩＥ（反
応性イオンエツチング）を用いてマスク３を形成した。First, a #7059 glass made by Corning Corporation with a plate thickness of 1.1 mm was cleaned to form the support 1, and 0.2 μm of chromium was deposited on this using a vacuum evaporation method. Electrodes 2 were formed by processing using photolithography technology. Formed. (Step a
) Next, 5i02 was deposited to a thickness of 2.0 on the entire surface by sputtering.
A mask 3 was formed using photolithography and RIE (reactive ion etching).
（工程ｂ）尚、マスク３のパターン形状は第２図に示し
た通り、平面図で見てＶ型の切込みを持ったパターン形
状となっている。又、Ｖ型の間口角は９０” とした。(Step b) As shown in FIG. 2, the pattern shape of the mask 3 has a V-shaped notch when viewed from a plan view. The frontage angle of the V-shape was 90".
次に、プローブ材料としてプラチナをスパッタ法を用い
て全面に、膜厚２．２μｍ堆積させた。Next, platinum was deposited as a probe material over the entire surface by sputtering to a thickness of 2.2 μm.
（工程Ｃ）続いて、アルゴンを用いた斜めイオンミーリ
ングにより、プラチナをエツチングしプローブ４を得た
。（工程ｄ）該エツチングは基板面に対し入射角６０°
、イオンエネルギー５００ｅＶ、イオン電流密度１ｍＡ
／ａｍ２の条件で行フた。この時、基板ホルダーを第３
図中のθ’＝１００°の範囲で動かしく首振り運動）エ
ツチングすることにより角錐形状のプローブ４を形成し
た。次に、マスク３である５ｉ０２をフッ酸水溶液で除
去することにより微小プローブを得た。（工程ｅ）
次に上述した方法により作製した微小プローブをＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）で観察したところ、角錐形状のプ
ローブの先端が鋭利に形成されているのを確認した。こ
のプローブの先端曲率半径は０．０１μｍであった。ま
た本実施例の微小プローブを使用したＳＴＭにより炭素
の臂開面を観察した結果、原子レベルで鮮明に観察する
ことができ、本実施例の微小プローブが十分、実用に耐
えるものであることを確認できた。(Step C) Subsequently, the platinum was etched by oblique ion milling using argon to obtain probe 4. (Step d) The etching is performed at an incident angle of 60° with respect to the substrate surface.
, ion energy 500eV, ion current density 1mA
I ran the line under the condition of /am2. At this time, move the board holder to the third position.
A pyramid-shaped probe 4 was formed by etching (oscillating motion in the range of θ'=100° in the figure). Next, a microprobe was obtained by removing the mask 3, 5i02, with an aqueous hydrofluoric acid solution. (Step e) Next, the microprobe produced by the method described above was subjected to SEM
When observed using a scanning electron microscope (scanning electron microscope), it was confirmed that the tip of the pyramid-shaped probe was formed sharply. The tip radius of curvature of this probe was 0.01 μm. Furthermore, as a result of observing the open plane of carbon by STM using the microprobe of this example, it was possible to clearly observe it at the atomic level, and it was confirmed that the microprobe of this example is sufficiently durable for practical use. It could be confirmed.
［実施例２］
第４図は本発明の第２実施例を説明するための製造工程
の断面図である。[Example 2] FIG. 4 is a sectional view of a manufacturing process for explaining a second example of the present invention.
まず、板厚１．１ｍｍのコーニング社製＃７０５９ガラ
スを洗浄し支持体１とし、これに真空蒸着法により金を
０．２μｍ、下引き層としてクロムを１００人堆積し、
フォトリソグラフィー技術を用いて加工することにより
電極２を形成した。続いてスパッタ法によりＳｉＯ２を
全面に膜厚５．０μｍ堆積させ、フォトリソグラフィー
技術とを用いてマスク３を形成した。尚パターン形状は
φ３μｍの円形とした。（工程ａ）次にプローブ材料と
して、金を電気めっきにより、開口部内に膜厚４．０μ
ｍ成長させた。First, #7059 glass manufactured by Corning Corporation with a plate thickness of 1.1 mm was cleaned and used as a support 1. Gold was deposited to 0.2 μm in thickness and chromium was deposited as an undercoat layer on this by vacuum evaporation method.
Electrode 2 was formed by processing using photolithography technology. Subsequently, SiO2 was deposited to a thickness of 5.0 .mu.m over the entire surface by sputtering, and a mask 3 was formed using photolithography. The pattern shape was a circle with a diameter of 3 μm. (Step a) Next, as a probe material, gold is electroplated into the opening to a thickness of 4.0 μm.
I grew m.
（工程ｂ）該電気めっきは亜硫酸金めつき液（ＥＥＪＡ
製ニュートロネクス３０９）を用い、めっき液温５０℃
、電流密度１ｍＡ／ａｍ２で１時間行った。(Step b) The electroplating is performed using a gold sulfite plating solution (EEJA).
Using Neutronex 309), the plating solution temperature was 50℃.
, for 1 hour at a current density of 1 mA/am2.
次に、アルゴンを用いた斜めイオンミーリングにより、
全面をエツチングしプローブ４を得た。Next, by oblique ion milling using argon,
Probe 4 was obtained by etching the entire surface.
（工程Ｃ）
該エツチングは基板面に対し入射角４５°、イオンエ゛
ネルギー５００ｅＶ、イオン電流密度１ｍＡ／ａｍ”の
条件で行った。この時、基板ホルダーを回転させること
により、円錐形状のプローブ４を形成した。(Step C) The etching was performed under the conditions of an incident angle of 45° with respect to the substrate surface, an ion energy of 500 eV, and an ion current density of 1 mA/am. At this time, by rotating the substrate holder, the conical probe 4 was formed.
続いて、マスク３である５ｉ０２をフッ酸水溶液で除去
することにより微小プローブを得た。Subsequently, a microprobe was obtained by removing the mask 3, 5i02, with an aqueous hydrofluoric acid solution.
（工程ｄ）
次に上述した方法により作製した微小プローブをＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）で観察したところ、円錐形状のプ
ローブの先端が鋭利に形成されているのを確認した。こ
のプローブの先端曲率半径は０．０２μｍであった。ま
た本実施例の微小プローブを使用したＳＴＭにより炭素
の臂開面を観察した結果、原子レベルで鮮明に観察する
ことができ、本実施例の微小プローブが十分、実用に耐
えるものであることを確認できた。(Step d) Next, the microprobe produced by the method described above was subjected to SEM
When observed using a scanning electron microscope (scanning electron microscope), it was confirmed that the tip of the conical probe was sharp. The radius of curvature of the tip of this probe was 0.02 μm. Furthermore, as a result of observing the open plane of carbon by STM using the microprobe of this example, it was possible to clearly observe it at the atomic level, and it was confirmed that the microprobe of this example is sufficiently durable for practical use. It could be confirmed.
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、斜めイオンエツチ
ングにより、微小突起を持つプローブを形成できるため
、酸化しにくい材料をプローブとして用いることが可能
となり、微小プローブとして再現性の良い安定な特性が
得られ、かつマルチ化も容易である。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, a probe having minute protrusions can be formed by oblique ion etching, which makes it possible to use a material that is difficult to oxidize as a probe, and improves reproducibility as a minute probe. Good and stable characteristics can be obtained, and multiplication is also easy.
第１図及び第４図は本発明の各実施例に於ける製造工程
の断面図である。
第２図は本発明に用いられるマスクのパターン形状の一
例を表わす平面図である。
第３図は本発明に用いられるイオンの入射方向の一例を
表わす平面図である。
１・・・支持体 ２・・・電極
３・・・マスク ４・・・プローブ５・・・イオ
ンの入射方向1 and 4 are cross-sectional views of the manufacturing process in each embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing an example of the pattern shape of a mask used in the present invention. FIG. 3 is a plan view showing an example of the direction of incidence of ions used in the present invention. 1...Support 2...Electrode 3...Mask 4...Probe 5...Ion incident direction
Claims (1)
工程と、前記支持体及び電極上にパターニングされたマ
スクを形成する工程と、全面又は一部にプローブ材料を
成膜する工程と、斜めイオンエッチングによりプローブ
材料を加工し、微小突起を形成する工程と、を備えるこ
とを特徴とする微小プローブの製造方法。1. A step of forming a patterned electrode on the surface of a support, a step of forming a patterned mask on the support and the electrode, a step of forming a probe material on the entire surface or a part, and an oblique ion A method for manufacturing a microprobe, comprising the steps of processing a probe material by etching to form microprotrusions.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24378990A JPH04125402A (en) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | Manufacture of minute probe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24378990A JPH04125402A (en) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | Manufacture of minute probe |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04125402A true JPH04125402A (en) | 1992-04-24 |
Family
ID=17108985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24378990A Pending JPH04125402A (en) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | Manufacture of minute probe |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04125402A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003027767A3 (en) * | 2001-09-11 | 2003-07-17 | Infineon Technologies Ag | Means and method for structuring a substrate with a mask |
| JP2008536306A (en) * | 2005-03-28 | 2008-09-04 | ラム リサーチ コーポレーション | Method and apparatus for determining an endpoint of a cleaning or conditioning process in a plasma processing system |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP24378990A patent/JPH04125402A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003027767A3 (en) * | 2001-09-11 | 2003-07-17 | Infineon Technologies Ag | Means and method for structuring a substrate with a mask |
| JP2008536306A (en) * | 2005-03-28 | 2008-09-04 | ラム リサーチ コーポレーション | Method and apparatus for determining an endpoint of a cleaning or conditioning process in a plasma processing system |
| JP2013085002A (en) * | 2005-03-28 | 2013-05-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for determining endpoint of cleaning or conditioning process in plasma treatment system |
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