JPH04114108A - 複合回路成形体及びその製造方法 - Google Patents
複合回路成形体及びその製造方法Info
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- JPH04114108A JPH04114108A JP23403390A JP23403390A JPH04114108A JP H04114108 A JPH04114108 A JP H04114108A JP 23403390 A JP23403390 A JP 23403390A JP 23403390 A JP23403390 A JP 23403390A JP H04114108 A JPH04114108 A JP H04114108A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Communication Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導電路と導光路とが同一の成形体に設けられ
た複合回路成形体及びその製造方法に関する。
た複合回路成形体及びその製造方法に関する。
近年、機器の小型化等の要請から、導電路と導光路とが
同一の成形体に設けられた複合回路成形体が普及してい
る。
同一の成形体に設けられた複合回路成形体が普及してい
る。
このような複合回路成形体の製造においては、従来、導
電路と導光路の一方を成形体内に埋設し、他方を当該成
形体表面に形成していた。すなわち、例えば屈折率の低
いプラスチック樹脂によって成形された一次成形品に屈
折率の高い樹脂を注入充填することによって導光路を形
成し、その後当該成形品の表面に、フィルム転写法、2
回成形法アディティブ法等によって導電路を形成してい
る。
電路と導光路の一方を成形体内に埋設し、他方を当該成
形体表面に形成していた。すなわち、例えば屈折率の低
いプラスチック樹脂によって成形された一次成形品に屈
折率の高い樹脂を注入充填することによって導光路を形
成し、その後当該成形品の表面に、フィルム転写法、2
回成形法アディティブ法等によって導電路を形成してい
る。
あるいは、導電路が形成された成形体の表面に光ファイ
バーを配置している。
バーを配置している。
しかしながら、上記のように導電路と導光路を各々独立
に成形する方法では、製造工程が複雑化するとともに、
複合回路成形体自体のコンパクト化の妨げとなる。
に成形する方法では、製造工程が複雑化するとともに、
複合回路成形体自体のコンパクト化の妨げとなる。
本発明は係る点に鑑みて成されたものであり、製造工程
の簡略化及びコンパクト化を図ることのできる複合回路
成形体及びその製造方法を提供することを目的とする。
の簡略化及びコンパクト化を図ることのできる複合回路
成形体及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る複合回路成形体は上記目的を達成するため
に、メッキ反応触媒が配合された絶縁材料を用い、射出
成形により所定形状の溝部及び突起部を形成してなる基
礎成形品と;前記溝部内に低屈折率樹脂によって包囲さ
れた高屈折率樹脂を充填することによって形成される導
光路と;周囲がレジストされた前記突起部の上面に金属
メッキ処理を施すことによって形成される導電路とを備
えている。
に、メッキ反応触媒が配合された絶縁材料を用い、射出
成形により所定形状の溝部及び突起部を形成してなる基
礎成形品と;前記溝部内に低屈折率樹脂によって包囲さ
れた高屈折率樹脂を充填することによって形成される導
光路と;周囲がレジストされた前記突起部の上面に金属
メッキ処理を施すことによって形成される導電路とを備
えている。
また、メッキ反応触媒が配合された絶縁材料を用い、射
出成形により所定形状の溝部及び突起部を備えた基礎成
形品を成形し;前記溝部の内面に低屈折率樹脂層を形成
し;この低屈折率樹脂層が形成された前記溝部内に導光
路として高屈折率樹脂を充填し;前記高屈折率樹脂を覆
うとともに、前記突起部の上面のみが露出するように低
屈折率樹脂層を前記基礎成形品の表面に形成し;導電路
として前記突起部の上面に金属メッキ処理を施すことに
よって上記複合回路成形体を製造する。
出成形により所定形状の溝部及び突起部を備えた基礎成
形品を成形し;前記溝部の内面に低屈折率樹脂層を形成
し;この低屈折率樹脂層が形成された前記溝部内に導光
路として高屈折率樹脂を充填し;前記高屈折率樹脂を覆
うとともに、前記突起部の上面のみが露出するように低
屈折率樹脂層を前記基礎成形品の表面に形成し;導電路
として前記突起部の上面に金属メッキ処理を施すことに
よって上記複合回路成形体を製造する。
本発明は以上のように、射出成形により成形される基礎
成形品に導電路及び導光路を形成するための突起部と溝
部を予め形成しているため、従来のように導電路と導光
路を独立して形成する方式に比べて製造工程が1工程省
略できるとともに、成形体自体も薄肉化することができ
る。
成形品に導電路及び導光路を形成するための突起部と溝
部を予め形成しているため、従来のように導電路と導光
路を独立して形成する方式に比べて製造工程が1工程省
略できるとともに、成形体自体も薄肉化することができ
る。
また、本発明に係る複合回路成形体の製造方法において
は、高屈折率樹脂を覆う低屈折率樹脂により突起部のメ
ッキ処理のレジストを兼ねているため、更に製造工程数
の削減を図ることができる。
は、高屈折率樹脂を覆う低屈折率樹脂により突起部のメ
ッキ処理のレジストを兼ねているため、更に製造工程数
の削減を図ることができる。
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
第1図には、実施例に係る複合回路成形体10の構成が
示されている。この複合回路成形体10は、溝部12a
と突起部12bを備えた基礎成形品12と、この基礎成
形品12の溝部12aの内面に被覆される低屈折率樹脂
膜14と、この低屈折率樹脂膜14が被覆された溝部1
2a内に充填される高屈折率樹脂層15と、基礎成形品
12の表面全体を被覆する低屈折率樹脂層16と、基礎
成形品12の突起部12bの表面に施される金属メッキ
層18とから構成されている。
示されている。この複合回路成形体10は、溝部12a
と突起部12bを備えた基礎成形品12と、この基礎成
形品12の溝部12aの内面に被覆される低屈折率樹脂
膜14と、この低屈折率樹脂膜14が被覆された溝部1
2a内に充填される高屈折率樹脂層15と、基礎成形品
12の表面全体を被覆する低屈折率樹脂層16と、基礎
成形品12の突起部12bの表面に施される金属メッキ
層18とから構成されている。
基礎成形品12は、プラスチック絶縁樹脂により射出成
形によって、略り字型に成形され、上面に導光路成形用
の溝部12a、下面に導電路成形用の突起部12bがそ
れぞれ形成されている。なお、溝部12aの断面形状は
、図示のような矩形に限定されず、他の形状であっても
良い。また、溝部12aと突起部12bを同一面上に形
成したり、成形体12の表裏両面にわたって連続的に形
成しても良い。
形によって、略り字型に成形され、上面に導光路成形用
の溝部12a、下面に導電路成形用の突起部12bがそ
れぞれ形成されている。なお、溝部12aの断面形状は
、図示のような矩形に限定されず、他の形状であっても
良い。また、溝部12aと突起部12bを同一面上に形
成したり、成形体12の表裏両面にわたって連続的に形
成しても良い。
基礎成形品12の材料としては、剛性9寸法安定性、電
気特性、熱的特性を考慮し、エンジニアリングプラスチ
ックと称される樹脂、例えばポリカーボネート、ポリサ
ルフォン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリエーテルサルファイド等の樹脂に無電解メッキ
触媒としてパラジウム、金、銀等を配合した合成樹脂を
用いる。
気特性、熱的特性を考慮し、エンジニアリングプラスチ
ックと称される樹脂、例えばポリカーボネート、ポリサ
ルフォン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリエーテルサルファイド等の樹脂に無電解メッキ
触媒としてパラジウム、金、銀等を配合した合成樹脂を
用いる。
本実施例においては、メッキ反応触媒としてパラジウム
を含有したポリフェニレンスルファイド合成樹脂を用い
た。
を含有したポリフェニレンスルファイド合成樹脂を用い
た。
低屈折率樹脂膜14は、基礎成形品12の溝部12aの
内面に形成され、導光路の外枠として機能する。
内面に形成され、導光路の外枠として機能する。
高屈折率樹脂層15は、上記低屈折率樹脂膜14が形成
された溝部12aに充填され、導光路として機能する。
された溝部12aに充填され、導光路として機能する。
低屈折率樹脂層16は、上記高屈折率樹脂層15の表面
を覆うことによって、低屈折率樹脂膜14とともに高屈
折率樹脂層15を包囲し、且つ突起部12bの上面のみ
が露出するように、基礎成形品12の表面を被覆する。
を覆うことによって、低屈折率樹脂膜14とともに高屈
折率樹脂層15を包囲し、且つ突起部12bの上面のみ
が露出するように、基礎成形品12の表面を被覆する。
これにより、高屈折率樹脂層15内を通過する光の外部
への漏れを防止するとともに、金属メッキ層18のレジ
ストとを行うようになっている。
への漏れを防止するとともに、金属メッキ層18のレジ
ストとを行うようになっている。
なお、低屈折率樹脂膜14.16の材料としては、例え
ば、含フツ素アクリレートまたは含フツ素メタクリレー
トの重合体あるいは、これらとアクリレート及びメタク
リレートとの共重合体、4フッ化エチレン−6フツ化ビ
ニリデン共重合体。
ば、含フツ素アクリレートまたは含フツ素メタクリレー
トの重合体あるいは、これらとアクリレート及びメタク
リレートとの共重合体、4フッ化エチレン−6フツ化ビ
ニリデン共重合体。
4−フッ化エチレン共重合体等を用いる。低屈折率樹脂
膜14と16は同一の材質であっても、異なる材質であ
っても良い。
膜14と16は同一の材質であっても、異なる材質であ
っても良い。
他方、高屈折率樹脂層16の材料としては、上記低屈折
率樹脂膜14より相対的に屈折率の高く絶縁性のもので
あれば特に限定されず、例えばポリメチルメタクリレー
トに代表されるメタクリル酸エステル重合体、ポリスチ
レン及びポリクロルスチレンに代表されるスチレン糸上
ツマー重合体及び共重合体、メチルメタクリレートとス
チレンの共重合体、エポキシ系モノマー、シリコン、ポ
リカーボネ−1ポリスルホン、ポリエーテルスルホン及
びこれらの誘導体、スチレンアクリルニトリル共重合体
など通常透明な材料を用いる。
率樹脂膜14より相対的に屈折率の高く絶縁性のもので
あれば特に限定されず、例えばポリメチルメタクリレー
トに代表されるメタクリル酸エステル重合体、ポリスチ
レン及びポリクロルスチレンに代表されるスチレン糸上
ツマー重合体及び共重合体、メチルメタクリレートとス
チレンの共重合体、エポキシ系モノマー、シリコン、ポ
リカーボネ−1ポリスルホン、ポリエーテルスルホン及
びこれらの誘導体、スチレンアクリルニトリル共重合体
など通常透明な材料を用いる。
金属メッキ層18は、無電解メッキ法によって形成され
るものであり、導電路として機能する。
るものであり、導電路として機能する。
次に、以上のように構成された複合回路成形体10の製
造工程について、第2図を参照しつつ簡単に説明する。
造工程について、第2図を参照しつつ簡単に説明する。
まず、メッキ反応触媒としてパラジウムを含有したポリ
フェニレンスルファイド合成樹脂により、金型を用いた
射出成形によって第2図(A)のように基礎成形品工2
を成形する。
フェニレンスルファイド合成樹脂により、金型を用いた
射出成形によって第2図(A)のように基礎成形品工2
を成形する。
次に、樹脂の接着及び密着強度を向上させるために、基
礎成形品12を脱脂処理した後、クロム/硫酸からなる
粗化液に浸漬して粗化処理し、その後、当該基礎成形品
12を金型に戻し、(B)図のように溝部12aの内面
にポリ(4−メチルペンテン−I)を注入して低屈折率
樹脂膜14を形成する。
礎成形品12を脱脂処理した後、クロム/硫酸からなる
粗化液に浸漬して粗化処理し、その後、当該基礎成形品
12を金型に戻し、(B)図のように溝部12aの内面
にポリ(4−メチルペンテン−I)を注入して低屈折率
樹脂膜14を形成する。
次に、ポリカーボネートを溝部12a内に充填して高屈
折率樹脂層15を形成した後、(C)図のように基礎成
形品12の表面に低屈折率樹脂層16を形成する。この
際、低屈折率樹脂層16は高屈折率樹脂層15と密着し
これを密閉するとともに、裏面においては突起部12b
の上面のみが露出するように基礎成形品12の表面を被
覆する。
折率樹脂層15を形成した後、(C)図のように基礎成
形品12の表面に低屈折率樹脂層16を形成する。この
際、低屈折率樹脂層16は高屈折率樹脂層15と密着し
これを密閉するとともに、裏面においては突起部12b
の上面のみが露出するように基礎成形品12の表面を被
覆する。
その後、以上のように成形された基礎成形品12を、硫
酸銅、還元剤、PH調整剤、添加側を含む無電解銅メッ
キ液に浸漬して、突起部12bの上面に金属メッキ層1
8を形成することにより、複合回路成形体の製造が完了
する。この際、基礎成形品12にのみメッキ触媒が配合
されているため、突起部12bにのみメッキが付着し、
周囲の低屈折率樹脂層16にはメッキは付着しない。
酸銅、還元剤、PH調整剤、添加側を含む無電解銅メッ
キ液に浸漬して、突起部12bの上面に金属メッキ層1
8を形成することにより、複合回路成形体の製造が完了
する。この際、基礎成形品12にのみメッキ触媒が配合
されているため、突起部12bにのみメッキが付着し、
周囲の低屈折率樹脂層16にはメッキは付着しない。
なお、上記実施例においては、基礎成形品12の材料と
してパラジウムを含有したポリフェニレンスルファイド
合成樹脂、低屈折率樹脂としてポリ(4−メチルペンテ
ン−1)、高屈折率樹脂としてポリカーボネートをそれ
ぞれ用いているが、このような組合わせの他に、以下の
ような組み合わせを採用することが好ましい。
してパラジウムを含有したポリフェニレンスルファイド
合成樹脂、低屈折率樹脂としてポリ(4−メチルペンテ
ン−1)、高屈折率樹脂としてポリカーボネートをそれ
ぞれ用いているが、このような組合わせの他に、以下の
ような組み合わせを採用することが好ましい。
■ 基礎成形品12の材料としてパラジウムを含有した
ポリフェニレンスルファイド合成樹脂、低屈折率樹脂と
してポリメチルクリレート、高屈折率樹脂としてポリス
チレン樹脂用いる。
ポリフェニレンスルファイド合成樹脂、低屈折率樹脂と
してポリメチルクリレート、高屈折率樹脂としてポリス
チレン樹脂用いる。
■ 基礎成形品12の材料としてパラジウムを含有した
ポリエーテルスルホン、低屈折率樹脂として4−フッ化
エチレン6フツ化プロピレン樹脂、高屈折率樹脂として
エチルメタクリレ−1・を用いる。
ポリエーテルスルホン、低屈折率樹脂として4−フッ化
エチレン6フツ化プロピレン樹脂、高屈折率樹脂として
エチルメタクリレ−1・を用いる。
以上説明したように、本発明の複合回路成形体においで
は、基礎成形品に導電路及び導光路になる突起部と溝部
を一体成形しているため、製造工程の簡略化及び成形体
のコンパクト化を図ることのできるという効果がある。
は、基礎成形品に導電路及び導光路になる突起部と溝部
を一体成形しているため、製造工程の簡略化及び成形体
のコンパクト化を図ることのできるという効果がある。
また、本発明の複合回路成形体の製造方法によれば、導
光路を形成する高屈折率樹脂を覆うための低屈折率樹脂
により、突起部のメッキ処理のレジストを兼ねているた
め、更に製造工程を簡略化できる。
光路を形成する高屈折率樹脂を覆うための低屈折率樹脂
により、突起部のメッキ処理のレジストを兼ねているた
め、更に製造工程を簡略化できる。
第1図は、実施例に係る複合回路成形体の構成を示す斜
視図である。第2図(A)〜(C)は、実施例に係る複
合回路成形体の各製造工程を示す斜視図である。 10・ 2a 2b 符号の説明 ・−複合回路成形体 基礎成形品 ・−・−−−−−−一溝部 突起部 低屈折率樹脂膜 高屈折率樹脂層 低屈折率樹脂層 金属メッキ層
視図である。第2図(A)〜(C)は、実施例に係る複
合回路成形体の各製造工程を示す斜視図である。 10・ 2a 2b 符号の説明 ・−複合回路成形体 基礎成形品 ・−・−−−−−−一溝部 突起部 低屈折率樹脂膜 高屈折率樹脂層 低屈折率樹脂層 金属メッキ層
Claims (2)
- (1)メッキ反応触媒が配合された絶縁材料を用い、射
出成形により所定形状の溝部及び突起部を形成してなる
基礎成形品と、 前記溝部内に低屈折率樹脂によって包囲された高屈折率
樹脂を充填することによって形成される導光路と、 周囲がレジストされた前記突起部の上面に金属メッキ処
理を施すことによって形成される導電路とを備えたこと
を特徴とする複合回路成形体。 - (2)メッキ反応触媒が配合された絶縁材料を用い、射
出成形により所定形状の溝部及び突起部を備えた基礎成
形品を成形し、 前記溝部の内面に低屈折率樹脂層を形成し、この低屈折
率樹脂層が形成された前記溝部内に導光路として高屈折
率樹脂を充填し、 前記高屈折率樹脂を覆うとともに、前記突起部の上面の
みが露出するように低屈折率樹脂層を前記基礎成形品の
表面に形成し、 導電路として前記突起部の上面に金属メッキ処理を施す
ことを特徴とする複合回路成形体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23403390A JPH04114108A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 複合回路成形体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23403390A JPH04114108A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 複合回路成形体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04114108A true JPH04114108A (ja) | 1992-04-15 |
Family
ID=16964511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23403390A Pending JPH04114108A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 複合回路成形体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04114108A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0588014A2 (en) * | 1992-09-11 | 1994-03-23 | Motorola, Inc. | Optical bus with optical transceiver modules and method of manufacture |
JP2006091684A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Fujitsu Ltd | 光導波路構造体および光モジュール |
JP2011145494A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Yazaki Corp | 曲げ光導波路構造体、光送受信モジュール、及び光コネクタモジュール |
-
1990
- 1990-09-04 JP JP23403390A patent/JPH04114108A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0588014A2 (en) * | 1992-09-11 | 1994-03-23 | Motorola, Inc. | Optical bus with optical transceiver modules and method of manufacture |
EP0588014A3 (en) * | 1992-09-11 | 1995-08-09 | Motorola Inc | Optical bus with optical transceiver module and manufacturing method. |
JP2006091684A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Fujitsu Ltd | 光導波路構造体および光モジュール |
JP2011145494A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Yazaki Corp | 曲げ光導波路構造体、光送受信モジュール、及び光コネクタモジュール |
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