JPH04112005A - セラミック放熱基板及びその製造方法 - Google Patents
セラミック放熱基板及びその製造方法Info
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- JPH04112005A JPH04112005A JP23159190A JP23159190A JPH04112005A JP H04112005 A JPH04112005 A JP H04112005A JP 23159190 A JP23159190 A JP 23159190A JP 23159190 A JP23159190 A JP 23159190A JP H04112005 A JPH04112005 A JP H04112005A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 29
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 6
- 239000003232 water-soluble binding agent Substances 0.000 claims description 6
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004881 precipitation hardening Methods 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 aluminum alkoxide Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 abstract description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 2
- AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Cl AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 11
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012245 magnesium oxide Nutrition 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 2
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXAUWWUXCIMFIM-UHFFFAOYSA-M aluminum;oxygen(2-);hydroxide Chemical compound [OH-].[O-2].[Al+3] VXAUWWUXCIMFIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- VSGNNIFQASZAOI-UHFFFAOYSA-L calcium acetate Chemical compound [Ca+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O VSGNNIFQASZAOI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001639 calcium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000011092 calcium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229960005147 calcium acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007582 slurry-cast process Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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- Devices For Post-Treatments, Processing, Supply, Discharge, And Other Processes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はアルミナを主成分としグリーン/−1・多層積
層法により製造される半導体基板材料に関する。更に詳
しくは電子部品の発熱を放散させるセラミック放熱基板
及びその製造方法に関するものである。
層法により製造される半導体基板材料に関する。更に詳
しくは電子部品の発熱を放散させるセラミック放熱基板
及びその製造方法に関するものである。
[従来の技術]
従来、この種のセラミック放熱基板は、放熱性を向上さ
せるために、メタライズ法或いはろう付は法により、熱
伝導率の高いCu金属やCu−W系焼結合金をヒートシ
ンク金属として固体状態でセラミック基板の表面に接合
していた。
せるために、メタライズ法或いはろう付は法により、熱
伝導率の高いCu金属やCu−W系焼結合金をヒートシ
ンク金属として固体状態でセラミック基板の表面に接合
していた。
[発明か解決しようとする課題]
しかし、上記ヒートシンク金属は、接合時の歪みによる
強度低下を避けるために、その熱膨張係数がセラミック
基板の熱膨張係数に適合するものの中から選択する必要
があり、セラミック基板としてアルミナ基板を用いた場
合には、ヒートシンク金属にCu−W、 Cu−Mo、
W−A g等の低い熱膨張係数の焼結合金しか使用で
きす、放熱効果に一定の限界かあった。
強度低下を避けるために、その熱膨張係数がセラミック
基板の熱膨張係数に適合するものの中から選択する必要
があり、セラミック基板としてアルミナ基板を用いた場
合には、ヒートシンク金属にCu−W、 Cu−Mo、
W−A g等の低い熱膨張係数の焼結合金しか使用で
きす、放熱効果に一定の限界かあった。
本発明の目的は、種々のヒートシンク金属と高強度に接
合でき、しかもセラミック基板と金属との接合界面を増
大して伝熱面積を大きくてきるセラミック放熱基板及び
その製造方法を提供することにある。
合でき、しかもセラミック基板と金属との接合界面を増
大して伝熱面積を大きくてきるセラミック放熱基板及び
その製造方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、電子部品の放熱効果か高く、しか
も高密度に電子部品を実装することかできるセラミック
放熱基板及びその製造方法を提供することにある。
も高密度に電子部品を実装することかできるセラミック
放熱基板及びその製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、本発明のセラミック放熱基
板は、多孔質セラミック層の両面又は片面に緻密質セラ
ミック層か積層されて一体的に焼結され、前記多孔質セ
ラミック層に開気孔か形成された積層焼結体を支持体と
し、前記多孔質セラミック層を冷媒通路とするものであ
って、溶融した銅系合金か前記開気孔に含浸凝固したこ
とを特徴とする。
板は、多孔質セラミック層の両面又は片面に緻密質セラ
ミック層か積層されて一体的に焼結され、前記多孔質セ
ラミック層に開気孔か形成された積層焼結体を支持体と
し、前記多孔質セラミック層を冷媒通路とするものであ
って、溶融した銅系合金か前記開気孔に含浸凝固したこ
とを特徴とする。
また本発明のセラミック放熱基板の製造方法では、先ず
水を分散媒とした第1アルミナゾルに第1焼結助剤と第
1水溶性バインダを添加混合して緻密質層用スラリーを
調製し、この緻密質層用スラリーを成膜乾燥して緻密質
層用グリーンシートを成形する。次いで水を分散媒とし
た第2アルミナゾルに焼結助剤を添加しないか又は前記
第1焼結助剤より少量の第2焼結助剤と第2水溶性バイ
ンダを添加混合して多孔質層用スラリーを調製し、この
多孔質層用スラリーを成膜乾燥して多孔質層用グリーン
シートを成形する。次に前記多孔質層用グリーンシート
の両面又は片面に前記緻密質層用グリーンシートを接着
剤により接着し、前記接着したグリーンシートを120
0〜1600℃で焼成して積層焼結体を形成する。更に
溶融した銅系合金を前記積層焼結体の多孔質セラミック
層に含浸して凝固させる。
水を分散媒とした第1アルミナゾルに第1焼結助剤と第
1水溶性バインダを添加混合して緻密質層用スラリーを
調製し、この緻密質層用スラリーを成膜乾燥して緻密質
層用グリーンシートを成形する。次いで水を分散媒とし
た第2アルミナゾルに焼結助剤を添加しないか又は前記
第1焼結助剤より少量の第2焼結助剤と第2水溶性バイ
ンダを添加混合して多孔質層用スラリーを調製し、この
多孔質層用スラリーを成膜乾燥して多孔質層用グリーン
シートを成形する。次に前記多孔質層用グリーンシート
の両面又は片面に前記緻密質層用グリーンシートを接着
剤により接着し、前記接着したグリーンシートを120
0〜1600℃で焼成して積層焼結体を形成する。更に
溶融した銅系合金を前記積層焼結体の多孔質セラミック
層に含浸して凝固させる。
本発明の多孔質セラミック層及び緻密質セラミック層を
構成するセラミック原料は、ともにアルミナ含有量か9
0〜999%の純度の高いアルミナである。緻密質層用
スラリー及び多孔質層用スラリーはともに水を分散媒と
したアルミナゾルを主成分とする。上記アルミナゾルは
アルミニウムアルコキシドを加水分解し、それぞれの加
水分解生成物を解膠処理して得られるアルミナコロイド
液であって、いわゆるゾル−ゲル法において調製される
微細なコロイド粒子のアルミナゾルか好ましい。
構成するセラミック原料は、ともにアルミナ含有量か9
0〜999%の純度の高いアルミナである。緻密質層用
スラリー及び多孔質層用スラリーはともに水を分散媒と
したアルミナゾルを主成分とする。上記アルミナゾルは
アルミニウムアルコキシドを加水分解し、それぞれの加
水分解生成物を解膠処理して得られるアルミナコロイド
液であって、いわゆるゾル−ゲル法において調製される
微細なコロイド粒子のアルミナゾルか好ましい。
緻密質層用スラリーと多孔質層用スラリーの調製方法の
相違点は、前者に焼結助剤かアルミナゾル100重量%
に対して05〜10重量%含まれるのに対して、後者に
はセラミック層の気孔率を増大させるために焼結助剤が
全く含まれないか或いは前者より少量の焼結助剤か含ま
れるところにある。アルミナの焼結助剤としては、二酸
化けい素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酢酸マ
グネシウム、二酸化チタン等が挙げられる。酸化マグネ
シウム及び二酸化けい素の添加系では酸化カルシウムを
少なくとも01重量%添加することか好ましい。
相違点は、前者に焼結助剤かアルミナゾル100重量%
に対して05〜10重量%含まれるのに対して、後者に
はセラミック層の気孔率を増大させるために焼結助剤が
全く含まれないか或いは前者より少量の焼結助剤か含ま
れるところにある。アルミナの焼結助剤としては、二酸
化けい素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酢酸マ
グネシウム、二酸化チタン等が挙げられる。酸化マグネ
シウム及び二酸化けい素の添加系では酸化カルシウムを
少なくとも01重量%添加することか好ましい。
水溶性バインダは緻密質層用スラリー及び多孔質層用ス
ラリーにおいて、ともにアルミナゾルの固形分に対して
10〜80重量%添加される。このバインダは焼結時の
脱バインダによりセラミック層に気孔を生じ易いため、
気孔率を減少させる場合には上記範囲で少なめにアルミ
ナゾルに添加される。水溶性バインダとしてはポリビニ
ルアルコール、水溶性アクリル等が挙げられる。緻密質
層用スラリーに含まれるバインダは多孔質層用スラリー
に含まれるバインダと異なってもよい。
ラリーにおいて、ともにアルミナゾルの固形分に対して
10〜80重量%添加される。このバインダは焼結時の
脱バインダによりセラミック層に気孔を生じ易いため、
気孔率を減少させる場合には上記範囲で少なめにアルミ
ナゾルに添加される。水溶性バインダとしてはポリビニ
ルアルコール、水溶性アクリル等が挙げられる。緻密質
層用スラリーに含まれるバインダは多孔質層用スラリー
に含まれるバインダと異なってもよい。
緻密質層用スラリー及び多孔質層用スラリーを成膜する
方法としては、ドクターブレード法、押出し成形法、ロ
ール圧延法、泥しよう鋳込み法等があるが、成形歪が少
なく成形体の平滑度か良好なドクターブレード法が好ま
しい。多孔質層用スラリーを成膜するときに、このスラ
リーにアンモニア、或いはアミン類のアルカリ物質を添
加してスラリー中にゲルを生成させ、気孔率を増大させ
ることもできる。
方法としては、ドクターブレード法、押出し成形法、ロ
ール圧延法、泥しよう鋳込み法等があるが、成形歪が少
なく成形体の平滑度か良好なドクターブレード法が好ま
しい。多孔質層用スラリーを成膜するときに、このスラ
リーにアンモニア、或いはアミン類のアルカリ物質を添
加してスラリー中にゲルを生成させ、気孔率を増大させ
ることもできる。
緻密質層用のスラリー及び多孔質層用のスラリーを成膜
後、30〜95℃でそれぞれ乾燥して緻密質層用グリー
ンシート及び多孔質層用グリーンシートを成形する。最
下層となる緻密質層用グリーンシートには冷媒が通る通
孔を設けてもよい。
後、30〜95℃でそれぞれ乾燥して緻密質層用グリー
ンシート及び多孔質層用グリーンシートを成形する。最
下層となる緻密質層用グリーンシートには冷媒が通る通
孔を設けてもよい。
次いて多孔質層用グリーンシートの両面又は片面に接着
剤を塗布し、0〜70℃の温度で5〜200 kg/c
m’の圧力で多孔質層用グリーンシートに緻密質層用グ
リーンシートを接着し積層する。
剤を塗布し、0〜70℃の温度で5〜200 kg/c
m’の圧力で多孔質層用グリーンシートに緻密質層用グ
リーンシートを接着し積層する。
この接着剤としては、セルロース誘導体、アクリル系エ
マルジョン、酢酸ビニルエマルンヨン等の水系接着剤又
はアクリル系樹脂、ブチラール系樹脂、ビニール系樹脂
等の非水系接着剤を用いることができる。
マルジョン、酢酸ビニルエマルンヨン等の水系接着剤又
はアクリル系樹脂、ブチラール系樹脂、ビニール系樹脂
等の非水系接着剤を用いることができる。
これらの積層数は多孔質層用グリーンシートの両面に緻
密質層用グリーンシートを重ね合わせて積層した3層以
外に、セラミック基板の用途に応じて緻密質層と多孔質
層とを交互に重ね合わせた多数層にすることもできる。
密質層用グリーンシートを重ね合わせて積層した3層以
外に、セラミック基板の用途に応じて緻密質層と多孔質
層とを交互に重ね合わせた多数層にすることもできる。
グリーンシートを積層した後、所定の寸法に切断し、焼
成炉に入れて焼成する。焼成は目的とする気孔率を得る
ために1200〜1600℃の温度範囲で、1〜2時間
、大気圧下で行われる。焼成温度が高まる程、また焼成
時間が長くなる程、気孔率は減少する。1200℃未満
であると緻密質セラミック層の気孔率が増大し、160
0℃を越えると多孔質セラミック層の気孔率か減少して
本発明の目的が達成されない。
成炉に入れて焼成する。焼成は目的とする気孔率を得る
ために1200〜1600℃の温度範囲で、1〜2時間
、大気圧下で行われる。焼成温度が高まる程、また焼成
時間が長くなる程、気孔率は減少する。1200℃未満
であると緻密質セラミック層の気孔率が増大し、160
0℃を越えると多孔質セラミック層の気孔率か減少して
本発明の目的が達成されない。
本発明のセラミック放熱基板は焼結助剤の添加量又は焼
成温度に応じて、多孔質セラミック層の気孔率が20〜
60%の範囲に、また緻密質セラミック層の気孔率が0
.01〜5%の範囲に制御されて作られる。
成温度に応じて、多孔質セラミック層の気孔率が20〜
60%の範囲に、また緻密質セラミック層の気孔率が0
.01〜5%の範囲に制御されて作られる。
上記焼成で得られた積層焼結体の多孔質セラミック層に
は開気孔が形成される。ここで開気孔とは閉気孔とは異
なり、焼結体の一端から他端まで連続した空隙であって
流体が通過可能な微細な孔をいう。
は開気孔が形成される。ここで開気孔とは閉気孔とは異
なり、焼結体の一端から他端まで連続した空隙であって
流体が通過可能な微細な孔をいう。
この積層焼結体の多孔質セラミック層に溶融した銅系合
金を含浸した後、冷却して凝固させる。
金を含浸した後、冷却して凝固させる。
この積層焼結体の融点は少なくとも銅系合金の融点より
高いことが望ましい。また含浸雰囲気は酸化防止のため
、真空中で行うことが好ましい。この含浸処理は必要に
より、複数回行ってもよい。
高いことが望ましい。また含浸雰囲気は酸化防止のため
、真空中で行うことが好ましい。この含浸処理は必要に
より、複数回行ってもよい。
本発明の銅系合金には、Cu−Ni系の析出硬化型銅系
合金、又はCu−AM系のマルテンサイト変態硬化型銅
系合金を用いることが好ましい。
合金、又はCu−AM系のマルテンサイト変態硬化型銅
系合金を用いることが好ましい。
これは銅系合金として上記合金を用いると、焼結体に接
合するときに熱膨張差により発生する界面応力が析出物
の析出時効又はマルテンサイト変態により緩和されるか
らである。
合するときに熱膨張差により発生する界面応力が析出物
の析出時効又はマルテンサイト変態により緩和されるか
らである。
積層焼結体であるセラミック放熱基板の最上層の緻密質
セラミック層にコンデンサ、抵抗チップ等の電子部品を
搭載し、多孔質セラミック層に冷媒を通すことにより、
電子部品の発熱を放散させることができる。
セラミック層にコンデンサ、抵抗チップ等の電子部品を
搭載し、多孔質セラミック層に冷媒を通すことにより、
電子部品の発熱を放散させることができる。
冷媒の通し方は第1図〜第4図に示すように、セラミッ
ク放熱基板1oの前後両端に金属管11及び12を接続
し、基板1oの多孔質セラミック層10aに冷媒13を
通して最り層の緻密質セラミック層10bに搭載された
電子部品14及び15の発熱を除去する方法と、第5図
及び第6図に示すように、セラミック放熱基板20の最
下層の緻密質セラミック層20bに管径4〜6mm程度
の通孔27を穿設した後、通孔27に金属管21及び2
2を層20bに垂直に挿着して、基板20の多孔質セラ
ミック層20aに冷媒23を通して最上層の緻密質セラ
ミック層20bに搭載された電子部品24及び25の発
熱を除去する方法かある。
ク放熱基板1oの前後両端に金属管11及び12を接続
し、基板1oの多孔質セラミック層10aに冷媒13を
通して最り層の緻密質セラミック層10bに搭載された
電子部品14及び15の発熱を除去する方法と、第5図
及び第6図に示すように、セラミック放熱基板20の最
下層の緻密質セラミック層20bに管径4〜6mm程度
の通孔27を穿設した後、通孔27に金属管21及び2
2を層20bに垂直に挿着して、基板20の多孔質セラ
ミック層20aに冷媒23を通して最上層の緻密質セラ
ミック層20bに搭載された電子部品24及び25の発
熱を除去する方法かある。
これらの金属管11,12.21及び22はアルミナの
セラミック基板と熱膨張係数かほぼ等しい金属材料、例
えばコバール合金等で構成される。
セラミック基板と熱膨張係数かほぼ等しい金属材料、例
えばコバール合金等で構成される。
これらの金属管は硬ろう16、例えば銀ろう、黄銅ろう
、銅ろう等によりろう付けされ、基板10又は20と一
体化される。第1図及び第2図の3層積層のセラミック
放熱基板10は金属管11及び12に挿着され、第3図
及び第4図の5層積層のセラミック放熱基板10は金属
管11及び12の端面に接着される。第1図及び第2図
の基板1Oの最下層の緻密質セラミック層10bにはこ
の層10bの厚さに応して孔径60〜900μmの通孔
17か穿設される。通孔17及び前述した通孔27は焼
成前のグリーンシートの状態で穿設される。
、銅ろう等によりろう付けされ、基板10又は20と一
体化される。第1図及び第2図の3層積層のセラミック
放熱基板10は金属管11及び12に挿着され、第3図
及び第4図の5層積層のセラミック放熱基板10は金属
管11及び12の端面に接着される。第1図及び第2図
の基板1Oの最下層の緻密質セラミック層10bにはこ
の層10bの厚さに応して孔径60〜900μmの通孔
17か穿設される。通孔17及び前述した通孔27は焼
成前のグリーンシートの状態で穿設される。
また金属管11.12か接続されないセラミック放熱基
板10の両側面及びセラミック放熱基板20の周側面に
は、それぞれ冷媒13又は23か漏洩しないように封止
層10c又は20cか形成される。この封止はグリーン
シートの積層状態で緻密質層用のスラリーでコーティン
グして焼成することにより行われる。
板10の両側面及びセラミック放熱基板20の周側面に
は、それぞれ冷媒13又は23か漏洩しないように封止
層10c又は20cか形成される。この封止はグリーン
シートの積層状態で緻密質層用のスラリーでコーティン
グして焼成することにより行われる。
第1図及び第2図の基板10には、金属管11及び12
の双方から冷媒ガス、例えばフレオンガスを吹込み、多
孔質セラミック層10aを通して通孔17から排出させ
る。
の双方から冷媒ガス、例えばフレオンガスを吹込み、多
孔質セラミック層10aを通して通孔17から排出させ
る。
第3図及び第4図の基板10には、金属管11から冷媒
ガス又は冷却水を流込み、多孔質セラミック層10aを
通して金属管12から排出させる。
ガス又は冷却水を流込み、多孔質セラミック層10aを
通して金属管12から排出させる。
第5図及び第6図の基板20には、金属管21から冷媒
ガス又は冷却水を流込み、多孔質セラミック層20aを
通して金属管22から排出させる。
ガス又は冷却水を流込み、多孔質セラミック層20aを
通して金属管22から排出させる。
上記多孔質セラミック層10a又は20aの開気孔に銅
系合金か凝固するため、電子部品14゜15又は24.
25から発生する熱は素速く冷媒ガス又は冷却水により
冷却される。
系合金か凝固するため、電子部品14゜15又は24.
25から発生する熱は素速く冷媒ガス又は冷却水により
冷却される。
[発明の効果]
以上述べたように、本発明のセラミック放熱基板は、多
孔質セラミック層の両面又は片面に緻密質セラミック層
を積層して一体的に焼結され、かつ多孔質セラミック層
に熱伝導率の高い銅系合金か含浸凝固して形成されるた
め、種々のヒートシンク金属と高強度に接合でき、しか
もセラミック基板と金属との接合界面を増大して伝熱面
積を大きくすることができる。この結果、電子部品の放
熱効果が高く、しかも高密度に電子部品を実装すること
ができる。
孔質セラミック層の両面又は片面に緻密質セラミック層
を積層して一体的に焼結され、かつ多孔質セラミック層
に熱伝導率の高い銅系合金か含浸凝固して形成されるた
め、種々のヒートシンク金属と高強度に接合でき、しか
もセラミック基板と金属との接合界面を増大して伝熱面
積を大きくすることができる。この結果、電子部品の放
熱効果が高く、しかも高密度に電子部品を実装すること
ができる。
特に、多孔質セラミック層に接合するときに熱膨張差に
より発生する界面応力か析出物の析出時効又はマルテン
サイト変態により緩和される析出硬化型銅系合金又はマ
ルテンサイト変態硬化型銅系合金をヒートシンク金属材
料として用いれば、高強度のセラミック基板か得られる
。
より発生する界面応力か析出物の析出時効又はマルテン
サイト変態により緩和される析出硬化型銅系合金又はマ
ルテンサイト変態硬化型銅系合金をヒートシンク金属材
料として用いれば、高強度のセラミック基板か得られる
。
[実施例]
次に本発明の実施例を図面に基づいて詳しく説明する。
〈実施例1〉
アルミニウムイソプロポキシド[AQ (C3H,O)
3]を加水分解してベーマイト[A Q OOH]を生
成させ、これにpH2〜4に調整した水を加えて解膠し
、アルミナ濃度5重量%の安定な擬ベーマイトゾルを得
た。
3]を加水分解してベーマイト[A Q OOH]を生
成させ、これにpH2〜4に調整した水を加えて解膠し
、アルミナ濃度5重量%の安定な擬ベーマイトゾルを得
た。
緻密質層用スラリーを調製するために、このフルに焼結
助剤としてシリカコロイド、酢酸マグネシウム、酢酸カ
ルシウムを、更に水溶性バインダとしてポリビニルアル
コールを添加した。これらの焼結助剤は緻密質セラミッ
ク層に焼結したときの組成比が AQ、O,: 5if2: MgO: Ca0=92:
7: 2: 1になるようにそれぞれ添加した。また
バインダはこの固形分に対して40重量%添加混合した
。これにより固形分が10重量%のスラリーを調製した
。
助剤としてシリカコロイド、酢酸マグネシウム、酢酸カ
ルシウムを、更に水溶性バインダとしてポリビニルアル
コールを添加した。これらの焼結助剤は緻密質セラミッ
ク層に焼結したときの組成比が AQ、O,: 5if2: MgO: Ca0=92:
7: 2: 1になるようにそれぞれ添加した。また
バインダはこの固形分に対して40重量%添加混合した
。これにより固形分が10重量%のスラリーを調製した
。
このスラリーを移動担体である高密度ポリエチレンテー
プ上にドクターブレード法により厚さ1.2mmになる
ようにコーティングした後、乾燥し、スラリーの分散媒
である水を脱離させて厚さ約60μmの緻密層用グリー
ンシートを得た。
プ上にドクターブレード法により厚さ1.2mmになる
ようにコーティングした後、乾燥し、スラリーの分散媒
である水を脱離させて厚さ約60μmの緻密層用グリー
ンシートを得た。
一方、多孔化し易くするために焼結助剤を添加しない以
外は上記と同様にして厚さ約60μmの多孔質層用グリ
ーンシートを得た。最下層となる緻密層用グリーンシー
トに1平方Cm当り直径100μm通孔を9個穿設した
。次いで多孔質層用グリーンシートの両面に接着剤とし
て1%濃度のポリビニルブチラールのイソプロピルアル
コール溶液を塗工し、このシートの両面に上記緻密質層
用グリーンシートを重ね合わせて接着し、3層に積層さ
れた厚さ約180μmのグリーン成形体を得た。このグ
リーン成形体を80X80mmの正方形に切断した後、
両側面に緻密質層用スラリーをコーティングし、多孔質
用グリーン成形体を被覆した。
外は上記と同様にして厚さ約60μmの多孔質層用グリ
ーンシートを得た。最下層となる緻密層用グリーンシー
トに1平方Cm当り直径100μm通孔を9個穿設した
。次いで多孔質層用グリーンシートの両面に接着剤とし
て1%濃度のポリビニルブチラールのイソプロピルアル
コール溶液を塗工し、このシートの両面に上記緻密質層
用グリーンシートを重ね合わせて接着し、3層に積層さ
れた厚さ約180μmのグリーン成形体を得た。このグ
リーン成形体を80X80mmの正方形に切断した後、
両側面に緻密質層用スラリーをコーティングし、多孔質
用グリーン成形体を被覆した。
次に、このグリーン成形体を焼成炉に入れ、1500℃
で1時間、大気圧下で焼成して3層アルミナ基板を得た
。この3層アルミナ基板の緻密質アルミナ層及び多孔質
アルミナ層はそれぞれアルミナ含有量が92%及び99
5%のアルミナ焼結体層であった。多孔質アルミナ層に
は開気孔が形成されていた。
で1時間、大気圧下で焼成して3層アルミナ基板を得た
。この3層アルミナ基板の緻密質アルミナ層及び多孔質
アルミナ層はそれぞれアルミナ含有量が92%及び99
5%のアルミナ焼結体層であった。多孔質アルミナ層に
は開気孔が形成されていた。
更に、この3層アルミナ基板を900℃に加熱した真空
高温炉に入れ、真空にした後、この3層アルミナ基板の
多孔質アルミナ層に溶融した析出硬化型のCu−N1−
AQ金合金含浸させた。銅系合金が含浸した3層アルミ
ナ基板を上記炉から取り出して放置し室温まで冷却した
。
高温炉に入れ、真空にした後、この3層アルミナ基板の
多孔質アルミナ層に溶融した析出硬化型のCu−N1−
AQ金合金含浸させた。銅系合金が含浸した3層アルミ
ナ基板を上記炉から取り出して放置し室温まで冷却した
。
この3層アルミナ基板の多孔質層の開気孔には銅系合金
が凝固していた。またこの基板の曲げ強度は50 kg
f/mm”であった。
が凝固していた。またこの基板の曲げ強度は50 kg
f/mm”であった。
第1図及び第2図に示すように、この積層焼結した厚さ
100μmセラミック放熱基板10の緻密質層用スラリ
ーをコーティングしない前後両端をコバール合金(Fe
40%、Ni40%、Co20%)からなる金属管11
及び12に挿入して銀ろう16でろう付けした後、金属
管11及び12の双方からフレオンガスを吹込み、多孔
質セラミック層10aを通して通孔17から排出させた
ところ、最上層の緻密質セラミック層10bは極めて高
い放熱効果を示した。
100μmセラミック放熱基板10の緻密質層用スラリ
ーをコーティングしない前後両端をコバール合金(Fe
40%、Ni40%、Co20%)からなる金属管11
及び12に挿入して銀ろう16でろう付けした後、金属
管11及び12の双方からフレオンガスを吹込み、多孔
質セラミック層10aを通して通孔17から排出させた
ところ、最上層の緻密質セラミック層10bは極めて高
い放熱効果を示した。
第1図は本発明セラミック放熱基板の断面図。
第2図はその斜視図。
第3図は本発明の別のセラミック放熱基板の断面図。
第4図はその斜視図。
第5図は本発明の更に別のセラミック放熱基板の断面図
。 第6図はその斜視図。 10.20:セラミック放熱基板、 10a、20a:多孔質セラミック層、10b、20b
:緻密質セラミック層、13.23:冷媒。 0a 0b 第 図 第 図
。 第6図はその斜視図。 10.20:セラミック放熱基板、 10a、20a:多孔質セラミック層、10b、20b
:緻密質セラミック層、13.23:冷媒。 0a 0b 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)多孔質セラミック層の両面又は片面に緻密質セラミ
ック層が積層されて一体的に焼結され、前記多孔質セラ
ミック層に開気孔が形成された積層焼結体を支持体とし
、前記多孔質セラミック層を流体通路とするセラミック
放熱基板であって、溶融した銅系合金が前記開気孔に含
浸凝固したことを特徴とするセラミック放熱基板。 2)銅系合金が析出硬化型銅系合金又はマルテンサイト
変態硬化型銅系合金である請求項1記載のセラミック放
熱基板。 3)緻密質セラミック層に多孔質セラミック層の開気孔
に連通する通孔が設けられた請求項1又は2記載のセラ
ミック放熱基板。 4)水を分散媒とした第1アルミナゾルに第1焼結助剤
と第1水溶性バインダを添加混合して緻密質層用スラリ
ーを調製し、 この緻密質層用スラリーを成膜乾燥して緻密質層用グリ
ーンシートを成形し、 水を分散媒とした第2アルミナゾルに焼結助剤を添加し
ないか又は前記第1焼結助剤より少量の第2焼結助剤と
第2水溶性バインダを添加混合して多孔質層用スラリー
を調製し、 この多孔質層用スラリーを成膜乾燥して多孔質層用グリ
ーンシートを成形し、 前記多孔質層用グリーンシートの両面又は片面に前記緻
密質層用グリーンシートを接着剤により接着し、 前記接着したグリーンシートを1200〜 1600℃で焼成して積層焼結体を形成し、溶融した銅
系合金を前記積層焼結体の多孔質セラミック層に含浸し
て凝固させる セラミック放熱基板の製造方法。 5)第1又は第2アルミナゾルのいずれか又は双方がア
ルミニウムアルコキシドを加水分解した後、この加水分
解生成物を解膠処理して得られるアルミナコロイド液で
ある請求項4記載のセラミック放熱基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23159190A JPH04112005A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | セラミック放熱基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23159190A JPH04112005A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | セラミック放熱基板及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04112005A true JPH04112005A (ja) | 1992-04-14 |
Family
ID=16925919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23159190A Pending JPH04112005A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | セラミック放熱基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04112005A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101980389A (zh) * | 2010-09-03 | 2011-02-23 | 珠海粤科京华科技有限公司 | 一种大功率led用平板式陶瓷封装散热模组及其制造方法 |
JP2017044461A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 住友電気工業株式会社 | 熱交換器 |
EP3975243A4 (en) * | 2019-05-21 | 2023-05-24 | Tomoegawa Co., Ltd. | TEMPERATURE CONTROL UNIT |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP23159190A patent/JPH04112005A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101980389A (zh) * | 2010-09-03 | 2011-02-23 | 珠海粤科京华科技有限公司 | 一种大功率led用平板式陶瓷封装散热模组及其制造方法 |
JP2017044461A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 住友電気工業株式会社 | 熱交換器 |
WO2017038380A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 住友電気工業株式会社 | 熱交換器 |
EP3975243A4 (en) * | 2019-05-21 | 2023-05-24 | Tomoegawa Co., Ltd. | TEMPERATURE CONTROL UNIT |
US11985795B2 (en) | 2019-05-21 | 2024-05-14 | Tomoegawa Corporation | Temperature control unit |
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