JPH04111337A - 半導体面に形成されている不純物層の濃度分布測定方法 - Google Patents
半導体面に形成されている不純物層の濃度分布測定方法Info
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- JPH04111337A JPH04111337A JP22931290A JP22931290A JPH04111337A JP H04111337 A JPH04111337 A JP H04111337A JP 22931290 A JP22931290 A JP 22931290A JP 22931290 A JP22931290 A JP 22931290A JP H04111337 A JPH04111337 A JP H04111337A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体面に形成されている不純物層の濃度分
布測定方法に関するものである。
布測定方法に関するものである。
半導体面に形成されている不純物層の濃度分布測定は、
特性の良好な半導体素子を設計、製造する上で極めて重
要となるものである。
特性の良好な半導体素子を設計、製造する上で極めて重
要となるものである。
そして、このような不純物層の濃度分布測定方法として
は、従来、たとえば、2次イオン質量分析法(SIMS
)を用いて行う方法、あるいは、ひろがり抵抗測定法(
SR)を用いて行う方法が知られている。
は、従来、たとえば、2次イオン質量分析法(SIMS
)を用いて行う方法、あるいは、ひろがり抵抗測定法(
SR)を用いて行う方法が知られている。
しかしながら、上述したひろがり抵抗測定法(SR)を
用いて行う方法の場合には、不純物導入部の深さ方向に
対する不純物濃度は精度良く測定できるものであるが、
該深さ方向と直角方向である平面方向は測定できないも
のとなっている。このため2次元からなる領域における
不純物濃度分布を測定することはできないものとなって
いた。
用いて行う方法の場合には、不純物導入部の深さ方向に
対する不純物濃度は精度良く測定できるものであるが、
該深さ方向と直角方向である平面方向は測定できないも
のとなっている。このため2次元からなる領域における
不純物濃度分布を測定することはできないものとなって
いた。
2次元からなる領域における不純物濃度分布を測定でき
るものとしては、上述した2次イオン質量分析法(SI
MS)を用いて行う方法が知られているが、この方法で
は、次のような問題点を有していたものであった。
るものとしては、上述した2次イオン質量分析法(SI
MS)を用いて行う方法が知られているが、この方法で
は、次のような問題点を有していたものであった。
すなわち、2次イオン質量分析法(SIKS)は、試料
に照射するイオンビームの径が小さければ小さいほど微
小領域における濃度情報を得ることができるものである
が、該イオンビームの径は、2次イオン質量分析装置上
の関係から1μm程度が限度であり、平面方向の濃度分
解能が充分でないものであった。
に照射するイオンビームの径が小さければ小さいほど微
小領域における濃度情報を得ることができるものである
が、該イオンビームの径は、2次イオン質量分析装置上
の関係から1μm程度が限度であり、平面方向の濃度分
解能が充分でないものであった。
したがって、このようなことから、数μm以下の微小領
域における不純物濃度分布を測定することはできないの
が現状であり、これにより、微細構造半導体素子を設計
・製造する妨げとなっていた。
域における不純物濃度分布を測定することはできないの
が現状であり、これにより、微細構造半導体素子を設計
・製造する妨げとなっていた。
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであ
り、その目的とするところのものは、深さ方向はもちろ
んのこと、該深さ方向と直交する平面方向の場合にも極
めて高い濃度分解能をもって濃度分布を測定でき、これ
により2次元の微細領域の不純物濃度分布を得ることの
できる半導体面に形成されている不純物層の濃度分布測
定方法を提供することにある。
り、その目的とするところのものは、深さ方向はもちろ
んのこと、該深さ方向と直交する平面方向の場合にも極
めて高い濃度分解能をもって濃度分布を測定でき、これ
により2次元の微細領域の不純物濃度分布を得ることの
できる半導体面に形成されている不純物層の濃度分布測
定方法を提供することにある。
このような目的を達成するために1本発明は、基本的に
は、半導体のエツチング量がその不純物濃度に応じて依
存する化学エツチングにより該不純物形成領域をエツチ
ングする工程と、該エツチングされた表面の形状を走査
型トンネル顕微鏡で測定することにより半導体のエツチ
ング量を測定する工程と、予め作成された該半導体のエ
ツチング量と不純物濃度の関係を示すデータに基づいて
該不純物形成領域の不純物濃度分布を測定する工程と、
からなることを特徴とするものである。
は、半導体のエツチング量がその不純物濃度に応じて依
存する化学エツチングにより該不純物形成領域をエツチ
ングする工程と、該エツチングされた表面の形状を走査
型トンネル顕微鏡で測定することにより半導体のエツチ
ング量を測定する工程と、予め作成された該半導体のエ
ツチング量と不純物濃度の関係を示すデータに基づいて
該不純物形成領域の不純物濃度分布を測定する工程と、
からなることを特徴とするものである。
このようにすれば、前記化学エツチングは不純物濃度に
応じたエツチング量でエツチングがなされることから、
該エツチング後におけるエツチング表面は該不純物濃度
に対応した形状となる。
応じたエツチング量でエツチングがなされることから、
該エツチング後におけるエツチング表面は該不純物濃度
に対応した形状となる。
そして、該エツチング表面の形状は、走査型トンネル顕
微鏡により測定すれば極めて精度のよい測定ができるよ
うになる。一般に、該走査型トンネル顕微鏡による形状
測定は面内の分解能が数人。
微鏡により測定すれば極めて精度のよい測定ができるよ
うになる。一般に、該走査型トンネル顕微鏡による形状
測定は面内の分解能が数人。
垂直方向の分解能は約0.1人で、極めて高精度に表面
形状が測定できることが知られている。
形状が測定できることが知られている。
このことは、表面形状の高精度測定がそのまま不純物形
成領域における半導体のエツチング量の高精度測定とな
ることを意味することとなる。
成領域における半導体のエツチング量の高精度測定とな
ることを意味することとなる。
したがって、予め作成された該半導体のエツチング量と
不純物濃度の関係を示すデータに基づいて該不純物形成
領域の不純物濃度分布を測定すれば、高精度の半導体の
エツチング量に応じて得られる不純物濃度分布は、極め
て高精度のものとして測定できることになる。
不純物濃度の関係を示すデータに基づいて該不純物形成
領域の不純物濃度分布を測定すれば、高精度の半導体の
エツチング量に応じて得られる不純物濃度分布は、極め
て高精度のものとして測定できることになる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
まず、本発明による半導体面に形成されている不純物層
の濃度分布測定方法の工程手順を第1図に示すフローチ
ャートを用いて説明する。
の濃度分布測定方法の工程手順を第1図に示すフローチ
ャートを用いて説明する。
まず、第2図で示すように、たとえばシリコン基板から
なる半導体基板1の表面の一領域に不純物導入部2が形
成された測定対象物を用意する。
なる半導体基板1の表面の一領域に不純物導入部2が形
成された測定対象物を用意する。
ここで、前記不純物導入部2としては、たとえばイオン
打ち込み、あるいは不純物熱拡散等によって形成された
半導体層となっている。
打ち込み、あるいは不純物熱拡散等によって形成された
半導体層となっている。
工程1゜
前記半導体基板1の表面全域に前記不純物導入部2をも
覆って表面保護膜を塗布する。この表面保護膜は、後の
工程(工程4.)における化学エツチングの際のマスク
としての機能を有するものとなる。例えばレジスト膜等
からなる。
覆って表面保護膜を塗布する。この表面保護膜は、後の
工程(工程4.)における化学エツチングの際のマスク
としての機能を有するものとなる。例えばレジスト膜等
からなる。
二層I−
前記半導体基板1を、その表面において前記不純物導入
部2を横切るように(第2図のA−A ’線に沿って)
切断する。これにより、切断された面はへき開面となり
、このへき開面の一部には、第3図に示すように、前記
不純物導入部2の断面が露呈される状態となる。
部2を横切るように(第2図のA−A ’線に沿って)
切断する。これにより、切断された面はへき開面となり
、このへき開面の一部には、第3図に示すように、前記
不純物導入部2の断面が露呈される状態となる。
なお、第3図において、前記不純物導入部2はイオン打
ち込み方法により形成されたものを示しており、該イオ
ン打ち込みの性質上1図示しない不純物拡散領域(窓開
けされたマスクにおける該窓の領域)に対して深さ方向
、および該深さ方向に対して直角方向である平面方向に
順次不純物濃度がたとえば順次10”cm−’、101
gCl11−’、1019(!II−’、10”C11
−’、I Q”an−’、というように小さくなるよう
な濃度分布を有するようになっている。
ち込み方法により形成されたものを示しており、該イオ
ン打ち込みの性質上1図示しない不純物拡散領域(窓開
けされたマスクにおける該窓の領域)に対して深さ方向
、および該深さ方向に対して直角方向である平面方向に
順次不純物濃度がたとえば順次10”cm−’、101
gCl11−’、1019(!II−’、10”C11
−’、I Q”an−’、というように小さくなるよう
な濃度分布を有するようになっている。
工程3゜
前記へき開面の表面を洗浄する。この洗浄は、へき間抜
、その表面に薄いシリコン酸化膜が形成されてしまうこ
とから、このシリコン酸化膜を除去するために行うもの
である。
、その表面に薄いシリコン酸化膜が形成されてしまうこ
とから、このシリコン酸化膜を除去するために行うもの
である。
工程4゜
上述の工程で洗浄されたへき開面を、半導体のエツチン
グ量がその不純物濃度に応じて依存するような化学エツ
チング液を用いてエツチングをする。
グ量がその不純物濃度に応じて依存するような化学エツ
チング液を用いてエツチングをする。
この場合の化学エツチング液としては、半導体基板がシ
リコンの場合、たとえばフッ酸−硝酸一水で構成され、
拡散速度律速となる組成比(β=CHz ○]tit/
([:HN ○、コwt + [Hz 03wt)X
100<50(%)ただし、wtは重量を表す)からな
るものが一実施例として揚げられる。拡散速度律速では
反応により気泡(No)が発生しないため、β〉50%
の場合の反応速度律速に比へ、エツチング量の制御がし
やすく、半導体表面形状の平担性がよく、再現性がある
ことが知られているからである。
リコンの場合、たとえばフッ酸−硝酸一水で構成され、
拡散速度律速となる組成比(β=CHz ○]tit/
([:HN ○、コwt + [Hz 03wt)X
100<50(%)ただし、wtは重量を表す)からな
るものが一実施例として揚げられる。拡散速度律速では
反応により気泡(No)が発生しないため、β〉50%
の場合の反応速度律速に比へ、エツチング量の制御がし
やすく、半導体表面形状の平担性がよく、再現性がある
ことが知られているからである。
この場合において、フッ酸:硝酸:水=1:100 :
25の組成比を持つエツチング液を液温30±0.5
℃で制御し、シリコン基板中にボロンをイオン注入した
不純物導入層を1分間エツチングした場合のシリコンの
エツチング量の不純物濃度依存性は第4図に示すように
なる。この第4図から明らかなように5不純物濃度が1
0”C!l−’から4 X 10”am−”の範囲でエ
ツチング量が不純物濃度の対数値に対して単調に依存す
る特性を有し、エツチング速度は通常の加工欠陥評価等
に用いられるエツチング液と比べて2桁程度遅いことが
わかる。このため、10nm以下の制御が可能となる。
25の組成比を持つエツチング液を液温30±0.5
℃で制御し、シリコン基板中にボロンをイオン注入した
不純物導入層を1分間エツチングした場合のシリコンの
エツチング量の不純物濃度依存性は第4図に示すように
なる。この第4図から明らかなように5不純物濃度が1
0”C!l−’から4 X 10”am−”の範囲でエ
ツチング量が不純物濃度の対数値に対して単調に依存す
る特性を有し、エツチング速度は通常の加工欠陥評価等
に用いられるエツチング液と比べて2桁程度遅いことが
わかる。このため、10nm以下の制御が可能となる。
このようなエツチングを行うことにより、へき開面の各
位置でその場所の不純物濃度に対応した量だけ半導体が
エツチングされることとなる。けだし、上述したように
、前記化学エツチング液が不純物濃度に応じてエツチン
グ量の依存するものであることからである。
位置でその場所の不純物濃度に対応した量だけ半導体が
エツチングされることとなる。けだし、上述したように
、前記化学エツチング液が不純物濃度に応じてエツチン
グ量の依存するものであることからである。
工程5゜
前記表面保護膜を除去する。この表面保護膜の除去によ
り、前記不純物導入部2のエツチング状態を示すエツチ
ング表面が前記半導体基板1の表面側から露是されるこ
とになる。
り、前記不純物導入部2のエツチング状態を示すエツチ
ング表面が前記半導体基板1の表面側から露是されるこ
とになる。
工■旦−
へき開面のエツチング状態、すなわちエツチング表面形
状を走査型トンネル顕微鏡で観察する。
状を走査型トンネル顕微鏡で観察する。
この走査型トンネル顕微鏡は、第5図に示すように、半
導体基板1と走査型トンネル顕微鏡の探針9との間に電
圧を印加させることにより、これらの間にいわゆるトン
ネル電流を生じさせ、このトンネル電流を一定に保ちな
がら、前記へき開面10に対して垂直な方向から走査型
トンネル顕微鏡の探針9を走査するようにしている。
導体基板1と走査型トンネル顕微鏡の探針9との間に電
圧を印加させることにより、これらの間にいわゆるトン
ネル電流を生じさせ、このトンネル電流を一定に保ちな
がら、前記へき開面10に対して垂直な方向から走査型
トンネル顕微鏡の探針9を走査するようにしている。
したがって、前記走査型トンネル顕微鏡の探針9の走査
状態がそのままエツチングされた不純物導入部8のエツ
チング状態、すなわちエツチング表面形状のデータとし
て得ることができるものとなる。
状態がそのままエツチングされた不純物導入部8のエツ
チング状態、すなわちエツチング表面形状のデータとし
て得ることができるものとなる。
また、この走査型トンネル顕微鏡は、たとえばRhys
、 Rev、 Lett、 、vol、49.1987
. pp、57に述べられているように、面内の分解能
が数人、垂直方向の分解能が約0.1人であり、高精度
に表面形状の測定が可能となるものである。
、 Rev、 Lett、 、vol、49.1987
. pp、57に述べられているように、面内の分解能
が数人、垂直方向の分解能が約0.1人であり、高精度
に表面形状の測定が可能となるものである。
二lユ
前記走査型トンネル顕微鏡のエツチング表面形状の測定
は、そのままエツチングされた各位置におけるエツチン
グ量のデータを得ることと同様である。
は、そのままエツチングされた各位置におけるエツチン
グ量のデータを得ることと同様である。
一方、第4図に示すように、予め、不純物濃度に対する
エツチング量を示したデータを用意しておき、このデー
タに基づいて、不純物濃度を算出するようにする。
エツチング量を示したデータを用意しておき、このデー
タに基づいて、不純物濃度を算出するようにする。
以上説明した実施例によれば、前記工程4.で用いる化
学エツチングは不純物濃度に応じたエツチング量でエツ
チングがなされることから、該エツチング後におけるエ
ツチング表面は該不純物濃度に対応した形状となる。
学エツチングは不純物濃度に応じたエツチング量でエツ
チングがなされることから、該エツチング後におけるエ
ツチング表面は該不純物濃度に対応した形状となる。
そして、該エツチング表面の形状は、前記工程6、で説
明したように走査型トンネル顕微鏡により測定すれば極
めて精度のよい測定ができるようになる。ここで、該走
査型トンネル顕微鏡による形状測定は面内の分解能が数
人、垂直方向の分解能は約0.1人で、極めて高精度に
表面形状が測定できることが知られている。
明したように走査型トンネル顕微鏡により測定すれば極
めて精度のよい測定ができるようになる。ここで、該走
査型トンネル顕微鏡による形状測定は面内の分解能が数
人、垂直方向の分解能は約0.1人で、極めて高精度に
表面形状が測定できることが知られている。
このことは1表面形状の高精度測定がそのまま不純物形
成領域における半導体のエツチング量の高精度測定とな
ることを意味することとなる。
成領域における半導体のエツチング量の高精度測定とな
ることを意味することとなる。
したがって、工程7.で説明したように、予め作成され
た該半導体のエツチング量と不純物濃度の関係を示すデ
ータに基づいて該不純物形成領域の不純物濃度分布を測
定すれば、高精度の半導体のエツチング量に応じ得られ
る不純物濃度分布は、極めて高精度のものとして得られ
ることになる。
た該半導体のエツチング量と不純物濃度の関係を示すデ
ータに基づいて該不純物形成領域の不純物濃度分布を測
定すれば、高精度の半導体のエツチング量に応じ得られ
る不純物濃度分布は、極めて高精度のものとして得られ
ることになる。
このようなことから、たとえば、従来の技術では測定不
可能であったサブミクロン以下の領域における深さ方向
と平面方向の不純物濃度分布を10nm以下の分解能で
10”am−’の低濃度まで測定することができるよう
になる。
可能であったサブミクロン以下の領域における深さ方向
と平面方向の不純物濃度分布を10nm以下の分解能で
10”am−’の低濃度まで測定することができるよう
になる。
ここで、さらに第6図を用いてMO5型トランジスタを
測定対象物として本発明を適用した場合を示す。
測定対象物として本発明を適用した場合を示す。
同図は、N型シリコン基板11の主表面にイオン注入マ
スクとして多結晶シリコンのL/Sパターンを形成し、
ボロンをイオン注入して不純物導入部であるトレイン領
域12およびソース領域13が形成されたものである。
スクとして多結晶シリコンのL/Sパターンを形成し、
ボロンをイオン注入して不純物導入部であるトレイン領
域12およびソース領域13が形成されたものである。
なお、前記多結晶シリコンのL/Sパターンはそのまま
ゲート電極14として用いるものである。へき開面ば前
記ドレイン領域12、ゲート電極14、およびソース領
域13を横切るようにして形成されている。このへき開
面において、矢印Aの方向が平面方向、矢印Bの方向が
深さ方向に相当する。
ゲート電極14として用いるものである。へき開面ば前
記ドレイン領域12、ゲート電極14、およびソース領
域13を横切るようにして形成されている。このへき開
面において、矢印Aの方向が平面方向、矢印Bの方向が
深さ方向に相当する。
このような構成において、前記へき開面のエツチング形
状を走査型トンネル顕微鏡で測定した像を第7図に示す
(平面方向は矢印Aおよび深さ方向は矢印Bのエツチン
グ形状に対応している)。
状を走査型トンネル顕微鏡で測定した像を第7図に示す
(平面方向は矢印Aおよび深さ方向は矢印Bのエツチン
グ形状に対応している)。
そして、この第7図より得られた深さ方向のエツチング
量と第4図に示されているエツチング量の不純物濃度依
存性より、第8図に示すように、深さ方向の不純物濃度
分布を算出することができる。
量と第4図に示されているエツチング量の不純物濃度依
存性より、第8図に示すように、深さ方向の不純物濃度
分布を算出することができる。
この第8図では、同じ測定対象物に対してSRを用いて
測定した不純物濃度もあわせて示している。
測定した不純物濃度もあわせて示している。
深さ方向に対しては、SRの結果と本実施例による結果
はよく一致しており、本実施例を用いることの妥当性が
示されている。そして、平面方向に対しても深さ方向と
同様に極めて精度よく測定されていることが判る。
はよく一致しており、本実施例を用いることの妥当性が
示されている。そして、平面方向に対しても深さ方向と
同様に極めて精度よく測定されていることが判る。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが5
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
すなわち、以上述べた実施例では、イオン注入された不
純物はボロンとしたものであるが、注入不純物がヒ素、
リン等の場合であっても同様にして不純物分布を精度よ
く測定することができる。
純物はボロンとしたものであるが、注入不純物がヒ素、
リン等の場合であっても同様にして不純物分布を精度よ
く測定することができる。
また、不純物の導入手法として、イオン注入性以外の例
えば半導体基板表面からの熱拡散法を用いた場合でも測
定が可能である。
えば半導体基板表面からの熱拡散法を用いた場合でも測
定が可能である。
さらに、上記実施例では、エツチング液にフン酸−硝酸
−水による溶液を用いたが水の代わりに希釈液として酢
酸を用いることも可能である。
−水による溶液を用いたが水の代わりに希釈液として酢
酸を用いることも可能である。
なお、上記実施例では、へき開面をエツチングし、その
形状から不純物濃度分布を求める手法について述べたが
、第2図に示す半導体基板表面を上記のエツチング液で
エツチングすることにより、半導体基板中に導入された
不純物の平面方向分布を同様に測定することができる。
形状から不純物濃度分布を求める手法について述べたが
、第2図に示す半導体基板表面を上記のエツチング液で
エツチングすることにより、半導体基板中に導入された
不純物の平面方向分布を同様に測定することができる。
この場合の測定方法を第9図に示す。この場合、平面方
向の端部で深さ方向に濃度が異なる場合には定量的に濃
度分布を求めることはできないが、従来用いられている
J、 Electrochem、 Soc、 、 vo
l、135. pp、2370゜1988に述べられて
いる銅スティン法や、1989年秋季応用物理学会学術
講演会30p−c−9に述べられているようにエツチン
グしたへき開面の走査型電子顕微鏡像から求められる平
面方向の接合位置測定手法と比較して、−桁以上精度よ
く測定することができるようになる。
向の端部で深さ方向に濃度が異なる場合には定量的に濃
度分布を求めることはできないが、従来用いられている
J、 Electrochem、 Soc、 、 vo
l、135. pp、2370゜1988に述べられて
いる銅スティン法や、1989年秋季応用物理学会学術
講演会30p−c−9に述べられているようにエツチン
グしたへき開面の走査型電子顕微鏡像から求められる平
面方向の接合位置測定手法と比較して、−桁以上精度よ
く測定することができるようになる。
さらに、上記した実施例では、エツチング量の不純物濃
度依存性をあらかじめ不純物濃度の異なる不純物導入層
を持つ半導体基板(標準試料)を用いて測定したが、S
Rによる分析結果と深さ方向のエツチング形状を対応さ
せることにより、エツチング量の不純物濃度依存性を決
定することが可能でとなる。この方法を用いれば、同一
半導体基板で得られた深さ方向の不純物濃度分布とエツ
チング量の関係を用いて、標準試料を用いることなく。
度依存性をあらかじめ不純物濃度の異なる不純物導入層
を持つ半導体基板(標準試料)を用いて測定したが、S
Rによる分析結果と深さ方向のエツチング形状を対応さ
せることにより、エツチング量の不純物濃度依存性を決
定することが可能でとなる。この方法を用いれば、同一
半導体基板で得られた深さ方向の不純物濃度分布とエツ
チング量の関係を用いて、標準試料を用いることなく。
平面方向不純物濃度分布を決定することができるように
なる。
なる。
また、上記した実施例では、半導体材料がシリコンの場
合について述べたが、ガリウムヒ素、イリジウムリン等
の化合物半導体についても本発明を適用することが可能
であり、この場合、エツチング液として、例えば、フェ
リシアン化カリウムと水酸化カリウム溶液を用いること
により、同様に不純物濃度分布の測定が可能である。
合について述べたが、ガリウムヒ素、イリジウムリン等
の化合物半導体についても本発明を適用することが可能
であり、この場合、エツチング液として、例えば、フェ
リシアン化カリウムと水酸化カリウム溶液を用いること
により、同様に不純物濃度分布の測定が可能である。
以上説明したことから明らかなように1本発明による半
導体面に形成されている不純物層の濃度分布測定方法に
よれば、該不純物層の深さ方向はもちろんのこと、該深
さ方向と直交する平面方向の場合にも極めて高い濃度分
解能をもって濃度分布を測定でき、これにより2次元の
微細領域の不純物濃度分布を得ることができるようにな
る。
導体面に形成されている不純物層の濃度分布測定方法に
よれば、該不純物層の深さ方向はもちろんのこと、該深
さ方向と直交する平面方向の場合にも極めて高い濃度分
解能をもって濃度分布を測定でき、これにより2次元の
微細領域の不純物濃度分布を得ることができるようにな
る。
第1図は、本発明による半導体面に形成されている不純
物層の濃度分布測定方法の一実施例を示す工程図、 第2図は、本発明による半導体面に形成されている不純
物層の濃度分布測定方法の測定対象の一実施例を示す説
明図、 第3図は、前記測定対象をへき関しそのへき開面を示す
説明図、 第4図は、不純物エツチング量の不純物濃度依存性を示
すグラフ、 第5図は、走査型トンネル顕微鏡を用いて半導体のへき
開面におけるエツチング形状の測定を示す説明図、 第6図は、測定対象の一実施例となるMO5型トランジ
スタを示す説明図、 第7図は、第6図に示す測定対象の走査型トンネル顕微
鏡による形状測定像を示す説明図、第8図は、第6図に
示す測定対象の深さ方向および平面方向における不純物
濃度分布を示したグラフ、 第9図は、走査型トンネル顕微鏡を用いた半導体表面エ
ツチング形状測定の他の実施例を示す説明図である。 図中、1・・半導体基板、2 ・不純物導入部、8・エ
ツチングされた不純物導入部、9・・・走査型トンネル
顕微鏡の探針、1o・・へき開面、11・N型シリコン
基板、12・・エツチングにより形成された形状。 第1図
物層の濃度分布測定方法の一実施例を示す工程図、 第2図は、本発明による半導体面に形成されている不純
物層の濃度分布測定方法の測定対象の一実施例を示す説
明図、 第3図は、前記測定対象をへき関しそのへき開面を示す
説明図、 第4図は、不純物エツチング量の不純物濃度依存性を示
すグラフ、 第5図は、走査型トンネル顕微鏡を用いて半導体のへき
開面におけるエツチング形状の測定を示す説明図、 第6図は、測定対象の一実施例となるMO5型トランジ
スタを示す説明図、 第7図は、第6図に示す測定対象の走査型トンネル顕微
鏡による形状測定像を示す説明図、第8図は、第6図に
示す測定対象の深さ方向および平面方向における不純物
濃度分布を示したグラフ、 第9図は、走査型トンネル顕微鏡を用いた半導体表面エ
ツチング形状測定の他の実施例を示す説明図である。 図中、1・・半導体基板、2 ・不純物導入部、8・エ
ツチングされた不純物導入部、9・・・走査型トンネル
顕微鏡の探針、1o・・へき開面、11・N型シリコン
基板、12・・エツチングにより形成された形状。 第1図
Claims (1)
- (1)半導体のエッチング量がその不純物濃度に応じて
依存する化学エッチングにより該不純物形成領域をエッ
チングする工程と、該エッチングされた表面の形状を走
査型トンネル顕微鏡で測定することにより半導体のエッ
チング量を測定する工程と、予め作成された該半導体の
エッチング量と不純物濃度の関係を示すデータに基づい
て該不純物形成領域の不純物濃度分布を測定する工程と
、からなることを特徴とする半導体面に形成されている
不純物層の濃度分布測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22931290A JPH04111337A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体面に形成されている不純物層の濃度分布測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22931290A JPH04111337A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体面に形成されている不純物層の濃度分布測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04111337A true JPH04111337A (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16890170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22931290A Pending JPH04111337A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体面に形成されている不純物層の濃度分布測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04111337A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6121060A (en) * | 1997-05-26 | 2000-09-19 | Nec Corporation | Method of measuring a concentration profile |
JP2013120883A (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置に形成された拡散領域の横方向拡散幅の評価方法 |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP22931290A patent/JPH04111337A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6121060A (en) * | 1997-05-26 | 2000-09-19 | Nec Corporation | Method of measuring a concentration profile |
JP2013120883A (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置に形成された拡散領域の横方向拡散幅の評価方法 |
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