JPH04108674A - Ceramic-metal joined body - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はセラミックス部材と金属部材とを接合したセラ
ミックス−金属接合体に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a ceramic-metal bonded body in which a ceramic member and a metal member are bonded.
（従来の技術）
セラミックスは、軽量で高硬度であるという特徴を有し
、この硬さによる高強度、耐摩耗性が積極的に利用され
ている。(Prior Art) Ceramics are characterized by being lightweight and high hardness, and the high strength and wear resistance due to this hardness are actively utilized.
さらに、セラミックスの優れた点は、１０００℃以上の
高温領域で発揮される。たとえば窒化ケイ素では１２０
０℃、炭化ケイ素では１５００℃近くまで耐熱性を有し
、金属では耐えられない温度領域での適用により熱効率
の大幅な向上が期待できる。Furthermore, the superiority of ceramics is exhibited at high temperatures of 1000° C. or higher. For example, silicon nitride has 120
It has heat resistance up to 0°C, while silicon carbide has heat resistance up to nearly 1500°C, and it can be expected to significantly improve thermal efficiency when applied in temperature ranges that metals cannot withstand.
しかし、セラミックスは本来脆性材料であるため単体で
は使用し難く、特性が必要な部位にのみセラミックスを
用い、他の材料と組合せて用いる方法が合理的である。However, since ceramics are inherently brittle materials, it is difficult to use them alone; therefore, it is rational to use ceramics only in areas where properties are required and to use them in combination with other materials.
このようなセラミックスの接合技術としては、機械的結
合や有機接着剤を用いた手法、または界面における構成
元素の拡散、固溶、反応生成物形成などなんらかの反応
を伴う化学的接合法が、試みられている。As bonding techniques for such ceramics, methods using mechanical bonding or organic adhesives, or chemical bonding methods that involve some kind of reaction such as diffusion of constituent elements at the interface, solid solution, or reaction product formation, have been attempted. ing.
セラミックスの化学的接合法としては、構造用セラミッ
クスの場合、介在物なしに直接的に接合する固相接合法
や、セラミックスと反応しやすいインサート材を用いる
活性金属法等が主流であり、半導体基板などにはメタラ
イズ法が用いられている。In the case of structural ceramics, the mainstream chemical bonding methods for ceramics include solid-phase bonding, which involves direct bonding without inclusions, and active metal methods, which use insert materials that easily react with ceramics. The metallization method is used in such cases.
たとえば、代表的な構造用セラミックスである窒化ケイ
素を金属部材と接合するには、ＴＩなどの活性金属を介
在させて、この活性金属との共晶を利用して接合する方
法や、接合時の応力を緩和するためにセラミックスと金
属との間に緩衝材として延性を有する金属（通常Ｃｕな
と）を配置し、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｊ系等のろう材でろう接
する金属ろう接法が多用されている。For example, in order to bond silicon nitride, which is a typical structural ceramic, to a metal member, there are two methods: interposing an active metal such as TI and bonding using eutectic with the active metal; A metal brazing method is often used in which a ductile metal (usually Cu) is placed between the ceramic and the metal as a buffer material to relieve stress, and the metal is soldered with a brazing material such as Ag-Cu-Tj. ing.
（発明が解決しようとする課題）
しかし、セラミックスは金属に比較して熱膨張が小さく
、なかでも構造用セラミックスとして有用な耐熱性の高
い窒化ケイ素、炭化ケイ素は非常に小さい。(Problems to be Solved by the Invention) However, ceramics have a smaller thermal expansion than metals, and especially silicon nitride and silicon carbide, which have high heat resistance and are useful as structural ceramics, have a very small thermal expansion.
このため、セラミックスと金属材料との接合に際して、
接合後の冷却過程で熱膨張差に起因する残留応力が発生
し、様々な問題を引起こす原因となっている。Therefore, when joining ceramics and metal materials,
Residual stress is generated during the cooling process after bonding due to the difference in thermal expansion, causing various problems.
すなわち、接合部近傍、特に接合界面における特異点近
傍に大きな残留応力が生じ、外部応力との相乗によって
接合強度が大幅に低下したり、接合後の冷却過程、ある
いは熱サイクルによって主応力の最大点からクラックが
発生し、セラミックスの破壊か引きおこされるのである
。In other words, large residual stress occurs near the joint, especially near the singular point at the joint interface, and the joint strength is significantly reduced due to synergy with external stress, or the maximum point of principal stress occurs due to the cooling process after joining or thermal cycles. This causes cracks to form, leading to destruction of the ceramic.
このような現状において、セラミックス表面の残留応力
を低減してセラミックスと金属部材との接合強度を向上
させ、セラミックスの優れた特性を活かすことのできる
セラミックス−金属接合体が望まれている。Under these circumstances, there is a demand for a ceramic-metal bonded body that can reduce the residual stress on the surface of the ceramic, improve the bonding strength between the ceramic and the metal member, and take advantage of the excellent properties of the ceramic.
本発明はこのような課題を解決するためになされたもの
で、セラミックスと金属部材との接合強度が高く、クラ
ック等の発生がない、健全で安定なセラミックス−金属
接合体を提供することを目的とする。The present invention was made to solve these problems, and the purpose is to provide a healthy and stable ceramic-metal bonded body that has high bonding strength between ceramic and metal members, does not generate cracks, etc. shall be.
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明のセラミックス−金属接合体は、セラミックス部
材と金属部材との接合体であり、前記セラミックス部材
の表面には前記金属部材との接合界面に対して平行方向
に走る応力緩和溝が形成されたことを特徴としている。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The ceramic-metal bonded body of the present invention is a bonded body of a ceramic member and a metal member, and the surface of the ceramic member has a bonding interface with the metal member. It is characterized by the formation of stress relief grooves that run parallel to the surface.
本発明において、応力緩和溝の形状は、たとえば溝の底
部に向かって先細りとなったＶ字形状や、曲面となった
Ｕ字形状、あるいはＵ字形状など、特に限定はなく、セ
ラミックス部材と金属部材との接合界面に対して平行に
走るよう形成すればよい。In the present invention, the shape of the stress relaxation groove is not particularly limited, and may be, for example, a V-shape tapered toward the bottom of the groove, a U-shape with a curved surface, or a U-shape. It may be formed to run parallel to the bonding interface with the member.
応力緩和溝は、少なくとも目視検査で判別できる程度の
形状が必要であり、たとえば、応力緩和溝自身の幅は１
０〜３０μ厘程度で、溝の深さは２〜１０μ−程度が適
切である。また、このような応力緩和溝をＩＯ〜５０μ
−間隔でセラミックス部材全体にわたって形成すること
が好ましい。The stress relief groove must have a shape that can be determined at least by visual inspection; for example, the width of the stress relief groove itself must be 1
Appropriately, the depth of the groove is about 0 to 30 μm, and the depth of the groove is about 2 to 10 μm. In addition, such stress relaxation grooves can be
- It is preferable to form the ceramic member at intervals over the entire ceramic member.
または、表面粗さで規定すると、研削処理後のセラミッ
クス部材表面の粗さがＲｓａｘ ２〜１０μ−程度とな
るよう、接合界面に対して平行に研削処理を行う。Alternatively, in terms of surface roughness, the grinding process is performed in parallel to the bonding interface so that the surface roughness of the ceramic member after the grinding process is about Rsax 2 to 10 μ-.
このような応力緩和溝は、通常の研削処理によって形成
することができ、この研削処理はセラミックス部材と金
属部材との接合前に、あらかじめセラミックス部材に対
して施されるものである。Such stress relaxation grooves can be formed by a normal grinding process, and this grinding process is performed on the ceramic member in advance before joining the ceramic member and the metal member.
そして、上記応力緩和溝が形成されたセラミックス部材
と金属部材とを、用いる材料に応じた所定の条件で接合
することにより、接合時の熱膨張差によってセラミック
ス表面に生しる引張り残留応力か応力緩和溝周辺の圧縮
応力緩和溝によって吸収され、残留応力の低い、接合状
態の健全なセラミックス−金属接合体を得ることができ
る。By joining the ceramic member in which the stress relaxation grooves are formed and the metal member under predetermined conditions depending on the materials used, tensile residual stress or stress generated on the ceramic surface due to the difference in thermal expansion at the time of joining is created. The compressive stress around the relaxation groove is absorbed by the relaxation groove, and a ceramic-metal bonded body with low residual stress and a sound bonded state can be obtained.
また、本発明に使用するセラミックス部材および金属部
材は特に限定されず、セラミックスとしては窒化ケイ素
、炭化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、
窒化アルミニウムなど、金属としては鋼材、耐熱合金、
超硬合金、またはＮｉ、Ｗ ％ Ｎｏ、などの純金属な
ど、種々の部材に対して適用可能である。Further, the ceramic members and metal members used in the present invention are not particularly limited, and examples of ceramics include silicon nitride, silicon carbide, zirconium oxide, aluminum oxide,
Metals such as aluminum nitride include steel, heat-resistant alloys,
It is applicable to various members such as cemented carbide or pure metals such as Ni and W%No.
（作 用）
セラミックス−金属接合体における残留応力分布の一例
を第５図に示す。(Function) An example of residual stress distribution in a ceramic-metal bonded body is shown in Fig. 5.
これは、Ｓｉ２ Ｎ ４−Ｃｕ−３ｔｅｅｌ平板状接合
体（Ｃｕは緩衝材として介挿されている。また、Ｓｉ３
Ｎ４の研削方向は接合界面に垂直方向である。）のＳｉ
３Ｎ４部における測定結果であり、第５図の（ａ）はｙ
−０，１ｍｍ、 （ｂ ）はＹ−０，５ｍｓ接合界
面から離れた線上における垂直応力およびせん断応力の
分布を示している。This is a Si2 N 4-Cu-3teel flat plate bonded body (Cu is inserted as a buffer material.
The N4 grinding direction is perpendicular to the bonding interface. ) of Si
This is the measurement result for the 3N4 section, and (a) in Fig. 5 shows the y
-0,1 mm, (b) shows the distribution of normal stress and shear stress on a line away from the Y-0,5 ms bonding interface.
接合体の特異点である最両端においてはσＲｘ’σＲ９
いずれの垂直応力も引張応力となり、特に、σＲ１が２
００ＭＰａを超える大きな値を示している。At the extreme ends, which are the singular points of the zygote, σRx'σR9
Any normal stress becomes a tensile stress, especially when σR1 is 2
It shows a large value exceeding 00 MPa.
つまり、この引張応力は、第６図に示すようにセラミッ
クス部材１と金属部材２との接合界面Ａに対して垂直方
向（矢印Ｙ方向）に働く力が大きいことを意味している
。In other words, this tensile stress means that the force acting in the direction perpendicular to the bonding interface A between the ceramic member 1 and the metal member 2 (in the direction of the arrow Y) is large, as shown in FIG.
これに対して、本発明のセラミックス−金属接合体に形
成された応力緩和溝は、接合体の接合界面Ａ対して平行
方向、すなわち矢印Ｘ方向に走るものである。In contrast, the stress relaxation grooves formed in the ceramic-metal bonded body of the present invention run in a direction parallel to the bonding interface A of the bonded body, that is, in the direction of arrow X.
そして、この応力緩和溝は、これを形成するための研削
処理を行う際、矢印Ｙ方向に圧縮応力を生じさせる。This stress relaxation groove generates compressive stress in the direction of arrow Y when a grinding process is performed to form it.
したがって、矢印Ｙ方向に働く残留応力（引張応力）に
対して、同じく矢印Ｙ方向に働く圧縮応力が逆の力で作
用し、矢印Ｙ方向における引張応力が緩和される。Therefore, with respect to the residual stress (tensile stress) acting in the direction of arrow Y, the compressive stress acting in the direction of arrow Y acts with an opposite force, and the tensile stress in the direction of arrow Y is relaxed.
これによって、セラミックス−金属接合体の残留応力が
低減され、接合強度か向上する。This reduces the residual stress in the ceramic-metal bonded body and improves the bonding strength.
（実施例） 次に、本発明の実施例について説明する。(Example) Next, examples of the present invention will be described.
実施例１
第１図は、本発明の一実施例のセラミックス−金属接合
体を示す図である。Example 1 FIG. 1 is a diagram showing a ceramic-metal bonded body according to an example of the present invention.
同図に示すセラミックス−接合体１１は、サイズが縦２
０■×横２０■×厚さ ３■■である窒化ケイ素セラミ
ックス１２と、縦２０１■×横２０ｍｍ ｘ厚さ ３■
■である５４５Ｃ鋼材１３とが、厚さ ０．２ｓａのＣ
ｕ緩衝金属１４を介して活性金属法により接合されたも
のであり、窒化ケイ素セラミックス１２の表面には、接
合界面Ａに対して平行な矢印Ｘ方向に走る応力緩和溝１
５が形成されている。The ceramic bonded body 11 shown in the figure has a size of 2 vertically.
Silicon nitride ceramic 12 with dimensions of 0 x width 20 x thickness 3 and 201 x length 20 mm x thickness 3
545C steel material 13 with a thickness of 0.2sa
The silicon nitride ceramics 12 has stress relaxation grooves 1 running in the direction of the arrow X parallel to the bonding interface A on the surface of the silicon nitride ceramic 12.
5 is formed.
このセラミックス−金属接合体１１は、次のようにして
作製する。This ceramic-metal bonded body 11 is produced as follows.
まず、あらかじめ窒化ケイ素セラミックス１２に対して
研削処理を施し、幅２０μｌ、深さ ４μ露の溝を２０
μ■間隔（表面粗さはＲｓａｘ ４μ厘）で形成するこ
とにより、応力緩和溝１５を形成する。First, the silicon nitride ceramic 12 is ground in advance to form 20 grooves with a width of 20 μl and a depth of 4 μl.
The stress relaxation grooves 15 are formed by forming the grooves at intervals of μ■ (surface roughness: Rsax 4μ).
次いで、この応力緩和溝１５を有する窒化ケイ素セラミ
ックス１２−Ｃｕ緩衝金属１．４−３４５Ｃ鋼材１３の
配置形態で、８３０℃、６分の真空加熱処理を行い、こ
れらを接合する。Next, with the arrangement of the silicon nitride ceramic 12-Cu buffer metal 1.4-345C steel material 13 having the stress relaxation grooves 15, a vacuum heat treatment is performed at 830° C. for 6 minutes to join them.
この実施例によるセラミックス−金属接合体における、
接合界面Ａから０．１−Ｉ離れた線上での窒化ケイ素セ
ラミックス１２における残留応力分布を測定した。その
結果、σ２．の引張応力は接合端で１５０ＭＰａ 、中
央端で１３０ＭＰａ 、セラミックス−金属接合体全体
としての接合強度は３９０ＭＰａであった。In the ceramic-metal bonded body according to this example,
The residual stress distribution in the silicon nitride ceramic 12 on a line 0.1-I away from the bonding interface A was measured. As a result, σ2. The tensile stress was 150 MPa at the joint end, 130 MPa at the center end, and the joint strength of the ceramic-metal bonded body as a whole was 390 MPa.
これらの結果のうち、σＲ９の引張応力の測定結果を実
線で第３図に示す。さらに、この引張応力（垂直応力）
から変換して求めた接合界面近傍の最大主応力の平面分
布を実線で第４図に示す。Among these results, the measurement results of the tensile stress of σR9 are shown in FIG. 3 as a solid line. Furthermore, this tensile stress (normal stress)
The planar distribution of the maximum principal stress in the vicinity of the joint interface obtained by converting from is shown in FIG. 4 as a solid line.
比較例１
実施例１と同様のセラミックス部材、金属部材および緩
衝材を使用し、セラミックス部材に対しては、通常行わ
れる矢印Ｙ方向、すなわち接合界面に対して垂直方向の
研削処理を施した。Comparative Example 1 The same ceramic member, metal member, and cushioning material as in Example 1 were used, and the ceramic member was subjected to a grinding process that is normally performed in the direction of arrow Y, that is, in a direction perpendicular to the joint interface.
そして、これらの各部材を実施例１と同一条件で接合し
、セラミックス−金属接合体を得た。Then, each of these members was joined under the same conditions as in Example 1 to obtain a ceramic-metal joined body.
さらに、実施例１と同一条件でセラミックス−金属接合
体の残留応力、並びに接合強度を測定した。その結果、
σ２．の引張応力は接合端で２３０ＭＰａ。Furthermore, the residual stress and bonding strength of the ceramic-metal bonded body were measured under the same conditions as in Example 1. the result,
σ2. The tensile stress at the joint end is 230 MPa.
中央部で２００ＭＰａ 、セラミックス−金属接合体全
体としての接合強度は３５０ＭＰａであった。The bonding strength of the ceramic-metal bonded body as a whole was 350 MPa and 200 MPa at the center.
σ３．の引張応力の測定結果を点線で第３図に、この引
張応力（垂直応力）から変換して求めた接合界面近傍の
最大主応力の平面分布を点線で第４図に、実施例１の結
果と併せて示す。σ3. The results of Example 1 are shown in Figure 3 with dotted lines, and the planar distribution of the maximum principal stress near the joint interface obtained by converting this tensile stress (normal stress) is shown with dotted lines in Figure 4. Shown together with
実施例２
第２図は、本発明の他の実施例のセラミックス−金属接
合体を示す図である。Example 2 FIG. 2 is a diagram showing a ceramic-metal bonded body according to another example of the present invention.
同図に示すセラミックス−接合体２１は、サイズが縦１
０ｍ５Ｘ横２０−■×厚さ ３■である窒化ケイ素セラ
ミックス２２と、縦ＩＯ−−×横２０ｍ５Ｘ厚さ ３ｓ
ａである５４５Ｃ鋼材２３とが、緩衝層なしでＡｇ−Ｃ
ｕ−Ｔｌろう付けにより接合されたものであり、窒化ケ
イ素セラミックス２２の表面には、接合界面Ａに対して
平行な矢印Ｘ方向に走る応力緩和溝２４が形成されてい
る。このセラミックス−金属接合体２１は、次のように
して作製する。The ceramic bonded body 21 shown in the figure has a size of 1 in the vertical direction.
Silicon nitride ceramic 22 which is 0m5×width 20-■×thickness 3■ and vertical IO--×width 20m5×thickness 3s
545C steel material 23 which is a is Ag-C without a buffer layer.
They are joined by u-Tl brazing, and stress relaxation grooves 24 running in the direction of arrow X parallel to the joining interface A are formed on the surface of the silicon nitride ceramic 22. This ceramic-metal bonded body 21 is produced as follows.
まず、あらかじめ窒化ケイ素セラミックス２２に対して
研削処理を施し、幅２０μ■、深さ ５μ−の溝を２５
μｍ間隔（表面粗さはＲ■ａｘ ５μｌ）で形成するこ
とにより、応力緩和溝２４を形成する。First, the silicon nitride ceramic 22 is ground in advance to form 25 grooves with a width of 20μ and a depth of 5μ.
Stress relaxation grooves 24 are formed by forming them at micrometer intervals (surface roughness Rax 5 microliters).
次いで、この応力緩和溝２４を有する窒化ケイ素セラミ
ックス２２と５４５Ｃ鋼材２３とを、八ｇ−Ｃｕ−ＴＩ
ろう材によって、８４１）℃、７分の加熱処理を行い、
これらを接合する。Next, the silicon nitride ceramic 22 having the stress relaxation grooves 24 and the 545C steel material 23 were bonded to 8g-Cu-TI.
Heat treatment was performed at 841)°C for 7 minutes using the brazing material.
Join these.
さらに、実施例１と同一条件でセラミックス−金属接合
体の残留応力、並びに接合強度を測定した。その結果、
σＲ９の引張応力は最大点で３２０ＭＰａ５セラミック
ス−金属接合体全体としての接合強度は２００ＭＰａで
あった。Furthermore, the residual stress and bonding strength of the ceramic-metal bonded body were measured under the same conditions as in Example 1. the result,
The tensile stress of σR9 was 320 MPa at the maximum point, and the bonding strength of the ceramic-metal bonded body as a whole was 200 MPa.
比較例２
実施例２と同様のセラミックス部材と金属部材とを使用
し、セラミックス部材に対しては、通常行われる矢印Ｙ
方向、すなわち接合界面に対して垂直方向の研削処理を
施した。Comparative Example 2 A ceramic member and a metal member similar to those in Example 2 were used, and the arrow Y, which is normally performed for the ceramic member, was
Grinding treatment was performed in the direction, that is, in the direction perpendicular to the bonding interface.
そして、これらの各部材を実施例２と同一条件で接合し
、セラミックス−金属接合体を得ようとしたところ、接
合後の冷却過程において窒化ケイ素セラミックス２２の
接合界面付近においてクラックが発生し、健全な接合体
を得ることかできなかった。When these members were bonded under the same conditions as in Example 2 to obtain a ceramic-metal bonded body, cracks occurred near the bonded interface of the silicon nitride ceramic 22 during the cooling process after bonding, resulting in a defective ceramic-metal bonded body. It was not possible to obtain a suitable zygote.
これらの結果から明らかなように、接合界面と平行な応
力緩和溝を形成することにより、界面に垂直方向に圧縮
応力を生じさせ、セラミックスと金属部材との熱膨張差
によって生じる残留応力、特に接合界面に対して垂直方
向に働く引張り応力を低減させることができ、接合強度
の向上を図ることができた。As is clear from these results, by forming stress-relaxing grooves parallel to the bonding interface, compressive stress is generated in the direction perpendicular to the interface, and the residual stress caused by the difference in thermal expansion between the ceramic and metal members, especially the bonding It was possible to reduce the tensile stress acting perpendicularly to the interface and improve the bonding strength.
［発明の効果］
以上説明したように、本発明のセラミックス−金属接合
体によれば、セラミックス部材の表面に、接合界面と平
行方向の応力緩和溝が形成されているため、セラミック
ス部材に発生する残留応力を低減して接合強度を向上さ
せ、クラック等の欠陥発生率の低い健全なセラミックス
−金属接合体を得ることができる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the ceramic-metal bonded body of the present invention, stress relaxation grooves are formed on the surface of the ceramic member in a direction parallel to the bonding interface, so that stress relaxation grooves that occur in the ceramic member It is possible to reduce residual stress, improve bonding strength, and obtain a healthy ceramic-metal bonded body with a low incidence of defects such as cracks.
Ｍ１図は本発明の一実施例のセラミックス−金属接合体
を示す図、第２図は本発明の他の実施例のセラミックス
−金属接合体を示す図、第３図は引張応力の測定結果を
示す図、第４図は接合界面近傍の最大主応力の平面分布
を示す図、第５図はセラミックス−金属接合体における
残留応力分布の一例を示す図、第６図は応力緩和溝の作
用を説明するための図である。
１１．２１・・・・・・セラミックス−金属接合体１２
．２２・・・・・・窒化ケイ素セラミックス１３．２３
・・・・・・金属部材
１４・・・・・・緩衝金属
１５．２４・・・・・・応力緩和溝
Ａ・・・・・・接合界面
出願人 株式会社 東芝Fig. M1 shows a ceramic-metal bonded body according to one embodiment of the present invention, Fig. 2 shows a ceramic-metal bonded body according to another embodiment of the present invention, and Fig. 3 shows the measurement results of tensile stress. Figure 4 shows the planar distribution of the maximum principal stress near the bonding interface, Figure 5 shows an example of the residual stress distribution in a ceramic-metal joint, and Figure 6 shows the effect of stress relaxation grooves. It is a figure for explaining. 11.21 Ceramics-metal bonded body 12
．． 22...Silicon nitride ceramics 13.23
...Metal member 14...Buffer metal 15.24...Stress relaxation groove A...Bonding interface Applicant: Toshiba Corporation
Claims (1)
前記セラミックス部材の表面には前記金属部材との接合
界面に対して平行方向に走る応力緩和溝が形成されたこ
とを特徴とするセラミックス−金属接合体。(1) A joined body of a ceramic member and a metal member,
A ceramic-metal bonded body, characterized in that stress relaxation grooves running in a direction parallel to the bonding interface with the metal member are formed on the surface of the ceramic member.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22564590A JPH04108674A (en) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | Ceramic-metal joined body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22564590A JPH04108674A (en) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | Ceramic-metal joined body |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04108674A true JPH04108674A (en) | 1992-04-09 |
Family
ID=16832546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22564590A Pending JPH04108674A (en) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | Ceramic-metal joined body |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04108674A (en) |
-
1990
- 1990-08-27 JP JP22564590A patent/JPH04108674A/en active Pending
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