JPH0410670A - 発光ダイオード - Google Patents
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、発光チップがリードフレームに接合され樹脂
封止された発光ダイオードに関する。
封止された発光ダイオードに関する。
従来、発光ダイオード（以下ｒＬＥＤ」という）用リー
ドフレームは、正負一対の電極部が両側面に分かれた発
光チップに適するものとして、第４図及び第５図に示し
たようなものが知られている。 ここで、第４図はリードフレームの斜視図であり、第５
図は第４図のリードフレームに発光チップが接合された
状態を示した部分縦断面図である。 このリードフレーム３０は間隔を隔てて並列に配設され
、正負一対の電極を形成するリード部材３１．３６によ
り構成されている。一方のリード部材３１にはその先端
部３２に発光チップ３８を載置する平坦部３３と載置さ
れる発光チップ３８の側周面をその近傍で囲むように、
すり林状の反射部３４が一体的に形成されている。 発光チップ３８め一方の面側にある電極部は一方のリー
ド“部材３１の平坦部３３に載置され、導電性ペースト
によって接合されている。そして、発光チップ３８の他
方の面側にある電極部と他方のリード部材３６の先端部
３７とは金線３９等によりワイヤボンディングされ接続
されている。 ところで、近年、同一面側に正負一対の電極部をもつ所
謂フリップチップ方式のにａＮ （窒化ガリウム）を用
いて発光チップとした青色発光ＬＥＤが開発された。 上記発光チップを用いたＬＥＤのリードフレームとして
は、第６図に示したように、先端が平坦な正負一対の電
極を形成するリード部材４１，４６により構成されたリ
ードフレーム４０が使用されている。このリードフレー
ム４０には両リード部材４１．４６の平坦な先端面がほ
ぼ同じ位置になるように並列に配設されている。そして
、それら両リード部材４１．４６の先端面上に発光チッ
プ４８の両電極部が載置され、それぞれ導電性ペースト
により接合されている。 この後、エポキシ樹脂等の透明樹脂でレンズ部材４９を
成形してＬＥＤ５０を形成している。
ドフレームは、正負一対の電極部が両側面に分かれた発
光チップに適するものとして、第４図及び第５図に示し
たようなものが知られている。 ここで、第４図はリードフレームの斜視図であり、第５
図は第４図のリードフレームに発光チップが接合された
状態を示した部分縦断面図である。 このリードフレーム３０は間隔を隔てて並列に配設され
、正負一対の電極を形成するリード部材３１．３６によ
り構成されている。一方のリード部材３１にはその先端
部３２に発光チップ３８を載置する平坦部３３と載置さ
れる発光チップ３８の側周面をその近傍で囲むように、
すり林状の反射部３４が一体的に形成されている。 発光チップ３８め一方の面側にある電極部は一方のリー
ド“部材３１の平坦部３３に載置され、導電性ペースト
によって接合されている。そして、発光チップ３８の他
方の面側にある電極部と他方のリード部材３６の先端部
３７とは金線３９等によりワイヤボンディングされ接続
されている。 ところで、近年、同一面側に正負一対の電極部をもつ所
謂フリップチップ方式のにａＮ （窒化ガリウム）を用
いて発光チップとした青色発光ＬＥＤが開発された。 上記発光チップを用いたＬＥＤのリードフレームとして
は、第６図に示したように、先端が平坦な正負一対の電
極を形成するリード部材４１，４６により構成されたリ
ードフレーム４０が使用されている。このリードフレー
ム４０には両リード部材４１．４６の平坦な先端面がほ
ぼ同じ位置になるように並列に配設されている。そして
、それら両リード部材４１．４６の先端面上に発光チッ
プ４８の両電極部が載置され、それぞれ導電性ペースト
により接合されている。 この後、エポキシ樹脂等の透明樹脂でレンズ部材４９を
成形してＬＥＤ５０を形成している。
上述のＧａＮを用いた発光チップ４８は、絶縁物である
サファイヤ基板上にｎ−ＧａＮ及びＩＧａＮを積層し、
１−ＧａＨの一部に設けられた孔内に電極金属を蒸着し
、その上にはんだをバンプさせてｎ−ＧａＮまで電極部
通じさせることにより、１−ＧａＮ側の表面に形成した
電極部１ＧａＮとｎ−ＧａＮまで通じた電極部による両
電極部が形成され、この発光チップ４８がサファイヤ基
板側を上にして、１−ＧａＮ層上の両電極部がリード部
材４１．４６にそれぞれ接合されている。 そして、通電されてこの発光チップ４８が発光し、その
青色光は、発光チップ４８を構成しているサファイヤ基
板及びレンズ部材４９中を通過して空気中へ放射される
。 ところが、一部の光は発光チップ４８のサファイヤ基板
とレンズ部材４９との界面で入射角が４２°を越えると
全反射し、この発光チップ４８の側面方向へ逃げるため
、光が周囲に分散され、上記青色光の取り出し効率が非
常に悪く、高輝度化を図ることが難しいという問題があ
った。 ここで、特開昭６３−１５４８３号公報「発光ダイオー
ド用リードフレーム」にて開示されたように、上述の問
題点の解決を目指したリードフレームが提案されている
。 このリードフレームにおいては、同一面側に正負一対の
電極部をもつ発光チップに適し、その先端部に設けられ
た反射部により光の取り出し効率を改善している。 一般に、このリードフレームの反射部は金属製のリード
フレームをプレス成形する工程のうち絞り加工工程で形
成される。 しかしながら、絞り加工上の制約からあまり深い形状や
複雑な形状の反射部を形成することができなかった。又
、絞り加工にて形成された反射部の表面平滑性を良くす
ることには限界があり、反射率が必ずしも高くなかった
。 本発明は、上記の課題を解決するために成されたもので
あり、その目的とするところは、絞り加工を省いた簡単
な形状のリードフレームと別に樹脂成形した反射部材を
用いて光の取り出し効率が良いＬＥＤを提供することで
ある。
サファイヤ基板上にｎ−ＧａＮ及びＩＧａＮを積層し、
１−ＧａＨの一部に設けられた孔内に電極金属を蒸着し
、その上にはんだをバンプさせてｎ−ＧａＮまで電極部
通じさせることにより、１−ＧａＮ側の表面に形成した
電極部１ＧａＮとｎ−ＧａＮまで通じた電極部による両
電極部が形成され、この発光チップ４８がサファイヤ基
板側を上にして、１−ＧａＮ層上の両電極部がリード部
材４１．４６にそれぞれ接合されている。 そして、通電されてこの発光チップ４８が発光し、その
青色光は、発光チップ４８を構成しているサファイヤ基
板及びレンズ部材４９中を通過して空気中へ放射される
。 ところが、一部の光は発光チップ４８のサファイヤ基板
とレンズ部材４９との界面で入射角が４２°を越えると
全反射し、この発光チップ４８の側面方向へ逃げるため
、光が周囲に分散され、上記青色光の取り出し効率が非
常に悪く、高輝度化を図ることが難しいという問題があ
った。 ここで、特開昭６３−１５４８３号公報「発光ダイオー
ド用リードフレーム」にて開示されたように、上述の問
題点の解決を目指したリードフレームが提案されている
。 このリードフレームにおいては、同一面側に正負一対の
電極部をもつ発光チップに適し、その先端部に設けられ
た反射部により光の取り出し効率を改善している。 一般に、このリードフレームの反射部は金属製のリード
フレームをプレス成形する工程のうち絞り加工工程で形
成される。 しかしながら、絞り加工上の制約からあまり深い形状や
複雑な形状の反射部を形成することができなかった。又
、絞り加工にて形成された反射部の表面平滑性を良くす
ることには限界があり、反射率が必ずしも高くなかった
。 本発明は、上記の課題を解決するために成されたもので
あり、その目的とするところは、絞り加工を省いた簡単
な形状のリードフレームと別に樹脂成形した反射部材を
用いて光の取り出し効率が良いＬＥＤを提供することで
ある。
上記課題を解決するための発明の構成は、発光チップと
、前記発光チップから放射される光を前方に反射する略
円錐状の反射面と、該反射面に続く底面から前記反射面
の反対側に開口した長大とが成形された反射部材き、前
記反射部材の長穴に嵌合した先端部と、該先端部の上部
端面に設けられた平坦部と、前記先端部の根本に設けら
れた段部とから成る正負一対の電極を形成するリード部
材と、前記発光チップを前記平坦部に接合し、少なくと
も前記発光チップ及び前記反射部材の一部を樹脂により
封止して成るレンズ部材とを備えたことを特徴とする。
、前記発光チップから放射される光を前方に反射する略
円錐状の反射面と、該反射面に続く底面から前記反射面
の反対側に開口した長大とが成形された反射部材き、前
記反射部材の長穴に嵌合した先端部と、該先端部の上部
端面に設けられた平坦部と、前記先端部の根本に設けら
れた段部とから成る正負一対の電極を形成するリード部
材と、前記発光チップを前記平坦部に接合し、少なくと
も前記発光チップ及び前記反射部材の一部を樹脂により
封止して成るレンズ部材とを備えたことを特徴とする。
反射部材には発光チップから放射される光を前方に反射
する略円錐状の反射面と、その反射面に続く底面から反
対側に開口した長穴とが成形される。 又、正負一対のリード部材には上記反射部材の長穴に嵌
合する先端部と、その先端部の上部端面に設けられた平
坦部と、その先端部の根本に設けられた段部とが形成さ
れる。 そして、上記発光チップを上記平坦部に接合し、レンズ
部材は少なくとも上記発光チップ及び上記反射部材の一
部をその樹脂により封止する。 このため、リードフレームを構成する正負一対の電極を
形成するリード部材自身の形状は簡単で、これらリード
部材の先端部は反射部材の長大に嵌合し、その段部が当
接するまで反射部材に挿入されて位置決めされるので、
挿入後におけるリード部材と反射部材との相対位置が正
確となる。 又、反射部材はリード部材とは別に成形されるので、そ
の反射面は平滑にでき、その設計形状の自由度が大きい
のでリード部材に接合された発光チップから放射される
光の取り出し効率が良いＬＥＤとなる。
する略円錐状の反射面と、その反射面に続く底面から反
対側に開口した長穴とが成形される。 又、正負一対のリード部材には上記反射部材の長穴に嵌
合する先端部と、その先端部の上部端面に設けられた平
坦部と、その先端部の根本に設けられた段部とが形成さ
れる。 そして、上記発光チップを上記平坦部に接合し、レンズ
部材は少なくとも上記発光チップ及び上記反射部材の一
部をその樹脂により封止する。 このため、リードフレームを構成する正負一対の電極を
形成するリード部材自身の形状は簡単で、これらリード
部材の先端部は反射部材の長大に嵌合し、その段部が当
接するまで反射部材に挿入されて位置決めされるので、
挿入後におけるリード部材と反射部材との相対位置が正
確となる。 又、反射部材はリード部材とは別に成形されるので、そ
の反射面は平滑にでき、その設計形状の自由度が大きい
のでリード部材に接合された発光チップから放射される
光の取り出し効率が良いＬＥＤとなる。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
第２図は本発明の具体的な一実施例に係るＬＥＤのリー
ドフレームを構成するリード部材を樹脂成形された反射
部材に挿入し、リード部材先端に発光チップを接合した
状態を示した縦断面図である。 リードフレーム１０は間隔を隔てて並列に配設された正
負一対の電極を形成するリード部材１１゜１６により構
成されている。そして、両リード部材１１．１６にはそ
れらの先端部１２．１７の上部端面には発光チップ２８
を載置する平坦部１３゜１８が形成されている。又、先
端部１２．１７の根本には段部１４，１９が形成されて
いる。 ２１は反射部材であり、その反射部材２１は第３図（ａ
）、第３図（ｂ）及び第３図（Ｃ）にその平面図、正面
中央縦断面図及び側面中央縦断面図をそれぞれ示したよ
うに樹脂の射出成形により形成されている。 上記反射部材２１はリード部材１１．１６の先端部１２
．．１７の幅及び厚みに嵌合する長穴２２を有し、その
長穴２２の一方の端部には、その周囲から外側に傾斜し
た反射面２３が形成されている。又、長穴２２の他方の
端部には、リード部材１１．１６の段部１４，１９に対
する当接面２４゜２５が形成されている。 このように成形された反射部材２１の長穴２２にリード
部材１１．１６の先端部１２．１７が挿入され、リード
部材１１．１６の段部１４．１９が反射部材２１の当接
面２４．２５に当接して各々の相対位置が決定される。 Ｇ’ａ Ｎ青色発光チップである発光チップ２８はす７
フイヤ基板２８１上にｎ−ＧａＮ層２８２、更に、Ｚｎ
をドープして補償した高抵抗１−ＧａＮ層２８３を成長
させて作られている。 そして、１−ＧａＮ層２８３の一端側にはその部に１−
ＧａＮ層２８３を貫通して設けられた孔内に電極部が１
−ＧａＮ層２８３の表面とほぼ同一となるように設けら
れており、他端側には１ＧａＮ層２８３上に電極部が形
成されている。 この発光チップ２８はｎ−ＧａＮ層２８２の電極部が負
極となるリード部材１１の平坦部１３上に、１−ＧａＮ
層２８３の電極部が正極となるリード部材１６の平坦部
１８上に載置されそれぞれはんだバンブにより接合され
ている。 上述のようにして、反射部材２１が成形され、その反射
部材２１の長穴２２にリード部材１１゜１６の先端部１
２．１７が挿入され、発光チップ２８・がリード部材１
１．１６の平坦部１３．１８に接合された後、その反射
部材２１の全周を囲むように、更にエポキシ樹脂等の透
明樹脂でレンズ部材２９を成形して、第１図に示したよ
うなＬＥＤ２０を形成する。 そして、ＬＥＤ２０のリード部材１１．１６に電圧を印
加し電流を流した。すると、その発光チップ２８からの
青色光はその代表的な光路を矢印で示したように、発光
チップ２８の表面から出た光に加えて、その発光チップ
２８の端面から出た光も反射部材２１に設けられた反射
面２３により反射されてＬ’ＥＤ２０から前方へ照射さ
れる。 ここで、樹脂成形された反射部材２１においては、リー
ド部材１１．１６と正確に位置決めされているので、発
光チップ２８から出た光のうち反射部材２１０反射面２
３にて反射された光おいても設計された光路を通ること
になる。 又、反射部材２工の反射面２３を平滑で鏡面に近づける
ことができると共に複雑な形状も成形可能であるので、
反射効率を向上させることが可能となる。 更に、反射部材２１を成形するための樹脂材料を白色等
に着色することにより反射面２３の反射率を上昇するこ
とも容易である。 尚、レンズ部材２９の樹脂材料であるエポキシ樹脂の硬
化温度が高温のものを使用する場合には、反射部材２１
を成形するための樹脂材料としては耐熱性に優れた熱可
塑性エンジニアリングプラスチックである例えば、ポリ
イミド、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフ
タレート樹脂等を用いる。 更に、上述の発光チップとしては同一面側に正負一対の
電極部をもつＧａＮ等に限らず両側面に正負一対の電極
をもつものであっても当然適用することができる。 本発明のＬＥＤにおいては、リードフレームを構成する
簡単な形状の正負一対の電極を形成するリード部材を反
射部材の長穴に嵌合させ、上記リード部材の段部を反射
部材の当接面に当接する位置まで挿入することにより各
々位置決めが完了する。 従って、金属製のリードフレームを構成するリド部材に
プラスチックの反射部材を一体的に成形（インサート成
形）等する場合のように、リードフレームを固定する複
雑な形状の金型を必要としないので、コストダウンを図
ることが可能となる。 又、反射部材のみを樹脂成形する金型は簡単な構造にて
構成できるので、形状変更が容易であると共に反射面の
精度が向上され、更に、パリ等の発生も抑えることがで
きる。
ドフレームを構成するリード部材を樹脂成形された反射
部材に挿入し、リード部材先端に発光チップを接合した
状態を示した縦断面図である。 リードフレーム１０は間隔を隔てて並列に配設された正
負一対の電極を形成するリード部材１１゜１６により構
成されている。そして、両リード部材１１．１６にはそ
れらの先端部１２．１７の上部端面には発光チップ２８
を載置する平坦部１３゜１８が形成されている。又、先
端部１２．１７の根本には段部１４，１９が形成されて
いる。 ２１は反射部材であり、その反射部材２１は第３図（ａ
）、第３図（ｂ）及び第３図（Ｃ）にその平面図、正面
中央縦断面図及び側面中央縦断面図をそれぞれ示したよ
うに樹脂の射出成形により形成されている。 上記反射部材２１はリード部材１１．１６の先端部１２
．．１７の幅及び厚みに嵌合する長穴２２を有し、その
長穴２２の一方の端部には、その周囲から外側に傾斜し
た反射面２３が形成されている。又、長穴２２の他方の
端部には、リード部材１１．１６の段部１４，１９に対
する当接面２４゜２５が形成されている。 このように成形された反射部材２１の長穴２２にリード
部材１１．１６の先端部１２．１７が挿入され、リード
部材１１．１６の段部１４．１９が反射部材２１の当接
面２４．２５に当接して各々の相対位置が決定される。 Ｇ’ａ Ｎ青色発光チップである発光チップ２８はす７
フイヤ基板２８１上にｎ−ＧａＮ層２８２、更に、Ｚｎ
をドープして補償した高抵抗１−ＧａＮ層２８３を成長
させて作られている。 そして、１−ＧａＮ層２８３の一端側にはその部に１−
ＧａＮ層２８３を貫通して設けられた孔内に電極部が１
−ＧａＮ層２８３の表面とほぼ同一となるように設けら
れており、他端側には１ＧａＮ層２８３上に電極部が形
成されている。 この発光チップ２８はｎ−ＧａＮ層２８２の電極部が負
極となるリード部材１１の平坦部１３上に、１−ＧａＮ
層２８３の電極部が正極となるリード部材１６の平坦部
１８上に載置されそれぞれはんだバンブにより接合され
ている。 上述のようにして、反射部材２１が成形され、その反射
部材２１の長穴２２にリード部材１１゜１６の先端部１
２．１７が挿入され、発光チップ２８・がリード部材１
１．１６の平坦部１３．１８に接合された後、その反射
部材２１の全周を囲むように、更にエポキシ樹脂等の透
明樹脂でレンズ部材２９を成形して、第１図に示したよ
うなＬＥＤ２０を形成する。 そして、ＬＥＤ２０のリード部材１１．１６に電圧を印
加し電流を流した。すると、その発光チップ２８からの
青色光はその代表的な光路を矢印で示したように、発光
チップ２８の表面から出た光に加えて、その発光チップ
２８の端面から出た光も反射部材２１に設けられた反射
面２３により反射されてＬ’ＥＤ２０から前方へ照射さ
れる。 ここで、樹脂成形された反射部材２１においては、リー
ド部材１１．１６と正確に位置決めされているので、発
光チップ２８から出た光のうち反射部材２１０反射面２
３にて反射された光おいても設計された光路を通ること
になる。 又、反射部材２工の反射面２３を平滑で鏡面に近づける
ことができると共に複雑な形状も成形可能であるので、
反射効率を向上させることが可能となる。 更に、反射部材２１を成形するための樹脂材料を白色等
に着色することにより反射面２３の反射率を上昇するこ
とも容易である。 尚、レンズ部材２９の樹脂材料であるエポキシ樹脂の硬
化温度が高温のものを使用する場合には、反射部材２１
を成形するための樹脂材料としては耐熱性に優れた熱可
塑性エンジニアリングプラスチックである例えば、ポリ
イミド、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフ
タレート樹脂等を用いる。 更に、上述の発光チップとしては同一面側に正負一対の
電極部をもつＧａＮ等に限らず両側面に正負一対の電極
をもつものであっても当然適用することができる。 本発明のＬＥＤにおいては、リードフレームを構成する
簡単な形状の正負一対の電極を形成するリード部材を反
射部材の長穴に嵌合させ、上記リード部材の段部を反射
部材の当接面に当接する位置まで挿入することにより各
々位置決めが完了する。 従って、金属製のリードフレームを構成するリド部材に
プラスチックの反射部材を一体的に成形（インサート成
形）等する場合のように、リードフレームを固定する複
雑な形状の金型を必要としないので、コストダウンを図
ることが可能となる。 又、反射部材のみを樹脂成形する金型は簡単な構造にて
構成できるので、形状変更が容易であると共に反射面の
精度が向上され、更に、パリ等の発生も抑えることがで
きる。
本発明は、反射面と長穴とが樹脂成形された反射部材と
、その反射部材の長穴に嵌合する先端部と、その先端部
の上部端面に設けられた平坦部と、その先端部の根本に
設けられた段部とから成り、正負一対の電極を形成する
リード部材と、発光チップを平坦部に接合し、少なくと
も発光チップ及び反射部材の一部を樹脂により封止して
成るレンズ部材とを備えており、別々にリード部材と反
射部材とを構成し、リード部材を反射部材に挿入するの
みで相対位置が正確に決定される。そして、リード部材
の平坦部に発光チップを接合した後、レンズ部材の樹脂
により少なくとも発光チップ及び反射部材の一部が封止
される。 従って、リード部材に接合される発光チップ２反射部材
の反射面との相対位置関係が正確となり、光の取り出し
効率が良く高輝度化が図れると共に製品毎のバラツキが
少なく極めて安定した性能を有するＬＥＤが構成できる
。 又、反射部材等の単体の金型は簡単な構造にて構成でき
、形状変更も容易であり、安価なＬＥＤを提供できると
いう効果がある。
、その反射部材の長穴に嵌合する先端部と、その先端部
の上部端面に設けられた平坦部と、その先端部の根本に
設けられた段部とから成り、正負一対の電極を形成する
リード部材と、発光チップを平坦部に接合し、少なくと
も発光チップ及び反射部材の一部を樹脂により封止して
成るレンズ部材とを備えており、別々にリード部材と反
射部材とを構成し、リード部材を反射部材に挿入するの
みで相対位置が正確に決定される。そして、リード部材
の平坦部に発光チップを接合した後、レンズ部材の樹脂
により少なくとも発光チップ及び反射部材の一部が封止
される。 従って、リード部材に接合される発光チップ２反射部材
の反射面との相対位置関係が正確となり、光の取り出し
効率が良く高輝度化が図れると共に製品毎のバラツキが
少なく極めて安定した性能を有するＬＥＤが構成できる
。 又、反射部材等の単体の金型は簡単な構造にて構成でき
、形状変更も容易であり、安価なＬＥＤを提供できると
いう効果がある。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係るＬＥＤ及びそ
の光路を示した縦断面図。第２図は第１図のＬＥＤでリ
ードフレームを構成するリード部材を樹脂成形された反
射部材に挿入し、リード部材の先端部に設けられた平坦
部に発光チップを接合した状態を示した部分縦断面図。 第３図（ａ）、第３図の）及び第３図（Ｃ）は同実施例
に係る反射部材の平面図、正面中央縦断面図及び側面中
央縦断面図。 第４図は従来のＬＥＤのリードフレームを示した斜視図
。第５図は第４図のリードフレームに発光チップが接合
された状態を示した部分縦断面図。 第６図は従来の他のＬＥＤを示した縦断面図である。 １０ °リードフレーム １１，１６ °°リード部
材１２．１７”°先端部 １３，１８−平坦部１４．１
９°段部 ２Ｏ−ＬＥＤ（発光ダイオード） ２１ 反射部材 ２２−長穴 ２３−反射面２４．２５
当接面 ２８ 発光チップ２９°°゛レンズ部材
の光路を示した縦断面図。第２図は第１図のＬＥＤでリ
ードフレームを構成するリード部材を樹脂成形された反
射部材に挿入し、リード部材の先端部に設けられた平坦
部に発光チップを接合した状態を示した部分縦断面図。 第３図（ａ）、第３図の）及び第３図（Ｃ）は同実施例
に係る反射部材の平面図、正面中央縦断面図及び側面中
央縦断面図。 第４図は従来のＬＥＤのリードフレームを示した斜視図
。第５図は第４図のリードフレームに発光チップが接合
された状態を示した部分縦断面図。 第６図は従来の他のＬＥＤを示した縦断面図である。 １０ °リードフレーム １１，１６ °°リード部
材１２．１７”°先端部 １３，１８−平坦部１４．１
９°段部 ２Ｏ−ＬＥＤ（発光ダイオード） ２１ 反射部材 ２２−長穴 ２３−反射面２４．２５
当接面 ２８ 発光チップ２９°°゛レンズ部材
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 発光チップと、 前記発光チップから放射される光を前方に反射する略円
錐状の反射面と、該反射面に続く底面から前記反射面の
反対側に開口した長穴とが成形された反射部材と、 前記反射部材の長穴に嵌合した先端部と、該先端部の上
部端面に設けられた平坦部と、前記先端部の根本に設け
られた段部とから成る正負一対の電極を形成するリード
部材と、 前記発光チップを前記平坦部に接合し、少なくとも前記
発光チップ及び前記反射部材の一部を樹脂により封止し
て成るレンズ部材と を備えたことを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11419490A JP2922977B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11419490A JP2922977B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410670A true JPH0410670A (ja) | 1992-01-14 |
| JP2922977B2 JP2922977B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=14631557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11419490A Expired - Lifetime JP2922977B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2922977B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001086730A2 (de) * | 2000-05-12 | 2001-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung |
| WO2002084750A1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light source device using led, and method of producing same |
| US6940102B2 (en) | 2001-02-13 | 2005-09-06 | Agilent Technologies, Inc. | Light-emitting diode and a method for its manufacture |
| JP2005317592A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置 |
| JP2009021643A (ja) * | 1997-01-31 | 2009-01-29 | Panasonic Corp | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2009540559A (ja) * | 2006-06-08 | 2009-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子部品用のサブマウント（ｓｕｂｍｏｕｎｔ） |
| US8227821B2 (en) | 2004-09-22 | 2012-07-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for an optoelectronic component, optoelectronic component and method for the production of an optoelectronic component |
| US8802463B2 (en) | 2012-06-12 | 2014-08-12 | Disco Corporation | Optical device processing method |
| US8802470B2 (en) | 2012-06-12 | 2014-08-12 | Disco, Corporation | Optical device processing method |
| DE102014207212A1 (de) | 2013-04-16 | 2014-10-16 | Disco Corporation | Lichtemittervorrichtung |
| US8945960B2 (en) | 2012-06-12 | 2015-02-03 | Disco Corporation | Optical device processing method |
| US8945963B2 (en) | 2012-06-12 | 2015-02-03 | Disco Corporation | Optical device processing method |
| US9202980B2 (en) | 2013-12-20 | 2015-12-01 | Disco Corporation | Light emitting chip |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11419490A patent/JP2922977B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021643A (ja) * | 1997-01-31 | 2009-01-29 | Panasonic Corp | 発光装置及びその製造方法 |
| WO2001086730A3 (de) * | 2000-05-12 | 2002-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung |
| US7455461B2 (en) | 2000-05-12 | 2008-11-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof |
| WO2001086730A2 (de) * | 2000-05-12 | 2001-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung |
| US6940102B2 (en) | 2001-02-13 | 2005-09-06 | Agilent Technologies, Inc. | Light-emitting diode and a method for its manufacture |
| WO2002084750A1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light source device using led, and method of producing same |
| US6874910B2 (en) | 2001-04-12 | 2005-04-05 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light source device using LED, and method of producing same |
| JP2005317592A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置 |
| JP4511238B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2010-07-28 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置 |
| US8227821B2 (en) | 2004-09-22 | 2012-07-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for an optoelectronic component, optoelectronic component and method for the production of an optoelectronic component |
| JP2009540559A (ja) * | 2006-06-08 | 2009-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子部品用のサブマウント（ｓｕｂｍｏｕｎｔ） |
| US8802463B2 (en) | 2012-06-12 | 2014-08-12 | Disco Corporation | Optical device processing method |
| US8802470B2 (en) | 2012-06-12 | 2014-08-12 | Disco, Corporation | Optical device processing method |
| US8945960B2 (en) | 2012-06-12 | 2015-02-03 | Disco Corporation | Optical device processing method |
| US8945963B2 (en) | 2012-06-12 | 2015-02-03 | Disco Corporation | Optical device processing method |
| DE102014207212A1 (de) | 2013-04-16 | 2014-10-16 | Disco Corporation | Lichtemittervorrichtung |
| US9202980B2 (en) | 2013-12-20 | 2015-12-01 | Disco Corporation | Light emitting chip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2922977B2 (ja) | 1999-07-26 |
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