JPH0399433A - Plasma ashing device - Google Patents
Plasma ashing deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体集積回路等製造工程において、マイクロ
波を用いてガスプラズマを発生させ、被加工物であるク
エへの表面にてレジスト剥離等のプラズマ処理を行うプ
ラズマアッシング装置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention generates gas plasma using microwaves in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits, etc., and removes resist, etc. The present invention relates to a plasma ashing device that performs plasma processing.
（従来の技術）
プラズマアッシング装置は、減圧された真空容器内にガ
ス導入管を介して０２ガス等のアッシングガスを導入し
、マイクロ波発振器から導波管を介して導入したマイク
ロ波により真空容器内にプラズマを発生させ、アッシン
グガスを主として電子衝突により励起、イオン化、解離
して生成されるラジカル荷電粒子によりウェハのレジス
トを灰化除去するものである。(Prior art) A plasma ashing device introduces an ashing gas such as 02 gas into a reduced pressure vacuum container through a gas introduction tube, and then uses microwaves introduced from a microwave oscillator through a waveguide to cool the vacuum container. The ashing gas is excited, ionized, and dissociated mainly by electron collision, and the resist on the wafer is incinerated and removed by radically charged particles.
（発明が解決しようとする課題〉
上述した従来のプラズマアッシング装置においては、通
常マイクロ波発振器に接続して矩形導波管が取付けられ
、又この矩形導波管に接続して真空容器を内設した導波
管が設けられる。(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional plasma ashing apparatus described above, a rectangular waveguide is usually connected to a microwave oscillator, and a vacuum vessel is installed inside the rectangular waveguide by connecting it to the rectangular waveguide. A waveguide is provided.
当該真空容器を内設した導波管は、前記矩形導波管と同
様矩形状に形成されている為、プラズマの発生は、この
導波管の形状に応じた所謂四角状の速度分布を示す。そ
の為ウニへの全域に対して均一な速度分布を得ることが
できない。Since the waveguide in which the vacuum container is installed has a rectangular shape similar to the rectangular waveguide, the plasma generation exhibits a so-called square velocity distribution according to the shape of the waveguide. . Therefore, it is not possible to obtain a uniform velocity distribution over the entire area of the sea urchin.
一方所謂低温アッシング処理においてはプラズマによる
ウェハの温度上昇が著しい。その為装置寸法上杵される
限り、ウェハステージを大きくしたりするが、これ丈で
はウェハの温度上昇を十分低減させることができない。On the other hand, in so-called low-temperature ashing processing, the temperature of the wafer due to plasma increases significantly. For this reason, the wafer stage may be made larger as long as the device dimensions allow, but this length cannot sufficiently reduce the temperature rise of the wafer.
更にカセットステーション内に内蔵されたウェハを搬送
ロボットにより取り出し、回転アームを介してウェハス
テージ上にｌａ置する工程においては、１本のアームに
よって一枚毎搬送する為、１つのウェハを搬送し、処理
を行うまで次のウェハを搬送することができず、所謂ア
イドルタイムが大きくなっている。Furthermore, in the process of taking out the wafers built into the cassette station by the transfer robot and placing them on the wafer stage via the rotating arm, each wafer is transferred by one arm, so one wafer is transferred, The next wafer cannot be transferred until it is processed, resulting in a long so-called idle time.
この様に従来のプラズマアッシング装置においては、装
置の構成部分において種々の課題を生じており、本発明
はこれ等の課題を解決する為に成されたもので、ウェハ
の加工精度を向上させるとともに作業時間を短縮するこ
とができるプラズマアッシング装置を提供するものであ
る。As described above, in the conventional plasma ashing equipment, various problems have arisen in the component parts of the equipment, and the present invention has been made to solve these problems, and it not only improves the processing accuracy of wafers but also The present invention provides a plasma ashing device that can shorten working time.
〈課題を解決するための手段〉
上記した課題を解決する為に、本発明に係るプラズマア
ッシング装置においては、真空容器を内設した導波管を
マイクロ波発振器に接続された矩形導波管から順次真空
容器に向けて拡大した状態でテーパ状に形成し、又ウェ
ハステージはその上部を吸熱部材にて形成する。更に回
転アームを、第一アームと第二アームとにより二又状に
形成するものである。<Means for Solving the Problems> In order to solve the above-mentioned problems, in the plasma ashing apparatus according to the present invention, a waveguide having a vacuum vessel inside is connected to a rectangular waveguide connected to a microwave oscillator. The wafer stage is formed into a tapered shape in a state in which it is expanded toward the vacuum container, and the upper part of the wafer stage is formed of a heat absorbing member. Further, the rotary arm is formed into a bifurcated shape by the first arm and the second arm.
〈作用）
本発明に係るプラズマアッシング装置は、上記の様に構
成されているので、真空容器を内設した導波管は矩形導
波管から該真空容器に向けて拡大した状態でテーパ状に
形成されている為、マイクロ波発振器から矩形導波管を
介して導入されるマイクロ波は、円形状に分類され、す
なわち均一な速度分布を呈する。一方つエへステージは
上部な熱容量の大きい吸熱部材にて形成した為、ウェハ
のＬ昇温度は、この吸熱部材にて吸収される結果、ウニ
八自体の温度上昇が十分抑制される。更に回転アームで
は第一アームによって先のウェハを搬送し、これを処理
している間に第二アームよって次のウェハを処理直前ま
で搬送できる。これによりアイドルタイムを大幅に減少
できる。(Function) Since the plasma ashing device according to the present invention is configured as described above, the waveguide with the vacuum vessel inside is expanded from the rectangular waveguide toward the vacuum vessel and is tapered. Because of this, the microwaves introduced from the microwave oscillator through the rectangular waveguide are classified into a circular shape, that is, exhibit a uniform velocity distribution. On the other hand, since the upper stage is formed of a heat-absorbing member having a large heat capacity, the temperature rise of the wafer L is absorbed by this heat-absorbing member, and as a result, the temperature rise of the sea urchin itself is sufficiently suppressed. Further, in the rotary arm, the first wafer can transport the previous wafer, and while the previous wafer is being processed, the second arm can transport the next wafer until just before processing. This can significantly reduce idle time.
〈実施例） 以下本発明の実施例を図に基づき説明する。<Example) Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.
第１図はプラズマアッシング装置ｌの構成概略図である
１図中１０はシステムコントローラで、後述する装置の
各構成部を全体的に制御運用するものである。又１０ａ
はシーケンス及びコントローラ電源で、該システムコン
トローラ！０に基づいて各構成部を駆動させるものであ
る。FIG. 1 is a schematic diagram of the configuration of a plasma ashing device 1. In FIG. 1, numeral 10 denotes a system controller, which controls and operates each component of the device as described later. Also 10a
The system controller with sequence and controller power! 0 to drive each component.
１１は、マイクロ波発振器で、このマイクロ波発振器１
１に矩形導波管１ｚが接続される。モして該矩形導波管
１２の先端には変換導波管１３が設けられ、この変換導
波管１３を介してテーパ導波管１４が接続される。11 is a microwave oscillator, and this microwave oscillator 1
1 is connected to a rectangular waveguide 1z. A conversion waveguide 13 is provided at the tip of the rectangular waveguide 12, and a tapered waveguide 14 is connected via this conversion waveguide 13.
テーパ導波管１４内には石英チャンバから成る真空容器
１５が内設される。当該テーパ導波管１４は、変換導波
管１３と接続した部分から真空容器１５に向けてラッパ
状となした。所謂テーパ部１４ａが設けられる。A vacuum vessel 15 made of a quartz chamber is installed inside the tapered waveguide 14 . The tapered waveguide 14 had a trumpet shape extending from the portion connected to the conversion waveguide 13 toward the vacuum vessel 15 . A so-called tapered portion 14a is provided.
上記真空容器１５の下部にはウェハステージ１６が昇降
機構１６ａによって昇降自在に配置されている。又シャ
ッタＳの近傍には一対のカセットステーション１７ａ、
１７ｂが設けられ、更にこのカセットステージｇ １７
ａ、１７ｂに内蔵された各ウェハを搬送する為のウェハ
搬送ロボット１８と回転アーム１９とが設けられている
。A wafer stage 16 is disposed below the vacuum container 15 so as to be movable up and down by a lifting mechanism 16a. Also, near the shutter S, a pair of cassette stations 17a,
17b is provided, and this cassette stage g 17
A wafer transfer robot 18 and a rotary arm 19 are provided to transfer the wafers contained in the wafers a and 17b.
上記テーパ導波管１４は第２図に示す如く、その内部に
真空容器１５が内設されており、又上述の如く変換導波
管１３に接続した部分から真空容器１５に向けてラッパ
状を成すテーパ部１４ａが形成される。As shown in FIG. 2, the tapered waveguide 14 has a vacuum vessel 15 installed therein, and as described above, a trumpet-shaped waveguide is formed from the part connected to the conversion waveguide 13 toward the vacuum vessel 15. A tapered portion 14a is formed.
尚真空容器１５にはガス導入口１５ａが接続されており
、真空容器１５内を真空排気コントロールＩＳｂにより
所定の真空状態にした後、ガスコントローラ１５ｃ、Ｉ
Ｓｄを介して、当該ガス導入口１５ａから０２等のアッ
シングガスが導入される。A gas inlet 15a is connected to the vacuum container 15, and after the vacuum container 15 is brought to a predetermined vacuum state by the evacuation control ISb, the gas controllers 15c and I
Ashing gas such as 02 is introduced from the gas inlet 15a via Sd.
第３図は上記ウェハステージ１６を説明する概略図であ
る。すなわちウェハステージ１６は、その昇降機構１６
ａによって真空容器１５内まで上昇し、載置されたウェ
ハＷを真空容器１５内に配置する。ウェハステージ１６
の上部は熱容量の大きい吸熱部材１６ｂにて形成されて
いる。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the wafer stage 16. That is, the wafer stage 16 is
The wafer W is raised into the vacuum container 15 by a, and the mounted wafer W is placed inside the vacuum container 15. Wafer stage 16
The upper part is formed of a heat absorbing member 16b having a large heat capacity.
第４図は回転アーム１９を説明する斜視図である。回転
アーム１９の先端は第一アーム１９ｂと第二アーム１９
ｃによって所謂二又状に形成されている。この回転アー
ム１９は支軸１９ａを介してサーボモータＭにて所定の
角度にて回転する。FIG. 4 is a perspective view illustrating the rotating arm 19. The tip of the rotating arm 19 is a first arm 19b and a second arm 19.
It is formed into a so-called forked shape by c. This rotating arm 19 is rotated at a predetermined angle by a servo motor M via a support shaft 19a.
斯かる各構成部を有するプラズマアッシング装置ｉの処
理工程を説明する。先ずシステムコントローラ１０によ
ってマイクロ波、真空度、アッシングガス濃度等総ての
条件を設定する。そしてマイクロ波電源１１ａとマイク
ロ波コントローラｌｌｂを介してマイクロ波発振５１１
１から所定のマイクロ波を発生させる。このマイクロ波
を、矩形導波管１２、変換導波管！３を介してテーパ導
波管１４まで導入する。テーパ導波管１４では、テーパ
部１４ａにて導入されたマイクロ波が真空容器１５の外
部を均一に分布し、クエへに対しては均一なアッシング
処理が行なわれる。一方シャッタＳを開口してカセット
ステーション１７ａ、１７ｂ内にウェハが配置され、こ
のウェハがウェハ搬送ロボット１８を介して回転アーム
１９によりウェハステージ１６上に搬送される。ウェハ
搬送ロボット１８からのウェハは第一アーム１９ｂと第
二アーム１９ｃとにより一枚毎吸引される。The processing steps of the plasma ashing apparatus i having each of these components will be explained. First, all conditions such as microwave, degree of vacuum, and ashing gas concentration are set using the system controller 10. Then, a microwave oscillation 511 is generated via the microwave power supply 11a and the microwave controller llb.
A predetermined microwave is generated from 1. This microwave is converted into a rectangular waveguide 12, a conversion waveguide! 3 to the tapered waveguide 14. In the tapered waveguide 14, the microwave introduced at the tapered portion 14a is uniformly distributed outside the vacuum container 15, and uniform ashing processing is performed on the cube. On the other hand, the shutter S is opened and a wafer is placed in the cassette stations 17a and 17b, and the wafer is transferred onto the wafer stage 16 by the rotating arm 19 via the wafer transfer robot 18. The wafers from the wafer transfer robot 18 are sucked one by one by the first arm 19b and the second arm 19c.
各アーム１９ｂ、１９ｃには位置割出し用のテーパ部１
９ｄ 、 １９ｅが形成されており、このテーパ部１９
ｄ。Each arm 19b, 19c has a tapered portion 1 for position indexing.
9d and 19e are formed, and this tapered part 19
d.
１９ｅ内で吸引されたウェハが、ウェハステージ１６上
の所定位置に載置される。又第一アーム１９ｂにてウェ
ハを吸引し、ウェハステージ１６上に搬送する間に第二
アーム１９ｃでは次のウェハが吸引される。これらウェ
ハ搬送ロボット１８１回転アーム１９はウェハロボット
コントローラ１８ａによって駆動制御される。又回転ア
ーム１９のサーボモータＭ。The wafer sucked into 19e is placed at a predetermined position on wafer stage 16. Further, while the first arm 19b sucks a wafer and transfers it onto the wafer stage 16, the second arm 19c sucks the next wafer. These wafer transfer robots 181 and rotating arms 19 are driven and controlled by a wafer robot controller 18a. Also, the servo motor M of the rotating arm 19.
昇降機構１６ａは夫々シーケンス及びコントローラ電源
１０ａによって制御される。The lifting mechanisms 16a are each controlled by a sequence and a controller power source 10a.
上述の如くウェハステージ１６上に被加工物であるウェ
ハがｖＬ置されると、昇降機構１６ａによりウェハステ
ージ１６が上昇し、当該ウェハＷは真空容器１５内に配
置される。この真空容器１５内にはガスコントローラ１
５ｄを介してガス導入口１５ａから所定濃度のアッシン
グガスが導入される。そしてテーパ導波管１４からのマ
イクロ波により真空容器内にプラズマが発生し、アッシ
ングガスを主として電子衝突によって励起、イオン化、
解離現象を起し、生成されたラジカル荷電粒子によって
ウェハＷ上のレジストを沃化、除去する
〈発明の効果〉
以上説明した様に本発明の装置によれば、真空容器内で
はアッシング速度が真空容器の平面形状に応じた円形で
且つ均一な分布となる。又アッシング処理におけるウェ
ハの温度上昇は、ウェハステージの上部を形成する吸熱
部材にて吸納される為、ウェハ自体の温度上昇を大幅に
低下できる。As described above, when a wafer as a workpiece is placed vL on the wafer stage 16, the wafer stage 16 is raised by the elevating mechanism 16a, and the wafer W is placed in the vacuum container 15. Inside this vacuum container 15 is a gas controller 1.
Ashing gas of a predetermined concentration is introduced from the gas inlet 15a through the gas inlet 5d. Plasma is generated in the vacuum container by the microwave from the tapered waveguide 14, and the ashing gas is excited, ionized, and
A dissociation phenomenon is caused, and the generated radical charged particles iodine and remove the resist on the wafer W. <Effects of the Invention> As explained above, according to the apparatus of the present invention, the ashing rate in the vacuum container is lower than that of the vacuum. The distribution is circular and uniform according to the planar shape of the container. Further, since the temperature rise of the wafer during the ashing process is absorbed by the heat absorbing member forming the upper part of the wafer stage, the temperature rise of the wafer itself can be significantly reduced.
更にウェハ搬送ロボットからウェハステージ上に搬送さ
れるウェハは複数のアームによって１枚毎行われる為、
アイドルタイムが減少して装置全体の処理作業時間を大
幅に低減させ得る。Furthermore, since each wafer is transferred from the wafer transfer robot to the wafer stage using multiple arms,
Idle time is reduced and processing time for the entire device can be significantly reduced.
この様に本プラズマアッシング装置では、ウニへのアッ
シング精度向上とアッシング作業時間の短縮が得られ、
極めて実用性の高い装置となる。In this way, this plasma ashing device improves the accuracy of ashing sea urchins and shortens the ashing work time.
This is an extremely practical device.
第１図は、プラズマアッシング装置の構成図、第２図は
、テーパ導波管を説明する概略図。
第３図は、ウェハステージを説明する概略図、第４図は
、回転アームの一部省略斜視図である。
尚、図中１はプラズマアッシング装置。
ｌＯはシステムコントローラ。
１１はマイクロ発振器、 １２は矩形導波管。
ｌ４はテーパ導波管、 １４ａはテーパ部。
１５は真空容器、 １６はウェハステージ。
１６ａは吸熱部材、 １８はウェハ搬送ロボット。
１９は回転アーム、 １９ｂは第一アーム。
１９ｃは第二アームである。FIG. 1 is a configuration diagram of a plasma ashing device, and FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a tapered waveguide. FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the wafer stage, and FIG. 4 is a partially omitted perspective view of the rotating arm. In addition, 1 in the figure is a plasma ashing device. IO is the system controller. 11 is a micro oscillator, 12 is a rectangular waveguide. 14 is a tapered waveguide, and 14a is a tapered portion. 15 is a vacuum container, 16 is a wafer stage. 16a is a heat absorbing member; 18 is a wafer transfer robot. 19 is a rotating arm, and 19b is a first arm. 19c is a second arm.
Claims (1)
管を介して真空容器を内設した導波管まで導入し、該真
空容器内に導入したアッシングガスにプラズマを発生さ
せるとともに、 カセットステーションからウェハ搬送ロボット及び回転
アームを介してウェハステージにウェハを載置し、該ウ
ェハステージの上昇により該ウェハを前記真空容器内に
搬送して前記プラズマによりレジスト除去を行うもので
あって、 前記真空容器を内設した導波管は、前記矩形導波管から
該真空容器に向けて拡大した状態でテーパ状に形成され
、又前記ウェハステージは、その上部を吸熱部材にて形
成されるとともに前記回転アームは第一アームと第二ア
ームとにより二又状に形成されていることを特徴とする
プラズマアッシング装置。[Claims] Microwaves generated from a microwave oscillator are introduced through a rectangular waveguide to a waveguide in which a vacuum container is installed, and plasma is generated in the ashing gas introduced into the vacuum container. Additionally, a wafer is placed on a wafer stage from a cassette station via a wafer transfer robot and a rotary arm, and as the wafer stage rises, the wafer is transferred into the vacuum container and the resist is removed by the plasma. The waveguide in which the vacuum container is installed is formed in a tapered shape, expanding from the rectangular waveguide toward the vacuum container, and the wafer stage has an upper portion formed of a heat absorbing member. and the rotating arm is formed into a forked shape by a first arm and a second arm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23543689A JPH0399433A (en) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | Plasma ashing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23543689A JPH0399433A (en) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | Plasma ashing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0399433A true JPH0399433A (en) | 1991-04-24 |
Family
ID=16986084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23543689A Pending JPH0399433A (en) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | Plasma ashing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0399433A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100328326B1 (en) * | 1998-04-03 | 2002-03-12 | 가네꼬 히사시 | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manaufacturing method |
-
1989
- 1989-09-12 JP JP23543689A patent/JPH0399433A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100328326B1 (en) * | 1998-04-03 | 2002-03-12 | 가네꼬 히사시 | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manaufacturing method |
| US6391116B2 (en) | 1998-04-03 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
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