JPH0398759A - ポリシングパッド及びその製造方法 - Google Patents
ポリシングパッド及びその製造方法Info
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- JPH0398759A JPH0398759A JP1233674A JP23367489A JPH0398759A JP H0398759 A JPH0398759 A JP H0398759A JP 1233674 A JP1233674 A JP 1233674A JP 23367489 A JP23367489 A JP 23367489A JP H0398759 A JPH0398759 A JP H0398759A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体材料や光学材料を高平坦にポリシング
加工する場合に用いるポリシングバッドの構造とその製
造方法に関する． 〔従来の技術〕 従来、半導体材料や光学材料をポリシング加工する場合
に用いるポリシングバッドとしては、例えば日本学術振
興会第１３６委員会・第１４５委員会合同研究会資料＜
６１．４．１８）１５べ一ジに黒部が「ボリシャの特性
」として発表した論文の中で述べている様に、ポリウレ
タンを含侵させたポリエステル不織布や、ベース（不織
布）に発泡ポリウレタン層を形成させたものが用いられ
る． ポリウレタンを含侵させたポリエステル不織布で高平坦
ポリシングを行う場合、ポリシング条件によっては表面
層のポリエステル繊維の凹凸が被加工物表面の微細粗さ
の原因となる場合があった。又、ベースに発泡ポリウレ
タン層を形成させたポリシングバッドでは表面層の微細
な凹むや毛羽が平坦性悪化の原因となったり、発泡率の
太きなパッドでは表面層の剛性が低下して被加工物の端
部分のグレの原因となったり、発泡率の小さなパッドで
はポリシング液の保持性が低下したり、ポリシングによ
り生じる加工屑の排出が容易に行われず、被加工物表面
に傷を導入する場合があった。
加工する場合に用いるポリシングバッドの構造とその製
造方法に関する． 〔従来の技術〕 従来、半導体材料や光学材料をポリシング加工する場合
に用いるポリシングバッドとしては、例えば日本学術振
興会第１３６委員会・第１４５委員会合同研究会資料＜
６１．４．１８）１５べ一ジに黒部が「ボリシャの特性
」として発表した論文の中で述べている様に、ポリウレ
タンを含侵させたポリエステル不織布や、ベース（不織
布）に発泡ポリウレタン層を形成させたものが用いられ
る． ポリウレタンを含侵させたポリエステル不織布で高平坦
ポリシングを行う場合、ポリシング条件によっては表面
層のポリエステル繊維の凹凸が被加工物表面の微細粗さ
の原因となる場合があった。又、ベースに発泡ポリウレ
タン層を形成させたポリシングバッドでは表面層の微細
な凹むや毛羽が平坦性悪化の原因となったり、発泡率の
太きなパッドでは表面層の剛性が低下して被加工物の端
部分のグレの原因となったり、発泡率の小さなパッドで
はポリシング液の保持性が低下したり、ポリシングによ
り生じる加工屑の排出が容易に行われず、被加工物表面
に傷を導入する場合があった。
上述したように、従来のポリシングパッドでは表面の高
平坦性と適当な硬度及びボリシンダ液の保持性、ポリシ
ング屑の排出性を兼ねそなえることは困難であった。
平坦性と適当な硬度及びボリシンダ液の保持性、ポリシ
ング屑の排出性を兼ねそなえることは困難であった。
本発明の目的は、従来の上記欠点を解消して高平坦の表
面と任意の硬度と良好なボリシンダ液の保持性、ポリシ
ング屑の排出性を有するポリシングバッド及びその製造
方法を提供することにある。
面と任意の硬度と良好なボリシンダ液の保持性、ポリシ
ング屑の排出性を有するポリシングバッド及びその製造
方法を提供することにある。
本発明のポリシングパッドは、微細な粒状の樹脂が互い
に接合されて板状に固められ、その表面層に位置する樹
脂粒は平坦な面を持つ構造を有するものである。
に接合されて板状に固められ、その表面層に位置する樹
脂粒は平坦な面を持つ構造を有するものである。
また本発明のポリシングパッドの製造方法は、微細な粒
状の熱可塑性樹脂を２枚の平板の間に充填し、上下から
圧力をかけながら該熱可塑性樹脂の軟化温度まで加熱し
て表面層を軟化させ、表面及び内部に空間のある焼結構
造を作るものである． 〔作用〕 本発明は、上述の構戒を取ることにより、従来技術の問
題点を解決した．すなわち、ａＳな粒状の樹脂を表面及
び内部に空間がある状態に固めた楕遣のポリシングパッ
ドにより、表面の平坦性、ボリシンダ液保−特性、ポリ
シング屑排出性を保つ．前記ポリシングパッドの製造方
法としては、２枚の平板間に粒状の熱可塑性樹脂を充填
し加熱、加圧することにより焼結構造を形成する。
状の熱可塑性樹脂を２枚の平板の間に充填し、上下から
圧力をかけながら該熱可塑性樹脂の軟化温度まで加熱し
て表面層を軟化させ、表面及び内部に空間のある焼結構
造を作るものである． 〔作用〕 本発明は、上述の構戒を取ることにより、従来技術の問
題点を解決した．すなわち、ａＳな粒状の樹脂を表面及
び内部に空間がある状態に固めた楕遣のポリシングパッ
ドにより、表面の平坦性、ボリシンダ液保−特性、ポリ
シング屑排出性を保つ．前記ポリシングパッドの製造方
法としては、２枚の平板間に粒状の熱可塑性樹脂を充填
し加熱、加圧することにより焼結構造を形成する。
次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の第１の実施例の模式断面図である。
１はほぼ球状の形状を有する樹脂粒で、樹脂粒１は隣接
する樹脂粒１と結合部２で結合されるが、その間には十
分な空間を有する構造となっており、薄板状のポリシン
グパッドを構成する。そして表面層に位置する樹脂粒１
は平坦な面１０を有している。
する樹脂粒１と結合部２で結合されるが、その間には十
分な空間を有する構造となっており、薄板状のポリシン
グパッドを構成する。そして表面層に位置する樹脂粒１
は平坦な面１０を有している。
第２図は本発明のポリシングパッドの一実施例の表面状
態を示す走査型電子顕微鏡写真で、平均粒径１００μｍ
のポリエチレン球を焼結して厚さ約３ｍｍのポリシング
バッドを作成したものである。
態を示す走査型電子顕微鏡写真で、平均粒径１００μｍ
のポリエチレン球を焼結して厚さ約３ｍｍのポリシング
バッドを作成したものである。
第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第２の実施例のポリシ
ングパッドの作戒方法を説明するための断面図である． 高平坦面を有するステンレス製の上板３と下板４の間に
平均直径１００μｍのポリエチレン粒を充填して、第３
図（ａ）に示す様に厚さ約４ｍｍの樹脂層５を形成する
。
ングパッドの作戒方法を説明するための断面図である． 高平坦面を有するステンレス製の上板３と下板４の間に
平均直径１００μｍのポリエチレン粒を充填して、第３
図（ａ）に示す様に厚さ約４ｍｍの樹脂層５を形成する
。
次に、第３図（ｂ）に示す様に、樹脂の軟化温度：１１
０℃まで加熱しながら、上下から厚さが約３ｍｍになる
まで加圧して樹脂粒どうしを溶着させて樹脂層５を一体
化させる． 最後に第１図（Ｃ）に示すように、冷却してから上板３
と下板４を剥離して一体化した樹脂層５を取り出す。
０℃まで加熱しながら、上下から厚さが約３ｍｍになる
まで加圧して樹脂粒どうしを溶着させて樹脂層５を一体
化させる． 最後に第１図（Ｃ）に示すように、冷却してから上板３
と下板４を剥離して一体化した樹脂層５を取り出す。
この様にして作成されたポリシングパッドは第１図に示
したように、樹脂粒１が溶着して一体化するとともに、
表面層の樹脂粒１は上，板３及び下板４に押し潰されて
平坦な面を有する。
したように、樹脂粒１が溶着して一体化するとともに、
表面層の樹脂粒１は上，板３及び下板４に押し潰されて
平坦な面を有する。
なお、本実施例では１００μｍ粒径のポリエチレンを使
用して厚さ３ｍｍのポリシングパッドを作戒する場合に
ついて述べたが、樹脂の種類としては他にポリブロビレ
ン、ポリチルメタアクリレート、フッ素樹脂、ボリスチ
レン、が使用出来、様々な固さのポリシングバッドを作
ることが出来る．粒径、厚さ、空孔率についても作戒方
法から明らかな様に広い範囲の条件においてポリシング
パッドを作戒することができる。
用して厚さ３ｍｍのポリシングパッドを作戒する場合に
ついて述べたが、樹脂の種類としては他にポリブロビレ
ン、ポリチルメタアクリレート、フッ素樹脂、ボリスチ
レン、が使用出来、様々な固さのポリシングバッドを作
ることが出来る．粒径、厚さ、空孔率についても作戒方
法から明らかな様に広い範囲の条件においてポリシング
パッドを作戒することができる。
上記のポリシングパッドを使用してポリシング液として
コロイダルシリ力水溶液を用いて直径４インチのＳｉウ
エハを加工したところ、ポリウレタン発泡体ポリシング
パツドと同等の加工速度、表面粗さで、２μｍの平坦性
を得ることができた。なお、従来のポリウレタン発泡体
のポリシングバッドでは平坦性は４〜５μｍである．〔
発明の効果〕 以上説明したように本発明のポリシングパッドを使用し
てポリシングを行えば、高平坦な加工面を得る事ができ
る。また、本発明のポリシングバッドの作成方法を用い
ると、様々な粒径、硬度、空孔率が得られ、発泡ポリウ
レタンパッドと同等の硬度で高剛性で加工屑の排出が容
易なポリシングパッドを容易に作成することが出来る。
コロイダルシリ力水溶液を用いて直径４インチのＳｉウ
エハを加工したところ、ポリウレタン発泡体ポリシング
パツドと同等の加工速度、表面粗さで、２μｍの平坦性
を得ることができた。なお、従来のポリウレタン発泡体
のポリシングバッドでは平坦性は４〜５μｍである．〔
発明の効果〕 以上説明したように本発明のポリシングパッドを使用し
てポリシングを行えば、高平坦な加工面を得る事ができ
る。また、本発明のポリシングバッドの作成方法を用い
ると、様々な粒径、硬度、空孔率が得られ、発泡ポリウ
レタンパッドと同等の硬度で高剛性で加工屑の排出が容
易なポリシングパッドを容易に作成することが出来る。
更に、本発明のポリシングパッドは厚さ方向に均一な構
造を有しているため、表面の摩耗や損傷が生じてもドレ
ッシングを行うことにより新品と同等の加工特性を得る
ことができる．この様に本発明のポリシングバッド及び
その製造方法を用いると、優れたポリシングパッドを得
ることが出来、ポリシング加工に対して極めて有効であ
る．
造を有しているため、表面の摩耗や損傷が生じてもドレ
ッシングを行うことにより新品と同等の加工特性を得る
ことができる．この様に本発明のポリシングバッド及び
その製造方法を用いると、優れたポリシングパッドを得
ることが出来、ポリシング加工に対して極めて有効であ
る．
第１図は本発明の第１の実施例の模式断面図、第２図は
本発明のポリシングパッドの一実施例の表面状態を示す
走査型電子顕微鏡写真であり、ポリエチレン粒子の構造
を示す図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第２の実施
例のポリシングパッドの作成方法を説明するための断面
図である。 １・・・樹脂粒、２・・・結合部、３・・・上板、４・
・・下板、５・・・樹脂層、１０・・・平坦な面。
本発明のポリシングパッドの一実施例の表面状態を示す
走査型電子顕微鏡写真であり、ポリエチレン粒子の構造
を示す図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第２の実施
例のポリシングパッドの作成方法を説明するための断面
図である。 １・・・樹脂粒、２・・・結合部、３・・・上板、４・
・・下板、５・・・樹脂層、１０・・・平坦な面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体材料や光学材料をポリシング加工により高平
坦に加工する場合に用いるポリシングパッドに於いて、
微細な粒状の樹脂が互いに接合されて板状に固められ、
その表面層に位置する樹脂粒は平坦な面を持つ構造を有
することを特徴とするポリシングパッド。 ２、微細な粒状の熱可塑性樹脂を２枚の平板の間に充填
し、上下から圧力をかけながら該熱可塑性樹脂の軟化温
度まで加熱して表面層を軟化させ、表面及び内部に空間
のある焼結構造を作ることを特徴とするポリシングパッ
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233674A JPH0398759A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | ポリシングパッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233674A JPH0398759A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | ポリシングパッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0398759A true JPH0398759A (ja) | 1991-04-24 |
Family
ID=16958758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1233674A Pending JPH0398759A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | ポリシングパッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0398759A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998047662A1 (en) * | 1997-04-18 | 1998-10-29 | Cabot Corporation | Polishing pad for a semiconductor substrate |
| US6117000A (en) * | 1998-07-10 | 2000-09-12 | Cabot Corporation | Polishing pad for a semiconductor substrate |
| US6126532A (en) * | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
| JP2009051002A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-12 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 相互接続された多要素格子研磨パッド |
| JP2011088274A (ja) * | 2011-01-05 | 2011-05-06 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
-
1989
- 1989-09-07 JP JP1233674A patent/JPH0398759A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998047662A1 (en) * | 1997-04-18 | 1998-10-29 | Cabot Corporation | Polishing pad for a semiconductor substrate |
| US6062968A (en) * | 1997-04-18 | 2000-05-16 | Cabot Corporation | Polishing pad for a semiconductor substrate |
| US6126532A (en) * | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
| US6117000A (en) * | 1998-07-10 | 2000-09-12 | Cabot Corporation | Polishing pad for a semiconductor substrate |
| JP2009051002A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-12 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 相互接続された多要素格子研磨パッド |
| KR101483306B1 (ko) * | 2007-08-16 | 2015-01-15 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 상호연결된-다중-요소-격자 연마 패드 |
| JP2011088274A (ja) * | 2011-01-05 | 2011-05-06 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
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