JPH039588A - マルチビーム半導体レーザ - Google Patents
マルチビーム半導体レーザInfo
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- JPH039588A JPH039588A JP14294389A JP14294389A JPH039588A JP H039588 A JPH039588 A JP H039588A JP 14294389 A JP14294389 A JP 14294389A JP 14294389 A JP14294389 A JP 14294389A JP H039588 A JPH039588 A JP H039588A
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- Japan
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- laser
- semiconductor laser
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マルチビーム半導体レーザに係り。
特に、マルチビーム光ヘッドに用いるに好適なマルチビ
ーム半導体レーザに関する。
ーム半導体レーザに関する。
第２図は、従来のマルチビーム半導体レーザを示す斜視
図であって、１はレーザチップ基板、２は半導体レーザ
素子、３は光出力モニタ素子、４は素子間分離溝、５は
エツチドミラー溝、６はレーザ光出射端面である６ レーザチップ基板１の上にプロセス技術によって複数の
半導体レーザ素子−２が一体形成される。
図であって、１はレーザチップ基板、２は半導体レーザ
素子、３は光出力モニタ素子、４は素子間分離溝、５は
エツチドミラー溝、６はレーザ光出射端面である６ レーザチップ基板１の上にプロセス技術によって複数の
半導体レーザ素子−２が一体形成される。
各半導体レーザ素子２の間にはエツチング技術によって
素子間分離溝４が形成され、各半導体素子２が独立に駆
動可能なようにされる。この時、各先出力モニタ素子３
の間にも同時に、素子間分離溝４が形成される。各半導
体レーザ素子２と各光出力モニタ素子３の間に、エツチ
ング技術によってエツチドミラー溝５が形成される。レ
ーザ光出射端面６は、へき開もしくはエツチング技術に
よって同一平面として形成される。
素子間分離溝４が形成され、各半導体素子２が独立に駆
動可能なようにされる。この時、各先出力モニタ素子３
の間にも同時に、素子間分離溝４が形成される。各半導
体レーザ素子２と各光出力モニタ素子３の間に、エツチ
ング技術によってエツチドミラー溝５が形成される。レ
ーザ光出射端面６は、へき開もしくはエツチング技術に
よって同一平面として形成される。
各半導体レーザ素子２が駆動されると、各半導体レーザ
素子２のレーザ光出射端面６から、レーザ光が出射され
る。これらのレーザ光を１個のコリメートレンズで平行
光に変換し、さらに１個の対物レンズで集光することに
より、光記憶媒体上に半導体レーザ素子の数だけのスポ
ットが結ばれ。
素子２のレーザ光出射端面６から、レーザ光が出射され
る。これらのレーザ光を１個のコリメートレンズで平行
光に変換し、さらに１個の対物レンズで集光することに
より、光記憶媒体上に半導体レーザ素子の数だけのスポ
ットが結ばれ。
マルチビーム光ヘッドに用いられる。なお、この種の技
術が記載されている文献として９例えば。
術が記載されている文献として９例えば。
広瀬ほか、′モノリシックに集積化したＧ ａ Ａｌｌ
Ａ ｓレーザ／ディテクタ・アレイ”、信学技報。
Ａ ｓレーザ／ディテクタ・アレイ”、信学技報。
ＯＱ Ｅ ８６−１０．頁７３−７７ （１９８６）、
及び、内円ほか、′集積型Ａ１１ＧａＡｓ２ビームＬ
Ｄ−ＰＤアレー”、信学会論文誌、Ｃ，Ｊ７１−Ｃ，Ｎ
ｏ、５．頁７３９−７４７ （１９８８）、がある。
及び、内円ほか、′集積型Ａ１１ＧａＡｓ２ビームＬ
Ｄ−ＰＤアレー”、信学会論文誌、Ｃ，Ｊ７１−Ｃ，Ｎ
ｏ、５．頁７３９−７４７ （１９８８）、がある。
しかしながら、従来のマルチビーム半導体レーザにおい
ては、レーザ光出射端面が同一平面で構成されていたの
で、マルチビーム光ヘッドに用いた場合、コリメートレ
ンズ及び対物レンズが有する像面わん曲歪のために、対
物レンズで集光された各スポットの対物レンズからの距
離が異なるという問題があった。すなおち、光記憶媒体
面での寸法が拡大するビームが生じ、記録再生信号の品
質が著しく劣化するという問題があった。
ては、レーザ光出射端面が同一平面で構成されていたの
で、マルチビーム光ヘッドに用いた場合、コリメートレ
ンズ及び対物レンズが有する像面わん曲歪のために、対
物レンズで集光された各スポットの対物レンズからの距
離が異なるという問題があった。すなおち、光記憶媒体
面での寸法が拡大するビームが生じ、記録再生信号の品
質が著しく劣化するという問題があった。
本発明の目的は、従来技術での上記した問題点を解決し
、マルチビーム光ヘッドに用いる場合。
、マルチビーム光ヘッドに用いる場合。
対物レンズで集光された各スポットの対物レンズからの
距離を等しくでき、これにより、記録再生信号品質の劣
化を回避でき、さらに、使用可能なマルチビーム半導体
レーザ素子の数を増やすことのできるマルチビーム半導
体レーザを提供することにある。
距離を等しくでき、これにより、記録再生信号品質の劣
化を回避でき、さらに、使用可能なマルチビーム半導体
レーザ素子の数を増やすことのできるマルチビーム半導
体レーザを提供することにある。
上記目的は、複数の半導体レーザ素子を同一基板上に形
成して成るマルチビーム半導体レーザにおいて、レーザ
光出射端面が、外側の半導体レーザ素子から中央側の半
導体レーザ素子になるにつれて、レーザ光出射方向と反
対の方向に凹むよう。
成して成るマルチビーム半導体レーザにおいて、レーザ
光出射端面が、外側の半導体レーザ素子から中央側の半
導体レーザ素子になるにつれて、レーザ光出射方向と反
対の方向に凹むよう。
半導体レーザ素子ごとに順次段差をつけて形成されてい
る構成とすることにより、達成される。
る構成とすることにより、達成される。
レーザ光出射端面が、各半導体レーザ素子ごとに順次段
差をつけて、中央側のものほど凹むように形成されてい
ることで、対物レンズで集光された各スポットの対物レ
ンズからの距離が等しくなる。
差をつけて、中央側のものほど凹むように形成されてい
ることで、対物レンズで集光された各スポットの対物レ
ンズからの距離が等しくなる。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図であって、ｌは
はレーザチップ基板、２は半導体レーザ素子、３は光出
力モニタ素子、４は素子間分離溝。
はレーザチップ基板、２は半導体レーザ素子、３は光出
力モニタ素子、４は素子間分離溝。
５はエツチドミラー溝、６はレーザ光出射端面である。
レーザチップ基板１の上にプロセス技術によって複数の
半導体レーザ素子２が一体形成される。
半導体レーザ素子２が一体形成される。
各半導体レーザ素子２の間には、エツチング技術によっ
て素子量分ｌａ溝４が形成され、各半導体レーザ素子２
が独立に駆動可能なようにされる。この時、各光出力モ
ニタ素子３の間にも同時に、素子間分離溝４が形成され
る。レーザ光出射端面６は、エツチング技術によって、
外側の半導体レーザ素子から中央側の半導体レーザ素子
になるにつれて、レーザ光出射方向と反対の方向に凹む
よう。
て素子量分ｌａ溝４が形成され、各半導体レーザ素子２
が独立に駆動可能なようにされる。この時、各光出力モ
ニタ素子３の間にも同時に、素子間分離溝４が形成され
る。レーザ光出射端面６は、エツチング技術によって、
外側の半導体レーザ素子から中央側の半導体レーザ素子
になるにつれて、レーザ光出射方向と反対の方向に凹む
よう。
半導体レーザ素子ごとに段差をつけて形成される。
また、各半導体レーザ素子２と各光出力モニタ素子３の
間に、エツチング技術によって、上記レーザ光出射端面
６の段差と同様の段差を有するエツチドミラー溝５が形
成される。
間に、エツチング技術によって、上記レーザ光出射端面
６の段差と同様の段差を有するエツチドミラー溝５が形
成される。
各半導体レーザ素子２が駆動されると、各半導体レーザ
素子２のレーザ光出射端面から、レーザ光が出射される
。これらのレーザ光を１個のコリメートレンズで平行光
に変換し、さらに１個の対物レンズで集光することによ
り、光記憶媒体上に半導体レーザ素子の数だけのスポッ
トを結ばせ。
素子２のレーザ光出射端面から、レーザ光が出射される
。これらのレーザ光を１個のコリメートレンズで平行光
に変換し、さらに１個の対物レンズで集光することによ
り、光記憶媒体上に半導体レーザ素子の数だけのスポッ
トを結ばせ。
これにより、マルチビーム光ヘッドに用いられる。
全ての半導体レーザ素子２のレーザ光出射端面６が同一
平面である場合は、外側の半導体レーザ素子からのレー
ザ光スポットはど、対物レンズがらの距離が近くなる。
平面である場合は、外側の半導体レーザ素子からのレー
ザ光スポットはど、対物レンズがらの距離が近くなる。
しかしながら９本発明の場合には、外側の半導体レーザ
素子のレーザ光出射端面はどコリメートレンズに近くな
るようにしであるので、そのレーザ光のスポットは対物
レンズから遠ざかる。すなわち、各半導体レーザ素子２
のレーザ光出射端面６に適切な段差を付与することによ
って、各半導体レーザ素子２からのレーザ光の各スポッ
トと対物レンズとの距離を等しくすることができて、各
スポットを記憶媒体面上に位置させることができる。
素子のレーザ光出射端面はどコリメートレンズに近くな
るようにしであるので、そのレーザ光のスポットは対物
レンズから遠ざかる。すなわち、各半導体レーザ素子２
のレーザ光出射端面６に適切な段差を付与することによ
って、各半導体レーザ素子２からのレーザ光の各スポッ
トと対物レンズとの距離を等しくすることができて、各
スポットを記憶媒体面上に位置させることができる。
第１図の実施例においては、レーザ光出射端面を形成す
るのに、レーザチップ基板１まで全部をエツチングする
構成としたが、一部の深さまでをエツチングで形成した
後、へき開によりレーザチップの切り出しを行う構成と
しても良い、また。
るのに、レーザチップ基板１まで全部をエツチングする
構成としたが、一部の深さまでをエツチングで形成した
後、へき開によりレーザチップの切り出しを行う構成と
しても良い、また。
実施例では、エツチドミラー溝５は、レーザ光出射端面
６の段差と同様の段差を有する形状としたが、これは、
直線状の形状とするなど種々の形状であってよい、さら
には、各光出力モニタ素子３を有さない構成とし、各半
導体レーザ素子２のレーザ光出射端面６と反対側の端面
ば、へき開あるいはエツチングによって形成してもよい
。
６の段差と同様の段差を有する形状としたが、これは、
直線状の形状とするなど種々の形状であってよい、さら
には、各光出力モニタ素子３を有さない構成とし、各半
導体レーザ素子２のレーザ光出射端面６と反対側の端面
ば、へき開あるいはエツチングによって形成してもよい
。
以上説明したように２本発明によれば、外側の半導体レ
ーザ素子から中央側の半導体レーザ素子になるにつれて
、レーザ光出射方向と反対の方向に凹むよう、半導体レ
ーザ素子ごとにレーザ光出射端面に段差をつける構成と
したことにより、マルチビーム光ヘッドに用いる場合、
対物レンズで集光された各スポットの対物レンズからの
距離を等しくできるようになり、これにより、光記憶媒
体面上で良く絞られたスポットを得ることができ。
ーザ素子から中央側の半導体レーザ素子になるにつれて
、レーザ光出射方向と反対の方向に凹むよう、半導体レ
ーザ素子ごとにレーザ光出射端面に段差をつける構成と
したことにより、マルチビーム光ヘッドに用いる場合、
対物レンズで集光された各スポットの対物レンズからの
距離を等しくできるようになり、これにより、光記憶媒
体面上で良く絞られたスポットを得ることができ。
記録再生信号品質の劣化を回避でき、使用可能なマルチ
ビーム半導体レーザの素子数を増大できるという効果が
ある。
ビーム半導体レーザの素子数を増大できるという効果が
ある。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は従来
例を示す斜視図である。 く符号の説明〉
例を示す斜視図である。 く符号の説明〉
Claims (1)
- １、複数の半導体レーザ素子を同一基板上に形成したマ
ルチビーム半導体レーザにおいて、レーザ光出射端面が
、外側の半導体レーザ素子から中央側の半導体レーザ素
子になるにつれて、レーザ光出射方向と反対の方向に凹
むよう、半導体レーザ素子ごとに順次段差をつけて形成
されていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14294389A JPH039588A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | マルチビーム半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14294389A JPH039588A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | マルチビーム半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH039588A true JPH039588A (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=15327256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14294389A Pending JPH039588A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | マルチビーム半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH039588A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5619521A (en) * | 1993-04-12 | 1997-04-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser system |
| US8853242B2 (en) | 2009-08-06 | 2014-10-07 | Astellas Pharma Inc. | Nitrogenous-ring acylguanidine derivative |
-
1989
- 1989-06-07 JP JP14294389A patent/JPH039588A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5619521A (en) * | 1993-04-12 | 1997-04-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser system |
| US8853242B2 (en) | 2009-08-06 | 2014-10-07 | Astellas Pharma Inc. | Nitrogenous-ring acylguanidine derivative |
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