JPH0393694A - 砥粒の製造方法 - Google Patents
砥粒の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、単結晶または多結晶のダイヤモンド粒からな
る砥粒の製造方法に関するものである。
る砥粒の製造方法に関するものである。
「従来の技術］
ダイヤモンド砥粒は、切断用および研削用の砥石の研磨
材として用いられており、砥石の用途によってＳＤ（ソ
ーブレード用） 、ＭＤ （メタルボンド用）、ＲＤ（
レジンボンド用）、ミクロンパウダー等の等級に分類さ
れている。これらの砥粒の材料とするダイヤモンドとし
ては、天然ダイヤモンドの粒や粉末の他に、人工合成ダ
イヤモンドが使われており、その合或法としては、従来
、殆どが静的高圧法により、一部衝撃波法にもよってい
た。
材として用いられており、砥石の用途によってＳＤ（ソ
ーブレード用） 、ＭＤ （メタルボンド用）、ＲＤ（
レジンボンド用）、ミクロンパウダー等の等級に分類さ
れている。これらの砥粒の材料とするダイヤモンドとし
ては、天然ダイヤモンドの粒や粉末の他に、人工合成ダ
イヤモンドが使われており、その合或法としては、従来
、殆どが静的高圧法により、一部衝撃波法にもよってい
た。
静的高圧法は、炭素の融材となる周期律表第８族金属（
Ｆｅ，Ｇｏ，Ｎｉ等）と黒鉛とを混合し、１３００℃、
５０Ｐａ以上の、高温高圧下に一定時間保持してダイヤ
モンドを析出させる方法である。
Ｆｅ，Ｇｏ，Ｎｉ等）と黒鉛とを混合し、１３００℃、
５０Ｐａ以上の、高温高圧下に一定時間保持してダイヤ
モンドを析出させる方法である。
また、衝撃波法は、ターゲットに黒鉛を封入しておき、
これに衝撃板を高速で衝突させて、夕一ゲットの中に強
い衝撃波を発生させたり、あるいは爆発による衝撃波を
利用して、直接ダイヤモンドに変換する方法である。
これに衝撃板を高速で衝突させて、夕一ゲットの中に強
い衝撃波を発生させたり、あるいは爆発による衝撃波を
利用して、直接ダイヤモンドに変換する方法である。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記した静的高圧法や衝撃波法により製
造した人工合成ダイヤモンドから砥粒を製造する方法で
は、いずれも合成されたダイヤモンドを取り出すために
複雑な工程が必要である。
造した人工合成ダイヤモンドから砥粒を製造する方法で
は、いずれも合成されたダイヤモンドを取り出すために
複雑な工程が必要である。
また、粉砕を必要とする場合は、そのために大きな衝撃
力を発生させる装置が必要であり、粉砕されたダイヤモ
ンドの粒度分布が広い範囲に渡るため、粒度を揃えるた
めの分級の工程が不可欠であった。さらに、粉砕によっ
てできるダイヤモンド粒は多くが非等方的な形状をして
おり、鋭く尖った角を持っている。これらの角は、例え
ば半導体製造工程のように、特に精密な仕上げ面を必要
とする用途においては、避けねばな′らないものである
。
力を発生させる装置が必要であり、粉砕されたダイヤモ
ンドの粒度分布が広い範囲に渡るため、粒度を揃えるた
めの分級の工程が不可欠であった。さらに、粉砕によっ
てできるダイヤモンド粒は多くが非等方的な形状をして
おり、鋭く尖った角を持っている。これらの角は、例え
ば半導体製造工程のように、特に精密な仕上げ面を必要
とする用途においては、避けねばな′らないものである
。
本発明は従来のダイヤモンド砥粒の製造方法が持つ上記
の問題点を解決して、粒度が揃いしかも等方的形状のダ
イヤモンド砥粒を簡単な製造工程で得ることができる新
規な砥粒の製造方法を提供するものである。
の問題点を解決して、粒度が揃いしかも等方的形状のダ
イヤモンド砥粒を簡単な製造工程で得ることができる新
規な砥粒の製造方法を提供するものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は単結晶または多結晶のダイヤモンド粒からなる
砥粒の製造方法において、気相合成法により合成された
ダイヤモンド膜を酸素を含む雰囲気中でエッチング処理
した後、該ダイヤモンド膜を粉砕することを特徴とする
砥粒の製造方法である。
砥粒の製造方法において、気相合成法により合成された
ダイヤモンド膜を酸素を含む雰囲気中でエッチング処理
した後、該ダイヤモンド膜を粉砕することを特徴とする
砥粒の製造方法である。
本発明において上記エッチング処理は、常圧または減圧
の酸素を含む雰囲気中での熱処理、酸素を含む雰囲気中
でのプラズマ処理、酸素を含む雰囲気中でのイオンビー
ム処理、酸素を含む雰囲気中でのレーザーエッチング処
理によることが、特に好ましい。
の酸素を含む雰囲気中での熱処理、酸素を含む雰囲気中
でのプラズマ処理、酸素を含む雰囲気中でのイオンビー
ム処理、酸素を含む雰囲気中でのレーザーエッチング処
理によることが、特に好ましい。
本発明は気相合成法を用いて作成した膜状のダイヤモン
ドを、酸素含有雰囲気中で処理することによって、結晶
粒界に沿ってエッチングし、これを粉砕して粒状のダイ
ヤモンドの得るものである。
ドを、酸素含有雰囲気中で処理することによって、結晶
粒界に沿ってエッチングし、これを粉砕して粒状のダイ
ヤモンドの得るものである。
本発明において膜状のダイヤモンドを合成する手段とし
ては、フィラメントＣｖＤ法、マイクロ波ＣＶＤ法、火
炎法、プラズマジェ，ト法など、この種の分野で公知の
技術を採用することができる。
ては、フィラメントＣｖＤ法、マイクロ波ＣＶＤ法、火
炎法、プラズマジェ，ト法など、この種の分野で公知の
技術を採用することができる。
これらの手段によって合成されたダイヤモンド膜は、多
くは多結晶体であり、それぞれのプロセスのパラメータ
ーを変えることによって、結晶粒径を変化させることが
できるので、ダイヤモンドの粒径の範囲は０．５〜数百
μｍに渡ることができる。
くは多結晶体であり、それぞれのプロセスのパラメータ
ーを変えることによって、結晶粒径を変化させることが
できるので、ダイヤモンドの粒径の範囲は０．５〜数百
μｍに渡ることができる。
また、一般的には、これらのダイヤモンド膜には結晶粒
界に極小量のアモルファスカーボンもしくはグラファイ
トが含まれている。気相合成法によって得られるダイヤ
モンド膜の断面の模式図を第１図に示す。図中、１は基
板、２はダイヤモンド結晶粒である。なお、本発明にお
ける基板としては、例えば多結晶シリコン、単結晶シリ
コン、モリブデン等を使用することができ、好ましくは
溶解除去の容易さ及び価格の点で単結晶シリコンである
。
界に極小量のアモルファスカーボンもしくはグラファイ
トが含まれている。気相合成法によって得られるダイヤ
モンド膜の断面の模式図を第１図に示す。図中、１は基
板、２はダイヤモンド結晶粒である。なお、本発明にお
ける基板としては、例えば多結晶シリコン、単結晶シリ
コン、モリブデン等を使用することができ、好ましくは
溶解除去の容易さ及び価格の点で単結晶シリコンである
。
このようにして得られたダイヤモンド膜を、酸素を含む
雰囲気中で処理すると、結晶粒界や、結晶粒界に存在す
るアモルファスカーボン、グラファイト等が優先的にエ
ッチングされ、ダイヤモンド膜の断面組織は第２図に示
したように、粒界に沿って溝３の生じた組織となる。こ
れは、ダイヤモンドとグラファイト及びアモルファスカ
ーボンでは、酸素との化合のし易さが大きく異なるため
であり、例えば大気中ではグラファイト及びアモルファ
スカーボンは約５００℃以上で酸化されるのに対して、
ダイヤモンドは約８００℃まで酸化されず安定である。
雰囲気中で処理すると、結晶粒界や、結晶粒界に存在す
るアモルファスカーボン、グラファイト等が優先的にエ
ッチングされ、ダイヤモンド膜の断面組織は第２図に示
したように、粒界に沿って溝３の生じた組織となる。こ
れは、ダイヤモンドとグラファイト及びアモルファスカ
ーボンでは、酸素との化合のし易さが大きく異なるため
であり、例えば大気中ではグラファイト及びアモルファ
スカーボンは約５００℃以上で酸化されるのに対して、
ダイヤモンドは約８００℃まで酸化されず安定である。
雰囲気処理の手段として、通常の雰囲気熱処理、減圧雰
囲気熱処理、各種の放電を利用したプラズマ処理、イオ
ンビーム処理、レーザーエッチング処理等を適用するこ
とができる。
囲気熱処理、各種の放電を利用したプラズマ処理、イオ
ンビーム処理、レーザーエッチング処理等を適用するこ
とができる。
通常の雰囲気熱処理は、酸素を１０〜１００容量％含み
、残りがアルゴン、窒素等の不活性ガスからなる雰囲気
を満たした容器中で、被処理ダイヤモンド膜を４００〜
６００℃に加熱することで処理を行なうことができる。
、残りがアルゴン、窒素等の不活性ガスからなる雰囲気
を満たした容器中で、被処理ダイヤモンド膜を４００〜
６００℃に加熱することで処理を行なうことができる。
減圧雰囲気熱処理の場合は、上記の組成の雰囲気を真空
槽内で５０〜７６０Ｔｏｒｒに減圧して処理することが
できる。
槽内で５０〜７６０Ｔｏｒｒに減圧して処理することが
できる。
この場合は、処理温度を５００〜７００℃に上げた方が
処理速度の点から好ましい。
処理速度の点から好ましい。
プラズマ処理は、酸素を２〜４０容量％含むアルゴン雰
囲気を１〜ｌＱＱＴｏｒｒに減圧して、この雰囲気中で
、ＤＣ （５００Ｖ 〜３ ｋＶ，１０ 〜５００
ｍＡ） 、ＲＦ （１ ３．５６ＭＨｚ，１ ００Ｗ〜
１ ｋＷ）、マイクロ波（２．４ ５ＧＨｚ，１ ００
Ｗ−１ｋＷ）等の条件でグロー放電を起こし、これによ
って発生するプラズマ中に被処理ダイヤモンド膜を設置
することによって処理を行なうことができる。
囲気を１〜ｌＱＱＴｏｒｒに減圧して、この雰囲気中で
、ＤＣ （５００Ｖ 〜３ ｋＶ，１０ 〜５００
ｍＡ） 、ＲＦ （１ ３．５６ＭＨｚ，１ ００Ｗ〜
１ ｋＷ）、マイクロ波（２．４ ５ＧＨｚ，１ ００
Ｗ−１ｋＷ）等の条件でグロー放電を起こし、これによ
って発生するプラズマ中に被処理ダイヤモンド膜を設置
することによって処理を行なうことができる。
結晶粒界、結晶粒界に存在する不純物等をエッチングさ
れたダイヤモンド膜は、基材の除去後の粉砕の過程でエ
ッチングによって膜中に入った溝３に沿って簡単に粉砕
され粒状化する。粉砕の手段としては、ボールミル等で
充分である。
れたダイヤモンド膜は、基材の除去後の粉砕の過程でエ
ッチングによって膜中に入った溝３に沿って簡単に粉砕
され粒状化する。粉砕の手段としては、ボールミル等で
充分である。
本発明の方法によって得られる砥粒の粒径は、ダイヤモ
ンド膜の成膜時の結晶粒径と同じになるので、その範囲
としては、０．５〜数百μｍに渡ることができる。
ンド膜の成膜時の結晶粒径と同じになるので、その範囲
としては、０．５〜数百μｍに渡ることができる。
［作用］
本発明の方法により製造されるダイヤモンド砥粒は、ダ
イヤモンド膜の合成中に形成された結晶粒の大きさにな
るため、粒度が揃っている。従って、粉砕工程の後に粒
度選別の工程を大幅に簡略化することができる。
イヤモンド膜の合成中に形成された結晶粒の大きさにな
るため、粒度が揃っている。従って、粉砕工程の後に粒
度選別の工程を大幅に簡略化することができる。
また、本発明によるダイヤモンド砥粒の形は、ダイヤモ
ンドの自形を持った等方的な粒子となるので、尖角を持
った不規則な形状の粒子による被研磨材のスクラッチン
グを起こさずに研磨することが可能となる。
ンドの自形を持った等方的な粒子となるので、尖角を持
った不規則な形状の粒子による被研磨材のスクラッチン
グを起こさずに研磨することが可能となる。
［実施例］
実施例ｌ
マイクロ波ＣＶＤ法を用いて、多結晶シリコン基板上に
平均粒径１０μｍのダイヤモンド膜を合成した。この場
合のコーティング条件は、ＣＨ．／Ｈ，＝３．５２ ：
１００、圧力４ＱＴｏｒｒマイクロ波（２．４５ＧＨ
ｚ）出力５５０Ｗで、３時間のコーティングにより、約
５０μｍの厚さのダイヤモンド膜がコーティングされた
。この基材をコーティング装置から取り出し、酸素一ア
ルゴン雰囲気中でプラズマエ・ノチングを行った＠この
時の条件は、酸素３５容量％、アルゴン６５容置％、圧
力２ ０ Ｔｏｒｒ， Ｒ Ｆ （ １ ３．５ ６Ｍ
Ｈｚ）出力３００Ｗ，エッチング時間２時間である。エ
ッチング終了後、シリコン基材を弗硝酸中で溶解除去し
、得られたダイヤモンド単体膜を乳鉢中で粉砕したとこ
ろ、平均粒径１５μｍのダイヤモンド粉末が得られた。
平均粒径１０μｍのダイヤモンド膜を合成した。この場
合のコーティング条件は、ＣＨ．／Ｈ，＝３．５２ ：
１００、圧力４ＱＴｏｒｒマイクロ波（２．４５ＧＨ
ｚ）出力５５０Ｗで、３時間のコーティングにより、約
５０μｍの厚さのダイヤモンド膜がコーティングされた
。この基材をコーティング装置から取り出し、酸素一ア
ルゴン雰囲気中でプラズマエ・ノチングを行った＠この
時の条件は、酸素３５容量％、アルゴン６５容置％、圧
力２ ０ Ｔｏｒｒ， Ｒ Ｆ （ １ ３．５ ６Ｍ
Ｈｚ）出力３００Ｗ，エッチング時間２時間である。エ
ッチング終了後、シリコン基材を弗硝酸中で溶解除去し
、得られたダイヤモンド単体膜を乳鉢中で粉砕したとこ
ろ、平均粒径１５μｍのダイヤモンド粉末が得られた。
この粉末を走査型電子顕微鏡で観察したところ、塊状の
形をしており、結晶粒界に沿って粉砕されていることが
確認できた。またこのものの粒度分布をレーザー散乱法
により測定したところ、第３図に示すように狭い粒度分
布を示した。
形をしており、結晶粒界に沿って粉砕されていることが
確認できた。またこのものの粒度分布をレーザー散乱法
により測定したところ、第３図に示すように狭い粒度分
布を示した。
比較例ｌ
実施例ｌと同じプロセスで合成したダイヤモンド膜を上
記の熱処理なしで基材を除去し、粉砕したところ、平均
粒径５５μｍの不規則な形状をし、尖った角を多く持つ
粉末しか得られなかった。また、このものの粒度分布は
第４図に示すように広いものであった。
記の熱処理なしで基材を除去し、粉砕したところ、平均
粒径５５μｍの不規則な形状をし、尖った角を多く持つ
粉末しか得られなかった。また、このものの粒度分布は
第４図に示すように広いものであった。
実施例２
フィラメントＣＶＤ法を用いて、多結晶シリコン基板上
に平均粒径ｌＯＯμｍのダイヤモンド膜を合威した。こ
の場合のコーティング条件はＯＨ．／Ｈ．＝２．３ ：
１００，圧力８０Ｔｏ ｒ ｒ，７イラメント温度２
０００℃で３０時間のコーティングにより、約２００μ
ｍの厚さのダイヤモンド膜がコーティングされた。この
基材をコーティング装置から取り出し、酸素を１５％含
むアルゴン雰囲気中（圧力３５０Ｔｏ ｒ ｒ）で６５
０℃、１０時間の熱処理を施しエッチングした。その後
、シリコン基材を弗硝酸中で溶解除去し、得られたダイ
ヤモンド単体膜をボールミル中で粉砕したところ、平均
粒径１２０μｍのダイヤモンド粉末が得られた。この粉
末を走査型電子顕微鏡で観察したところ、塊状の形をし
ており、結晶粒界に沿って粉砕されていることが確認で
きた。またこのものの粒度分布は第５図に示すように狭
いものであった。
に平均粒径ｌＯＯμｍのダイヤモンド膜を合威した。こ
の場合のコーティング条件はＯＨ．／Ｈ．＝２．３ ：
１００，圧力８０Ｔｏ ｒ ｒ，７イラメント温度２
０００℃で３０時間のコーティングにより、約２００μ
ｍの厚さのダイヤモンド膜がコーティングされた。この
基材をコーティング装置から取り出し、酸素を１５％含
むアルゴン雰囲気中（圧力３５０Ｔｏ ｒ ｒ）で６５
０℃、１０時間の熱処理を施しエッチングした。その後
、シリコン基材を弗硝酸中で溶解除去し、得られたダイ
ヤモンド単体膜をボールミル中で粉砕したところ、平均
粒径１２０μｍのダイヤモンド粉末が得られた。この粉
末を走査型電子顕微鏡で観察したところ、塊状の形をし
ており、結晶粒界に沿って粉砕されていることが確認で
きた。またこのものの粒度分布は第５図に示すように狭
いものであった。
実施例３
プラズマジェット法を用いて、モリブデン基板上に平均
粒径３００μｍのダイヤモンド膜を合成した。この場合
の合成条件は、ＣＨ．／Ｈ．＝３ ：１００、圧力２０
０ ＴＯｒｒ、プラズマ電圧１１０Ｖ、プラズマ電流９
５Ａで、２時間のコーティングにより、約１．３ ■の
厚さのダイヤモンド膜がコーティングされた。この基材
を１ ｋＶ， ３ ５ ＠Ａの酸素イオンビーム中に
２時間設置してエッチング処理を行なった。その後、モ
リブデン基材を王水で溶解し除去し、得られたダイヤモ
ンド単体膜を乳鉢中で粉砕したところ、平均粒径２７０
μｍのダイヤモンド砥粒が得られた。
粒径３００μｍのダイヤモンド膜を合成した。この場合
の合成条件は、ＣＨ．／Ｈ．＝３ ：１００、圧力２０
０ ＴＯｒｒ、プラズマ電圧１１０Ｖ、プラズマ電流９
５Ａで、２時間のコーティングにより、約１．３ ■の
厚さのダイヤモンド膜がコーティングされた。この基材
を１ ｋＶ， ３ ５ ＠Ａの酸素イオンビーム中に
２時間設置してエッチング処理を行なった。その後、モ
リブデン基材を王水で溶解し除去し、得られたダイヤモ
ンド単体膜を乳鉢中で粉砕したところ、平均粒径２７０
μｍのダイヤモンド砥粒が得られた。
実施例４
実施例３と同様にしてプラズマジェット法で得ら／れた
平均粒径３００μｍのダイヤモンド膜のモリブデン基材
を王水で溶解除去し、得られた単体ダイヤモンド膜を３
ＱＴｏｒｒの酸素中に置き、戊長面側、基材面側両方か
ら合計２００ａ＋Ｊのアルゴンエキシマレーザーを５分
間照射し、レーザーエッチング処理を行なった。その後
、この膜を乳鉢中で粉砕したところ、平均粒径３５０μ
ｍのダイヤモンド砥粒が得られた。
平均粒径３００μｍのダイヤモンド膜のモリブデン基材
を王水で溶解除去し、得られた単体ダイヤモンド膜を３
ＱＴｏｒｒの酸素中に置き、戊長面側、基材面側両方か
ら合計２００ａ＋Ｊのアルゴンエキシマレーザーを５分
間照射し、レーザーエッチング処理を行なった。その後
、この膜を乳鉢中で粉砕したところ、平均粒径３５０μ
ｍのダイヤモンド砥粒が得られた。
以上の実施例では、マイクロ波ＣＶＤ法、熱フィラメン
トＣＶＤ法、プラズマジェット法によるダイヤモンド膜
気相合成を用いた例を挙げたが、本発明におけるダイヤ
モンドの気相合成はその他、火炎法、レーザーＣＶＤ法
、イオンビーム法等のいずれの方法によっても同じ効果
を得ることができる。さらに、酸素含有雰囲気によるエ
ッチング処理法として、雰囲気熱処理、減圧雰囲気熱処
理、プラズマエッチング、イオンビームエッチング、レ
ーザーエッチング等のいずれの処理法でも同し効果が得
られることを確認した。
トＣＶＤ法、プラズマジェット法によるダイヤモンド膜
気相合成を用いた例を挙げたが、本発明におけるダイヤ
モンドの気相合成はその他、火炎法、レーザーＣＶＤ法
、イオンビーム法等のいずれの方法によっても同じ効果
を得ることができる。さらに、酸素含有雰囲気によるエ
ッチング処理法として、雰囲気熱処理、減圧雰囲気熱処
理、プラズマエッチング、イオンビームエッチング、レ
ーザーエッチング等のいずれの処理法でも同し効果が得
られることを確認した。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の方法によって製造されるダ
イヤモンド砥粒は、ダイヤモンド膜の合成中に形或され
た結晶粒の大きさになるため、粒度が揃っている。従っ
て、粉砕工程後の粒度遺別の工程を大幅に簡略化するこ
とができる。
イヤモンド砥粒は、ダイヤモンド膜の合成中に形或され
た結晶粒の大きさになるため、粒度が揃っている。従っ
て、粉砕工程後の粒度遺別の工程を大幅に簡略化するこ
とができる。
また、本発明品の砥粒の形は、ダイヤモンドの自形を持
つ等方的な粒子であるので、従来品を用いる場合のよう
に尖角を有する不規則な粒子による被研磨材のスクラッ
チングを起こすことなく、研磨することが可能である。
つ等方的な粒子であるので、従来品を用いる場合のよう
に尖角を有する不規則な粒子による被研磨材のスクラッ
チングを起こすことなく、研磨することが可能である。
第ｌ図は気相合成によって作成されたダイヤモンド膜断
面の模式図である。図面中１は基板、２はダイヤモンド
結晶粒を示す。第２図は、第１図のダイヤモンド膜を酸
素を含む雰囲気中での熱処理によりエッチングした後の
膜断面の模式図であり、図中３は酸素処理により生じた
溝を示す。 第３図ないし第５図は、ダイヤモンド粉末の粒度分布図
であって、第３図は実施例１で得られた本発明品、第４
図は比較例１で得られた比較品、第５図は実施例２で得
られた本発明品の粒度分布を示す。
面の模式図である。図面中１は基板、２はダイヤモンド
結晶粒を示す。第２図は、第１図のダイヤモンド膜を酸
素を含む雰囲気中での熱処理によりエッチングした後の
膜断面の模式図であり、図中３は酸素処理により生じた
溝を示す。 第３図ないし第５図は、ダイヤモンド粉末の粒度分布図
であって、第３図は実施例１で得られた本発明品、第４
図は比較例１で得られた比較品、第５図は実施例２で得
られた本発明品の粒度分布を示す。
Claims (5)
- （１）単結晶または多結晶のダイヤモンド粒からなる砥
粒の製造方法において、気相合成法により合成されたダ
イヤモンド膜を酸素を含む雰囲気中でエッチング処理し
た後、該ダイヤモンド膜を粉砕することを特徴とする砥
粒の製造方法。 - （２）上記エッチング処理が常圧または減圧の酸素を含
む雰囲気中での熱処理であることを特徴とする請求項（
１）記載の砥粒の製造方法。 - （３）上記エッチング処理が酸素を含む雰囲気中でのプ
ラズマ処理であることを特徴とする請求項（１）記載の
砥粒の製造方法。。 - （４）上記エッチング処理が酸素を含む雰囲気中でのイ
オンビーム処理であることを特徴とする請求項（１）記
載の砥粒の製造方法。 - （５）上記エッチング処理が酸素を含む雰囲気中でのレ
ーザーエッチング処理であることを特徴とする請求項（
１）記載の砥粒の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1229314A JPH0393694A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 砥粒の製造方法 |
| EP19900309666 EP0419087B1 (en) | 1989-09-06 | 1990-09-04 | A process for the production of abrasives |
| DE1990607389 DE69007389T2 (de) | 1989-09-06 | 1990-09-04 | Verfahren zur Herstellung von Schleifmitteln. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1229314A JPH0393694A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 砥粒の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0393694A true JPH0393694A (ja) | 1991-04-18 |
| JPH055798B2 JPH055798B2 (ja) | 1993-01-25 |
Family
ID=16890202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1229314A Granted JPH0393694A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 砥粒の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0419087B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0393694A (ja) |
| DE (1) | DE69007389T2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08325558A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-12-10 | Toyota Banmotsupusu Kk | 複合砥粒及びその製造方法 |
| JP2002060733A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-26 | Ishizuka Kenkyusho:Kk | ダイヤモンド研磨材粒子及びその製法 |
| JP2013117007A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-06-13 | Crystal Kogaku:Kk | 研磨材 |
| JP2013245260A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多結晶ダイヤモンド砥粒およびその製造方法、スラリー、並びに固定砥粒式ワイヤ |
| JP2013245126A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多結晶ダイヤモンド砥粒およびその製造方法、スラリー、並びに固定砥粒式ワイヤ |
| US9487884B2 (en) | 2010-05-31 | 2016-11-08 | International Business Machines Corporation | Producing a mono-crystalline sheet of semiconductor material |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102068A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンドを用いた電子デバイスの電極形成方法 |
| US5334283A (en) * | 1992-08-31 | 1994-08-02 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Process for selectively etching diamond |
| US5334280A (en) * | 1993-05-21 | 1994-08-02 | General Electric Company | Suppression of graphite formation during laser etching of diamond |
| US5711698A (en) * | 1995-05-05 | 1998-01-27 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp | Method of synthetic diamond ablation with an oxygen plasma and synthetic diamonds etched accordingly |
| GB9514558D0 (en) | 1995-07-17 | 1995-09-13 | Gersan Ets | Marking diamond |
| JPH10226589A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドヒートシンクの製造方法 |
| DE102005060883B4 (de) * | 2005-10-21 | 2014-04-30 | Universität of California | Verwendung von Hohlkugeln mit einer Umhüllung sowie Vorrichtung zu ihrer Herstellung |
| WO2009088606A2 (en) * | 2007-12-31 | 2009-07-16 | 3M Innovative Properties Company | Plasma treated abrasive article and method of making same |
| CA2892056C (en) * | 2012-11-21 | 2019-11-12 | National Oilwell DHT, L.P. | Fixed cutter drill bit cutter elements including hard cutting tables made from cvd synthetic diamonds |
| CN106498363B (zh) * | 2016-09-30 | 2019-06-14 | 浙江工业大学 | 具有SiV发光的超小晶粒尺寸纳米金刚石薄膜及其制备 |
| CN111153400B (zh) * | 2020-01-03 | 2021-07-23 | 松山湖材料实验室 | 表面处理提高天然石墨储锂性能的方法及其制品、应用 |
| US20230249262A1 (en) * | 2020-07-09 | 2023-08-10 | Sumitomo Electric Hardmetal Corp. | Diamond-coated tool and method for manufacturing the same |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP1229314A patent/JPH0393694A/ja active Granted
-
1990
- 1990-09-04 EP EP19900309666 patent/EP0419087B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-04 DE DE1990607389 patent/DE69007389T2/de not_active Expired - Fee Related
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| JP2013117007A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-06-13 | Crystal Kogaku:Kk | 研磨材 |
| JP2013245260A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多結晶ダイヤモンド砥粒およびその製造方法、スラリー、並びに固定砥粒式ワイヤ |
| JP2013245126A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多結晶ダイヤモンド砥粒およびその製造方法、スラリー、並びに固定砥粒式ワイヤ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69007389T2 (de) | 1994-06-23 |
| EP0419087A1 (en) | 1991-03-27 |
| DE69007389D1 (de) | 1994-04-21 |
| EP0419087B1 (en) | 1994-03-16 |
| JPH055798B2 (ja) | 1993-01-25 |
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