JPH0391984A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

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JPH0391984A
JPH0391984A JP1229503A JP22950389A JPH0391984A JP H0391984 A JPH0391984 A JP H0391984A JP 1229503 A JP1229503 A JP 1229503A JP 22950389 A JP22950389 A JP 22950389A JP H0391984 A JPH0391984 A JP H0391984A
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crystal cell
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Katsuhisa Tada
勝久 多田
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0064—Anti-reflection devices, e.g. optical isolaters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
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    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は半導体レーザのパッケージの構造に関するも
のである。
（従来の技術） 第２図は従来の半導体レーザ装置のパッケージの構造を
示す図である。同図において、（１）はレーザダイオー
ド（以下ＬＤと略称する）素子（２）＃２ＬＤ素子（１
）を取付けたサブマウント、（３）はＬＤ素子（１）か
ら出る熱を吸収するためのヒートシンク（例えがＡｇや
Ａｕから成るもの）．（４）はヒートシンク（３）を取
付けた鷲ステム、（５）はステム（４）を覆う気密封止
用キャップである．また、（６ｌ）、（６２）はファラ
デー回転子（ｌＯ）をはめ込んだ１対の偏光子（例えば
方解石）．（１１）はファラデー回転子（１０）を機能
させる永久磁石である。
ファラデー回転子（１０）をはめ込んだ１対の偏光子（
６１）、（６２）は互いに４５度だけ偏光方向がずれて
いる。　次に、動作について説明する。ＬＤ素子（１）
から射出されたレーザ光は偏光子（６ｌ）を通過する．
次に、レーザ光はファラデー回転子（ｌＯ）を通過する
が、この間に偏光面が４５度だけ回転し、もう一方の偏
光子（５２）を通って外部へ取り出される。このレーザ
光が外部の光ファイバの接合部等で反射して、再び半導
体レーザ装置へ戻って来る。これを反射戻り光という．
この反射戻り光は偏光子（６２）を通り、ファラデー回
転子（ｌＯ）を通過中に偏光面が再び４５度だけ回転し
，もう一方の偏光子（６ｌ）へ到達する。しかし、この
反射戻り光は射出光に対して９０度回転しているため、
偏光子（６ｌ）を通過することかできない．それ故，半
導体レーザ装置は反射戻り光の影響を受けずに動作する
ことができる。
（発明が解決しようとする課題） 従来の半導体レーザ装置は、上述のように永久磁石（ｌ
１）を用いるので磁場が発生し、そのために塵埃が付着
し易く、また，磁場を嫌うようなシステムには使用する
ことができない。また、ファラデー回転子（ＩＯ）を用
いるため半導体レーザ装置が高価になるという問題があ
る。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、磁場を発生させることなく安価に反射戻り
光を防止することができる半導体レーザ装置を提供する
ことを目的とする。
（課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体レーザ装置はツイストネマチック
液晶セルとこの両主面に配置された１対の偏光子とから
なる反射戻り光防止手段をキャップのレーザ光導出孔に
設けたものである．（作用） この発明における半導体レーザ装置では、ツイストネマ
チック液晶セルの作用によって、磁場を発生させること
なく安価に反射戻り光が阻止される。
（実施例） 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は光アイソレー夕をＴＮ（ツイストネマチック）液晶
セルで構成したこの発明の一実施例による半導体レーザ
装置を示す図である。同図において，（７）はＴＮ液晶
セルてあり、（１）乃至（５）、及び（６１）、（６２
）は第２図の場合と同してある。ＴＮ液晶セル（７）に
おける液晶分子は分子短軸方向に４５度ねじれた配列を
している。
次に、動作について説明する。ＬＤ素子（１）から射出
されたレーザ光は偏光子（６ｌ）を通過し、次に、ＴＮ
液品セル（７）を通過する。レーザ光はこのＴＮ液晶セ
ル（７）を通過中に偏光面が４５度たけ回転する。ＴＮ
液晶セル（７）を通過したレーザ光はもう一方の偏光子
（６２）を通って外部へ取り出される。外部の光ファイ
バ接合部等で反射した反射戻り光は偏光子（６２）を通
り、ＴＮ液晶セル（７）を通過する間に偏光面が再び４
５度だけ回転して、もう１一方の偏光子（６ｌ）へ到達
する。しかし，この反射戻り光は射出光に対して９０度
回転しているため、偏光子（６１）と通過することがで
きない．それ故、半導体レーザ装置は反射戻り光の影響
を受けることなく動作することができる。
（発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、光アイソレー夕をＴ
Ｎ液晶セルで構戊するようにしたので、磁場を発生させ
ることなく安価に反射戻り光を防止することができる．
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す断面側面図、第２図は従来の半導体レーザ装置を示
す断面側面図である。 図において、（１）、（２）、（：Ｉ）は半導体レーザ
装置本体、（５）はキャップ、（７）はツイストネマチ
ック液晶セル、（６１），（６２）は偏光子である。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す， 殆１ 閏 ＬＤ愼手 ２．４フ゜マウ）ト ３　　　ヒートシン７ ４　１呼ム 第２　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体レーザ装置本体を覆う気密封止用キャップ
    に設けたレーザ光導出孔に、ツイストネマチック液晶セ
    ルとこの両主面に配置された１対の偏光子とからなる反
    射戻り光防止手段を設けて構成された半導体レーザ装置
    。
JP1229503A 1989-09-05 1989-09-05 半導体レーザ装置 Expired - Lifetime JPH0724323B2 (ja)

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CA002005957A CA2005957C (en) 1989-09-05 1989-12-19 Semiconductor laser device
US07/461,915 US5020065A (en) 1989-09-05 1990-01-08 Semiconductor laser device
DE69021151T DE69021151T2 (de) 1989-09-05 1990-01-17 Halbleiterlaser-Vorrichtung.
EP90100939A EP0416195B1 (en) 1989-09-05 1990-01-17 Semiconductor laser device

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DE (1) DE69021151T2 (ja)

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JPH0724323B2 (ja) 1995-03-15
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