JPH0389487A - Light source and optical reader - Google Patents
Light source and optical readerInfo
- Publication number
- JPH0389487A JPH0389487A JP1226858A JP22685889A JPH0389487A JP H0389487 A JPH0389487 A JP H0389487A JP 1226858 A JP1226858 A JP 1226858A JP 22685889 A JP22685889 A JP 22685889A JP H0389487 A JPH0389487 A JP H0389487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light source
- electrode layer
- layer
- source device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016495 ErF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K trifluoroerbium Chemical compound F[Er](F)F QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、たとえばファクシミリ装置の密着形イメージ
センサの光源として用いることができるＥＬ素子（エレ
クトロルミネッセンス）を用いる光源装置およびそのよ
うな密着形イメージセンサとして好適な読取り装置に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a light source device using an EL element (electroluminescence), which can be used as a light source of a contact type image sensor of a facsimile machine, and a contact type image sensor of such a type. Regarding preferred reading devices.
従来の技術
従来から密着形イメージセンナの光源として、発光ダイ
オード（略称ＬＥＤ）アレイが光源として用いられてい
る０発光ダイオードアレイは、点光源状の発光ダイオー
ドチップが羅列されて構成されているので、各チップ間
の距離すなわち配列のピッチを、実際には約２ｍｍ程度
未満に近接しなければ、その列の長手方向に十分に均一
な光量とすることができず、またそのチップ間の距離を
大きくして光量が長手方向に不均一になった分だけ受光
素子の出力を電気回路によって補正するように構成した
としても、光量が不足しないようにするには、そのチッ
プ間の距離はせいぜい４〜５ｍ ｒｎ未満とせざるを得
ない、したがって日本工業規格Ａ４サイズの原稿を読取
る密着形イメージセンナなどは、実際には、少なくとも
５′０個程度の発光ダイオードチップが必要であり、そ
のためコストが非常に高くなってしまう。BACKGROUND OF THE INVENTION Conventionally, a light emitting diode (abbreviated as LED) array has been used as a light source for a contact type image sensor.A light emitting diode array is composed of an array of light emitting diode chips in the form of a point light source. In reality, unless the distance between each chip, that is, the pitch of the array, is less than about 2 mm, it is not possible to achieve a sufficiently uniform light amount in the longitudinal direction of the array, and the distance between the chips must be kept close to each other, less than about 2 mm. Even if the output of the light-receiving element is corrected by an electric circuit to compensate for the non-uniformity of the light intensity in the longitudinal direction, the distance between the chips must be at most 4 to 4 mm in order to avoid insufficient light intensity. Therefore, a close-contact image sensor that reads Japanese Industrial Standard A4 size documents actually requires at least 5'0 of light emitting diode chips, which makes the cost extremely high. It gets expensive.
この問題を解決するために、ＥＬ（エレクト・ロルミネ
ッセンス）素子を光源として用いる先行技術が存在する
。To solve this problem, there is a prior art technique that uses an EL (electro-luminescence) element as a light source.
特開昭６２−２７９７７５および特開昭６４−９０５５
１では、ガラス基板の一表面上にＥＬ素子と受光素子列
とを隣接して配置して完全密着形イメージセンサである
読取り装置を構成している。JP-A No. 62-279775 and JP-A No. 64-9055
In No. 1, an EL element and a light-receiving element array are arranged adjacent to each other on one surface of a glass substrate to constitute a reading device that is a complete contact type image sensor.
このような先行技術ではＥＬ素子の輝度が小さいので、
光量が不足し、またこのＥＬ素子の拡散光を原稿に照射
するように構成されているので、迷光が著しく、読取り
の分解能が損なわれてしまう。In such prior art, the luminance of the EL element is low, so
Since the amount of light is insufficient and the document is configured to be irradiated with diffused light from the EL element, stray light is significant and reading resolution is impaired.
他の先行技術は、たとえば特開昭６２−２７９７７６に
開示されている。この先行技術では、ガラス基板の原稿
側に受光素子の列が形成され、そのガラス基板の他方表
面にＥＬ素子が形成されており、このＥＬ素子からの光
は、受光素子に形成された導光窓を通過して原稿を照射
するように構成される。このような先行技術では、ＥＬ
素子グ）輝度が低いので、導光窓を通過するＥし素子か
らの光量だけでは、不十分であって、たとえば在来の発
光ダイオードアレイの光量の約１７５〜１７２０程度の
出力しか得られず、したがってＳＮ比が低下し、階調読
取りを行うことが不可能である。Other prior art is disclosed, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-279776. In this prior art, a row of light-receiving elements is formed on the document side of a glass substrate, and an EL element is formed on the other surface of the glass substrate, and light from the EL element is transmitted through a light guide formed on the light-receiving element. The document is configured to be illuminated through the window. In such prior art, EL
Since the luminance of the element is low, the amount of light from the element passing through the light guide window is insufficient, and for example, the output is only about 175 to 1720, which is the amount of light of a conventional light emitting diode array. , Therefore, the S/N ratio decreases, making it impossible to perform gradation reading.
さらに他の先行技術は、たとえば特開昭６２３９９６０
および特開昭６４−５０６６７に開示されている。この
先行技術では、ＥＬ素子からの光を原稿に照射し、その
騨稿の反射光をたとえばセルホックレンズなどのシリン
ドリカルレンズを用いて受光素子に集光する構成を有す
る。このような先行技術では、ＥＬ素子は拡散光源であ
り、その輝度が低く、たとえば数１０ ｃ ｄ ／ ｒ
ｒ−であるので、レンズにおける光量損失の影響が大き
く、実用的ではない。Still other prior art is, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6239960.
and JP-A-64-50667. This prior art has a configuration in which light from an EL element is irradiated onto a document, and reflected light from the document is focused onto a light receiving element using a cylindrical lens such as a cell-hoc lens. In such prior art, the EL element is a diffuse light source and its brightness is low, for example several 10 c d / r
Since it is r-, the effect of light loss in the lens is large and is not practical.
発明が解決すべき課題
本発明の目的は、ＥＬ素子を用いて原稿などを十分な明
るさで光を均一に照射することができるようにしたＥＬ
素子を用いる光源装置を提供することである。Problems to be Solved by the Invention The purpose of the present invention is to provide an EL device that uses an EL element to uniformly illuminate a document, etc. with sufficient brightness.
An object of the present invention is to provide a light source device using the element.
本発明の他の目的は、このようなＥＬ素子を用いたとき
に生じるノイズによって読取りの誤りを生じないように
した光学的読取り装置を提供することである。Another object of the present invention is to provide an optical reading device that does not cause reading errors due to noise generated when such an EL element is used.
課題を解決するための手段
本発明は、直円柱状透明棒状体の外周面に透光性を極層
、ＥＬ発光層および金属電極層を順次積層するとともに
、周面軸方向に分断されて成るスリット状光射出孔を形
成したことを特徴とする光源装置である。Means for Solving the Problems The present invention consists of sequentially laminating a light-transmitting polar layer, an EL light emitting layer, and a metal electrode layer on the outer circumferential surface of a right cylindrical transparent rod-like body, and dividing the circumferential surface in the axial direction. This is a light source device characterized by forming a slit-shaped light exit hole.
また本発明は、前記金属電極層の上にシールド用導電層
を積層したことを特徴とする。Further, the present invention is characterized in that a shield conductive layer is laminated on the metal electrode layer.
また本発明は、前記光源装置と、前記スリット状光射出
孔に沿って複数の受光素子が配列された読取り部とを備
え、上記光源装置が原稿を照射しその反射光を上記受光
素子が受光するように構成したことを特徴とする光学的
読取り装置。Further, the present invention includes the light source device and a reading section in which a plurality of light receiving elements are arranged along the slit-shaped light exit hole, the light source device irradiates the original and the reflected light is received by the light receiving element. An optical reading device characterized in that it is configured to.
また本発明は、前記光源装置と読取り部との間にシール
ド用導電層を配設したことを特徴とする。Further, the present invention is characterized in that a shielding conductive layer is provided between the light source device and the reading section.
作 用
本発明によれば、直円柱状透明棒状体の外周面に、透光
性電極層、ＥＬ兜光層および金属電極層を順次積層し、
周面輪方向に分断されて成るスリット状光射出孔を形成
したので、ＥＬ発光層自体、拡散光源であり、ＥＬ発光
層の半径方向内方側の透光性電極層から照射された光は
、半径方向外方側の金属電極層によって反射され、光射
出孔のみから、外部に放射される。したがって大きな光
量で均一に原稿などを照射することが可能である。Function According to the present invention, a translucent electrode layer, an EL helmet layer, and a metal electrode layer are sequentially laminated on the outer peripheral surface of a right cylindrical transparent rod-like body,
Since the slit-shaped light exit holes are formed, which are divided in the circumferential ring direction, the EL light emitting layer itself is a diffused light source, and the light irradiated from the translucent electrode layer on the radially inner side of the EL light emitting layer is , is reflected by the metal electrode layer on the radially outer side, and is emitted to the outside only from the light exit hole. Therefore, it is possible to uniformly irradiate a document or the like with a large amount of light.
そのため密着形イメージセンサのような読取り装置の光
源として本発明の光源装置が実施されるとき、読取りの
分解能を向上することができ、また階調読取りが可能で
あり、さらにまたセルホックレンズなどのレンズが用い
られることもまた可能となる。Therefore, when the light source device of the present invention is implemented as a light source for a reading device such as a contact type image sensor, the reading resolution can be improved, gradation reading is possible, and furthermore, it can be used as a light source for a reading device such as a contact type image sensor. It is also possible for lenses to be used.
このような円弧状のＥＬ発光層をガラスの棒状体の外周
面に形成することによって、製造が容易であり、また強
度を向上することができる。By forming such an arc-shaped EL light emitting layer on the outer circumferential surface of a glass rod, manufacturing is easy and strength can be improved.
本発明に従えば、ＥＬ発光層と受光素子との間に接地さ
れたシールド用導電層が介在される。ＥＬ素子は一般に
、電圧５０〜数ｔｏｏｖで周波数５０Ｈｚ〜１ ｋＨｚ
で駆動され、このような交流電力によって受光素子にノ
イズが混入することが、前記接地されたシールド用導電
層によって、防がれる。これによって正確な読取りが可
能となり、誤った読取りを防ぐことができる。According to the present invention, a grounded shield conductive layer is interposed between the EL light emitting layer and the light receiving element. EL elements generally have a voltage of 50 to several toov and a frequency of 50 Hz to 1 kHz.
The grounded shield conductive layer prevents noise from entering the light receiving element due to such AC power. This enables accurate reading and prevents erroneous reading.
実施例
第１図は、本発明の一実施例の光源装置１の断面図であ
る。光源装置１において、直円柱状のガラス棒状体１５
はいわばシリンドリカルレンズを構成し、その外周面に
ＥＬ素子１６が形成される。Embodiment FIG. 1 is a sectional view of a light source device 1 according to an embodiment of the present invention. In the light source device 1, a right cylindrical glass rod-shaped body 15
The lens constitutes a cylindrical lens, and the EL element 16 is formed on its outer peripheral surface.
このＥＬ素子１６は、棒状体１５の外周面に形成される
透明電極Ｍ１７を含む、この透明電極層１７は、たとえ
ば５ｎ０２、Ｉｒｔ２０３およびＩＴＯ（インジウム・
チタン酸化物）などの材料から戒り、真空蒸着またはス
パッタ法によって形成され、その厚みはたとえば１，０
０．０〜２，０００人である。This EL element 16 includes a transparent electrode M17 formed on the outer peripheral surface of the rod-shaped body 15. This transparent electrode layer 17 is made of, for example, 5n02, Irt203 and ITO (indium).
It is formed from materials such as titanium oxide) by vacuum evaporation or sputtering, and its thickness is, for example, 1.0.
0.0 to 2,000 people.
この透明電極層１７上には、絶縁耐圧層１８が形成され
る。この絶縁耐圧層１８は、たとえばＨｆ Ｏ２、Ｙ２
Ｏ，、Ｓｉ、Ｎ、および、１２０．などから成り、真空
蒸着またはスパッタ法によって形成され、その厚みは２
，０００〜３，０００人である。さらにこの絶縁耐圧層
１８の上に、ＥＬ発光層１９が形成される。このＥＬ発
光層は、７． ｒｒ Ｓを主成分とし、発光中心として
、緑色の発光色を得るために、ＰｒＦ、、Ｔｂ Ｆ、お
よびＥ ｒ Ｆ ３などが用いられ、黄色の発光のため
にＤｙＦｚなどのような希土類のフッ化物が添加されて
構成され、その成層状として真空蒸着が行われ、その厚
みはたとえば２．０００人程度である。ＥＬ発光Ｎ１９
の上には、裏面電極層２０が形成される。この電極層２
０は、たとえばアルミニウムなどの材料から成り、真空
蒸着またはスパッタ法によって形成され、その厚みは数
千人である。この電極層２０によって、ＥＬ発光層１９
からの光は電極層２０によって反射され半径方向内方に
向けられる。A dielectric breakdown layer 18 is formed on this transparent electrode layer 17 . This dielectric strength layer 18 is made of, for example, HfO2, Y2
O, Si, N, and 120. It is formed by vacuum evaporation or sputtering, and its thickness is 2
,000 to 3,000 people. Furthermore, an EL light emitting layer 19 is formed on this dielectric breakdown layer 18. This EL light emitting layer consists of 7. With rrS as the main component and the emission center, PrF, TbF, and ErF3 are used to obtain green emission color, and rare earth fluorine such as DyFz is used for yellow emission. The layered layer is vacuum-deposited, and its thickness is, for example, about 2,000 layers. EL luminous N19
A back electrode layer 20 is formed thereon. This electrode layer 2
0 is made of a material such as aluminum, is formed by vacuum deposition or sputtering, and has a thickness of several thousand. This electrode layer 20 allows the EL light emitting layer 19 to
The light from is reflected by the electrode layer 20 and directed radially inward.
したがって光射出孔４からの光量を増大することができ
る。Therefore, the amount of light from the light exit hole 4 can be increased.
電極層２０上ならびに棒状体１５の光射出孔４の上には
、透光性の電気絶縁性材料から成る被覆層２１が形成さ
れる。この被覆層２１は、たとえば透明なポリプロピレ
ンなどの合成樹脂から成る。A covering layer 21 made of a translucent electrically insulating material is formed on the electrode layer 20 and on the light exit hole 4 of the rod-shaped body 15. This coating layer 21 is made of, for example, a transparent synthetic resin such as polypropylene.
第２図を参照して、ＥＬ素子１６の各層１７〜２１の成
膜時の製造工程を述べると、まず棒状体１５の光射出孔
４を形成すべき位置にマスク２３を密着させ、この状態
で成膜物２４を真空蒸着またはスパッタ法で形成する。Referring to FIG. 2, the manufacturing process for forming each layer 17 to 21 of the EL element 16 will be described. First, the mask 23 is brought into close contact with the position where the light exit hole 4 of the rod-shaped body 15 is to be formed. A film 24 is formed by vacuum evaporation or sputtering.
この成膜物２４というのは、前述の各層１７〜２０のう
ちの１つである。成１１１物２４が棒状体１５の外周面
に形成された後に、マスク２３を取外すことによって、
スリット状の光射出孔４を形成して各層１７〜２０を形
成することができる。This film-formed product 24 is one of the layers 17 to 20 described above. By removing the mask 23 after the formation material 24 is formed on the outer peripheral surface of the rod-shaped body 15,
Each layer 17 to 20 can be formed by forming a slit-shaped light exit hole 4 .
第３図はこのような層１７〜２０をエツチング法によっ
て形成する製造工程を示しており、第３図（１〉で示さ
れるように棒状体１５の外周面上にまず成膜物２４を形
成し、その上にポジ形ホトレジスト２５を形成し、次に
紫外線（ＵＶ）光２６を選択的に照射し、こうして紫外
線光２６が照射された光射出孔４に対応する領域が第３
１１Ｊ（２）で示されるように、現像によって形成する
ことができる。その後、エツチングを行ってホトレジス
ト２５を除去することによって、第３図（３）で示され
るように成膜物２４の層を残して形成することができる
。このような成膜物２４は、前述の層１７〜２０のうち
の１つである。このような第２図および第３図に示され
る手法によって、ＥＬ素子１６を棒状体１５の外周面に
形成することができる。FIG. 3 shows a manufacturing process in which such layers 17 to 20 are formed by an etching method. As shown in FIG. Then, a positive photoresist 25 is formed thereon, and then ultraviolet (UV) light 26 is selectively irradiated, so that the area corresponding to the light exit hole 4 irradiated with the ultraviolet light 26 becomes the third
As shown in 11J(2), it can be formed by development. Thereafter, etching is performed to remove the photoresist 25, leaving a layer of the deposited material 24 as shown in FIG. 3(3). Such a deposit 24 is one of the layers 17-20 described above. By the method shown in FIGS. 2 and 3, the EL element 16 can be formed on the outer peripheral surface of the rod-shaped body 15.
第４図は、本発明の他の実施例の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of another embodiment of the invention.
この実施例では、ＥＬ素子１６は棒状体１５の周方向に
部分的に形成されており、裏面を極層２０は、そのＥＬ
素子１６だけでなく、棒状体１５の残余の外周面をも参
照符２０ａで示すように覆いこれによってＥＬ素子１６
からの光が、そのＥＬ素子１６の参照符２０で示す１！
極から延びる部分２０ａによって、反射されて光射出孔
４から放射される。In this embodiment, the EL element 16 is partially formed in the circumferential direction of the rod-shaped body 15, and the pole layer 20 is formed on the back surface of the rod-shaped body 15.
Not only the element 16 but also the remaining outer circumferential surface of the rod-shaped body 15 is covered as shown by reference numeral 20a, thereby covering the EL element 16.
The light from the EL element 16 is 1!
The light is reflected by the portion 20a extending from the pole and is emitted from the light exit hole 4.
第５図は、本発明の他の実施例の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of another embodiment of the invention.
この実施例は前述の第１図に示される実ｍ例に類似する
けれども、注目すべきはこの実施例ではＥＬ素子１６お
よび光射出孔４は、透光性を有するシールド用の導電層
２７によって波頂されており、この導電層２７はライン
２８を介して接地される。Although this embodiment is similar to the above-mentioned example shown in FIG. This conductive layer 27 is grounded via a line 28.
ＥＬ素子１６は、たとえば５０Ｈ２〜１ｋＨ２の交流電
力によって電力付勢される。このＥＬ素子１６からのノ
イズは、導電層２７によって遮断され、受光素子６にそ
のノイズが混入することが防がれる。The EL element 16 is powered by AC power of, for example, 50H2 to 1kHz. This noise from the EL element 16 is blocked by the conductive layer 27, and the noise is prevented from entering the light receiving element 6.
透光性の導電層２７は、たとえば５ｒｔＯｚ、ＩＴｏ、
およびＩｒ＋ｚＣ）ｓなどの材料から戒り、真空蒸着ま
たはスパッタ法によって形成され、その膜厚は５００〜
２，０００人である。導電層２７は、透光性である必要
はなく、光射出孔の上に形成しないのであれば、非透光
性であってもよい。The transparent conductive layer 27 is made of, for example, 5rtOz, ITo,
and Ir+zC)s, and is formed by vacuum evaporation or sputtering, and the film thickness is 500~
There are 2,000 people. The conductive layer 27 does not need to be transparent, and may be non-transparent as long as it is not formed over the light exit hole.
次に、上記ＥＬ素子１６を用いた光源装置を適用した光
学的読取り装置の実・施例を説明する。この光源装置１
は、第６図に示されるように原稿２を読取るための密着
形イメージセンサとしての読取り装置３の光源装置とし
て用いられる。光源装置１の光射出孔４からの光は、導
光窓５を経て原稿２に照射され、その反射光は受光素子
６によって読取られる。この受光素子６の構造に関して
述べると、ガラス基板７上にはクロムまたはアルミニウ
ムなどの材料から成る共通電極８が形成され、その上に
アモルファスシリコン（略称ａ −Ｓ ｉ ）の層９が
形成され、さらにその上に透明導電性の１１ＡｌＯが形
成される。透明導電性膜１０上には、クロムまたはアル
ミニウムなどの材料から成る膜１１が形成される。さら
にその上にエポキシ樹脂などのような透明な層１２が形
成され、その上に保護用ガラス層１３が形成される。Next, an example of an optical reading device to which a light source device using the EL element 16 described above is applied will be described. This light source device 1
is used as a light source device of a reading device 3 as a contact type image sensor for reading a document 2, as shown in FIG. Light from the light emitting hole 4 of the light source device 1 is irradiated onto the original 2 through the light guiding window 5, and the reflected light is read by the light receiving element 6. Regarding the structure of this light receiving element 6, a common electrode 8 made of a material such as chromium or aluminum is formed on a glass substrate 7, and a layer 9 of amorphous silicon (abbreviated as a-S i ) is formed thereon. Furthermore, transparent conductive 11AlO is formed thereon. A film 11 made of a material such as chromium or aluminum is formed on the transparent conductive film 10. Furthermore, a transparent layer 12 such as epoxy resin is formed thereon, and a protective glass layer 13 is formed thereon.
第７図は、本発明の他の実施例の断面図である。FIG. 7 is a sectional view of another embodiment of the invention.
この実施例は第６図に示される構成に類似し、対応する
部分には同一の参照符をけす、注目すべきは、光源１と
受光素子３との間で、ガラス基板７には透光性のシール
ド用導電層３０が形成される。This embodiment is similar to the configuration shown in FIG. A conductive layer 30 for shielding is formed.
この導電層３０は、前述の第５図に示された導電層２７
と同様な構成を有する。This conductive layer 30 is similar to the conductive layer 27 shown in FIG.
It has a similar configuration.
第８図は、本発明のさらに他の実施例の断面図である。FIG. 8 is a sectional view of still another embodiment of the present invention.
この実施例は第７図の実施例に類似するけれども、注目
すべきはこの実施例ではシールド用導電層３１として、
たとえばクロム、ニッケルおよび銅などの材料から成る
金属製である。この導電層３１は、接地される。導電層
３１には、光源１からの光を通過させる導光窓３２が形
成される。Although this embodiment is similar to the embodiment shown in FIG. 7, it should be noted that in this embodiment, as the shielding conductive layer 31,
For example, it is made of metal, consisting of materials such as chromium, nickel and copper. This conductive layer 31 is grounded. A light guiding window 32 through which light from the light source 1 passes is formed in the conductive layer 31 .
第７図および第８図の各実施例において、光源１は、第
１図および第５図に示される４１１戒を有する光源だけ
でなく、その他の構成を有するＥＬ素子を備えた光源が
用いられてもよい。In each of the embodiments shown in FIGS. 7 and 8, the light source 1 is not only a light source having the 411 precepts shown in FIGS. 1 and 5, but also a light source equipped with an EL element having other configurations. You can.
棒状体１５は省略され、ＥＬ素子１６は中空の円弧状に
形成されている構成としてもよい。The rod-shaped body 15 may be omitted and the EL element 16 may be formed in a hollow arc shape.
発明の効果
以上のように本発明によれば、ＥＬ発光層の半径方向内
方から放射される光は、半径方向外方側の金属電極層に
よって反射されてそのＥＬ発光層の周方向に分断されて
形成された光射出孔から放射されるので、大きな光量で
均一に原稿などを照射することができるようになる。Effects of the Invention As described above, according to the present invention, light emitted from the radially inner side of the EL light emitting layer is reflected by the metal electrode layer on the radially outer side and divided in the circumferential direction of the EL light emitting layer. Since the light is emitted from the light exit hole formed in the same direction, it is possible to uniformly illuminate a document or the like with a large amount of light.
またこのようなＥＬ発光層によって形成される光源は中
空であってよいけれども、直円柱状のガラスの棒状体の
外周面に形成することによって、製造が容易であり、ま
た強度を向上することができる。Further, although the light source formed by such an EL light emitting layer may be hollow, manufacturing is easy and the strength can be improved by forming it on the outer peripheral surface of a right cylindrical glass rod. can.
さらにまた光学的読取り装置においてＥＬ発光層と受光
素子との間に接地されたシールド用導電層を介在するこ
とによって、交流電力によって駆動されるＥＬ素子から
のノイズが受光素子に混入することを防ぐことができ、
読取りを正確に行うことができるようになる。Furthermore, by interposing a grounded shield conductive layer between the EL light-emitting layer and the light-receiving element in the optical reading device, noise from the EL element driven by AC power is prevented from entering the light-receiving element. It is possible,
This allows for accurate reading.
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は成膜物２
４によるＥＬ素子１６の製造工程を示す図、第３！！Ｉ
は本発明の他の実施例のＥＬ素子１６を形成する工程を
示す図、第４図は本発明の他の実施例の断面図、第５図
は本発明のさらに他の実施例の断面図、第６図は第１図
に示される光源装置１を有する読取り装置３の断面図、
第７図は本発明の池の実施例の読取り装置の断面図、第
８図は本発明のさらに他の実施例の読取り装置の断面図
である。
１・・・光源装置、２・・・原稿、３・・・読取り装置
、４・・・光出射孔、１５・・・棒状体、１６・・・Ｅ
Ｌ素子、１７・・・透明電極層、１８・・・絶縁耐圧層
、１９・・・ＥＬ発光層、２０・・・裏面電極層、２１
・・・被覆層、２７・・・透明シールド用導電層、３０
．３１・・・シールド用導電層FIG. 1 is a cross-sectional view of one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a film-formed product 2.
Figure 3 showing the manufacturing process of the EL element 16 according to No. 4! ! I
4 is a cross-sectional view of another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view of still another embodiment of the present invention. , FIG. 6 is a sectional view of the reading device 3 having the light source device 1 shown in FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view of a reading device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view of a reading device according to still another embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Light source device, 2... Document, 3... Reading device, 4... Light exit hole, 15... Rod-shaped body, 16... E
L element, 17... Transparent electrode layer, 18... Insulating voltage layer, 19... EL light emitting layer, 20... Back electrode layer, 21
... Covering layer, 27 ... Conductive layer for transparent shield, 30
．． 31... Conductive layer for shielding
Claims (4)
Ｌ発光層および金属電極層を順次積層するとともに、周
面軸方向に分断されて成るスリット状光射出孔を形成し
たことを特徴とする光源装置。(1) A transparent electrode layer on the outer circumferential surface of the right cylindrical transparent rod-shaped body, E
A light source device characterized in that an L-emitting layer and a metal electrode layer are sequentially laminated, and a slit-shaped light exit hole is formed by being divided in the axial direction of the circumferential surface.
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光源装
置。(2) The light source device according to claim 1, characterized in that a shield conductive layer is laminated on the metal electrode layer.
リット状光射出孔に沿って複数の受光素子が配列された
読取り部とを備え、上記光源装置が原稿を照射し、その
反射光を上記受光素子が受光するように構成したことを
特徴とする光学的読取り装置。(3) The light source device according to claim 1, and a reading section in which a plurality of light receiving elements are arranged along the slit-shaped light exit hole, the light source device irradiates the document and reflects the light. An optical reading device characterized in that the light receiving element is configured to receive light.
層を配設したことを特徴とする特許請求の範囲第３項記
載の光学的読取り装置。(4) The optical reading device according to claim 3, characterized in that a shielding conductive layer is provided between the light source device and the reading section.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1226858A JPH0389487A (en) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Light source and optical reader |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1226858A JPH0389487A (en) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Light source and optical reader |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0389487A true JPH0389487A (en) | 1991-04-15 |
Family
ID=16851675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1226858A Pending JPH0389487A (en) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Light source and optical reader |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0389487A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5320063A (en) * | 1992-01-31 | 1994-06-14 | Yazaki Corporation | Luminous pointer |
| EP0793899A1 (en) * | 1994-11-22 | 1997-09-10 | Durel Corporation | Tubular el lamp |
| JP2006154589A (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Element using fiber substrate and its manufacturing method |
| JP2006156270A (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Light-emitting element |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1226858A patent/JPH0389487A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5320063A (en) * | 1992-01-31 | 1994-06-14 | Yazaki Corporation | Luminous pointer |
| EP0793899A1 (en) * | 1994-11-22 | 1997-09-10 | Durel Corporation | Tubular el lamp |
| EP0793899A4 (en) * | 1994-11-22 | 1999-11-17 | Durel Corp | Tubular el lamp |
| JP2006154589A (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Element using fiber substrate and its manufacturing method |
| JP2006156270A (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Light-emitting element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4073510B2 (en) | Organic EL light emitting device | |
| JPH10133026A (en) | Illuminator having light transmission body | |
| CN109993114B (en) | Grain identification display device and grain identification method thereof | |
| JP2831730B2 (en) | Contact image sensor | |
| JPH0193165A (en) | Contact type image sensor | |
| JP2003087502A (en) | Organic el image sensor | |
| JPH0389487A (en) | Light source and optical reader | |
| US5479070A (en) | Light-emitting element device | |
| US5254849A (en) | Image reading apparatus having light shielding element disposed between light emitting elements | |
| EP0171979A1 (en) | Full-frame short focal lenght imaging system | |
| EP0721293B1 (en) | Edge emitter | |
| JPH08293620A (en) | Image reading device | |
| JPH03107861U (en) | ||
| JPS63102361A (en) | Contact type solid-state image pickup device | |
| JP2001292280A (en) | Illuminator and image reader to use the same | |
| JP2000343752A (en) | Organic el print head | |
| JPH0348245U (en) | ||
| JP2658421B2 (en) | Image reading device | |
| JP2769812B2 (en) | Document reading device | |
| JPH0745082Y2 (en) | Linear light source | |
| JP2697180B2 (en) | Image reading device | |
| JPH0437248A (en) | Light emitting element device and manufacture of light emitting element device and picture reader | |
| JP2007134288A (en) | Lighting device, manuscript reading device using it | |
| JPH0747875Y2 (en) | Image reader | |
| CN114038021A (en) | Fingerprint sensing device |